JPH08167634A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPH08167634A JPH08167634A JP6307485A JP30748594A JPH08167634A JP H08167634 A JPH08167634 A JP H08167634A JP 6307485 A JP6307485 A JP 6307485A JP 30748594 A JP30748594 A JP 30748594A JP H08167634 A JPH08167634 A JP H08167634A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 測定パッド直下に下層配線層の一部を延設
し、複数の開口部を介して測定パッドと接続することに
より、測定探針による開口部での電気的断線を防止した
上で腐食に対する信頼性を向上した半導体装置を得る。 【構成】 配線層が層間絶縁膜１３を介して積層された
多層配線層を有する半導体装置において、最上層のアル
ミニウム配線層１４に形成した測定パッド１４ａと、こ
のパッドと略同一パターンでこのパッド下の下層のアル
ミニウム配線層（測定パッド対応部分）１２ａとを、測
定パッド１４ａ直下の層間絶縁膜１３に形成した複数の
開口部１３ａを介して接続する。
し、複数の開口部を介して測定パッドと接続することに
より、測定探針による開口部での電気的断線を防止した
上で腐食に対する信頼性を向上した半導体装置を得る。 【構成】 配線層が層間絶縁膜１３を介して積層された
多層配線層を有する半導体装置において、最上層のアル
ミニウム配線層１４に形成した測定パッド１４ａと、こ
のパッドと略同一パターンでこのパッド下の下層のアル
ミニウム配線層（測定パッド対応部分）１２ａとを、測
定パッド１４ａ直下の層間絶縁膜１３に形成した複数の
開口部１３ａを介して接続する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多層配線層を有する半
導体装置に関し、特に電気的特性測定パッドを内部回路
配線に接続する構造に関する。
導体装置に関し、特に電気的特性測定パッドを内部回路
配線に接続する構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層配線層を有する半導体装置の電気的
特性測定用パッド部の構造を図２を参照して説明する。
１は拡散が完了した半導体基板で、素子が形成された表
面にフィ−ルド酸化膜１ａが形成されている。２は下層
のアルミニウム配線層（以下第一アルミと記す）で、フ
ィ−ルド酸化膜１ａをリソグラフィとドライエッチング
で開口（以後、リソグラフィとドライエッチングは省略
する）して半導体基板１の一部を露呈してオーミックコ
ンタクト部（図示せず）を形成し、その上にアルミニウ
ム層を例えばスパッタで形成したものである。３はその
上にＣＶＤにより形成した層間絶縁膜（例えば酸化珪
素、窒化珪素）で、その一部に開口部３ａを形成してい
る。４はその上にアルミニウム層を例えばスパッタで形
成した最上層のアルミニウム配線層（以下第二アルミと
記す）である。５はその上にＣＶＤにより形成した絶縁
膜（例えば酸化珪素、窒化珪素）より成る保護膜で、そ
の一部を開口して第二アルミ４の一部を露呈させること
により電気的特性測定パッド（以下測定パッドと記す）
４ａと組み立て時に金属細線と接続するボンディングパ
ッド（図示せず）を形成している。測定パッド４ａと第
一アルミ２とは、測定パッド４ａに近接して形成された
開口部３ａを通して第二アルミ４の一部である測定パッ
ド用接続線４ｂで接続している。また、第一アルミ２は
第二アルミ４およびボンディングパッド（図示せず）と
必要に応じて他の位置に形成した開口部（図示せず）で
導通している。また、測定パッド４ａは回路設計上から
第二アルミ４に例えば１００μｍの距離に近接配置され
ることがある。
特性測定用パッド部の構造を図２を参照して説明する。
１は拡散が完了した半導体基板で、素子が形成された表
面にフィ−ルド酸化膜１ａが形成されている。２は下層
のアルミニウム配線層（以下第一アルミと記す）で、フ
ィ−ルド酸化膜１ａをリソグラフィとドライエッチング
で開口（以後、リソグラフィとドライエッチングは省略
する）して半導体基板１の一部を露呈してオーミックコ
ンタクト部（図示せず）を形成し、その上にアルミニウ
ム層を例えばスパッタで形成したものである。３はその
上にＣＶＤにより形成した層間絶縁膜（例えば酸化珪
素、窒化珪素）で、その一部に開口部３ａを形成してい
る。４はその上にアルミニウム層を例えばスパッタで形
成した最上層のアルミニウム配線層（以下第二アルミと
