JPH05175130A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH05175130A JPH05175130A JP35521691A JP35521691A JPH05175130A JP H05175130 A JPH05175130 A JP H05175130A JP 35521691 A JP35521691 A JP 35521691A JP 35521691 A JP35521691 A JP 35521691A JP H05175130 A JPH05175130 A JP H05175130A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- processing chamber
- wall
- nitrogen gas
- process gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プロセスガスによる析出物が処理チャンバー
の内壁に付着するのを防止することができるプラズマＣ
ＶＤ装置を提供する。 【構成】 処理チャンバー２２の上部に窒素ガスのため
の流入口２６を多数設ける。処理チャンバーへ流入した
窒素ガスはプロセスガスと同じように排出口２４より外
部へ排出される。この窒素ガスは処理チャンバー２２の
内壁２８に沿ったダウンフローとなり、この内壁を薄く
被う。プロセスガス供給口２０より処理チャンバー内へ
供給されたプロセスガスが内壁に近づくと、この窒素ガ
スのダウンフローによって内壁に達するのが阻止され、
下方へ流されて排出される。したがってこの薄い窒素ガ
スの流れはプロセスガスに対するバリヤーとなり、内壁
２８へ達するプロセスガスの量を大幅に減少させる。
の内壁に付着するのを防止することができるプラズマＣ
ＶＤ装置を提供する。 【構成】 処理チャンバー２２の上部に窒素ガスのため
の流入口２６を多数設ける。処理チャンバーへ流入した
窒素ガスはプロセスガスと同じように排出口２４より外
部へ排出される。この窒素ガスは処理チャンバー２２の
内壁２８に沿ったダウンフローとなり、この内壁を薄く
被う。プロセスガス供給口２０より処理チャンバー内へ
供給されたプロセスガスが内壁に近づくと、この窒素ガ
スのダウンフローによって内壁に達するのが阻止され、
下方へ流されて排出される。したがってこの薄い窒素ガ
スの流れはプロセスガスに対するバリヤーとなり、内壁
２８へ達するプロセスガスの量を大幅に減少させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハー上に所
定の物質の薄膜を形成する際に使用するプラズマＣＶＤ
装置に関するものである。
定の物質の薄膜を形成する際に使用するプラズマＣＶＤ
装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３に従来のプラズマＣＶＤ装置の一例
の概略断面図を示す。この装置は、方位を調整した半導
体ウェハー１０をステージ１２上に載置し、上部電極１
４と下部電極１６との間に高周波電源１８を接続する。
そして、ガス供給口２０から堆積させたい物質の原料と
なるプロセスガスをチャンバー２２内へ導入し、これに
高周波電源１８によって高周波を加える。こうすること
によってチャンバー内のガスは放電して化学的に活性化
され、ウェハー１０と反応してウェハー１０上に所望の
膜が形成される。なお、処理チャンバー２２へ導入され
たプロセスガスは排出口２４ら外部へ排出される。
の概略断面図を示す。この装置は、方位を調整した半導
体ウェハー１０をステージ１２上に載置し、上部電極１
４と下部電極１６との間に高周波電源１８を接続する。
そして、ガス供給口２０から堆積させたい物質の原料と
なるプロセスガスをチャンバー２２内へ導入し、これに
高周波電源１８によって高周波を加える。こうすること
によってチャンバー内のガスは放電して化学的に活性化
され、ウェハー１０と反応してウェハー１０上に所望の
膜が形成される。なお、処理チャンバー２２へ導入され
たプロセスガスは排出口２４ら外部へ排出される。
【０００３】ところで、図３のような装置で薄膜を形成
する場合には、ウェハー１０に薄膜が形成されるだけで
なく、処理チャンバー２２の内壁などにも、使用するプ
ロセスガスに基づいた特有の物質が固体となって析出す
る。この析出物はウェハー処理を行う際に発塵の原因と
なり、これがウェハーに付着すると最終的に得られるデ
バイスの特性は大幅に劣化する。
する場合には、ウェハー１０に薄膜が形成されるだけで
なく、処理チャンバー２２の内壁などにも、使用するプ
ロセスガスに基づいた特有の物質が固体となって析出す
る。この析出物はウェハー処理を行う際に発塵の原因と
なり、これがウェハーに付着すると最終的に得られるデ
バイスの特性は大幅に劣化する。
【０００４】従来の装置ではかかる発塵を防ぐための方
法として、装置を定期的にプラズマクリーニングすると
いう方法が採られている。これは処理チャンバー２２内
へ酸素を送り込んで放電させることにより、酸素と内壁
の析出物とを結合させ、これを外部に排出して処理チャ
ンバーから析出物を除去するというものである。また、
汚れがひどいときには装置から処理チャンバーを取り外
し、薬液に浸して化学的に析出物を取り除くということ
も行われている。
