KR100462237B1 - 기판 냉각장치를 가지는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비 - Google Patents

기판 냉각장치를 가지는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비 Download PDF

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Abstract

클러스터 장비에서 반도체 소자 제조공정을 진행함에 있어서 공정병목 문제를 제거할 수 있도록 기판 냉각장치를 가지는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비에 관해 개시하고 있다. 본 발명의 클러스터 장비는: 기판 반송로봇이 내장된 공통된 하나의 반송모듈과 부대 진공장치로 이루어진 클러스터 플랫폼과, 이의 각 면들에 부착된 다수의 공정챔버들과, 기판의 반입 및 반출을 위한 카세트가 장입되는 로드락 챔버를 구비하는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비에 있어서, 상기 공정챔버에서 공정을 마친 기판을 동시에 다수 개로 안착시켜 냉각할 수 있도록, 복수 개의 기판 안착대를 가지는 기판 다중탑재기와, 상기 기판 다중탑재기를 둘러싸되 상기 클러스터 플랫폼의 일면에 부착되는 냉각챔버를 더 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 다수의 공정챔버들을 가지는 클러스터 장비의 각 공정챔버에서 동시에 반도체 소자의 제조공정을 진행하더라도, 기판 냉각지연에 따른 공정 병목현상을 제거할 수 있다. 따라서, 공정시간이 단축되어 반도체 소자의 제조원가를 낮출 수 있다.

