JPH03187240A

JPH03187240A - 静電チヤツク

Info

Publication number: JPH03187240A
Application number: JP1325818A
Authority: JP
Inventors: Mamoru Nakasuji; 護中筋; Hiroyasu Shimizu; 弘泰清水; Shohei Suzuki; 正平鈴木; Kenji Morita; 憲司守田
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1989-12-18
Filing date: 1989-12-18
Publication date: 1991-08-15

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は半導体製造工程等に使用されシリコンウェハ等
の基板を静電的に平面度良く吸着保持する静電チャック
に係り、特に大気中および真空中の両領域において使用
して好適な静電チャックに関するものである。

［従来の技術］従来、大気中でシリコンウェハ（以下ウェハと称する）
等の基板を平面度よく保持固定する装置としては、真空
チャックあるいは機械的なチャック装置が用いられてい
る。

一方、Ｘ！ｉ露光装置によってウェハ上に集積回路パタ
ーンを転写したり、電子顕微鏡でウェハの表面観察を行
う場合等においては、真空中のため真空吸着によるウェ
ハのチャッキング（吸着保持〉を行うことができず、そ
のため従来より特開昭５９−７４６２４号公報に見られ
るような静電気力を利用した静電チャックが使用されて
いる。この静電チャックは絶縁材料からなる基板上にア
ルミニウム、チタン、クロム等を主成分とした合金を材
料とした２つの電極を形成し、この電極の表面に酸化処
理によって数μｍ〜３０μｍ程度の厚みの薄膜絶縁層を
形成し、更にその上にピンホールによる耐圧低下を防ぐ
ため絶縁性の樹脂を塗布したものである。

このような構成において、静電チャック上に被吸着物と
してのウェハを設置した後、２つの＠極間に互いに逆符
号の高電圧（±５０ボルト〜±２００ボルト）を印加す
ると、ウェハの各電極と対向する面には、それぞれ電極
の極性とは逆極性の電荷が誘起され、これによって電極
が静電気力によりウェハを吸着固定し、ウェハ表面の反
り等を矯正し、高い平面性を得るようにしている。

ここで、静電チャックによる静電吸着力（Ｆ）は次式に
よって与えられる。

但し、ε。は真空中での誘電率、ｃｌは絶縁物の比誘電
率、Ｓは電極の表面積、■は電極への印加電圧、ｄは絶
縁物の厚さである。

したがって、１式がらε。、Ｓを一定とすれば「ε１ｌ
Ｖ２Ｆα ｄ　」となり、静電吸着力Ｆは印加電圧、換言すれば誘起され
る電荷量によって大きくすることができるまた、静電チ
ャックの他の従来例としてセラミックス製の基板上に単
一の電極を形成し、その上に別途薄く研磨したセラミッ
クス製薄板をガラス等によって融着し、被吸着物をアー
スするようにしたものがある。

［発明が解決しようとする課題］ところで、上記した通りウェハの製造工程においては真
空中でのウェハの搬送、保持を静電チャックが担当し、
大気中での搬送、保持を真空チャックが担当しているた
め、２種類のチャックを必要とし、大気中でウェハを受
は取って真空中を搬送し、所定の場所へ移動設置させる
場合、チャック間での受は渡し操作が面倒であった。

特に、真空チャックの場合はウェハの着脱に気体の流れ
を伴わせる必要があり、また機械的な弁の開閉を行なう
必要があるので、迅速な着脱が困難であること、さらに
は真空配管、排気、給気ポンプが必要であるため、装置
自体が大がかりで、高価になるという問題があった。

また、機械的なチャックでは、着脱に時間がかかること
と、ウェハの複数の面、例えば、下面と、側面または下
面と表面周縁部を接触、加圧しなければならないため発
塵が多いといった問題があった。

一方、電極表面の酸化処理により絶縁層を形成した上記
特開昭５９−７４６２４号公報による従来の静電チャッ
クにおいては、電極材料としてアルミニウム、チタン、
クロム等を主成分とする合金材料を使用しているため、
絶縁層自体は硬くて耐摩耗性に富むと云う大きな利点を
有するものの、酸化処理によって形成されたピンホール
による耐圧劣化を樹脂の含浸のみによっては、十分に阻
止することができないと云うＩ？ＦＩｇがあった。