法として、装置を定期的にプラズマクリーニングすると
いう方法が採られている。これは処理チャンバー２２内
へ酸素を送り込んで放電させることにより、酸素と内壁
の析出物とを結合させ、これを外部に排出して処理チャ
ンバーから析出物を除去するというものである。また、
汚れがひどいときには装置から処理チャンバーを取り外
し、薬液に浸して化学的に析出物を取り除くということ
も行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、薄膜形
成を行っている期間中にもチャンバーの内壁等には析出
物が生じ、この析出物が同時進行で処理されているデバ
イスに対して発塵の原因となり、そのデバイスの特性劣
化を引き起こすことがある。しかし、従来の装置では、
析出物を除去する作業を行えるのがウェハーに対する薄
膜形成処理を行っていない期間中に限られているので、
薄膜形成中に生じた析出物が同時にＣＶＤ処理を行って
いるデバイスに及ぼす影響を防ぐことはできない。
成を行っている期間中にもチャンバーの内壁等には析出
物が生じ、この析出物が同時進行で処理されているデバ
イスに対して発塵の原因となり、そのデバイスの特性劣
化を引き起こすことがある。しかし、従来の装置では、
析出物を除去する作業を行えるのがウェハーに対する薄
膜形成処理を行っていない期間中に限られているので、
薄膜形成中に生じた析出物が同時にＣＶＤ処理を行って
いるデバイスに及ぼす影響を防ぐことはできない。
【０００６】また、従来の装置では、薄膜形成処理中に
生じた析出物による悪影響を最小限に抑えるために、プ
ラズマクリーニング等の析出物の除去作業を頻繁に行わ
なければならない。このため装置の維持のためにかなり
のコストと手間がかかり、取り扱いが不便だという問題
がある。
生じた析出物による悪影響を最小限に抑えるために、プ
ラズマクリーニング等の析出物の除去作業を頻繁に行わ
なければならない。このため装置の維持のためにかなり
のコストと手間がかかり、取り扱いが不便だという問題
がある。
【０００７】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、薄膜の形成を行っている期間中に処理チャンバ
ーの内壁等に析出物が生じるのを防止することができる
プラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とするもので
ある。
であり、薄膜の形成を行っている期間中に処理チャンバ
ーの内壁等に析出物が生じるのを防止することができる
プラズマＣＶＤ装置を提供することを目的とするもので
ある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、バリヤーガス
が処理チャンバーの内壁に沿って流れるよう前記バリヤ
ーガスの流入口及び排出口を前記処理チャンバーに設
け、前記処理チャンバーにてＣＶＤ処理を行っている期
間中に前記流入口から前記排出口に前記バリヤーガスを
流すことを特徴とするものである。
めの本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、バリヤーガス
が処理チャンバーの内壁に沿って流れるよう前記バリヤ
ーガスの流入口及び排出口を前記処理チャンバーに設
け、前記処理チャンバーにてＣＶＤ処理を行っている期
間中に前記流入口から前記排出口に前記バリヤーガスを
流すことを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明は上記の構成により、処理チャンバーの
内壁に沿って流入口から排出口へ、例えば不活性ガス又
は窒素ガス等のバリヤーガスを流すことにより、このガ
ス流がバリヤーとして作用し、プロセスガスが処理チャ
ンバーの内壁へ接近するのを防ぎ、したがって処理チャ
ンバーの内壁に析出する物質の量を減少させる。また、
たとえ処理チャンバーの内壁に析出物が生じ、それが剥
離したとしても、剥離した析出物は前記ガス流によって
排出口から外部へ運ばれる。このため、剥離した析出物
がウェハー上へ落下するのを防止することができる。
内壁に沿って流入口から排出口へ、例えば不活性ガス又
は窒素ガス等のバリヤーガスを流すことにより、このガ
ス流がバリヤーとして作用し、プロセスガスが処理チャ
ンバーの内壁へ接近するのを防ぎ、したがって処理チャ
ンバーの内壁に析出する物質の量を減少させる。また、
たとえ処理チャンバーの内壁に析出物が生じ、それが剥
離したとしても、剥離した析出物は前記ガス流によって
排出口から外部へ運ばれる。このため、剥離した析出物
がウェハー上へ落下するのを防止することができる。
【００１０】
【実施例】以下に図面を参照して本発明の実施例につい
て説明する。図１は本発明の一実施例であるプラズマＣ
ＶＤ装置の概略断面図である。同図において図３のプラ
ズマＣＶＤ装置と同一構成部分については同一符号を付
することにより、その詳細な説明を省略する。
て説明する。図１は本発明の一実施例であるプラズマＣ
ＶＤ装置の概略断面図である。同図において図３のプラ
ズマＣＶＤ装置と同一構成部分については同一符号を付
することにより、その詳細な説明を省略する。
【００１１】図１に示す装置が図３に示すものと異なる
点は、窒素ガスの流入口２６を処理チャンバー２２の上
部に設け、ここから窒素ガスを流入させることにより処
