JPH0766358A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0766358A JPH0766358A JP23568793A JP23568793A JPH0766358A JP H0766358 A JPH0766358 A JP H0766358A JP 23568793 A JP23568793 A JP 23568793A JP 23568793 A JP23568793 A JP 23568793A JP H0766358 A JPH0766358 A JP H0766358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- semiconductor device
- lead
- package
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 端子リードの多ピン化に即応できない問題点
を改善して経済的で且つ高品質の半導体装置を提供す
る。 【構成】 半導体素子の搭載部１１と、略放射状に延び
る複数の端子リード１２と、これらを相互に連接支持す
ると共に封止樹脂の流出を防ぐダム部１８と、リード１
２の一端部と前記素子の電極端子とを接続するワイヤ２
０とをモールド形成したパッケージ１９部とを有する半
導体装置２２から成る。ダム部１８は、別体の絶縁性の
光硬化性ドライフィルムレジストよりなり、１９部の外
周に沿って配置された１２の上、下面の一方または両面
に粘着して連結した所要幅の枠体１７はその一部が１９
部の領域外に位置して一体にモールドされた構成とされ
ている。
を改善して経済的で且つ高品質の半導体装置を提供す
る。 【構成】 半導体素子の搭載部１１と、略放射状に延び
る複数の端子リード１２と、これらを相互に連接支持す
ると共に封止樹脂の流出を防ぐダム部１８と、リード１
２の一端部と前記素子の電極端子とを接続するワイヤ２
０とをモールド形成したパッケージ１９部とを有する半
導体装置２２から成る。ダム部１８は、別体の絶縁性の
光硬化性ドライフィルムレジストよりなり、１９部の外
周に沿って配置された１２の上、下面の一方または両面
に粘着して連結した所要幅の枠体１７はその一部が１９
部の領域外に位置して一体にモールドされた構成とされ
ている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、モールド型の半導体装
置に係り、詳細には、端子リードを相互に連結支持する
と共に、封止樹脂の流出を防ぐダム部に別体の絶縁性の
光硬化性ドライフィルムレジストを用いて多ピン化に対
応したモールド型半導体装置に関する。
置に係り、詳細には、端子リードを相互に連結支持する
と共に、封止樹脂の流出を防ぐダム部に別体の絶縁性の
光硬化性ドライフィルムレジストを用いて多ピン化に対
応したモールド型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置に用いるＱＦ
Ｐ型のリードフレーム１０は、図４において、金属条材
からプレス加工またはエッチング加工法によって不要部
分を順次除去して中央部に半導体素子を搭載する半導体
素子搭載部４１と、その周囲に放射状に配設され、該搭
載部４１に搭載した素子４２とを貴金属ワイヤを介して
電気導通回路を形成する端子リード４３と、パッケージ
領域部４４の外周辺に平行に且つ、離間して前記各端子
リード４３を連接支持すると共に、封止樹脂の流出を防
止する前記リード間に抜き残されたダムバー４５を設け
たものが一般的である。
Ｐ型のリードフレーム１０は、図４において、金属条材
からプレス加工またはエッチング加工法によって不要部
分を順次除去して中央部に半導体素子を搭載する半導体
素子搭載部４１と、その周囲に放射状に配設され、該搭
載部４１に搭載した素子４２とを貴金属ワイヤを介して
電気導通回路を形成する端子リード４３と、パッケージ
領域部４４の外周辺に平行に且つ、離間して前記各端子
リード４３を連接支持すると共に、封止樹脂の流出を防
止する前記リード間に抜き残されたダムバー４５を設け
たものが一般的である。
【０００３】しかしながら、上記のように構成されたリ
ードフレーム４０を用いて図５に示すような半導体装置
４６を組み立てる場合には、前記リードフレーム４０の
前記素子搭載部４１に搭載した半導体素子４２の図示し