一方、強誘電材料からなるセラミックス製薄板を絶縁層
とした静電チャックにおいては、絶縁層の耐摩耗性につ
いては問題ないが、静電吸着力（Ｆ）は電圧を印加する
時間の増加関数になる。したがって、電圧を印加した直
後は静電吸着力（Ｆ）が小さく、所定の吸着力を得るま
でに暫く待ち時間が必要になるばかりか、−度電圧を印
加すると永久分極を生じ、電圧を切っただけではウェハ
を取り除くことができず、ウェハの着脱操作を迅速に行
うためには、逆符号の電圧を所定時ｒＭｉ（１０秒以上
〉印加する必要があるといった問題があった。

したがって、本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたもので、その目的とするところは、簡単な工夫
を施すことにより、大気中、真空中を問わず被吸着物の
着脱操作、特に大気中での脱操作を迅速に行うことがで
き、また絶縁物の材質を代えることにより小さな電圧で
大きな吸着力が得られ、しかも電圧を印加すれば直ちに
吸着固定し、電圧をＯにすれば直ちに吸着固定を解除す
ることができ、その上絶縁層表面の摩耗による耐圧劣化
あるいは静電吸着力の低下が少なく、また非吸湿性にも
優れた静電チャックを提供することにある。

［課題を解決するための手段］本発明は上記目的を達成するためになされたもので、そ
の第１の目的は基板に形成した電極上に絶縁物を設けた
静電チャックにおいて、前記絶縁物の表面上に少なくと
も一端開放の通気溝が形成されているものである。

また、第２の発明は」１記絶縁物として有機絶縁材料に
よる有機絶縁膜と、この有機絶縁膜の七に形成された無
機絶縁材料からなる無機絶縁膜とで構成したものである
。

［作用］大気中での使用において、被吸着物の被吸着面全体が静
電チャックの吸着面に密着していると、電圧をＯにして
被チャック物のチャック状態を解除した際、大気圧が被
吸着面以外の面にのみかかり、被吸着面にはかからない
が、絶縁物上に通気溝を設けておくと、この清を介して
大気圧が被吸着面にも作用する。　有機絶縁膜を保護す
る無機絶縁膜は、有機絶縁材料に比べて硬くて耐摩耗性
に優れ、耐圧劣化あるいは吸着力の低下を防止する。ま
た、空気中の湿度の影響も受は難く、絶縁膜を水、湿気
等から保護する。

耐摩耗性に劣る有機絶縁膜は無機絶縁膜により保護され
ているため、有機絶縁膜としてポリイミドを考え、無機
絶縁膜としてアルミナを考えた場合、ポリイミドの厚み
（ｄ）をアルミナの厚みに比して十分小さくする（１／
３０〜ｌ／３００程度〉ことができる０例えば、１／３
０の厚みにすれば、比誘電率（ε＊〉が小さい（１／３
程度）ことを考慮してもなお同じ静電吸着力（Ｆ）を得
るためには　上記式から明らかなように電圧（Ｖ）を１
７１０にすることができる。

また、有機絶縁材料は吸着力の印加時間依存性が少なく
、しかも電圧をＯにすれば分極もＯになり、永久分極や
残留分極を生じない。

［実施例］以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。

第１図は本発明に係る静電チャックと搬送アームの一実
施例を示す第２図のＡ−Ａ’線断面図、第２図は第１図
の電極パターンを示すための第１図のＢ−Ｂ’線断面図
、第３図（ａ＞から（ｄ）は静電チャックと搬送アーム
を用いたウェハ搬送・チャック装置を示す概略構成図で
ある。

先ず、第３図によりウェハ搬送・チャック装置の構成、
動作等を概略説明すると、第３図（ａ）に示した部材ｌ
は多数の未処理ウェハ２を水平にかつ垂直方向に所定の
間隔をおいて収納保管してなるカセットで、このカセッ
ト１内のウェハ２は搬送アーム３によって取り出される
。

前記搬送アーム３はウェハ２をカセット１から取り出す
と、搬送ロボット４によって水平面内にて所定量移動、
かつ所定角度回転されて、第３図（ｂ）に示したように
、前記ウェハ２をｘ＊ｇ光装置５内に挿入し、静電チャ
・ツク６に受は渡す。

ウェハ２の受は渡しが終了して搬送アーム３が外部へ退
出すると、Ｘｌｌ露光装置５は真空排気され、大気圧に
近い所定の真空度に保持される。静電チャック６は高い
平面度を有する上面、すなわち吸着面によりウェハ２の
下面を、電圧の印加によって静電的に吸着保持し、ウェ
ハ２の平面度を矯正する。露光の準備が完了すると、Ｘ
線発生源より放出されたＸ線をレンズ系７によって絞り
ウェハ２の表面に形成されたレジストを照射して所定の
露光を行なう、露光終了後、静電チャック６が水平面内
で回転し、上記とは別の搬送アーム８がＸ線露光装置５
内に進入してウェハ２を静電チャック６から受は取る。