Description

기판 냉각장치를 가지는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비 {Cluster tool for semiconductor device fabrication having a substrate cooling apparatus}
본 발명은 반도체 소자 제조용 클러스터 장비에 관한 것으로서, 특히 클러스터 장비에서 반도체 소자 제조공정을 진행함에 있어서 공정병목 문제를 제거할 수 있도록 기판 냉각장치를 가지는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 소자 제조용 클러스터 장비는, 기판 반송로봇이 내장된 공통된 하나의 반송모듈(transfer module)과, 다수의 격리밸브 및 부대 진공장치로 구성되는 클러스터 플랫폼(cluster platform)과 이의 각면에 위치한 다수의 공정모듈(process module) 및 카세트 모듈 등의 부착모듈이 장착되는 형태로 구성되는 다중반응로형 복합 반도체 제조장비이다.
도 1에 반도체 소자 제조용 클러스터 장비(100)의 구성을 개략적으로 도시하였다. 도 1을 참조하면, 기판(140)을 자동으로 반송할 수 있는 기판 반송용 로봇(132)이 중앙에 위치한 다면체의 반송모듈(130)이 기본 플랫폼이고 그 각면에 공정챔버들(110a, 110b, 110c) 및 기판의 반출입을 가능하게 하는 제1 및 제2 로드락 챔버들(120a, 120b)이 부착되어 있다.
이와 같이 구성된 장비의 작동은 다음과 같다. 우선, 제1 로드락 챔버(120a)에 기판이 삽입되어 있는 카세트(미도시)를 장착한다. 그 다음, 진공펌프에 의해 제1 로드락 챔버(120a) 내의 압력을 일정 수준으로 낮춘다. 제1 로드락 챔버(120a) 내의 압력이 원하는 정도로 낮아지면, 기판 반송용 로봇(132)은 카세트로부터 기판을 꺼내어 기판의 플랫존(flat zone) 정렬을 위한 정렬기(aligner; 122) 상에 올려놓는다. 정렬된 기판은 다시 반송모듈(130)의 기판 반송용 로봇(132)에 의해 제1 공정챔버(110a) 내에 장입되어, 반도체 공정을 거친다. 반도체 공정이 기판을 가열한 상태로 이루어지는 경우, 공정이 완료된 기판은 기판 반송용 로봇(132)에 의해 제1 공정챔버(110a)로부터 꺼내어진 후, 기판을 상온으로 냉각시키기 위한 냉각판(124), 소위 인쿨러(incooler) 위에 올려진다. 로드락 챔버 내에 있는 카세트에서 기판을 꺼내어 공정챔버에 넣어 공정을 진행하고 공정이 완료된 기판을 냉각판 위에서 냉각시키는 일련의 상기 과정은 한 장의 기판마다 진행된다. 공정챔버 내의 온도가 300℃ 이상일 경우, 이러한 냉각판(124) 위에서 기판을 냉각시키는 데는 대략 100초의 시간이 필요하다. 그런데, 종래기술에 따른 반도체 소자 제조용 클러스터 장비의 냉각판(124) 위에는 기판을 한 장씩만 올려놓을 수 있도록 되어 있어서, 다수의 공정챔버에서 각각 동시에 공정을 진행할 경우 기판 냉각의 지연에 따른 공정 병목(process bottle neck)현상이 발생한다.
따라서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 다수의 공정챔버들을 가지는 클러스터 장비의 각 공정챔버에서 동시에 반도체 소자의 제조공정을 진행하더라도, 기판 냉각지연에 따른 공정 병목현상을 제거할 수 있는 기판 냉각장치를 가지는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비를 제공하는 데 있다.
도 1은 종래의 반도체 소자 제조용 클러스터 장비의 개략적인 구성도;
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 클러스터 장비의 개략적인 구성도;
도 3은 본 발명의 실시예에 사용되는 기판 다중탑재기의 측면도; 및
도 4는 본 발명의 실시예에 사용되는 기판안착대의 평면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100, 200 … 클러스터 장비
110a, 110b, 110c, 210a, 210b, 210c … 공정챔버
120a, 120b, 220a, 220b … 로드락 챔버
122, 222a, 222b … 정렬기 124 … 냉각판
130, 230 … 반송모듈 132, 232 … 기판 반송용 로봇
140, 240 … 기판 224a, 224b … 카세트
250 … 냉각챔버 252 … 기판 안착대
253 … 연결대 254 … 기판 다중탑재기