ない半導体素子４２の電極パットと端子リード４３の一
端とをワイヤ４７で結線して電気導通回路の形成を行
い、前記半導体素子搭載部４１、前記半導体素子４２、
前記端子リード４３の一端部側及び前記ワイヤ４７とを
モールドしてパッケージ４８が形成されて図６にしめす
ような半導体装置の中間製品を得る、この中間製品の前
記パッケージ４８の周辺に露出した前記各端子リード４
３を接続支持する外枠部から除去し、さらに、前記パッ
ケージ４８の周辺から離間した箇所に打ち抜き残された
ダムバー４５と、該ダムバー４５とパッケージ４８の外
周の間に流出した樹脂バリとを図示しない高精度の金型
装置を用いて打ち抜き除去して端子リード４３を個々に
分離独立させる必要があった。
ードフレーム４０を用いて図５に示すような半導体装置
４６を組み立てる場合には、前記リードフレーム４０の
前記素子搭載部４１に搭載した半導体素子４２の図示し
ない半導体素子４２の電極パットと端子リード４３の一
端とをワイヤ４７で結線して電気導通回路の形成を行
い、前記半導体素子搭載部４１、前記半導体素子４２、
前記端子リード４３の一端部側及び前記ワイヤ４７とを
モールドしてパッケージ４８が形成されて図６にしめす
ような半導体装置の中間製品を得る、この中間製品の前
記パッケージ４８の周辺に露出した前記各端子リード４
３を接続支持する外枠部から除去し、さらに、前記パッ
ケージ４８の周辺から離間した箇所に打ち抜き残された
ダムバー４５と、該ダムバー４５とパッケージ４８の外
周の間に流出した樹脂バリとを図示しない高精度の金型
装置を用いて打ち抜き除去して端子リード４３を個々に
分離独立させる必要があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近来、
半導体装置の高密度実装化の進展にともない、前記半導
体装置のパッケージの外周辺に沿って配列された端子リ
ード４３は増加し、多ピン化されるに伴いリード間が狭
くなる傾向にある、したがつて、上記のように構成され
たリードフレーム４０を用いたモールド型半導体装置４
６では、前記ダムバー４５を打ち抜き除去して端子リー
ドを相互に分離する工程を必要とするので、前記各端子
リード４３間の間隔に合わせて数種の高精度金型を用意
する必要がある。しかしながら、前記金型が前記各端子
リード間の間隔が極めて狭い多ピンの半導体装置に即応
できないという問題があった。
半導体装置の高密度実装化の進展にともない、前記半導
体装置のパッケージの外周辺に沿って配列された端子リ
ード４３は増加し、多ピン化されるに伴いリード間が狭
くなる傾向にある、したがつて、上記のように構成され
たリードフレーム４０を用いたモールド型半導体装置４
６では、前記ダムバー４５を打ち抜き除去して端子リー
ドを相互に分離する工程を必要とするので、前記各端子
リード４３間の間隔に合わせて数種の高精度金型を用意
する必要がある。しかしながら、前記金型が前記各端子
リード間の間隔が極めて狭い多ピンの半導体装置に即応
できないという問題があった。
【０００５】さらに、モールドを行う際に、封止樹脂の
一部が流出してダムバー４５部とパッケージ４７の外周
辺との間に充填され樹脂バリ４９を発生させるという問
題があった。
一部が流出してダムバー４５部とパッケージ４７の外周
辺との間に充填され樹脂バリ４９を発生させるという問
題があった。
【０００６】更に、モールドを行う際に生じるリードフ
レーム１０の収縮などの変形によって端子リード４３に
位置ズレが生じる、これは各端子リード間の間隔の狭い
半導体装置に発生する、その結果として前記ダムバー１
９の打ち抜き除去を行う際に、前記端子リード４３の縁
部に打ち抜きバリや微細なヒゲなどが発生し、外観及び
端子リード４３のリード間が短絡するなど半導体装置の
品質及び長期信頼性を低下させるという問題があった。
レーム１０の収縮などの変形によって端子リード４３に
位置ズレが生じる、これは各端子リード間の間隔の狭い
半導体装置に発生する、その結果として前記ダムバー１
９の打ち抜き除去を行う際に、前記端子リード４３の縁
部に打ち抜きバリや微細なヒゲなどが発生し、外観及び
端子リード４３のリード間が短絡するなど半導体装置の
品質及び長期信頼性を低下させるという問題があった。
【０００７】
【発明の目的】本発明は、上記の実情に鑑みてなされた
もので、特に、半導体装置の端子リードの多ピン化に即