この時、静電チャック６への印加電圧を０にしてウェハ
２のチャッキングを解除する。

搬送アーム８はウェハ２を受は取ると、搬送ロボット９
によりＸａ！ｇ光装Ｗ５から引き出され、次の工程であ
る不図示の現像装置ヘウエハ２を搬送する。現像処理後
、第３図（Ｃ）に示したように、さらに次の工程である
ドライエツチング装置１０内にウェハ２を挿入し、該装
置内に配置されている静電チャック１１にウェハ２を受
は渡す。

ドライエツチング装ＷｌＯは、放電用電源１２によって
放電電極１３に所定の電圧を印加してガス供給装置Ｆ１
４によって供給されるフッ化キセノン等の反応ガスをイ
オン化させ、これをウェハ２上のレジストに衝突させる
ことによりエツチングを行なう、そのため、内部が真空
排気され放電し易い低圧力の雰囲気に保たれている。ウ
ェハ２を大気中から低圧力の雰囲気中の静電チャック１
１に受は渡すには、−度ドライエツチング装２１０（Ｘ
線露光装置も同様）の内部圧力を大気圧まで高めウェハ
２の受は渡し後、真空排気して低圧力に戻すか、予備室
を設け、この予備室の圧力制御により行なうようにすれ
ばよい。

エツチング処理が終了すると、上記とは別の搬送ロボッ
ト１５により搬送アーム１６がドライエツチング装２１
０内に挿入されてウェハ２を静電チャック１１から受は
取り、第３図（ｄ）に示すように、別のカセット１７に
挿入保管する。

次に、と記静電チャック６（１１）および搬送アーム３
（８，１６）の構成等を第１図および第２図に基づいて
詳細に説明する。なお、第２図においては厚み方向の寸
法を拡大して示している。

第２図に示したように、静電チャック６は適宜板厚く２
關）を有するセラミックス製のチャック本体２１を備え
ている。第■図に示したように、チャック本体２１は平
面視Ｃ字状に形成されることにより、一端が一部周面に
開放しく図では上方）、他端が本体中央に延在する半径
方向のアーム挿入溝２２を有し、また上面には適宜な溝
幅および深さを有する複数間の細溝２３ａ〜２３ｆが放
射状に形成されている。そして、本体２１の上面にはニ
ッケルの無電界メツキあるいはクロムのスパッタリング
によって扇型をなす複数個の電極２４ａ〜２４ｐが互い
に絶縁されて周方向に並列形成されていると共に、電極
２４ａ〜２４ｐの上面および電極間にはポリイミド等の
有機絶縁材料からなる有機絶縁膜２６Ａが形成され、さ
らにその上にアルアルミナ等の無機絶縁材料からなる無
機絶縁膜２６Ｂが形成されている（第１図、第２図参照
）。

前記細溝２３は断面形状がＶ字状の溝からなり、その一
端が前記チャック本体２１の外周面に、他端が前記アー
ム挿入溝２２にそれぞれ開放されている。したがって、
本体２１上の溝２３ａ〜２３ｆ上にスパッタされた電極
２４ｃ、２４ｅ、２４ｈ、２４ｋ、２４ｍ、２４０は溝
２３ａ〜２３ｆに倣って蒸着され、その表面にＶ字状の
溝が形成されるから、その上に有機絶縁膜２６Ａを介し
て積み重ねられた無機絶縁膜２６Ｂの表面にもＶ字状の
溝が形成される。

前記電極２４ａ〜２４Ｐは前記アーム挿入溝２２の中心
線を挟んで対向するもの同士がそれぞれ対（２４ａ−２
４ｐ、２４ｂ−２４ｏ、２４ｃｍ２４ｎ、２４ｄ−２４
ｍ、２４ｅ−２４，＆、２４ｆ−２４に、２４ｇ−２４
ｊ、２４ｈ−２４ｉ）をなしている、このような電極２
４の形成に際しては予め電極２４を分離するための細い
テープをチャック本体２１の上面に接着し、この状態で
ニッケルの無電界メツキあるいはクロムのスパッタリン
グを行い、しかる後テープを収り除けばよい。