理チャンバー２２の内壁２８に沿って下方に窒素ガスを
流すようにしたことである。流入されたガスはプロセス
ガスと同じ排出口２４より外部へ排出される。排出口２
４の管にはバタフライ状の逆止弁が設けてあり、処理チ
ャンバー２２から外部へ向かうガスは通過できるが、逆
方向のガス流は通過できない構造となっている。
点は、窒素ガスの流入口２６を処理チャンバー２２の上
部に設け、ここから窒素ガスを流入させることにより処
理チャンバー２２の内壁２８に沿って下方に窒素ガスを
流すようにしたことである。流入されたガスはプロセス
ガスと同じ排出口２４より外部へ排出される。排出口２
４の管にはバタフライ状の逆止弁が設けてあり、処理チ
ャンバー２２から外部へ向かうガスは通過できるが、逆
方向のガス流は通過できない構造となっている。
【００１２】図２は流入口の概略平面図であり、同図に
示すように円形の処理チャンバー２２の周囲に沿って多
数の流入口２６が設けてある。この多数の流入口２６か
ら下方に向けて窒素ガスを流し、窒素ガスのダウンフロ
ーを生じさせることによって、処理チャンバー２２の内
壁２８が窒素ガスの薄いガス流の膜で被われる。プロセ
スガス供給口２０より処理チャンバー２２内へ供給され
たプロセスガスが内壁２８に近づくと、この窒素ガスの
ガス流によって下方へ流される。したがって、この薄い
窒素ガスの流れはプロセスガスに対してバリヤーとして
の役割を果たし、内壁２８へ達するプロセスガスの量が
大幅に減少する。この結果、内壁にはプロセスガスによ
る析出物が生じにくくなる。
示すように円形の処理チャンバー２２の周囲に沿って多
数の流入口２６が設けてある。この多数の流入口２６か
ら下方に向けて窒素ガスを流し、窒素ガスのダウンフロ
ーを生じさせることによって、処理チャンバー２２の内
壁２８が窒素ガスの薄いガス流の膜で被われる。プロセ
スガス供給口２０より処理チャンバー２２内へ供給され
たプロセスガスが内壁２８に近づくと、この窒素ガスの
ガス流によって下方へ流される。したがって、この薄い
窒素ガスの流れはプロセスガスに対してバリヤーとして
の役割を果たし、内壁２８へ達するプロセスガスの量が
大幅に減少する。この結果、内壁にはプロセスガスによ
る析出物が生じにくくなる。
【００１３】上記のように構成することによって処理チ
ャンバー２２の内壁２８に析出する物質の量は大幅に低
減する。また、仮に内壁２８の表面にプロセスガスによ
る析出物が生じ、これが内壁２８からはがれ落ちる場合
でも、剥離した析出物は内壁２８に沿った窒素ガスのダ
ウンフローによって外部に排出されるので、半導体ウェ
ハー１０上に落下することはない。したがって、最終的
に得られるデバイスは、析出物に基づく特性劣化の発生
確率が大幅に低下する。
ャンバー２２の内壁２８に析出する物質の量は大幅に低
減する。また、仮に内壁２８の表面にプロセスガスによ
る析出物が生じ、これが内壁２８からはがれ落ちる場合
でも、剥離した析出物は内壁２８に沿った窒素ガスのダ
ウンフローによって外部に排出されるので、半導体ウェ
ハー１０上に落下することはない。したがって、最終的
に得られるデバイスは、析出物に基づく特性劣化の発生
確率が大幅に低下する。
【００１４】流入口２６から窒素ガスを処理チャンバー
２２内へ流入させる場合、窒素ガスの流速及び流量が十
分でないと、プロセスガスを処理チャンバーの内壁に近
づくのを阻止するバリヤーとしての効果が上がらず、ま
た析出した物質を外部へ排出する役割も果たせない。更
に、窒素ガスの流速及び流量が十分でないと、窒素ガス
が処理チャンバーの中央部でプロセスガスと混合し、本
来のＣＶＤ処理が行えなくなるという恐れがある。した
がって、窒素ガスを流入させる場合には、上記の点を考
慮して、適当な速度と流量を選ばなければならない。
２２内へ流入させる場合、窒素ガスの流速及び流量が十
分でないと、プロセスガスを処理チャンバーの内壁に近
づくのを阻止するバリヤーとしての効果が上がらず、ま
た析出した物質を外部へ排出する役割も果たせない。更
に、窒素ガスの流速及び流量が十分でないと、窒素ガス
が処理チャンバーの中央部でプロセスガスと混合し、本
来のＣＶＤ処理が行えなくなるという恐れがある。した
がって、窒素ガスを流入させる場合には、上記の点を考
慮して、適当な速度と流量を選ばなければならない。
【００１５】上記のように本実施例のプラズマＣＶＤ装
置では、プロセスガスに起因する析出物が処理チャンバ
ーの内壁に生じることを有効に防ぐことができる。この
ため従来の装置において必要とされた定期的なプラズマ
クリーニングや薬液による処理の回数を大幅に減らすこ
とができ、したがって装置の維持が容易となり、また維
持に必要なコストも削減される。
置では、プロセスガスに起因する析出物が処理チャンバ
ーの内壁に生じることを有効に防ぐことができる。この
ため従来の装置において必要とされた定期的なプラズマ
クリーニングや薬液による処理の回数を大幅に減らすこ
とができ、したがって装置の維持が容易となり、また維
持に必要なコストも削減される。
【００１６】本実施例ではチャンバー内へ流入させるガ
スとして窒素ガスを使用した場合の例を説明したが、上
記実施例の説明から明らかなように、窒素ガスはプロセ
スガスに対するバリヤーとしての役割を果たすものであ
り、同様の作用を持つものであれば窒素ガス以外のもの
でも使用可能である。ただしＣＶＤ反応に対して影響を
