JPH06310559A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH06310559A
JPH06310559A JP5094126A JP9412693A JPH06310559A JP H06310559 A JPH06310559 A JP H06310559A JP 5094126 A JP5094126 A JP 5094126A JP 9412693 A JP9412693 A JP 9412693A JP H06310559 A JPH06310559 A JP H06310559A
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JP
Japan
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conductive layer
layers
conducting layer
conducting
semiconductor substrate
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JP5094126A
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Masahiro Oosakaya
正浩 大坂谷
Noboru Motai
昇 罍
Kazuhiro Matsumoto
一裕 松本
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Nippon Precision Circuits Inc
Original Assignee
Nippon Precision Circuits Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 腐食によるボンディングパット付近の導電層
のオープン不良を低減し、信頼性の高い半導体装置を提
供することである。 【構成】 半導体基板１１の主表面側に形成された第一
の導電層１３と、前記第一の導電層１３の少なくとも一
部の上面に接して形成されたボンディングパットとなる
第二の導電層１５とを設けている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の内部と外部の電気的な情報
のやりとりは、半導体装置のボンディングパットを介し
て行う。図２（Ａ）は、従来の半導体装置のボンディン
グパット付近の模式的な断面図である。ここで、２１は
シリコン等の半導体基板、２２は二酸化シリコン等の絶
縁層、２３はアルミニウム等の導電層でボンディングパ
ットも兼ねている。２４はプラズマシリコン窒化膜等の
最終保護膜、２５は金等のボンディングワイヤである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体装置を実際に使
用する場合、以前はセラミックパッケージが多用されて
いたが、近年プラスチックパッケージやポッティング等
のモールドパッケージが主流となってきている。このモ
ールドパッケージはセラミックパッケージに比べてパッ
ケージ外部からの水分の侵入に対して弱いという欠点を
持っている。
【０００４】図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の断面図におい
て、外部からの水分の侵入等の理由により導電層２３の
一部が腐食している場合に対応している。図２（Ａ）に
示すように、ボンディングパット付近の導電層２３上に
は最終保護膜２４がない部分がある。このため、モール
ドパッケージ外から水分が侵入すると、導電層２３のう
ち最終保護膜２４が上にない部分が腐食する。図２
（Ｂ）に示すように、腐食部分２６が導電層２３の下端
まで達すると、導電層２３ａと２３ｂは絶縁状態にな
り、導電層２３のオープン不良に至る。導電層２３がオ
ープン不良になると、ボンディングパット２３ａとボン
ディングワイヤ２５を介した半導体装置内部と外部での
電気的な情報のやりとりができなくなるという問題点が
あった。
【０００５】本発明の目的は、腐食によるボンディング
パット付近の導電層のオープン不良を低減し、信頼性の
高い半導体装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、半導体基板の
主表面側に形成された第一の導電層と、前記第一の導電
層の少なくとも一部の上面に接して形成されたボンディ
ングパットとなる第二の導電層とを設けたことを特徴と
するものである。
【０００７】
【実施例】図１（Ａ）は、本発明における実施例の半導
体装置を模式的に示した断面図である。ここで、１１は
シリコン等の半導体基板、１２はシリコン窒化膜等の第
一の絶縁層、１３はモリブデンからなる第一の導電層、
１４はシリコン酸化膜等の第二の絶縁層である。１５
ａ，１５ｂはアルミニウム等の第二の導電層であり、こ
のうち１５ａはボンディングパットとなるものであり、
１５ｂは配線となるものである。１６はプラズマシリコ
ン窒化膜等の最終保護膜、１７は金等のボンディングワ
イヤである。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の断面図におい
て外部からの水分の侵入等の理由により、第二の導電層
１５ａの一部が腐食した場合に対応している。ここで、
１８は第二の導電層１５ａのうちの腐食部分である。
【０００８】図１に示すように本実施例では、第二の導
電層１５ａおよび１５ｂの下に第一の導電層１３が存在
する。このため、第二の導電層の腐食部分１８が生じて
も、第一の導電層１３を介して第二の導電層１５ａと１
５ｂは電気的に接続されているので、導電層１５のオー
プン不良は生じない。
【０００９】尚、上記実施例では、第一の導電層をモリ
ブデンにしたが、チタン、ポリシリコン、またはチタン
とタングステンの合金等でも構わない。
【００１０】また、第一の導電層としてアルミニウムを
用いてもよく、この場合には第二の導電層（アルミニウ
ム）より膜厚を厚くする方が好ましい。
【００１１】
【発明の効果】本発明は、半導体基板の主表面側に形成
された第一の導電層と、前記第一の導電層の少なくとも
一部の上面に接して形成されたボンディングパットとな
る第二の導電層とを設けているので、腐食によるボンデ
ィングパット付近の導電層のオープン不良を低減し、信
頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例を模式的に示した断面図であ
る。
【図２】従来例を模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
１１………半導体基板 １３………第一の導電層 １５ａ、１５ｂ………第二の導電層

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板の主表面側に形成された第一
    の導電層と、 上記第一の導電層の少なくとも一部の上面に接して形成
    されたボンディングパットとなる第二の導電層とを有す
    る半導体装置。
JP5094126A 1993-04-21 1993-04-21 半導体装置 Pending JPH06310559A (ja)

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JP5094126A JPH06310559A (ja) 1993-04-21 1993-04-21 半導体装置

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ID=14101731

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000332016A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Nec Corp 半導体装置および半導体製造方法
JP2013080841A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Seiko Instruments Inc 半導体装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0214526A (ja) * 1988-07-01 1990-01-18 Matsushita Electron Corp 半導体装置
JPH02231735A (ja) * 1989-03-03 1990-09-13 Nec Corp 半導体装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0214526A (ja) * 1988-07-01 1990-01-18 Matsushita Electron Corp 半導体装置
JPH02231735A (ja) * 1989-03-03 1990-09-13 Nec Corp 半導体装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000332016A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Nec Corp 半導体装置および半導体製造方法
JP2013080841A (ja) * 2011-10-04 2013-05-02 Seiko Instruments Inc 半導体装置

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Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19970313