応できないという問題点を改善して経済的且つ高品質の
半導体装置を提供することにある。
もので、特に、半導体装置の端子リードの多ピン化に即
応できないという問題点を改善して経済的且つ高品質の
半導体装置を提供することにある。
【０００８】
【問題を解決するための手段】前記目的に沿う請求項１
記載の半導体装置用リードフレームは、半導体素子を載
置固定した素子搭載部と、略放射状に延びる複数の端子
リードと、該端子リードを相互に連結支持すると共に封
止樹脂の流出を防ぐダム部と、前記端子リードの一端と
前記素子の電極端子とを接続して電気導通回路を形成す
るワイヤと、前記素子搭載部、前記ワイヤ及び前記端子
リードの一端側をモールドして形成したパッケージ部と
を有する半導体装置にあって、 前記ダム部は別体の絶
縁性の光硬化性ドライフィルムレジストよりなり、該レ
ジストが前記パッケージ部の外周に沿って前記端子リー
ドの上面側、下面側の一方または両方から前記端子リー
ドを連結する所要幅の枠体であり、該枠体はその一部が
前記パッケージ部の領域外に位置して一体にモールドさ
れた構成とされている。
記載の半導体装置用リードフレームは、半導体素子を載
置固定した素子搭載部と、略放射状に延びる複数の端子
リードと、該端子リードを相互に連結支持すると共に封
止樹脂の流出を防ぐダム部と、前記端子リードの一端と
前記素子の電極端子とを接続して電気導通回路を形成す
るワイヤと、前記素子搭載部、前記ワイヤ及び前記端子
リードの一端側をモールドして形成したパッケージ部と
を有する半導体装置にあって、 前記ダム部は別体の絶
縁性の光硬化性ドライフィルムレジストよりなり、該レ
ジストが前記パッケージ部の外周に沿って前記端子リー
ドの上面側、下面側の一方または両方から前記端子リー
ドを連結する所要幅の枠体であり、該枠体はその一部が
前記パッケージ部の領域外に位置して一体にモールドさ
れた構成とされている。
【０００９】
【作用】請求項１記載の半導体装置においては、従来技
術のダムバーと同一機能を有する、別体の絶縁性の光硬
化性ドライフィルムレジストの枠体を粘着した構成とさ
れているから、従来技術で必要としたダムバーを除去す
る工程やそれに伴う打ち抜き金型を必要としなくなると
共に、前記ダムバーを切断除去の際に生じる打ち抜きバ
リや微細なヒゲ及び端子リードの変形の発生を防ぐこと
ができる。
術のダムバーと同一機能を有する、別体の絶縁性の光硬
化性ドライフィルムレジストの枠体を粘着した構成とさ
れているから、従来技術で必要としたダムバーを除去す
る工程やそれに伴う打ち抜き金型を必要としなくなると
共に、前記ダムバーを切断除去の際に生じる打ち抜きバ
リや微細なヒゲ及び端子リードの変形の発生を防ぐこと
ができる。
【００１０】また、前記枠体の一部がモールド領域内に
配置されているから、モールドを行う際に、モールド用
金型と端子リード表面の密着性が著しく向上すると共
に、端子リード間の樹脂漏れを完全に防ぐことができ
る。 さらに、リードフレームと封止樹脂との密着性を
著しく向上させることができる。
配置されているから、モールドを行う際に、モールド用
金型と端子リード表面の密着性が著しく向上すると共
に、端子リード間の樹脂漏れを完全に防ぐことができ
る。 さらに、リードフレームと封止樹脂との密着性を
著しく向上させることができる。
【００１１】さらに、端子リードに凹形状の溝が設けら
れており、該溝にドライフィルムレジストが充填されて
おるので、端子リードのＵ字やＪ字などの成形による位
置ズレを防ぐことができる。
れており、該溝にドライフィルムレジストが充填されて
おるので、端子リードのＵ字やＪ字などの成形による位
置ズレを防ぐことができる。
【００１２】
【実施例】次に、上記構成及び作用を有する本発明の一
実施例について、添付した図面に基づき詳細に説明す
る。
実施例について、添付した図面に基づき詳細に説明す
る。
【００１３】図１は、本発明の一実施例に用いた半導体
装置用リードフレームの平面図、図２は、本発明の一実
施例を示すモールド型半導体装置を示す要部断面図、図
３は、上記半導体装置の中間製品を示す要部拡大平面図
である。
装置用リードフレームの平面図、図２は、本発明の一実
施例を示すモールド型半導体装置を示す要部断面図、図
３は、上記半導体装置の中間製品を示す要部拡大平面図
である。
【００１４】ここで、図１、図２、図３では、１０は半
導体装置用リードフレーム、１１は中央部に半導体素子
