JPH04228573A - プラズマ化学気相堆積装置における微粒子汚染減少方法 - Google Patents
プラズマ化学気相堆積装置における微粒子汚染減少方法Info
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- JPH04228573A JPH04228573A JP40774190A JP40774190A JPH04228573A JP H04228573 A JPH04228573 A JP H04228573A JP 40774190 A JP40774190 A JP 40774190A JP 40774190 A JP40774190 A JP 40774190A JP H04228573 A JPH04228573 A JP H04228573A
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は平行平板型プラズマ化
学気相堆積装置等の真空堆積装置における堆積前の真空
相の状態を最適化する方法に関する。
学気相堆積装置等の真空堆積装置における堆積前の真空
相の状態を最適化する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の平行平板型プラズマ化学堆積装置
は図１に示す構造になっており堆積前の状態はガス排気
バルブ９を開き、排気ポンプ１０を用いてガス排気口８
より真空槽１内を高真空に排気している。この際ガス供
給バルブ５は閉まっているため、多数の穴のあいている
放電電極４を通してのガスの導入は無い状態である。
は図１に示す構造になっており堆積前の状態はガス排気
バルブ９を開き、排気ポンプ１０を用いてガス排気口８
より真空槽１内を高真空に排気している。この際ガス供
給バルブ５は閉まっているため、多数の穴のあいている
放電電極４を通してのガスの導入は無い状態である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、真空槽１内
を高真空に排気したあと、ガスを導入する場合、放電電
極４の表面等に存在する微粒子を舞い上げてしまい、さ
らに放電電極４に対向する位置にある対向電極２に取り
付けられている基板３の表面を微粒子等で汚染し、特性
の悪化、不良発生を増加させるという問題があった。
を高真空に排気したあと、ガスを導入する場合、放電電
極４の表面等に存在する微粒子を舞い上げてしまい、さ
らに放電電極４に対向する位置にある対向電極２に取り
付けられている基板３の表面を微粒子等で汚染し、特性
の悪化、不良発生を増加させるという問題があった。
【０００４】本発明は、上記問題を解決するもので、真
空槽内の微粒子による汚染を減少できる手段を提供する
ことを目的としている。
空槽内の微粒子による汚染を減少できる手段を提供する
ことを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、真空槽内への導入・排気を１サイクルとし
、基板を真空槽内にセットする前に、少なくとも複数回
以上の上記サイクルを繰り返すプラズマ化学気相堆積装
置における微粒子汚染減少方法としたものである。
するために、真空槽内への導入・排気を１サイクルとし
、基板を真空槽内にセットする前に、少なくとも複数回
以上の上記サイクルを繰り返すプラズマ化学気相堆積装
置における微粒子汚染減少方法としたものである。
【０００６】
【作用】本発明は上記した方法により、堆積処理を重ね
ることによる真空槽内の微粒子等のダストの蓄積を低減
し、基板表面のダストによる汚染を防止することができ
る。
ることによる真空槽内の微粒子等のダストの蓄積を低減
し、基板表面のダストによる汚染を防止することができ
る。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の一実施例を説明する。なお、
プラズマ化学気相堆積装置の構成は従来例で示したもの
と同じ構成であり、その構成の説明は省略する。
プラズマ化学気相堆積装置の構成は従来例で示したもの
と同じ構成であり、その構成の説明は省略する。
【０００８】本発明の実施例の特徴はその操作方法にあ
り、■初め、図１に示すガス導入バルブ５は閉まってお
り真空槽１は排気口８を通じて排気ポンプ１０により排
気され高真空状態に保たれている。■高真空状態で基板
３をセットしないダミートレー（対向電極：以下トレー
と呼ぶ）２を放電電極４に向かい合うように移動させる
。（基板３はセットしない）■ガス導入バルブを一定時
間開いてガスを真空槽１内に導入する。■ガス導入バル
ブを一定時間閉じて真空槽１内を排気する。■上記■〜
■を数回繰り返す。■ダミートレー２を真空槽１内より
取り出す。
り、■初め、図１に示すガス導入バルブ５は閉まってお
り真空槽１は排気口８を通じて排気ポンプ１０により排
気され高真空状態に保たれている。■高真空状態で基板
３をセットしないダミートレー（対向電極：以下トレー
と呼ぶ）２を放電電極４に向かい合うように移動させる
。（基板３はセットしない）■ガス導入バルブを一定時
間開いてガスを真空槽１内に導入する。■ガス導入バル
ブを一定時間閉じて真空槽１内を排気する。■上記■〜
■を数回繰り返す。■ダミートレー２を真空槽１内より
取り出す。
【０００９】ここで、真空槽１内にダミートレー２をセ
ットした状態でガスを導入した場合、放電電極４表面お
よび内部に存在するダストは勢いよく真空槽１内に舞い
上がる。しかし、ダミートレー２により上部が覆われて
いるためダストは必要以上に広がることはない。次に、
ガス導入を停止し排気をすることにより真空槽１内に浮
遊しているダストは排気口を通じて真空槽１外へ排出さ
れる。
ットした状態でガスを導入した場合、放電電極４表面お
よび内部に存在するダストは勢いよく真空槽１内に舞い
上がる。しかし、ダミートレー２により上部が覆われて
いるためダストは必要以上に広がることはない。次に、
ガス導入を停止し排気をすることにより真空槽１内に浮
遊しているダストは排気口を通じて真空槽１外へ排出さ
れる。
【００１０】この操作を堆積前に実施することにより、