及ぼすようなものは避けなければならない。かかる観点
から、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスを窒素ガス
の代わりに使用することができる。また、特定のＣＶＤ
反応に全く影響のないガスであれば、その他のものでも
バリヤー用のガスとして同じように使用できる。
スとして窒素ガスを使用した場合の例を説明したが、上
記実施例の説明から明らかなように、窒素ガスはプロセ
スガスに対するバリヤーとしての役割を果たすものであ
り、同様の作用を持つものであれば窒素ガス以外のもの
でも使用可能である。ただしＣＶＤ反応に対して影響を
及ぼすようなものは避けなければならない。かかる観点
から、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスを窒素ガス
の代わりに使用することができる。また、特定のＣＶＤ
反応に全く影響のないガスであれば、その他のものでも
バリヤー用のガスとして同じように使用できる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、処
理チャンバーの内壁に沿って流入口から排出口へバリヤ
ーガスを流すことにより、このガス流がバリヤーとな
り、プロセスガスが処理チャンバーの内壁へ接近するの
を防ぐことができ、また、たとえ処理チャンバーの内壁
に析出物が生じこれが剥離しても、前記ガス流によりか
かる析出物を排出口から外部へ排出し、その析出物がウ
ェハー上へ落下するのを防止することができる。これに
よりプロセスガスの析出物によって最終的に得られるデ
バイスの特性が劣化するのを防ぐことができる。更に、
処理チャンバーの内壁に析出する物質の量が大幅に低減
するので、従来の装置のように頻繁にプラズマクリーニ
ングや薬液処理を行う必要がなく、したがって維持が容
易で、そのコストも削減されるプラズマＣＶＤ装置を提
供することができる。
理チャンバーの内壁に沿って流入口から排出口へバリヤ
ーガスを流すことにより、このガス流がバリヤーとな
り、プロセスガスが処理チャンバーの内壁へ接近するの
を防ぐことができ、また、たとえ処理チャンバーの内壁
に析出物が生じこれが剥離しても、前記ガス流によりか
かる析出物を排出口から外部へ排出し、その析出物がウ
ェハー上へ落下するのを防止することができる。これに
よりプロセスガスの析出物によって最終的に得られるデ
バイスの特性が劣化するのを防ぐことができる。更に、
処理チャンバーの内壁に析出する物質の量が大幅に低減
するので、従来の装置のように頻繁にプラズマクリーニ
ングや薬液処理を行う必要がなく、したがって維持が容
易で、そのコストも削減されるプラズマＣＶＤ装置を提
供することができる。
【図１】本発明の一実施例であるプラズマＣＶＤ装置の
概略断面図である。
概略断面図である。
【図２】処理チャンバーの周囲に設けられた多数のガス
の流入口の概略平面図である。
の流入口の概略平面図である。
【図３】従来のプラズマＣＶＤ装置の一例の概略断面図
である。
である。
１０ 半導体ウェハー １２ ステージ １４ 上部電極 １６ 下部電極 １８ 高周波電源 ２０ プロセスガス供給口 ２２ 処理チャンバー ２４ 排出口 ２６ ガス流入口 ２８ 内壁
Claims (2)
- 【請求項１】 バリヤーガスが処理チャンバーの内壁に
沿って流れるよう前記バリヤーガスの流入口及び排出口
を前記処理チャンバーに設け、前記処理チャンバーにて
ＣＶＤ処理を行っている期間中に前記流入口から前記排
出口に前記バリヤーガスを流すことを特徴するプラズマ
ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記バリヤーガスは不活性ガス又は窒素
ガスである請求項１記載のプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35521691A JPH05175130A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35521691A JPH05175130A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05175130A true JPH05175130A (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=18442629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35521691A Withdrawn JPH05175130A (ja) | 1991-12-20 | 1991-12-20 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05175130A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999057747A1 (en) * | 1998-05-01 | 1999-11-11 | Applied Materials, Inc. | Cvd apparatus and process for depositing titanium films |
| KR100443598B1 (ko) * | 2001-11-05 | 2004-08-09 | 주성엔지니어링(주) | Ｃｖｄ 장치 |