記す）である。５はその上にＣＶＤにより形成した絶縁
膜（例えば酸化珪素、窒化珪素）より成る保護膜で、そ
の一部を開口して第二アルミ４の一部を露呈させること
により電気的特性測定パッド（以下測定パッドと記す）
４ａと組み立て時に金属細線と接続するボンディングパ
ッド（図示せず）を形成している。測定パッド４ａと第
一アルミ２とは、測定パッド４ａに近接して形成された
開口部３ａを通して第二アルミ４の一部である測定パッ
ド用接続線４ｂで接続している。また、第一アルミ２は
第二アルミ４およびボンディングパッド（図示せず）と
必要に応じて他の位置に形成した開口部（図示せず）で
導通している。また、測定パッド４ａは回路設計上から
第二アルミ４に例えば１００μｍの距離に近接配置され
ることがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の測定パ
ッド部の構造では、保護膜５を開口して第二アルミ４を
露呈させて測定パッド４ａを形成しているため、図示し
ないが、半導体装置としてモ−ルド樹脂で封止しても、
金属と樹脂の界面（内部リ−ド線と樹脂の界面ならびに
内部リ−ド線と素子間を接続した金属細線と樹脂の界
面）ならびに樹脂のバルクを通って水分が浸入し、この
水分が素子と樹脂の界面を通って素子表面全体に広がる
ため、測定パッド４ａが腐食されるおそれがある。一般
的には、金属と樹脂の界面から水分が浸入し易く、従っ
て、測定パッド４ａには金属細線との接続がなく、金属
細線と接続されているボンディングパッドより水分の浸
入が少なく、腐食までの時間も長時間を要するが、高信
頼度品では長時間保証が要求され、更に腐食が進むと測
定パッド４ａに接続された測定パッド用接続線４ｂも腐
食し、更には測定パッド用接続線４ｂと接続されている
第一アルミ２まで腐食が進むおそれがある。ところで、
上述した従来の測定パッドの構造では、測定パッド用接
続線４ｂが腐食して電気的に断線しても封止後は機能と
して不要なため電気的特性に影響しないが、更に測定パ
ッド４ａと近接配置された第二アルミ４と交差する位置
まで第一アルミ２の腐食が進むと、交差位置で第一アル
ミ２が膨張し、それにより上部の層間絶縁膜３にクラッ
クが入り、上層の第二アルミ４が電気的に断線或いは第
一アルミ２と短絡するおそれがある。そうした場合、内
部回路は機能しなくなり半導体装置の電気的特性に影響
する。そのため、素子上にポリイミド等を塗布して浸入
した水分をポリイミド等に吸収させて、測定パッドの腐
食を防止する技術がある。しかし、この方法によれば、
製造工程が増えてコスト高となる問題がある。
ッド部の構造では、保護膜５を開口して第二アルミ４を
露呈させて測定パッド４ａを形成しているため、図示し
ないが、半導体装置としてモ−ルド樹脂で封止しても、
金属と樹脂の界面（内部リ−ド線と樹脂の界面ならびに
内部リ−ド線と素子間を接続した金属細線と樹脂の界
面）ならびに樹脂のバルクを通って水分が浸入し、この
水分が素子と樹脂の界面を通って素子表面全体に広がる
ため、測定パッド４ａが腐食されるおそれがある。一般
的には、金属と樹脂の界面から水分が浸入し易く、従っ
て、測定パッド４ａには金属細線との接続がなく、金属
細線と接続されているボンディングパッドより水分の浸
入が少なく、腐食までの時間も長時間を要するが、高信
頼度品では長時間保証が要求され、更に腐食が進むと測
定パッド４ａに接続された測定パッド用接続線４ｂも腐
食し、更には測定パッド用接続線４ｂと接続されている
第一アルミ２まで腐食が進むおそれがある。ところで、
上述した従来の測定パッドの構造では、測定パッド用接
続線４ｂが腐食して電気的に断線しても封止後は機能と
して不要なため電気的特性に影響しないが、更に測定パ
ッド４ａと近接配置された第二アルミ４と交差する位置
まで第一アルミ２の腐食が進むと、交差位置で第一アル
ミ２が膨張し、それにより上部の層間絶縁膜３にクラッ
クが入り、上層の第二アルミ４が電気的に断線或いは第
一アルミ２と短絡するおそれがある。そうした場合、内
部回路は機能しなくなり半導体装置の電気的特性に影響
する。そのため、素子上にポリイミド等を塗布して浸入
した水分をポリイミド等に吸収させて、測定パッドの腐
食を防止する技術がある。しかし、この方法によれば、
製造工程が増えてコスト高となる問題がある。
【０００４】ところで、ボンディングパッドについても
上述の測定パッド部の構造と同様な場合、測定パッドよ
りも水分の浸入が多いので測定パッドより容易に、露呈
したボンディングパッドのアルミニウム層が腐食し金属
細線の接続部は孤立して第一アルミと電気的に断線され
た状態となる。そのため、ボンディングパッド部の構造
に関しては、特開昭６１−２３２６３７号公報で、多層