多電ｆ［！２４ａ〜２４ｐは全て厚みが３μｍ程度とさ
れ、その一端部から本体２１の周縁部まで引き出し線が
それぞれ形成され、この引き出し線を介して不図示の電
源に接続されている。なお、既に述べたが、１ｆ極２４
の表面で前記細溝２３に対応する部分はＶ字状の溝を形
成し、その両端がチャック本体２１の内、外周面に開放
している。

有機絶縁膜２６Ａとしては、具体的には、電極２４の上
にポリイミド（東し製セミコファイン５Ｐ−９１０）を
塗布し、約１，０ＯＯｒ、ｐ、ｍの回転速度でスピンコ
ードし、その後８０°Ｃで１時間（２００°Ｃでは３０
分、３５°Ｃでは１時間〉ベーキング処理を行うことに
より厚さ１０μｍ程度の丈夫なポリイミド層を得た。

無機絶縁膜２６Ｂは前記有機絶縁ＪＩＩ２６Ａを保護す
るもので、具体的には、例えばアルミナ（Ａｆ１２０ｓ
　＞を前記有機絶縁膜２６Ａの上にスバ・ツタリングす
ることにより形成され、その厚みは１μｍ程度とされる
。

このようにして無機絶縁膜２６Ｂ上に形成されたＶ字状
の通気溝は、ウェハ２の被吸着面に大気圧を作用させる
ようにしている。この通気溝も前記細溝２３上に薄膜を
積み重ねることにより形成される以上、その一端が静電
チャック６の外周面に、他端が前記アーム挿入溝２２に
それぞれ開放されていることは当然である。

この場合１通気溝（細溝２３〉を放射状に形成して、そ
の両端を静電チャック６の内、外周面に開放させたが、
これに限らず一端のみを開放させたり、あるいはまた環
状に形成し、チャック本体２１に貫通形成した貫通孔に
よりチャック本体の下面側に開放させるようにしてもよ
いことは勿論である。

但し、放射状の溝は、有機絶縁材料２６Ａの膜をスピン
コードにより形成する際、溝が有機絶縁材料の半径方向
への移動を邪魔することなく、むらが生じないという利
点はある。

このような構成からなる静電チャック６は無機絶縁Ｍ２
６Ｂ上にウェハ２を設置し、互いに対をなす電Ｖｉ２４
ａ〜２４ｐに逆符号の電圧（例えば±２００Ｖ）を順次
印加することにより動作され、しかして有機絶縁膜２６
Ａに電荷が発生することでウェハ２が静電的に吸着固定
される。

この場合、電圧印加のシーケンスは制御装置からの制御
信号によってスイッチを動作させることにより行なわれ
る。シーケンスの一例として、先ず電極２４ａ、２４ｐ
に＋２００Ｖ、−２００Ｖを印加し、次に電極２４ｂ、
２４ｏ、さらに次に′！Ｘ極２４ｃ、２４ｎ、・・・・
そして最後に電極２４ｈ、２４Ｌに＋２００Ｖ、−２０
０Ｖを印加した。

なお、ウェハ２の吸着保持を解除する場合は、電圧を全
電極同時にＯＦＦにすればよいが、より短時間に脱にす
るため、逆符号の電圧を短時間印加するとよい。

ウェハ２を前記静電チャック６に受は渡したりあるいは
また静電チャック６からウェハ２を受は取ったりする搬
送アーム３は前記静電チャック６のアーム挿入溝２２に
挿入され得る幅を有するアーム本体３１を備えている。

アーム本体３１の上面にはＶ字状の細溝３２ａ〜３２ｄ
が刻設されると共に、ニッケルの無電界メツキあるいは
クロムのスパッタリングによって電［ｉ　３３　ａ、３
３ｂが互いに絶縁されて形成されている。電極３３ａ、
３３ｂの表面には本体３１の細溝３２ａ〜３２ｄに倣っ
たＶ字状の細溝が形成される。

前記細溝３２は適宜な深さと溝幅を有し、両端がアーム
本体３１の側面に開放されている。

前記電１３３ａ、３３ｂは絶縁物３４によって被覆され
ている。絶縁物３４は、有機絶縁材料からなる有機絶縁
膜３４Ａにより被覆されると共に、両軍Ｉｉ　３３　ａ
、３３ｂの間は膜３４Ａにより絶縁されている。有機絶
縁膜３４Ａは無機絶縁材料からなる無機絶縁膜３４Ｂで
被覆保護されている。

