JPH06295675A - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造方法Info
- Publication number
- JPH06295675A JPH06295675A JP5084416A JP8441693A JPH06295675A JP H06295675 A JPH06295675 A JP H06295675A JP 5084416 A JP5084416 A JP 5084416A JP 8441693 A JP8441693 A JP 8441693A JP H06295675 A JPH06295675 A JP H06295675A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- partition wall
- substrate
- plasma display
- display panel
- lower electrode
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 放電空間を複数の単位放電空間に分割する隔
壁を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法に関
し、特に隔壁の形状をほぼ設計値どうりに形成できるプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法の提供を目的とす
る。 【構成】 少なくとも片側の基板上に複数の単位放電領
域に分割する隔壁を有するプラズマディスプレイパネル
の製造方法において、隔壁11d の製造が、この隔壁11d
を形成すべき基板上の領域に下部電極M-1 を形成する工
程と、隔壁11d の高さに対応する膜厚を有するととも
に、所定の単位放電領域に対応する部分に開口を設けた
レジストパターン32を基板上に形成する工程と、レジス
トパターンが形成された基板をめっき液に浸漬し、この
めっき液に含まれる金属を下部電極上に電着して上部電
極M-2 を形成する工程と、下部電極と上部電極とを熱酸
化してそれら電極の露出面に絶縁膜を形成し、この絶縁
膜の施された電極を隔壁とする工程とを含ませて構成す
る。
壁を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法に関
し、特に隔壁の形状をほぼ設計値どうりに形成できるプ
ラズマディスプレイパネルの製造方法の提供を目的とす
る。 【構成】 少なくとも片側の基板上に複数の単位放電領
域に分割する隔壁を有するプラズマディスプレイパネル
の製造方法において、隔壁11d の製造が、この隔壁11d
を形成すべき基板上の領域に下部電極M-1 を形成する工
程と、隔壁11d の高さに対応する膜厚を有するととも
に、所定の単位放電領域に対応する部分に開口を設けた
レジストパターン32を基板上に形成する工程と、レジス
トパターンが形成された基板をめっき液に浸漬し、この
めっき液に含まれる金属を下部電極上に電着して上部電
極M-2 を形成する工程と、下部電極と上部電極とを熱酸
化してそれら電極の露出面に絶縁膜を形成し、この絶縁
膜の施された電極を隔壁とする工程とを含ませて構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放電空間を複数の単位
放電空間に分割するストライプ状の隔壁を有するプラズ
マディスプレイパネルの製造方法、特に隔壁の形状をほ
ぼ設計値どうりに形成できるプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法に関する。
放電空間に分割するストライプ状の隔壁を有するプラズ
マディスプレイパネルの製造方法、特に隔壁の形状をほ
ぼ設計値どうりに形成できるプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネル、たとえば
面放電型のプラズマディスプレイパネルは、図１に示す
ように微小間隙を介して互いの内面を対向した第１及び
第２基板11',12の周辺部を封止材12e で封止して内部空
間Ｓ’を形成した後に、この内部空間Ｓ’に放電ガスＧ
を充填して形成した放電空間Ｓをストライプ状の隔壁11
d'で複数の単位放電領域S-1,S-2,・・・に分割して構成
している。
面放電型のプラズマディスプレイパネルは、図１に示す
ように微小間隙を介して互いの内面を対向した第１及び
第２基板11',12の周辺部を封止材12e で封止して内部空
間Ｓ’を形成した後に、この内部空間Ｓ’に放電ガスＧ
を充填して形成した放電空間Ｓをストライプ状の隔壁11
d'で複数の単位放電領域S-1,S-2,・・・に分割して構成
している。
【０００３】このように放電空間Ｓを単位放電領域S-1,
S-2,・・・に分割する隔壁11d'は、電極11b を並列した
ガラス基板11a に形成した誘電体層11c 上に、絶縁ペー
スト31 (図４参照) をスクリーン印刷した後に、この絶
縁ペースト31を５００℃前後の温度で焼成して形成した
ものである。
S-2,・・・に分割する隔壁11d'は、電極11b を並列した
ガラス基板11a に形成した誘電体層11c 上に、絶縁ペー
スト31 (図４参照) をスクリーン印刷した後に、この絶
縁ペースト31を５００℃前後の温度で焼成して形成した
ものである。
【０００４】なお、12a は第２基板12の本体であるガラ
ス基板、12b はガラス基板12a の表面に形成された電極