配線層を有する半導体装置の腐食に対する信頼性を向上
した構造のものが提案されている。この特徴を図３のボ
ンディングパッド部の断面図を用いて説明する。６ａは
第二アルミ６の一部を露呈させることにより形成したボ
ンディングパッドである。ボンディングパッド６ａの直
下まで第一アルミ７の一部を延設し、ボンディングパッ
ド６ａの略中央の直下に形成した層間絶縁膜８の開口部
８ａを通して、ボンディングパッド６ａと第一アルミ７
とを電気的に接続している。９はボンディングパッド６
ａの略中央にボンディングした金属細線、例えば金線で
ある。このように構成したボンディングパッド部の構造
では、樹脂封止後に浸入してくる水分が露呈されている
第二アルミ６に作用し、金属細線９の接続部の周囲のア
ルミニウムが腐食しても、接続部の直下の開口部８ａに
おいて第二アルミ６は第一アルミ７と電気的に接続して
いるので、内部回路との接続が損なわれることはない。
上述の測定パッド部の構造と同様な場合、測定パッドよ
りも水分の浸入が多いので測定パッドより容易に、露呈
したボンディングパッドのアルミニウム層が腐食し金属
細線の接続部は孤立して第一アルミと電気的に断線され
た状態となる。そのため、ボンディングパッド部の構造
に関しては、特開昭６１−２３２６３７号公報で、多層
配線層を有する半導体装置の腐食に対する信頼性を向上
した構造のものが提案されている。この特徴を図３のボ
ンディングパッド部の断面図を用いて説明する。６ａは
第二アルミ６の一部を露呈させることにより形成したボ
ンディングパッドである。ボンディングパッド６ａの直
下まで第一アルミ７の一部を延設し、ボンディングパッ
ド６ａの略中央の直下に形成した層間絶縁膜８の開口部
８ａを通して、ボンディングパッド６ａと第一アルミ７
とを電気的に接続している。９はボンディングパッド６
ａの略中央にボンディングした金属細線、例えば金線で
ある。このように構成したボンディングパッド部の構造
では、樹脂封止後に浸入してくる水分が露呈されている
第二アルミ６に作用し、金属細線９の接続部の周囲のア
ルミニウムが腐食しても、接続部の直下の開口部８ａに
おいて第二アルミ６は第一アルミ７と電気的に接続して
いるので、内部回路との接続が損なわれることはない。
【０００５】上記技術を測定パッド部の構造に適用した
場合、更に腐食に対する信頼性を向上させることができ
る。ところが、半導体ウェーハ上の素子の電気的特性を
測定するとき、測定パッドに測定探針を接触させて測定
するため、また繰り返し測定することがあるため、測定
パッドの直下の開口部を通して測定パッドと第一アルミ
を電気的に接続する開口部内のアルミニウムを測定探針
で破壊して電気的接続がなくなり、測定中或いは繰り返
し測定するときに測定ができなくなることがある。この
発明は上述のような事情に鑑みてなされたものであり、
測定パッド直下の層間絶縁膜に形成した開口部を通して
測定パッドと第一アルミを電気的に接続する開口部内の
アルミニウムが測定探針により電気的に断線するのを防
止した上で腐食に対する信頼性を向上した半導体装置を
提供することを目的とする。
場合、更に腐食に対する信頼性を向上させることができ
る。ところが、半導体ウェーハ上の素子の電気的特性を
測定するとき、測定パッドに測定探針を接触させて測定
するため、また繰り返し測定することがあるため、測定
パッドの直下の開口部を通して測定パッドと第一アルミ
を電気的に接続する開口部内のアルミニウムを測定探針
で破壊して電気的接続がなくなり、測定中或いは繰り返
し測定するときに測定ができなくなることがある。この
発明は上述のような事情に鑑みてなされたものであり、
測定パッド直下の層間絶縁膜に形成した開口部を通して
測定パッドと第一アルミを電気的に接続する開口部内の
アルミニウムが測定探針により電気的に断線するのを防
止した上で腐食に対する信頼性を向上した半導体装置を
提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このため、本発明の半導
体装置は、配線層が層間絶縁膜を介して積層される多層
配線層を有する半導体装置において、前記配線層の最上
層に形成した電気的特性測定パッドと、このパッド下の
下層配線層とを、前記層間絶縁膜に形成した複数の開口
部を介して電気的に接続したことを特徴とする。また、
上記の半導体装置は、測定パッド下の下層配線層を測定
パッドと略同一パターンとすることが望ましい。また、
上記の半導体装置は、最上層及び下層配線層がアルミニ
ウム配線層である。
体装置は、配線層が層間絶縁膜を介して積層される多層
配線層を有する半導体装置において、前記配線層の最上
層に形成した電気的特性測定パッドと、このパッド下の