を搭載する半導体素子搭載部、１２は所定部分に凹形状
の溝を備えた端子リード、１３は端子リード１２の一端
部に形成したワイヤボンデング領域、１４は前記搭載部
１１を支持する吊りリード、１５は図示しない外部配線
基盤に接続する端子リード１２の他多端部に形成した接
続端子領域、１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄはリード
フレームの単体を支持する外枠部、１７はダム部の機能
を有する別体の絶縁性の光硬化性ドライフィルムレジス
トの枠体、１８は端子リードを連結し、且つ、樹脂の流
出を防ぐダム部、１９はパッケイジ、２０はボンディン
グワイヤ、２１は半導体素子、２２は半導体装置であ
る。
導体装置用リードフレーム、１１は中央部に半導体素子
を搭載する半導体素子搭載部、１２は所定部分に凹形状
の溝を備えた端子リード、１３は端子リード１２の一端
部に形成したワイヤボンデング領域、１４は前記搭載部
１１を支持する吊りリード、１５は図示しない外部配線
基盤に接続する端子リード１２の他多端部に形成した接
続端子領域、１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄはリード
フレームの単体を支持する外枠部、１７はダム部の機能
を有する別体の絶縁性の光硬化性ドライフィルムレジス
トの枠体、１８は端子リードを連結し、且つ、樹脂の流
出を防ぐダム部、１９はパッケイジ、２０はボンディン
グワイヤ、２１は半導体素子、２２は半導体装置であ
る。
【００１５】図１に示すパッケイジ１９の外周辺に沿っ
て凹形状溝を有する端子リードを連結し、封止樹脂の流
出を防止するダム部の機能を有する別体の絶縁性の光硬
化性のドライフィルムレジスト１７を備えた半導体装置
用リードフレーム１０を用いて図２に示す半導体装置２
２を製造するには、前記リードフレーム１０のほぼ中央
部に位置する前記素子搭載部１１の上面に素子２１を載
置固定してボンデングワイヤ２０の一端部と素子２１の
図示しない電極パットとを接続し、他端を端子リード１
２のワイヤボンディング領域１３に接続して電気導通回
路の形成を行って後、前記素子２１を搭載した前記リー
ドフレーム１０を図示しないモールド用金型の上型と下
型のキャビティ間に載置する。
て凹形状溝を有する端子リードを連結し、封止樹脂の流
出を防止するダム部の機能を有する別体の絶縁性の光硬
化性のドライフィルムレジスト１７を備えた半導体装置
用リードフレーム１０を用いて図２に示す半導体装置２
２を製造するには、前記リードフレーム１０のほぼ中央
部に位置する前記素子搭載部１１の上面に素子２１を載
置固定してボンデングワイヤ２０の一端部と素子２１の
図示しない電極パットとを接続し、他端を端子リード１
２のワイヤボンディング領域１３に接続して電気導通回
路の形成を行って後、前記素子２１を搭載した前記リー
ドフレーム１０を図示しないモールド用金型の上型と下
型のキャビティ間に載置する。
【００１６】そうして、封止樹脂を前記キャビティ内に
注入して前記半導体素子搭載部１１、素子２１、ボンデ
ィングワイヤ２０、端子リード１２の一端部及び前記ド
ライフィルムレジストの枠体１７の一部がモールドされ
たパツケージ１９を備えた図３に示す中間製品が形成さ
れる。ここで、前記ドライフィルムレジストの枠体１７
の一部を上型と下型とで圧接しているから、前記レジス
トの枠体１７が封止樹脂の流出を完全に防止し、樹脂バ
リの発生がなくなる。
注入して前記半導体素子搭載部１１、素子２１、ボンデ
ィングワイヤ２０、端子リード１２の一端部及び前記ド
ライフィルムレジストの枠体１７の一部がモールドされ
たパツケージ１９を備えた図３に示す中間製品が形成さ
れる。ここで、前記ドライフィルムレジストの枠体１７
の一部を上型と下型とで圧接しているから、前記レジス
トの枠体１７が封止樹脂の流出を完全に防止し、樹脂バ
リの発生がなくなる。
【００１７】次に、図３に示す中間製品の外枠部１６Ａ
から、端子リードの接続端子領域１５の端面の形成を行
って端子リードを切断分離して図２に示すようなパッケ
ージ１９の外周辺から端子リード１２が突出したモール
ド型半導体装置が得られる。ここで、ダム部にがレジス
トの枠体１７を用いているので、従来技術のように抜き
残されたダムバーを除去する必要がなくなり多ピン化に
容易に対応できる。さらに、外部環境に対する密封性が