堆積時の基板３表面のダストによる汚染を低減すること
ができる。図２に、本発明の手段を用いた場合の真空槽
１内の直径０．２８μｍ以上のダストの個数の変化を示
す。この図により、本発明の手段を用いることにより堆
積前の真空槽１内に蓄積されていたダストの個数を５分
の１程度に低減していることが分かる。
堆積時の基板３表面のダストによる汚染を低減すること
ができる。図２に、本発明の手段を用いた場合の真空槽
１内の直径０．２８μｍ以上のダストの個数の変化を示
す。この図により、本発明の手段を用いることにより堆
積前の真空槽１内に蓄積されていたダストの個数を５分
の１程度に低減していることが分かる。
【００１１】
【発明の効果】以上述べてきたように、本発明は連続堆
積処理をする間に真空槽内にガスを断続的に導入・排気
することにより放電電極等に蓄積されていたダストを排
出し、ダストの基板表面の汚染を防止するという効果を
有する。
積処理をする間に真空槽内にガスを断続的に導入・排気
することにより放電電極等に蓄積されていたダストを排
出し、ダストの基板表面の汚染を防止するという効果を
有する。
【００１２】なお、本発明の一実施例として平行平板型
プラズマ化学気相堆積装置について説明してきたが、本
発明はその他の真空堆積装置においてもその効果を損な
うものではない。
プラズマ化学気相堆積装置について説明してきたが、本
発明はその他の真空堆積装置においてもその効果を損な
うものではない。
【図１】平行平板型プラズマ化学気相堆積装置断面図の
縦断面図
縦断面図
【図２】レーザーダストカウンターの測定による本発明
の手段を用いた場合の５インチ丸シリコン基板上のダス
トの付着数を示す特性図
の手段を用いた場合の５インチ丸シリコン基板上のダス
トの付着数を示す特性図
１ 真空槽
３ 基板
５ ガス供給バルブ
６ ガス供給源
９ ガス排気バルブ
１０ 排気ポンプ
Claims (1)
- 【請求項１】 真空槽内へのガスの導入・排気を１サ
イクルとし、基板を真空槽内にセットする前に、少なく
とも複数回以上の上記サイクルを繰り返すプラズマ化学
気相堆積装置における微粒子汚染減少方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40774190A JPH04228573A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | プラズマ化学気相堆積装置における微粒子汚染減少方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40774190A JPH04228573A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | プラズマ化学気相堆積装置における微粒子汚染減少方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04228573A true JPH04228573A (ja) | 1992-08-18 |
Family
ID=18517295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40774190A Pending JPH04228573A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | プラズマ化学気相堆積装置における微粒子汚染減少方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04228573A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0599276A2 (en) * | 1992-11-24 | 1994-06-01 | Applied Materials, Inc. | Method of removing particles from the surface of a substrate |
| JP2006161095A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP2014143421A (ja) * | 2014-02-12 | 2014-08-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法 |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP40774190A patent/JPH04228573A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0599276A2 (en) * | 1992-11-24 | 1994-06-01 | Applied Materials, Inc. | Method of removing particles from the surface of a substrate |
| EP0599276A3 (en) * | 1992-11-24 | 1994-06-22 | Applied Materials Inc | Method of removing particles from the surface of a substrate. |
| JP2006161095A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP4583151B2 (ja) * | 2004-12-07 | 2010-11-17 | パナソニック株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP2014143421A (ja) * | 2014-02-12 | 2014-08-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置、半導体製造方法、基板処理方法 |
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