JPH0587146B2 - - Google Patents
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- JPH0587146B2 JPH0587146B2 JP61138644A JP13864486A JPH0587146B2 JP H0587146 B2 JPH0587146 B2 JP H0587146B2 JP 61138644 A JP61138644 A JP 61138644A JP 13864486 A JP13864486 A JP 13864486A JP H0587146 B2 JPH0587146 B2 JP H0587146B2
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、集積回路装置等において多層配線
を形成するための改良された方法に関するもので
ある。
を形成するための改良された方法に関するもので
ある。
［発明の概要］
この発明は、１層目の配線層を覆つて第１の層
間絶縁膜、配線段差軽減用の塗布ガラス膜、第２
の層間絶縁膜及び２層目の配線層を順次に形成す
る場合において、１層目の配線層の上方で第１の
層間絶縁膜が露呈されるように塗布ガラス膜をエ
ツチバツクしてから第２の層間絶縁膜及び２層目
の配線層を形成することにより配線層間の接続孔
における導通不良の発生を防止したものである。
間絶縁膜、配線段差軽減用の塗布ガラス膜、第２
の層間絶縁膜及び２層目の配線層を順次に形成す
る場合において、１層目の配線層の上方で第１の
層間絶縁膜が露呈されるように塗布ガラス膜をエ
ツチバツクしてから第２の層間絶縁膜及び２層目
の配線層を形成することにより配線層間の接続孔
における導通不良の発生を防止したものである。
［従来の技術］
従来、多層配線形成法としては、第６図乃至第
８図に示すように平坦化技術を採用したものが知
られている。すなわち、第６図の工程では、半導
体基板１０の表面にシリコンオキサイド等の絶縁
膜１２を介して１層目の配線層１４を形成した
後、CVD（ケミカル・ベーパー・デポジシヨン）
法により配線層１４をおおつて第１のPSG（リン
ケイ酸ガラス）膜１６を形成する。そして、この
PSG膜１６上に回転塗布法等によりSOG（スピ
ン・オン・ガラス）を塗布して配線段差軽減用の
ガラス膜１８を形成し、さらにその上にCVD法
により第２のPSG膜２０を形成する。
８図に示すように平坦化技術を採用したものが知
られている。すなわち、第６図の工程では、半導
体基板１０の表面にシリコンオキサイド等の絶縁
膜１２を介して１層目の配線層１４を形成した
後、CVD（ケミカル・ベーパー・デポジシヨン）
法により配線層１４をおおつて第１のPSG（リン
ケイ酸ガラス）膜１６を形成する。そして、この
PSG膜１６上に回転塗布法等によりSOG（スピ
ン・オン・ガラス）を塗布して配線段差軽減用の
ガラス膜１８を形成し、さらにその上にCVD法
により第２のPSG膜２０を形成する。
次に、第７図の工程では、レジスト層２２をマ
スクとして選択的なドライエツチ処理を行なうこ
とにより、配線層１４の一部を露呈させるような
接続孔２４を形成する。
スクとして選択的なドライエツチ処理を行なうこ
とにより、配線層１４の一部を露呈させるような
接続孔２４を形成する。
この後、第８図の工程では、接続孔２４を介し
て配線層１４に接続されるような２層目の配線層
２６を形成する。
て配線層１４に接続されるような２層目の配線層
２６を形成する。
上記の方法によると、ガラス膜１８を設けて配
線段差を軽減したので、段差部における配線切れ
や配線金属のエツチング残り等を防止することが
できる。
線段差を軽減したので、段差部における配線切れ
や配線金属のエツチング残り等を防止することが
できる。
［発明が解決しようとする問題点］
上記した第７図のドライエツチング工程では、
接続孔２４の底部でエツチングが不十分となり、
第８図のように配線層２６を形成したとき配線層
１４及び２６の接続部で導通不良が発生すること
があつた。
接続孔２４の底部でエツチングが不十分となり、
第８図のように配線層２６を形成したとき配線層
１４及び２６の接続部で導通不良が発生すること
があつた。
発明者の研究によれば、かような導通不良発生
は、SOGに起因するものであることが判明した。
すなわち、SOGは、シラノール（Si（OH）4）を
有機溶剤にとかしたものであり、膜形成後にも有
機成分を含んでいるため、ドライエツチングで気
化したSOG中の炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）等の成分
がポリマーを形成してエツチングの進行を妨げて
いるものと考えられる。
は、SOGに起因するものであることが判明した。
すなわち、SOGは、シラノール（Si（OH）4）を
有機溶剤にとかしたものであり、膜形成後にも有
機成分を含んでいるため、ドライエツチングで気
化したSOG中の炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）等の成分
がポリマーを形成してエツチングの進行を妨げて
いるものと考えられる。