| US7390366B2 (en) | 2001-11-05 | 2008-06-24 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Apparatus for chemical vapor deposition |
| WO2020053996A1 (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
-
1991
- 1991-12-20 JP JP35521691A patent/JPH05175130A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999057747A1 (en) * | 1998-05-01 | 1999-11-11 | Applied Materials, Inc. | Cvd apparatus and process for depositing titanium films |
| KR100443598B1 (ko) * | 2001-11-05 | 2004-08-09 | 주성엔지니어링(주) | Ｃｖｄ 장치 |
| US7390366B2 (en) | 2001-11-05 | 2008-06-24 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Apparatus for chemical vapor deposition |
| WO2020053996A1 (ja) * | 2018-09-12 | 2020-03-19 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびプログラム |
| JPWO2020053996A1 (ja) * | 2018-09-12 | 2021-09-09 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 基板処理装置、基板保持部、半導体装置の製造方法およびプログラム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6450117B1 (en) | Directing a flow of gas in a substrate processing chamber | |
| KR100257305B1 (ko) | 열처리장치 및 그의 크리닝 방법 | |
| JPH02138473A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| US20090130331A1 (en) | Method of Forming Thin Film and Method of Manufacturing Semiconductor Device | |
| US20110268891A1 (en) | Gas delivery device | |
| JPH06349761A (ja) | 半導体製造装置用ガス供給ノズル及び半導体製造装置 | |
| JPH021116A (ja) | 熱処理装置 | |
| JPH05175130A (ja) | プラズマｃｖｄ装置 | |
| KR20190022808A (ko) | 코팅된 반도체 웨이퍼를 제조하기 위한 방법 및 디바이스 | |
| JPH04236425A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4733856B2 (ja) | 高密度プラズマｃｖｄ装置のリモートプラズマクリーニング方法 | |
| JPH0831435B2 (ja) | 基板の洗浄方法 | |
| KR200157376Y1 (ko) | 화학기상증착(cvd) 장비의 게이트 밸브 | |
| JPH02184022A (ja) | Ｃｖｄ電極 | |
| JPH04320025A (ja) | 化学気相成長装置 | |
| TWI837653B (zh) | 製造半導體裝置的方法及應用於其的製程腔室與導流板 | |
| JP2004296659A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH1050615A (ja) | 枚葉式気相成長装置 | |
| TW476995B (en) | Method to prevent formation of particle in chemical vapor deposition process for semiconductor wafer | |
| JP3108466B2 (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JPS5966120A (ja) | 半導体製造装置 | |
| KR200283870Y1 (ko) | 반도체 저압 화학 기상 증착 장치 | |
| KR0181904B1 (ko) | 화학기상증착설비의 배기 시스템 | |
| JPH02122626A (ja) | ドライエッチング装置 | |
| TW202203311A (zh) | 基板處理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990311 |