したがって、静電チャック６について述べたと同様に、
無機絶縁膜３４Ｂの表面にも細溝３２ａ、３２ｂに対応
した細溝３５ａ、３５ｂが形成される。前記有機絶縁膜
３４Ａとしては、ポリイミドからなり、スピンコードに
よって塗布し、その後ベーキング処理することによって
形成され、その厚さは１０μｍ程度とされる。無機絶縁
膜３４Ｂは１例えばアルミナを前記有機絶縁１１１３４
Ａの上にスパッタリングすることにより形成され、その
厚みは１μｍ程度とされる。

なお、電極３３ａ、３３ｂ、有１１Ｍ縁膜３４Ａおよび
無機絶縁膜３４Ｂの前記細溝３２ａ、３２ｂに対応する
部分にはＶ字状の溝が形成され、特に無機絶縁膜３４Ｂ
の溝はウェハ２の被吸着面に大気圧を作用させるための
通気溝３５を形成している。そして、通気溝３５ａ、３
５ｂはその両端が該搬送アーム３の側面に開放されてい
る。

このような構成からなる搬送アーム３は前記静電チャッ
ク６と平面形状および電［！３３ａ、３３ｂの数のみが
異なるだけで、その他の構成および製作方法は全く同様
であり、したがって実質的に静電チャック６と同じ静電
チャックを構成している。

このような搬送アーム３によるウェハ２の吸着保持に際
しては、静電チャック６と同様各電極３３ａ、３３ｂに
互いに逆符号の電圧（例えば±２００Ｖ）を印加すれば
よい、搬送アーム３によって保持されたウェハ２を静電
チャック６に受は渡す場合は、搬送アーム３をアーム挿
入溝２２に挿入して＠極３３の電圧を０にしてチャ・フ
キングを解除し、代わりに静電チャック６の電極２４ａ
〜２４Ｐに電圧を印加してウェハ２を静電的に吸引保持
すればよい０反対に、静電チャック６がら搬送アーム３
に受は渡す場合は、上記とは反対に電極２４ａ〜２４ｐ
の電圧をＯにして静電チャック６によるチャッキングを
解除し、１ｌｆｉ３３ａ、３３ｂに電圧を印加すればよ
い。

なお、ウェハ２の受は渡し操作に際しては、ウェハ２と
静電チャック６または搬送アーム３との間に摩擦が生じ
ないように、適宜な昇降機構によってこれらチャックを
相対的に上下動させればよい上記構成からなる静電チャック６（搬送アーム３も同様
）においては、従来の静電チャックと比較して大気中で
のウェハ２の着脱操作が容易であるという大きな利点を
有する。すなわち、ウェハ２の下面全体が静電チャック
６に密着していると、大気圧が上からしかかかっていな
いため、なかなか収り外せないが、本発明においては静
電チャック６の吸着面に通気溝２８を設けてウェハ２の
下面側にも大気圧が作用するようにしているので、簡単
に取り外すことができる。

また、真空チャックでは１ｋｇ／Ｃ１１２という大きな
圧力がウェハ２に掛かるが、静電チャック６では１０〜
５００ｇ／ｃｍ２程度のウェハ搬送に十分な圧力に制御
できるので、ウェハ２と静電チャック６間での摩耗によ
るゴミ発生を著しく押さえることができる。さらに、真
空中、大気中を問わず静電チャック６単独でウェハ２の
搬送、受は渡し、吸引保持を行なうと、電気配線と電源
だけでよく、構造が簡単で真空チャックを用いる場合に
比べて遥かに経済的である。

また、静電チャック６の有機絶縁ｌＩ２６Ａを形成する
ポリイミドはその厚み（ｄ）が１０μｍで、単に電極上
にアルミナからなる絶縁物を形成した従来の場合と比較
して上述した通り厚みを著しく小さく（１，／２０〜１
／３０）することができるので、比誘電率（ε＊〉が小
さい〈１／３程度〉ことを考慮してもなお同じ吸着力（
Ｆ）を得るためには電圧（Ｖ）を１／１０程度に小さく
することができる。また、同じ電圧であれば大きな吸着
力を得ることができる。さらにまた、有機絶縁材料は電
圧をＯにすると分極もＯになり、永久分極や残留分極を
生じないため、吸着力の印加時間依存性が少なく、ウェ
ハ２の着脱操作を短時間で行える。さらに、ポリイミド
の絶縁耐力はアルミナの絶縁耐力が１５．７Ｋｖ／■−
であるのに対して、３１７Ｋｖ／−■と著しく大きいと
いう利点を有している。