［問題点を解決するための手段］
この発明の目的は、上記のような導通不良の発
生を防止することにある。
生を防止することにある。
この発明による多層配線形成法は、
(a) 基板上に１層目の配線層を覆つてベーパー・
デポジシヨン法により第１の層間絶縁膜を形成
する工程と、 (b) 前記第１の層間絶縁膜の上に液状ガラスを塗
布して配線段差軽減用のガラス膜を形成する工
程と、 (c) 前記ガラス膜をエツチバツクすることにより
前記第１の層間絶縁膜を前記１層目の配線層の
上面に対応する部分で露呈させ且つ前記ガラス
膜を前記１層目の配線層に基づく段差部にて残
存させる工程と、 (d) 前記第１の層間絶縁膜の露呈部及び前記ガラ
ス膜の残存部を覆うようにベーパー・デポジシ
ヨン法により第２の層間絶縁膜を形成する工程
と、 (e) 前記第１及び第２の層間絶縁膜において前記
１層目の配線層の上面の一部に対応し且つ前記
ガラス膜が介在しない部分を選択的にドライエ
ツチすることにより該部分に前記１層目の配線
層に達する接続孔を形成する工程と、 (f) 前記接続孔を介して前記１層目の配線層に接
続されるように前記第２の層間絶縁膜の上に２
層目の配線層を形成する工程と を含むものである。
デポジシヨン法により第１の層間絶縁膜を形成
する工程と、 (b) 前記第１の層間絶縁膜の上に液状ガラスを塗
布して配線段差軽減用のガラス膜を形成する工
程と、 (c) 前記ガラス膜をエツチバツクすることにより
前記第１の層間絶縁膜を前記１層目の配線層の
上面に対応する部分で露呈させ且つ前記ガラス
膜を前記１層目の配線層に基づく段差部にて残
存させる工程と、 (d) 前記第１の層間絶縁膜の露呈部及び前記ガラ
ス膜の残存部を覆うようにベーパー・デポジシ
ヨン法により第２の層間絶縁膜を形成する工程
と、 (e) 前記第１及び第２の層間絶縁膜において前記
１層目の配線層の上面の一部に対応し且つ前記
ガラス膜が介在しない部分を選択的にドライエ
ツチすることにより該部分に前記１層目の配線
層に達する接続孔を形成する工程と、 (f) 前記接続孔を介して前記１層目の配線層に接
続されるように前記第２の層間絶縁膜の上に２
層目の配線層を形成する工程と を含むものである。
［作用］
この発明の方法によれば、接続孔を形成すべき
部分にガラス膜が存在しないようにしたので、ド
ライエツチングの際にＣ，Ｈ等によるポリマー生
成がなされず、スムーズにエツチングが進行す
る。このため、接続孔の底部では十分にエツチン
グが行なわれ、上下の配線層の接続部において導
通不良が生ずるのを未然に防止することができ
る。
部分にガラス膜が存在しないようにしたので、ド
ライエツチングの際にＣ，Ｈ等によるポリマー生
成がなされず、スムーズにエツチングが進行す
る。このため、接続孔の底部では十分にエツチン
グが行なわれ、上下の配線層の接続部において導
通不良が生ずるのを未然に防止することができ
る。
［実施例］
第１図乃至第５図は、この発明の一実施例によ
る多層配線形成法を示すもので、各々の図番に対
応する工程(1)〜(5)を順次に説明する。
る多層配線形成法を示すもので、各々の図番に対
応する工程(1)〜(5)を順次に説明する。
(1) まず、シリコン等の半導体基板１０の表面に
シリコンオキサイド等の絶縁膜１２を形成した
後、その上に例えばアルミニウムを蒸着法、ス
パツタ法等により被着して適宜パターニングす
ることにより１層目の配線層１４Ａ及び１４Ｂ
を形成する。そして、CVD法等のベーパー・
デポジシヨン法により配線層１４Ａ及び１４Ｂ
をおおつて第１のPSG膜１６を形成した後、
このPSG膜１６上に回転塗布法等によりSOG
のような液状ガラスを塗布して配線段差軽減用
のガラス膜１８を形成する。
シリコンオキサイド等の絶縁膜１２を形成した
後、その上に例えばアルミニウムを蒸着法、ス
パツタ法等により被着して適宜パターニングす
ることにより１層目の配線層１４Ａ及び１４Ｂ
を形成する。そして、CVD法等のベーパー・
デポジシヨン法により配線層１４Ａ及び１４Ｂ
をおおつて第１のPSG膜１６を形成した後、
このPSG膜１６上に回転塗布法等によりSOG
のような液状ガラスを塗布して配線段差軽減用
のガラス膜１８を形成する。
(2) 次に、ドライエツチングによりガラス膜１８
を全面的にエツチバツクする。このエツチング
はガラス膜１８が配線層１４Ａ及び１４Ｂに対
応する部分でなくなる（PSG膜１６が配線層
１４Ａ及び１４Ｂの上方で露呈する）程度に行
なう。
を全面的にエツチバツクする。このエツチング
はガラス膜１８が配線層１４Ａ及び１４Ｂに対
応する部分でなくなる（PSG膜１６が配線層
１４Ａ及び１４Ｂの上方で露呈する）程度に行
なう。
(3) 次に、CVD法等のベーパー・デポジシヨン
法によりPSG膜１６の露呈部及び残存ガラス
膜１８をおおつて第２のPSG膜２０を形成す
る。
法によりPSG膜１６の露呈部及び残存ガラス
膜１８をおおつて第２のPSG膜２０を形成す
る。
(4) 次に、レジスト層２２をマスクとして配線層
１４Ａ上のPSG膜１６及び２０を選択的にド
ライエツチして接続孔２４を形成する。このと
き、エツチされる部分にはガラス膜１８が存在
しないので、ポリマー生成の原料ガスが出な