下層配線層とを、前記層間絶縁膜に形成した複数の開口
部を介して電気的に接続したことを特徴とする。また、
上記の半導体装置は、測定パッド下の下層配線層を測定
パッドと略同一パターンとすることが望ましい。また、
上記の半導体装置は、最上層及び下層配線層がアルミニ
ウム配線層である。
【０００７】
【作用】本発明によれば、測定パッド直下の層間絶縁膜
に複数の開口部を形成することにより、測定パッドに測
定探針を接触させて電気的特性を測定するとき、一部の
開口部内のアルミニウムが測定探針で破損しても、全て
が破損することはなく、測定パッドと測定パッド直下の
下層アルミニウム配線層間が電気的に断線することはな
い。また本発明によれば、測定パッドまで水分が浸入し
ても、測定パッド直下の開口部を複数にすることにより
一個当たり穴径を小さくできるため開口部内のアルミ腐
食のスピードを抑えられ、また、測定パッド直下の下層
アルミニウム配線層を測定パッドと略同一パターンに延
設しているので測定パッド直下の下層アルミニウム配線
層の腐食スピードも抑えられるので、アルミ腐食が内部
回路に達し、内部回路が断線し、半導体装置としての機
能を無くするまでに、従来に比較して１．５倍以上の長
時間を要する。
に複数の開口部を形成することにより、測定パッドに測
定探針を接触させて電気的特性を測定するとき、一部の
開口部内のアルミニウムが測定探針で破損しても、全て
が破損することはなく、測定パッドと測定パッド直下の
下層アルミニウム配線層間が電気的に断線することはな
い。また本発明によれば、測定パッドまで水分が浸入し
ても、測定パッド直下の開口部を複数にすることにより
一個当たり穴径を小さくできるため開口部内のアルミ腐
食のスピードを抑えられ、また、測定パッド直下の下層
アルミニウム配線層を測定パッドと略同一パターンに延
設しているので測定パッド直下の下層アルミニウム配線
層の腐食スピードも抑えられるので、アルミ腐食が内部
回路に達し、内部回路が断線し、半導体装置としての機
能を無くするまでに、従来に比較して１．５倍以上の長
時間を要する。
【０００８】
【実施例】以下本発明について図１を参照して説明す
る。１１は拡散が完了した半導体基板で、素子が形成さ
れた表面にフィ−ルド酸化膜１１ａが形成されている。
１２はフィ−ルド酸化膜１１ａを開口して半導体基板１
１を露呈させてオ−ミックコンタクト部（図示せず）を
形成し、その上にアルミニウム層を例えばスパッタで形
成した第一アルミである。１２ａはその一部を後述の測
定パッドの直下まで延設して形成した測定パッド対応部
分である。測定パッド対応部分１２ａは測定パッドのパ
ターンと略同一にしている。１３はその上にＣＶＤによ
り形成した層間絶縁膜（例えば酸化珪素、窒化珪素）
で、その一部に後述の測定パッドの直下で複数の開口部
１３ａを形成している。１４はその上にアルミニウム層
を例えばスパッタで形成した最上層の配線層である第二
アルミである。１５はその上にＣＶＤにより形成した絶
縁膜（例えば酸化珪素、窒化珪素）より成る保護膜で、
その一部を開口して第二アルミの一部を露呈させること
により測定パッド１４ａと組み立て時に金属細線と接続
するボンディングパッド（図示せず）を形成している。
また、測定パッド１４ａは第二アルミ１４に例えば４５
μｍの距離で近接配置している。
る。１１は拡散が完了した半導体基板で、素子が形成さ
れた表面にフィ−ルド酸化膜１１ａが形成されている。
１２はフィ−ルド酸化膜１１ａを開口して半導体基板１
１を露呈させてオ−ミックコンタクト部（図示せず）を
形成し、その上にアルミニウム層を例えばスパッタで形
成した第一アルミである。１２ａはその一部を後述の測
定パッドの直下まで延設して形成した測定パッド対応部
分である。測定パッド対応部分１２ａは測定パッドのパ
ターンと略同一にしている。１３はその上にＣＶＤによ
り形成した層間絶縁膜（例えば酸化珪素、窒化珪素）
で、その一部に後述の測定パッドの直下で複数の開口部
１３ａを形成している。１４はその上にアルミニウム層
を例えばスパッタで形成した最上層の配線層である第二
アルミである。１５はその上にＣＶＤにより形成した絶
縁膜（例えば酸化珪素、窒化珪素）より成る保護膜で、
その一部を開口して第二アルミの一部を露呈させること
により測定パッド１４ａと組み立て時に金属細線と接続
するボンディングパッド（図示せず）を形成している。
また、測定パッド１４ａは第二アルミ１４に例えば４５
μｍの距離で近接配置している。
【０００９】本実施例によれば、測定パッド１４ａ直下
の複数の開口部１３ａを通して測定パッド１４ａと測定
パッド対応部分１２ａとを電気的に接続することによ
り、測定パッド１４ａに測定探針を接触させて電気的特