255 … 석영볼 260a, 260b … 개폐구
270 … 냉각가스 주입관 272 … 가스필터
274 … 유량 조절밸브
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체소자 제조용 클러스터 장비는, 기판 반송로봇이 내장된 공통된 하나의 반송모듈과 부대 진공장치로 이루어진 클러스터 플랫폼; 상기 클러스터 플랫폼의 면에 부착되는 다수의 공정챔버; 상기 클러스터 플랫폼의 면에 부착되며, 기판의 반입 및 반출을 위한 카세트가 장입되는 2개 이상의 로드락챔버; 상기 로드락 챔버 사이에 위치하도록 상기 클러스터 플랫폼의 면에 부착되는 냉각 챔버; 상기 냉각챔버와 로드락 챔버 사이 및 상기 냉각챔버와 클러스터 플랫폼 사이에 설치되는 개폐수단; 및 상기 냉각챔버 내부에 설치되며 복수 개의 기판 안착대를 가지는 기판 다중탑재기;를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 기판 안착대의 기판 접촉부위가 세라믹 또는 석영재질로 이루어진 것이 바람직하다.
상기 기판 안착대가, 스테인레스 스틸판과, 상기 스테인레스 스틸판의 상부에 코팅된 세라믹판 또는 석영판으로 이루어지도록 할 수도 있다.
복수 개의 기판 안착대의 개수는 5개 또는 25개인 것이 바람직하다.
한편, 상기 냉각챔버 내부에 질소, 아르곤을 포함한 냉각용 가스를 주입하도록, 상기 냉각챔버에 냉각용 가스 주입관이 연결되는 것이 바람직하다.
또는, 상기 냉각챔버 내부의 냉각을 위해 상기 냉각챔버의 벽을 둘러싸는 수냉관을 마련할 수도 있다.
상기 기판 다중탑재기에서 냉각완료된 기판들을 상기 기판 다중탑재기에서 상기 로드락 챔버 내의 카세트에 직접 이송시키도록 상기 기판 다중탑재기와 카세트를 각각 이동시키는 수단들이 설치되면 좋다.
이 때, 상기 카세트 이동수단은, 상기 카세트를 상기 반송모듈 방향과 상기 기판 다중탑재기 방향 사이에서 왕복회전시키는 이동수단이며;
상기 기판 다중탑재기의 이동수단은: 상기 기판 다중탑재기를 상기 반송모듈 방향과 상기 카세트 방향 사이에서 왕복회전시키는 수단과, 상기 기판 안착대에 놓여진 기판들이 상기 카세트의 슬롯 위치에 정합되도록 이동시키는 수단과, 상기 기판 다중탑재기를 상기 카세트 방향으로 전후진시키는 수단으로 이루어진 것이 바람직하다.
상기 정합이동수단은 상기 기판 다중탑재기 자체의 상하이동수단이거나, 상기 기판 안착대 자체의 상하이동수단인 것이 바람직하다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 소자 제조용 클러스터 장비(200)의 개략적인 구성도이다.
도 2를 참조하면, 기판(240)을 자동으로 반송할 수 있는 기판 반송용 로봇(232)이 중앙에 위치한 다면체의 반송모듈(130)이 기본 플랫폼이며, 그 각면에 공정챔버들(210a, 210b, 210c) 및 기판의 반출입을 가능하게 하는 제1 및 제2 로드락 챔버들(220a, 220b)이 부착된 구성은 도 1에 도시된 종래의 클러스터 장비와 동일하다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따른 장비에서는 기본 플랫폼의 일면에 냉각챔버(250)가 별도로 마련되어 있고, 플랫폼과 냉각챔버(250)는 냉각챔버 개폐구(256)에 의해 이루어진다. 냉각챔버(250) 내에는 다수의 기판 안착대(252)가 부착된 기판 다중탑재기(254)가 위치하고 있다. 다수의 기판안착대(252)들 사이의 간격은 제1 및 제2 로드락 챔버들(220a, 220b) 내에 있는 카세트(224a, 224b)의 슬롯 간격과 동일하다. 기판 다중탑재기(254)에는 자신을 상하방향, 전후방향(G)으로 이동시키거나, 회전(F, F')시키는 이동수단(미도시)이 마련되어 있다. 여기서, 상하방향이란, 클러스터 장비의 수평방향에 대한 직각방향으로서, 도면에서는 지면에 수직인 방향을 의미한다. 또한, 제1 및 제2 로드락 챔버들(220a, 220b) 내에 있는 카세트(224a, 224b)의 하부에도 카세트 위치이동 수단(미도시)이 마련되어, 카세트(224a, 224b)를 반송모듈(230) 방향과 기판 다중탑재기(254) 방향 사이에서 왕복회전(H, H')시킬 수 있다. 그리고, 제1 및 제2 로드락 챔버들(220a, 220b)과 냉각챔버(250) 사이에는 이들을 선택적으로 연통시키기 위한 개폐구들(260a, 260b)이 각각 설치되어 있다. 냉각챔버(250) 내에는 냉각용 N2 가스를 공급할 수 있도록, 냉각가스 주입관(270)이 연결되어 있는데, 냉각용 N2 가스는 가스필터(272)와 유량 조절밸브(274)를 거쳐 냉각챔버(250) 내부로 공급된다.