い。従つて、接続孔２４の底部では、十分にエ
ツチングが行なわれる。
１４Ａ上のPSG膜１６及び２０を選択的にド
ライエツチして接続孔２４を形成する。このと
き、エツチされる部分にはガラス膜１８が存在
しないので、ポリマー生成の原料ガスが出な
い。従つて、接続孔２４の底部では、十分にエ
ツチングが行なわれる。
(5) この後、基板上面に例えばアルミニウムを被
着して適宜パターニングすることにより２層目
の配線層２６を形成する。この配線層２６は、
接続孔２４を介して配線層１４Ａと接続され、
この接続部における導通状態は良好である。
着して適宜パターニングすることにより２層目
の配線層２６を形成する。この配線層２６は、
接続孔２４を介して配線層１４Ａと接続され、
この接続部における導通状態は良好である。
上記のように、ガラス膜１８を形成した後エツ
チバツクを行なうことで平坦化効果を損うことな
く配線層１４Ａ及び２６間に良好な導通状態を確
保することができる。
チバツクを行なうことで平坦化効果を損うことな
く配線層１４Ａ及び２６間に良好な導通状態を確
保することができる。
なお、層間絶縁膜の材料としては、PSGに限
らず、シリコンオキサイド等の適宜のものを用い
ることができる。
らず、シリコンオキサイド等の適宜のものを用い
ることができる。
［発明の効果］
以上のように、この発明によれば、エツチバツ
ク工程を付加するだけの簡単な手段によつて上下
の配線層間に良好な導通状態を確保することがで
き、製造歩留及び信頼性を大幅に向上しうる効果
が得られるものである。
ク工程を付加するだけの簡単な手段によつて上下
の配線層間に良好な導通状態を確保することがで
き、製造歩留及び信頼性を大幅に向上しうる効果
が得られるものである。
第１図乃至第５図は、この発明の一実施例によ
る多層配線形成法を示す基板断面図、第６図乃至
第８図は、従来の多層配線形成法を示す基板断面
図である。 １０……半導体基板、１２……絶縁膜、１４，
１４Ａ，１４Ｂ……１層目の配線層、１６……第
１のPSG膜、１８……ガラス膜、２０……第２
のPSG膜、２２……レジスト層、２４……接続
孔、２６……２層目の配線層。
る多層配線形成法を示す基板断面図、第６図乃至
第８図は、従来の多層配線形成法を示す基板断面
図である。 １０……半導体基板、１２……絶縁膜、１４，
１４Ａ，１４Ｂ……１層目の配線層、１６……第
１のPSG膜、１８……ガラス膜、２０……第２
のPSG膜、２２……レジスト層、２４……接続
孔、２６……２層目の配線層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １(a) 基板上に１層目の配線層を覆つてベーパ
ー・デポジシヨン法により第１の層間絶縁膜を
形成する工程と、 (b) 前記第１の層間絶縁膜の上に液状ガラスを塗
布して配線段差軽減用のガラス膜を形成する工
程と、 (c) 前記ガラス膜をエツチバツクすることにより
前記第１の層間絶縁膜を前記１層目の配線層の
上面に対応する部分で露呈させ且つ前記ガラス
膜を前記１層目の配線層に基づく段差部にて残
存させる工程と、 (d) 前記第１の層間絶縁膜の露呈部及び前記ガラ
ス膜の残存部を覆うようにベーパー・デポジシ
ヨン法により第２の層間絶縁膜を形成する工程
と、 (e) 前記第１及び第２の層間絶縁膜において前記
１層目の配線層の上面の一部に対応し且つ前記
ガラス膜が介在しない部分を選択的にドライエ
ツチすることにより該部分に前記１層目の配線
層に達する接続孔を形成する工程と、 (f) 前記接続孔を介して前記１層目の配線層に接
続されるように前記第２の層間絶縁膜の上に２
層目の配線層を形成する工程と を含む多層配線形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13864486A JPS62295437A (ja) | 1986-06-14 | 1986-06-14 | 多層配線形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13864486A JPS62295437A (ja) | 1986-06-14 | 1986-06-14 | 多層配線形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62295437A JPS62295437A (ja) | 1987-12-22 |
| JPH0587146B2 true JPH0587146B2 (ja) | 1993-12-15 |
Family
ID=15226822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13864486A Granted JPS62295437A (ja) | 1986-06-14 | 1986-06-14 | 多層配線形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62295437A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6386547A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Pioneer Electronic Corp | 多重配線基板の製造方法 |