性を測定するとき、一部の開口部１３ａ内のアルミニウ
ムが測定探針で破壊しても、全てが破損することはな
く、測定パッド１４ａと測定パッド対応部分１２ａ間が
電気的に断線することはない。また、本実施例によれ
ば、測定パッド１４ａまで水分が浸入しても、測定パッ
ド１４ａ直下の開口部１３ａを複数にすることにより一
個当たり穴径を小さくできるため開口部１３ａ内のアル
ミニウム腐食のスピードを抑えられ、また、測定パッド
対応部分１２ａを測定パッド１４ａと略同一パターンに
延設しているので測定パッド対応部分１２ａの腐食スピ
ードも抑えられ、測定パッド１４ａと近接配置された第
二アルミ１４と交差する位置まで第一アルミ１２の腐食
が進み、内部回路が電気的に断線或いは短絡し、半導体
装置としての機能を無くするまでに、従来に比較して長
時間を要する。本発明者が信頼度試験を実施した結果に
よると、蒸気圧試験（試験条件：Ｔａ＝１２５℃，２．
３気圧、ＲＨ１００％）において、図２に示す従来の半
導体装置では、試験時間１９２時間で測定パッド４ａと
１００μｍの距離で近接配置された第二アルミ４で故障
するものが発生することがあったが、図１に示す本発明
の半導体装置では、試験時間２８８時間で測定パッド１
４ａと４５μｍの距離で近接配置された第二アルミ１４
で故障するものが発生しなかった。
の複数の開口部１３ａを通して測定パッド１４ａと測定
パッド対応部分１２ａとを電気的に接続することによ
り、測定パッド１４ａに測定探針を接触させて電気的特
性を測定するとき、一部の開口部１３ａ内のアルミニウ
ムが測定探針で破壊しても、全てが破損することはな
く、測定パッド１４ａと測定パッド対応部分１２ａ間が
電気的に断線することはない。また、本実施例によれ
ば、測定パッド１４ａまで水分が浸入しても、測定パッ
ド１４ａ直下の開口部１３ａを複数にすることにより一
個当たり穴径を小さくできるため開口部１３ａ内のアル
ミニウム腐食のスピードを抑えられ、また、測定パッド
対応部分１２ａを測定パッド１４ａと略同一パターンに
延設しているので測定パッド対応部分１２ａの腐食スピ
ードも抑えられ、測定パッド１４ａと近接配置された第
二アルミ１４と交差する位置まで第一アルミ１２の腐食
が進み、内部回路が電気的に断線或いは短絡し、半導体
装置としての機能を無くするまでに、従来に比較して長
時間を要する。本発明者が信頼度試験を実施した結果に
よると、蒸気圧試験（試験条件：Ｔａ＝１２５℃，２．
３気圧、ＲＨ１００％）において、図２に示す従来の半
導体装置では、試験時間１９２時間で測定パッド４ａと
１００μｍの距離で近接配置された第二アルミ４で故障
するものが発生することがあったが、図１に示す本発明
の半導体装置では、試験時間２８８時間で測定パッド１
４ａと４５μｍの距離で近接配置された第二アルミ１４
で故障するものが発生しなかった。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、測定パッド直下の複数
の開口部を通して測定パッドと測定パッド対応部分とを
電気的に接続することにより、測定パッドに測定探針を
接触させて電気的特性を測定するとき、一部の開口部内
のアルミニウムが測定探針で破壊しても、全てが破壊す
ることはなく、測定パッドと測定パッド対応部分間の電
気的断線を防止する。また本発明によれば、測定パッド
まで水分が浸入しても、測定パッド直下の開口部を複数
にすることにより一個当たり穴径を小さくできるため開
口部内のアルミニウム腐食のスピードを抑えられ、測定
パッド対応部分を測定パッドと略同一パターンに延設し
ているので測定パッド対応部分の腐食スピードも抑えら
れ、アルミニウム腐食が内部回路に達して内部回路が電
気的に断線或いは短絡し半導体装置としての機能を無く
するまでに従来に比較して１．５倍以上の長時間を要す
るので、より信頼性の高い半導体装置を得ることができ
る。また、上記により信頼性の高い半導体装置が得られ
るので、素子上にポリイミド等を塗布して浸入した水分
をポリイミド等に吸収させて測定用パッドの腐食を防止
するという必要がなく、製造工程を増やさずコスト高と
ならないという効果がある。
の開口部を通して測定パッドと測定パッド対応部分とを
電気的に接続することにより、測定パッドに測定探針を
接触させて電気的特性を測定するとき、一部の開口部内
のアルミニウムが測定探針で破壊しても、全てが破壊す
ることはなく、測定パッドと測定パッド対応部分間の電
気的断線を防止する。また本発明によれば、測定パッド
まで水分が浸入しても、測定パッド直下の開口部を複数
にすることにより一個当たり穴径を小さくできるため開
口部内のアルミニウム腐食のスピードを抑えられ、測定
パッド対応部分を測定パッドと略同一パターンに延設し