아래에, 상기 구조를 가진 반도체 소자 제조용 클러스터 장비(200)의 작동에 대해 설명한다. 공정챔버들(210a, 210b, 210c)중의 어느 하나에서 공정을 마친 기판(240)은 기판 반송용 로봇(232)에 의해 공정챔버에서 꺼내어진 다음, 냉각챔버 개폐구(256)가 열려지면 기판 안착대(252) 위에 올려진다. 이 과정에서 로봇(232)이 기판 다중탑재기(254) 방향으로 전진하여 기판 안착대(252)가 기판(240)을 수납받도록 한다. 이 과정에서, 로봇(232)과 기판 안착대(252) 사이의 높이를 맞추기 위해, 둘 중의 어느 하나가 상하방향으로 미세조정된다. 5개의 기판 안착대(252) 위에서는 5매의 공정완료된 기판이 냉각될 수 있다. 따라서, 다른 기판의 냉각이 완료되지 않았어도, 기판 안착대(252)가 완전히 채워질 때까지는 냉각될 기판을 기판 다중탑재기(254)에서 냉각시킬 수 있다. 기판 안착대(252)가 완전히 채워질 때까지 냉각대상 기판들을 채워서 기판들을 냉각시킨 후에는, 기판 다중탑재기(254)가 제1 로드락 챔버(220a) 내의 제1 카세트(224a) 또는 제2 로드락 챔버(220b) 내의 제2 카세트(224b)를 향하여 F 또는 F'방향으로 회전한다. 이에 대응하여, 제1 로드락 챔버(220a) 내의 제1 카세트(224a) 또는 제2 로드락 챔버(220b) 내의 제2 카세트(224b)도 기판 다중탑재기(254)를 향하여 H 또는 H'방향으로 회전한다. 카세트와 기판 다중탑재기의 방향이 맞춰지면, 개폐구들(260a, 260b) 중 어느 하나가 열리고, 기판 다중탑재기(254)가 G방향으로 이동하여 카세트에 5매의 기판을 넣는다. 제1 및 제2 카세트들(224a, 220b)에는 통상 1로트(lot), 25매의 기판이 수납될 수 있으므로, 상기와 같은 과정을 5번 반복하면 냉각이 완료된 기판을 카세트에 모두 수납시킬 수 있다. 만약, 기판 안착대(252)가 25개로 구성된다면, 한 번의 과정으로 냉각이 완료된 기판을 카세트에 모두 수납시킬 수 있다. 기판 안착대의 개수는 25의 약수의 개수로 정하는 것이 바람직한데, 이는 기판 안착대에 기판을 모두 채워서 냉각시킨 후, 카세트에 빈 슬롯이 없게 모두 기판으로 채울 수 있기 때문이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 사용되는 기판 다중탑재기의 측면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 다중탑재기(254)에는 5개의 연결대(253)에 의해 통상의 카세트의 슬롯간격으로 기판 안착대(252)들이 부착되어 있다. 5개의 기판 안착대(252) 중의 2개에만 기판(240)이 얹혀져 냉각되고 있는 상태를 도시하였다. 기판 안착대(252)와 기판(240)은 직접 접촉하지 않고, 기판 안착대(252)에 돌출형성시킨 석영볼(255) 상에 기판(240)이 접촉된 상태로 안착된 것을 알 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 사용되는 기판 안착대의 평면도이다. 도 4를 참조하면, 연결대(253)에 부착된 기판 안착대(252)가 말굽형상을 하고 있으며, 그 상면에 석영볼(255)이 돌출형성되어 있음을 알 수 있다. 석영볼(255)은 기판 안착대(252)가 스테인레스 스틸 재질로 만들어질 경우, 기판과 기판 안착대(252)가 직접 접촉하여 기판이 손상되는 일이 없도록 하는 역할을 한다. 기판 안착대(252) 자체를 세라믹이나 석영으로 만들 경우, 이와 같은 석영볼은 불필요하다. 또한, 기판 안착대(252)를 스테인레스 스틸로 만들더라도, 그 상면에 석영을 코팅한 경우에도 석영볼 없이 사용할 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따른 반도체 소자 제조용 클러스터 장비는 신규한 구조의 기판 다중탑재기를 구비하고 있기 때문에, 다수의 공정챔버들을 가지는 클러스터 장비의 각 공정챔버에서 동시에 반도체 소자의 제조공정을 진행하더라도, 기판 냉각지연에 따른 공정 병목현상을 제거할 수 있다. 따라서, 공정시간이 단축되어 반도체 소자의 제조원가를 낮출 수 있다.
본 발명은 상기 실시예에만 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 많은 변형이 가능함은 명백하다.