（アドレス電極）、12c はガラス基板12a の表面側( プ
ラズマディスプレイパネルにおいては内面側となる) に
形成されて電極12b 上を横断するストライプ状の隔壁、
12d は隔壁12c 間においてガラス基板12a 上に形成した
蛍光体、12e はガラス基板12a の表面の周辺部に周回状
に被着させた封止材である。
ス基板、12b はガラス基板12a の表面に形成された電極
（アドレス電極）、12c はガラス基板12a の表面側( プ
ラズマディスプレイパネルにおいては内面側となる) に
形成されて電極12b 上を横断するストライプ状の隔壁、
12d は隔壁12c 間においてガラス基板12a 上に形成した
蛍光体、12e はガラス基板12a の表面の周辺部に周回状
に被着させた封止材である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、第１基板11
の隔壁11d'は１００μｍ程度の高さに形成することが必
要であるために、誘電体層11c に対して絶縁ペースト31
のスクリーン印刷を何回も繰り返すことが不可欠である
(図４(a) 〜(d) 参照) 。
の隔壁11d'は１００μｍ程度の高さに形成することが必
要であるために、誘電体層11c に対して絶縁ペースト31
のスクリーン印刷を何回も繰り返すことが不可欠である
(図４(a) 〜(d) 参照) 。
【０００６】このようにして形成される隔壁11d'におい
ては印刷ずれのために、その側面が凹凸状態（図４(e)
参照) となることも少なくない。本発明は、このような
問題を解消するためになされたものであって、その目的
は隔壁の形状をほぼ設計値どうりに形成できるプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法を提供することにある。
ては印刷ずれのために、その側面が凹凸状態（図４(e)
参照) となることも少なくない。本発明は、このような
問題を解消するためになされたものであって、その目的
は隔壁の形状をほぼ設計値どうりに形成できるプラズマ
ディスプレイパネルの製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的は、図１〜図３
に示す如く、少なくとも片側の基板上に複数の単位放電
領域に分割する隔壁を有するプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法において、隔壁11d の製造が、この隔壁11
d を形成すべき基板上の領域に下部電極M-1 を形成する
工程と、隔壁11d の高さに対応する膜厚を有するととも
に、所定の単位放電領域に対応する部分に開口32a を設
けたレジストパターン32を基板上に形成する工程と、レ
ジストパターン32が形成された基板をめっき液に浸漬
し、このめっき液に含まれる金属を下部電極M-1 上に電
着して上部電極M-2 を形成する工程と、下部電極M-1 と
上部電極M-2 とを熱酸化してそれら電極の露出面に絶縁
膜を形成し、この絶縁膜の施された電極を隔壁とする工
程とを含んでなることを特徴とするプラズマディスプレ
イパネルの製造方法により達成される。
に示す如く、少なくとも片側の基板上に複数の単位放電
領域に分割する隔壁を有するプラズマディスプレイパネ
ルの製造方法において、隔壁11d の製造が、この隔壁11
d を形成すべき基板上の領域に下部電極M-1 を形成する
工程と、隔壁11d の高さに対応する膜厚を有するととも
に、所定の単位放電領域に対応する部分に開口32a を設
けたレジストパターン32を基板上に形成する工程と、レ
ジストパターン32が形成された基板をめっき液に浸漬
し、このめっき液に含まれる金属を下部電極M-1 上に電
着して上部電極M-2 を形成する工程と、下部電極M-1 と
上部電極M-2 とを熱酸化してそれら電極の露出面に絶縁
膜を形成し、この絶縁膜の施された電極を隔壁とする工
程とを含んでなることを特徴とするプラズマディスプレ
イパネルの製造方法により達成される。
【０００８】
【作用】下部電極M-1 上に金属を電着して形成した上部
電極M-2 の形状は、形成すべき隔壁11d の平面形状と略
同じ形状に形成されたレジストパターン32の開口32a に
規制される。
電極M-2 の形状は、形成すべき隔壁11d の平面形状と略
同じ形状に形成されたレジストパターン32の開口32a に
規制される。
【０００９】したがって、下部電極M-1 と上部電極M-2
とを酸化して形成した隔壁11d の形状は、略設計値どう
りとなる。
とを酸化して形成した隔壁11d の形状は、略設計値どう
りとなる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例による第１基板の形
成方法について図２及び図３を参照して説明する。
成方法について図２及び図３を参照して説明する。
【００１１】なお、本明細書においては、同一部品、同
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。本発明の一実施例においては、まず、基板本体、
すなわちガラス基板11a の表面側 (プラズマディスプレ
イパネルにおいては内面側となる) に形成された誘電体
層11C 上に、ニッケル(Ni)を蒸着して膜厚が１０００Å
程度のニッケル膜M-1'を形成する (図２(a) 及び図２
(b) 参照) 。
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。本発明の一実施例においては、まず、基板本体、