| JPS6386546A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | Pioneer Electronic Corp | 多重配線基板の製造方法 |
| JPS63164342A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 絶縁膜形成方法 |
| JPH01243553A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2850341B2 (ja) * | 1988-11-22 | 1999-01-27 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02172261A (ja) * | 1988-12-25 | 1990-07-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02271630A (ja) * | 1989-04-13 | 1990-11-06 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0682662B2 (ja) * | 1989-07-18 | 1994-10-19 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH04174541A (ja) * | 1990-03-28 | 1992-06-22 | Nec Corp | 半導体集積回路及びその製造方法 |
| JP2820070B2 (ja) * | 1995-08-11 | 1998-11-05 | 日本電気株式会社 | プラズマ化学気相成長法とその装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5897848A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-10 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 表面平滑化方法 |
| JPS607737A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6035535A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60173856A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-09-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6165454A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61116858A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-06-04 | Fujitsu Ltd | 層間絶縁膜の形成方法 |
-
1986
- 1986-06-14 JP JP13864486A patent/JPS62295437A/ja active Granted
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5897848A (ja) * | 1981-12-08 | 1983-06-10 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 表面平滑化方法 |
| JPS607737A (ja) * | 1983-06-27 | 1985-01-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6035535A (ja) * | 1983-08-08 | 1985-02-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60173856A (ja) * | 1984-02-10 | 1985-09-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6165454A (ja) * | 1984-09-07 | 1986-04-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS61116858A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-06-04 | Fujitsu Ltd | 層間絶縁膜の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62295437A (ja) | 1987-12-22 |
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