ところが、ポリイミドは表面の硬度が小さく、耐摩耗性
に欠ける嫌いがあるため、絶縁物２６をポリイミド単体
で形成した場合には表面が摩擦によって粗面になると、
耐圧劣化あるいは静電吸着力の低下を生じる。またポリ
イミドは耐湿性に欠けるため、大気中でも吸着力が要求
される場合には、空気中の水蒸気を吸収して表面抵抗が
低下すると、沿面漏れ電流が流れ、静電吸着力が劣化す
る。

この点、本発明では硬くて耐摩耗性に優れ、また非吸湿
性、安定性、耐候性等に優れたアルミナからなる無機絶
縁膜２６Ｂによって前記ポリイミドからなる有機絶縁膜
２６Ａを被覆保護しているので、上記したポリイミドの
欠点をカバーすることができる。また、有機絶縁膜２６
Ａによって絶縁を図っているため、無機絶縁膜２６Ｂ自
体の厚みを１μｍ程度と、非常に薄くすることができる
。

例えば、本実施例の無機絶縁膜２６Ｂは、アルミナ単体
により厚い絶縁膜を形成した場合の１／３００程度でし
かないので、強誘電体にも拘らず、印加時間の依存性を
１／３００程度にまで低減することができる。

また、厚みを薄くできれば、低電圧でウェハ２の着脱が
可能になるため、ドライエツチング装置内部のごとき放
電し易い装置内での使用が可能である。

［発明の効果］以上説明したように本発明に係る静電チャックによれば
、電極上に形成される絶縁物の表面に通気溝を形成し、
被吸着物の被吸着面に大気圧が作用するように構成した
ので、大気中での使用に際して、被吸着物の脱操作を迅
速に行うことができ、作業性およびチャックの取扱性を
向上させる。したがって、真空チャックの代わりに使用
し得る。

また、絶縁物は有機絶縁膜と、この有機絶縁膜上に′ｆ
Ｉ−戒された無機絶縁膜とで構成されているので２耐摩
耗性に浸れ、耐圧劣化或は吸着力の低下が少なく、また
非吸湿性に優れているため空気中でも水、水蒸気等によ
る劣化が少なく、耐久性を向上させることができる。

また、有機絶縁材料からなる絶縁膜は電圧を印加しても
遅れがなく所定の吸着力が得られるので、被吸着物の着
脱操作を迅速に行うことができ、作業性を向上させる。

さらにまた、長時間被吸着物を吸着固定したまま放置し
ておいても吸着力は増加しないので、脱着時に外れない
等の事故が起こらず、信頼性の高い静電チャ・ツクを提
供することができる。また、有機絶縁膜と無機絶縁膜と
を薄く形成できるので、印加時間依存性に悪影響を及ぼ
すことがなく、低い電圧で大きな静電吸着力が得られ、
ドライエ・・ｌチング装置のように放電を起こし易い装
置内での使用が可能で、大気中と真空中の両領域に使用
して好適であるなど、その効果は大である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る静電チャックと搬送アームの一実
施例を示す第２図のＡ−Ａ’線断面図、第２図は第１図
の電極パターンを示すための第１図のＢ−Ｂ“線断面図
、第３図は静電チャックと搬送アームを用いたウェハ搬
送−チャック装置を示す概略構成図である。２・・・ウェハ、３．８・・・搬送アーム、６．８．１
６・・・静電チャック、２１・・・チャック本体、２２
・・・アーム挿入溝、２４．２４ａ〜２４ｐ・・・電極
、２６・・・絶縁物、２６Ａ・・・有機絶縁膜２６．２
６Ｂ・・・無機絶縁膜、２８・・・通気溝、３３ａ、３
３ｂ・・・電極、３４・・・絶縁物、３４Ａ・・・有機
絶縁膜、３４Ｂ・・・無機絶縁膜、３５・・・通気溝。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板に形成した電極上に絶縁物を設けた静電チャ
ックにおいて、前記絶縁物の表面上に少なくとも一端を開放された通気
溝が形成されていることを特徴とする静電チャック。
（２）請求項１記載の静電チャックにおいて、前記絶縁
物は、有機絶縁材料による有機絶縁膜と、この有機絶縁
膜上に形成された無機絶縁材料による無機絶縁膜とで構
成されていることを特徴とする静電チャック。