すなわちガラス基板11a の表面側 (プラズマディスプレ
イパネルにおいては内面側となる) に形成された誘電体
層11C 上に、ニッケル(Ni)を蒸着して膜厚が１０００Å
程度のニッケル膜M-1'を形成する (図２(a) 及び図２
(b) 参照) 。
【００１２】次に、誘電体層11c 上の隔壁11d を形成す
べき領域に密着したニッケル膜M-1'だけを残しながら、
他の領域に密着したニッケル膜M-1'を通常のホトリソ技
術とエッチング技術とで除去し、ニッケル(Ni)よりなる
下部電極M-1 を形成する (図２(c) 参照) 。
べき領域に密着したニッケル膜M-1'だけを残しながら、
他の領域に密着したニッケル膜M-1'を通常のホトリソ技
術とエッチング技術とで除去し、ニッケル(Ni)よりなる
下部電極M-1 を形成する (図２(c) 参照) 。
【００１３】なお、ホトリソ技術とエッチング技術とで
形成した下部電極M-1 の平面視の形状は、設計どうりに
完成された場合の隔壁11d の平面視の形状と略同じであ
ることは勿論である。
形成した下部電極M-1 の平面視の形状は、設計どうりに
完成された場合の隔壁11d の平面視の形状と略同じであ
ることは勿論である。
【００１４】この後、ガラス基板11a の表面側に１２０
μｍ程度の厚さでネガタイプのレジスト膜32' を被着
し、このレジスト膜32' 上に遮光性材料、たとえばクロ
ム(Cr)を蒸着してクロム膜33' を形成する (図２(d) 及
び図２(e) 参照) 。
μｍ程度の厚さでネガタイプのレジスト膜32' を被着
し、このレジスト膜32' 上に遮光性材料、たとえばクロ
ム(Cr)を蒸着してクロム膜33' を形成する (図２(d) 及
び図２(e) 参照) 。
【００１５】次に、下部電極M-1 に対応するクロム膜3
3' だけを残しながら、他のクロム膜33' を通常のホト
リソ技術とエッチング技術とで除去してクロム(Cr)から
なる露光マスク33を形成する (図３(a) 参照) 。
3' だけを残しながら、他のクロム膜33' を通常のホト
リソ技術とエッチング技術とで除去してクロム(Cr)から
なる露光マスク33を形成する (図３(a) 参照) 。
【００１６】この後、露光マスク33を被着したレジスト
膜32' 上に紫外線（図示せず）を照射するとともに、こ
のレジスト膜32' を現像してレジストパターン32を形成
すると、このレジストパターン32の開口32a からは下部
電極M-1 の表面だけが露出することとなる (図３(b) 参
照) 。
膜32' 上に紫外線（図示せず）を照射するとともに、こ
のレジスト膜32' を現像してレジストパターン32を形成
すると、このレジストパターン32の開口32a からは下部
電極M-1 の表面だけが露出することとなる (図３(b) 参
照) 。
【００１７】このレジストパターン32の開口32a の平面
視の形状は、上述の下部電極と同様に設計どうりに完成
された場合の隔壁11d の平面視の形状と略同じであるこ
とは当然である。
視の形状は、上述の下部電極と同様に設計どうりに完成
された場合の隔壁11d の平面視の形状と略同じであるこ
とは当然である。
【００１８】次いで、このようなレジストパターン32等
が形成されたガラス基板11a をニッケルめっき液（図示
せず）に浸漬し、下部電極M-1 上にニッケル(Ni)を電着
して膜厚が１００μｍ程度での上部電極M-2 を形成す
る。
が形成されたガラス基板11a をニッケルめっき液（図示
せず）に浸漬し、下部電極M-1 上にニッケル(Ni)を電着
して膜厚が１００μｍ程度での上部電極M-2 を形成す
る。
【００１９】なお、この上部電極M-2 は、設計どうりに
完成された場合の隔壁11d の平面視の形状と略同じ平面
視を有するレジストパターン32の開口32a に規制された
状態で形成されていることはむろんである。
完成された場合の隔壁11d の平面視の形状と略同じ平面
視を有するレジストパターン32の開口32a に規制された
状態で形成されていることはむろんである。
【００２０】この後、上部電極M-2 が形成されたガラス
基板11a を６００℃程度の温度で２時間前後加熱すれ
ば、下部電極M-1 と上部電極M-2 とがそれぞれの内部ま
で完全に酸化されて酸化ニッケル(NiO) よりなる略設計
値どうりの隔壁11d が完成することとなる。
基板11a を６００℃程度の温度で２時間前後加熱すれ
ば、下部電極M-1 と上部電極M-2 とがそれぞれの内部ま
で完全に酸化されて酸化ニッケル(NiO) よりなる略設計
値どうりの隔壁11d が完成することとなる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、隔壁の形
状をほぼ設計値どうりに形成できるプラズマディスプレ
イパネルの製造方法の提供を可能にする。
状をほぼ設計値どうりに形成できるプラズマディスプレ
イパネルの製造方法の提供を可能にする。
【図１】は、プラズマディスプレイパネルの模式的な側
断面図
断面図
【図２】は、本発明の一実施例による隔壁の製造工程順
要部側断面図
要部側断面図
【図３】は、本発明の一実施例による隔壁の製造工程順
要部側断面図
要部側断面図
【図４】は、従来の製造方法による隔壁の製造工程順要
部側断面図
部側断面図