Claims (10)

  1. 기판 반송로봇이 내장된 공통된 하나의 반송모듈과 부대 진공장치로 이루어진 클러스터 플랫폼;
    상기 클러스터 플랫폼의 면에 부착되는 다수의 공정챔버;
    상기 클러스터 플랫폼의 면에 부착되며, 기판의 반입 및 반출을 위한 카세트가 장입되는 2개 이상의 로드락챔버;
    상기 로드락 챔버 사이에 위치하도록 상기 클러스터 플랫폼의 면에 부착되는 냉각 챔버;
    상기 냉각챔버와 로드락 챔버 사이 및 상기 냉각챔버와 클러스터 플랫폼 사이에 설치되는 개폐수단; 및
    상기 냉각챔버 내부에 설치되며 복수 개의 기판 안착대를 가지는 기판 다중탑재기;를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판 안착대의 기판 접촉부위가 세라믹 또는 석영재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판 안착대가:
    스테인레스 스틸판과;
    상기 스테인레스 스틸판의 상부에 코팅된 세라믹판 또는 석영판으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비.
  4. 제1항에 있어서, 상기 기판 안착대의 개수가 5개 또는 25개인 것을 특징으로하는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비.
  5. 제1항에 있어서, 상기 냉각챔버 내부에 질소 또는 아르곤을 포함한 냉각용 가스를 주입하도록, 상기 냉각챔버에 냉각용 가스 주입관이 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비.
  6. 제1항에 있어서, 상기 냉각챔버 내부의 냉각을 위해 상기 냉각챔버의 벽을 둘러싸는 수냉관이 마련된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비.
  7. 제1항에 있어서, 상기 기판 다중탑재기에서 냉각완료된 기판들을 상기 기판 다중탑재기에서 상기 로드락 챔버 내의 카세트에 직접 이송시키도록 상기 기판 다중탑재기와 카세트를 각각 이동시키는 수단들을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비.
  8. 제7항에 있어서, 상기 카세트 이동수단은: 상기 카세트를 상기 반송모듈 방향과 상기 기판 다중탑재기 방향 사이에서 왕복회전시키는 이동수단이며;
    상기 기판 다중탑재기의 이동수단은: 상기 기판 다중탑재기를 상기 반송모듈방향과 상기 카세트 방향 사이에서 왕복회전시키는 수단과, 상기 기판 안착대에 놓여진 기판들이 상기 카세트의 슬롯 위치에 정합되도록 이동시키는 수단과, 상기 기판 다중탑재기를 상기 카세트 방향으로 전후진시키는 수단으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비.
  9. 제8항에 있어서, 상기 정합이동수단이 상기 기판 다중탑재기 자체의 상하이동수단인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비.
  10. 제8항에 있어서, 상기 정합이동수단이 상기 기판 안착대 자체의 상하이동수단인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조용 클러스터 장비.
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Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001319885A (ja) * 2000-03-02 2001-11-16 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体製造方法
KR100385391B1 (ko) * 2001-01-04 2003-05-27 주식회사 아토 웨이퍼의 박막 증착방법
US6896513B2 (en) * 2002-09-12 2005-05-24 Applied Materials, Inc. Large area substrate processing system
KR100541179B1 (ko) * 2003-02-03 2006-01-11 삼성전자주식회사 유전막 형성 장치 및 방법
KR100524197B1 (ko) * 2003-04-29 2005-10-27 삼성전자주식회사 매엽식 반도체 소자 제조장치 및 이를 이용한 게이트 전극및 콘택 전극의 연속 형성방법
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US20060130767A1 (en) 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Purged vacuum chuck with proximity pins
US20060241813A1 (en) * 2005-04-22 2006-10-26 Applied Materials, Inc. Optimized cluster tool transfer process and collision avoidance design
US7738987B2 (en) * 2006-11-28 2010-06-15 Tokyo Electron Limited Device and method for controlling substrate processing apparatus
WO2008141106A1 (en) * 2007-05-09 2008-11-20 Applied Materials, Inc. Transfer chamber with vacuum extension for shutter disks
US20080276867A1 (en) * 2007-05-09 2008-11-13 Jason Schaller Transfer chamber with vacuum extension for shutter disks
US8082741B2 (en) * 2007-05-15 2011-12-27 Brooks Automation, Inc. Integral facet cryopump, water vapor pump, or high vacuum pump
US8323410B2 (en) * 2008-07-31 2012-12-04 Tokyo Electron Limited High throughput chemical treatment system and method of operating
US8303715B2 (en) * 2008-07-31 2012-11-06 Tokyo Electron Limited High throughput thermal treatment system and method of operating
US8303716B2 (en) * 2008-07-31 2012-11-06 Tokyo Electron Limited High throughput processing system for chemical treatment and thermal treatment and method of operating
US8287688B2 (en) * 2008-07-31 2012-10-16 Tokyo Electron Limited Substrate support for high throughput chemical treatment system
US20100181500A1 (en) * 2009-01-16 2010-07-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for low temperature ion implantation
JP2011009362A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Tokyo Electron Ltd インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5060517B2 (ja) * 2009-06-24 2012-10-31 東京エレクトロン株式会社 インプリントシステム
US8524052B1 (en) 2010-04-02 2013-09-03 WD Media, LLC Cooling shower plate for disk manufacture
TWI814354B (zh) * 2013-01-22 2023-09-01 美商布魯克斯自動機械美國公司 基材運送
DE102013218584B4 (de) * 2013-09-17 2020-12-03 Singulus Technologies Ag Kühlmagazin zum Kühlen von Substraten, Vorrichtung mit einem Kühlmagazin und Verfahren zum Behandeln von Substraten mit einer solchen Vorrichtung
KR20210127823A (ko) 2013-11-04 2021-10-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 증가된 개수의 측들을 갖는 이송 챔버들, 반도체 디바이스 제조 프로세싱 툴들, 및 프로세싱 방법들
US9696097B2 (en) * 2014-08-01 2017-07-04 Applied Materials, Inc. Multi-substrate thermal management apparatus
JP6582676B2 (ja) 2015-07-24 2019-10-02 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置、及び基板処理システム
US10103042B2 (en) * 2016-01-29 2018-10-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Chamber, semiconductor processing station, and semiconductor process using the same
JP6240695B2 (ja) * 2016-03-02 2017-11-29 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
US11508596B2 (en) * 2020-05-28 2022-11-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus and methods for automatically handling die carriers
KR20220053854A (ko) * 2020-10-23 2022-05-02 피코앤테라(주) 이에프이엠