ているので測定パッド対応部分の腐食スピードも抑えら
れ、アルミニウム腐食が内部回路に達して内部回路が電
気的に断線或いは短絡し半導体装置としての機能を無く
するまでに従来に比較して１．５倍以上の長時間を要す
るので、より信頼性の高い半導体装置を得ることができ
る。また、上記により信頼性の高い半導体装置が得られ
るので、素子上にポリイミド等を塗布して浸入した水分
をポリイミド等に吸収させて測定用パッドの腐食を防止
するという必要がなく、製造工程を増やさずコスト高と
ならないという効果がある。
【図１】 （ａ）本発明の半導体装置の要部断面図 （ｂ）図１（ａ）の要部略平面図
【図２】 （ａ）従来の半導体装置の要部断面図 （ｂ）図２（ａ）の要部略平面図
【図３】 従来のボンディングパッド部の断面図
１２ 下層のアルミニウム配線層（第一アルミ） １２ａ 測定パッド対応部分 １３ 層間絶縁膜 １３ａ 開口部 １４ 最上層のアルミニウム配線層（第二アルミ） １４ａ 電気的特性測定パッド（測定パッド）
Claims (3)
- 【請求項１】配線層が層間絶縁膜を介して積層される多
層配線層を有する半導体装置において、前記配線層の最
上層に形成した電気的特性測定パッドと、このパッド下
の下層配線層とを、前記層間絶縁膜に形成した複数の開
口部を介して電気的に接続したことを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項２】前記パッド下の下層配線層を前記パッドと
略同一パターンとして腐食進行を遅らせることにより断
線を防止したことを特徴とする請求項１記載の半導体装
置。 - 【請求項３】前記最上層及び下層配線層がアルミニウム
配線層である請求項１又は２記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6307485A JPH08167634A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6307485A JPH08167634A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08167634A true JPH08167634A (ja) | 1996-06-25 |
Family
ID=17969661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6307485A Pending JPH08167634A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08167634A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007042733A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及び電子デバイス |
| JP2007042734A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及び電子デバイス |
| US8710659B2 (en) | 2010-01-15 | 2014-04-29 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
-
1994
- 1994-12-12 JP JP6307485A patent/JPH08167634A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007042733A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及び電子デバイス |
| JP2007042734A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及び電子デバイス |
| JP4654820B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2011-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及び電子デバイス |
| JP4654821B2 (ja) * | 2005-08-01 | 2011-03-23 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及び電子デバイス |
| US8710659B2 (en) | 2010-01-15 | 2014-04-29 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040517 |