向上する。上述べたように、本発明の実施例としてＱＦ
Ｐ型の半導体装置について説明したが、ＤＩＰ型の半導
体装置に適用しても同様な作用効果を得ることができ
る。また、実施例のレジストのと枠体１７としたが、ワ
イヤボンディング領域や素子搭載部のみを露出させ、そ
の一部がパッケージ領域外に位置するように粘着して構
成しても良い。
から、端子リードの接続端子領域１５の端面の形成を行
って端子リードを切断分離して図２に示すようなパッケ
ージ１９の外周辺から端子リード１２が突出したモール
ド型半導体装置が得られる。ここで、ダム部にがレジス
トの枠体１７を用いているので、従来技術のように抜き
残されたダムバーを除去する必要がなくなり多ピン化に
容易に対応できる。さらに、外部環境に対する密封性が
向上する。上述べたように、本発明の実施例としてＱＦ
Ｐ型の半導体装置について説明したが、ＤＩＰ型の半導
体装置に適用しても同様な作用効果を得ることができ
る。また、実施例のレジストのと枠体１７としたが、ワ
イヤボンディング領域や素子搭載部のみを露出させ、そ
の一部がパッケージ領域外に位置するように粘着して構
成しても良い。
【００１８】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明の半導
体装置を用いると、従来技術で必要としたダムバーを除
去する工程を必要としなくなると共に、ダムバーの切断
除去の際に生じる打ち抜きバリやヒゲの発生及び端子リ
ードの変形を防止した構成となつているので、多数の端
子リードを有する半導体装置の多ピン化に容易に対応す
ることができると共に、生産性及び品質が著しく向上
し、経済的且つ信頼性の高い半導体装置が提供できる。
体装置を用いると、従来技術で必要としたダムバーを除
去する工程を必要としなくなると共に、ダムバーの切断
除去の際に生じる打ち抜きバリやヒゲの発生及び端子リ
ードの変形を防止した構成となつているので、多数の端
子リードを有する半導体装置の多ピン化に容易に対応す
ることができると共に、生産性及び品質が著しく向上
し、経済的且つ信頼性の高い半導体装置が提供できる。
【図１】本発明の一実施例に用いたモールド型半導体装
置用リードフレームを示す平面図である。
置用リードフレームを示す平面図である。
【図２】本発明のモールド型半導体装置を示す要部断面
図である。
図である。
【図３】本発明のモールド型半導体装置の中間工程で形
成された中間製品を示す部分拡大平面図である。
成された中間製品を示す部分拡大平面図である。
【図４】従来技術に用いたモールド型半導体装置用リー
ドフレームを示す平面図である。
ドフレームを示す平面図である。
【図５】従来のモールド型半導体装置を示す要部断面図
である。
である。
【図６】従来のモールド型半導体装置の中間工程で形成
された中間製品を示す部分拡大平面図である。
された中間製品を示す部分拡大平面図である。
１０ 半導体装置用リードフレーム １１ 半導体素子搭載部 １２ 端子リード １３ ワイヤボンディング端子領域 １４ 吊りリード １５ 外部接続端子領域 １６Ａ 外枠部Ａ １６Ｂ 外枠部Ｂ １６Ｃ 外枠部Ｃ １６Ｄ 外枠部Ｄ １７ 絶縁性の光硬化性ドライフィルムレジストの枠体 １８ ダム部 １９ パッケージ ２０ ボンデングワイヤ ２１ 半導体素子 ２２ 半導体装置
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子を載置固定した素子搭載部
と、略放射状に延びる複数の端子リードと、該端子リー
ドを相互に連結支持すると共に封止樹脂の流出を防ぐダ
ム部と、前記端子リードの一端と前記素子の電極端子と
を接続して電気導通回路を形成するボンデングワイヤ
と、前記素子搭載部、前記ワイヤ及び前記端子リードの
一端側をモールドして形成したパッケージ部とを有する
半導体装置にあって、 前記ダム部は別体の絶縁性の光
硬化性ドライフィルムレジストよりなり、該レジストが
前記パッケージ部の外周に沿って前記端子リードの上面
側、下面側の一方または両方から前記端子リードを連結
する所要幅の枠体であり、該枠体はその一部が前記パッ
ケージ部の領域外に位置して一体にモールドされてなる