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5512320A (en) * 1993-01-28 1996-04-30 Applied Materials, Inc. Vacuum processing apparatus having improved throughput
JPH09186108A (ja) * 1995-12-27 1997-07-15 Tokyo Electron Ltd クラスタツール装置
JPH09283589A (ja) * 1996-04-08 1997-10-31 Hitachi Ltd 基板の処理方法及び処理装置
JP2000299367A (ja) * 1999-04-15 2000-10-24 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び被処理体の搬送方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4709655A (en) * 1985-12-03 1987-12-01 Varian Associates, Inc. Chemical vapor deposition apparatus
JPH06326175A (ja) * 1993-04-22 1994-11-25 Applied Materials Inc 集積回路処理装置において使用されるウエハサポートの誘電材への保護被覆とその形成方法
JP3288200B2 (ja) * 1995-06-09 2002-06-04 東京エレクトロン株式会社 真空処理装置
KR100310249B1 (ko) * 1995-08-05 2001-12-17 엔도 마코토 기판처리장치
KR100200705B1 (ko) * 1996-06-08 1999-06-15 윤종용 반도체 디바이스 제조장치, 제조장치의 공정 조건 조절방법 및 이를 이용한 커패시터 제조방법
US5882413A (en) * 1997-07-11 1999-03-16 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus having a substrate transport with a front end extension and an internal substrate buffer
JP3263684B2 (ja) * 1999-07-26 2002-03-04 株式会社ジェーイーエル 基板搬送用ロボット

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5512320A (en) * 1993-01-28 1996-04-30 Applied Materials, Inc. Vacuum processing apparatus having improved throughput
JPH09186108A (ja) * 1995-12-27 1997-07-15 Tokyo Electron Ltd クラスタツール装置
JPH09283589A (ja) * 1996-04-08 1997-10-31 Hitachi Ltd 基板の処理方法及び処理装置
JP2000299367A (ja) * 1999-04-15 2000-10-24 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び被処理体の搬送方法

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Publication number Publication date
KR20010084625A (ko) 2001-09-06
US20010017192A1 (en) 2001-08-30
US6530993B2 (en) 2003-03-11

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