11,11'は第１基板 11a は、ガラス基板 (基板本体) 11b は、電極 11c は、誘電体層 11d,11d'は、隔壁 12は、第２基板 12a は、ガラス基板 12b は、電極 12c は、隔壁 12d は、蛍光体 12e は、封止材 31は、絶縁ペースト 32' は、レジスト膜 32は、レジストパターン 32a は、開口 33' は、クロム膜 33は、露光マスク M-1'は、ニッケル膜 M-1 は、下部電極 M-2 は、上部電極
Claims (1)
- 【請求項１】 少なくとも片側の基板上に複数の単位放
電領域に分割する隔壁(11d) を有するプラズマディスプ
レイパネルの製造方法において、 前記隔壁(11d) の製造が、前記隔壁(11d) を形成すべき
前記基板上の領域に下部電極(M-1) を形成する工程と、 前記隔壁(11d) の高さに対応する膜厚を有するととも
に、所定の単位放電領域に対応する部分に開口(32a) を
設けたレジストパターン(32)を前記基板上に形成する工
程と、 前記レジストパターン(32)が形成された前記基板をめっ
き液に浸漬し、このめっき液に含まれる金属を前記下部
電極(M-1) 上に電着して上部電極(M-2) を形成する工程
と、 前記下部電極(M-1) と前記上部電極(M-2) とを熱酸化し
てそれら電極の露出面に絶縁膜を形成し、この絶縁膜の
施された電極を隔壁とする工程とを含んでなることを特
徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5084416A JPH06295675A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5084416A JPH06295675A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295675A true JPH06295675A (ja) | 1994-10-21 |
Family
ID=13829990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5084416A Withdrawn JPH06295675A (ja) | 1993-04-12 | 1993-04-12 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06295675A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010004092A (ko) * | 1999-06-28 | 2001-01-15 | 김영환 | 전해도금을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성 방법 |
| KR100340076B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2002-06-12 | 박종섭 | 전기 도금법을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 및 격벽의 동시 형성 방법 |
| US6508685B1 (en) | 1998-07-21 | 2003-01-21 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel and method of fabricating barrier rib therefor |
| KR100459890B1 (ko) * | 1999-05-26 | 2004-12-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 가스방전표시소자의 격벽 제조 방법 |
-
1993
- 1993-04-12 JP JP5084416A patent/JPH06295675A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6508685B1 (en) | 1998-07-21 | 2003-01-21 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel and method of fabricating barrier rib therefor |
| US6783416B2 (en) | 1998-07-21 | 2004-08-31 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel and method of fabricating barrier rib thereof |
| KR100459890B1 (ko) * | 1999-05-26 | 2004-12-03 | 삼성에스디아이 주식회사 | 가스방전표시소자의 격벽 제조 방법 |
| KR20010004092A (ko) * | 1999-06-28 | 2001-01-15 | 김영환 | 전해도금을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성 방법 |
| KR100340076B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2002-06-12 | 박종섭 | 전기 도금법을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 및 격벽의 동시 형성 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000704 |