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23568793A JPH0766358A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23568793A JPH0766358A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766358A true JPH0766358A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16989733
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23568793A Pending JPH0766358A (ja) | 1993-08-27 | 1993-08-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766358A (ja) |
-
1993
- 1993-08-27 JP JP23568793A patent/JPH0766358A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100809818B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
| US7019388B2 (en) | Semiconductor device | |
| US5637914A (en) | Lead frame and semiconductor device encapsulated by resin | |
| KR20030031843A (ko) | 리드프레임 및 그 리드프레임을 사용한 반도체 장치의제조 방법 | |
| KR100257912B1 (ko) | 수지 밀봉형 반도체 장치 | |
| JPH0766358A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH01201945A (ja) | リードフレーム | |
| JP2630686B2 (ja) | 電子部品製造用フレーム、およびこれを用いた電子部品製造方法、ならびにこの製造方法により製造された電子部品 | |
| JP2535358B2 (ja) | 電子部品におけるモ―ルド部の製造方法 | |
| JP2704128B2 (ja) | 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 | |
| JP2714002B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0766350A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPH05206347A (ja) | 半導体装置及びその製造方法及び半導体装置用リードフレーム | |
| JP2979724B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 | |
| KR0152577B1 (ko) | 각형 위치 정렬 핀을 이용한 외부리드의 언더 컷 방지 방법 | |
| JPH01123426A (ja) | 樹脂封止型電子部品の製造方法 | |
| JPH0555282A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0722561A (ja) | 半導体装置用リードフレーム及びこれを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JPH06151681A (ja) | 半導体装置の製造方法およびその製造において用いるリードフレーム | |
| JPH03152964A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム | |
| KR20010068510A (ko) | 쿼드 플랫 패키지용 리드 프레임 | |
| JPH05226569A (ja) | 樹脂封止型半導体装置用リードフレーム | |
| JPH09283549A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH08264702A (ja) | 半導体装置のリードフレーム及びこれを用いた半導体装置 | |
| JP2002036300A (ja) | 樹脂モールド装置 |