JPH06140294A - 真空処理装置 - Google Patents
真空処理装置Info
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- JPH06140294A JPH06140294A JP304192A JP304192A JPH06140294A JP H06140294 A JPH06140294 A JP H06140294A JP 304192 A JP304192 A JP 304192A JP 304192 A JP304192 A JP 304192A JP H06140294 A JPH06140294 A JP H06140294A
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Links
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Landscapes
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 従来に較べて被処理物に付着する塵埃の量を
低減することができ、歩留まりの向上を図ることのでき
る真空処理装置を提供する。 【構成】 半導体ウエハ１２と対向するロードロック室
１４内の天井面には、静電気を帯び易い材質、例えばテ
フロン等の樹脂からなる塵埃吸着機構２３が設けられて
いる。このロードロック室１４には、真空ポンプに接続
された排気配管２４と、窒素ガス供給源に接続された窒
素ガス供給配管２５が接続されている。この窒素ガス供
給配管２５には、静電気除去装置２６と、この静電気除
去装置２６をバイパスするバイパス配管２７とが設けら
れており、バルブ２８、２９によって、窒素ガスの流通
経路を、静電気除去装置２６を通過させる経路およびバ
イパス配管２７を通過させる経路のどちらかに切り替え
ることができるよう構成されている。
低減することができ、歩留まりの向上を図ることのでき
る真空処理装置を提供する。 【構成】 半導体ウエハ１２と対向するロードロック室
１４内の天井面には、静電気を帯び易い材質、例えばテ
フロン等の樹脂からなる塵埃吸着機構２３が設けられて
いる。このロードロック室１４には、真空ポンプに接続
された排気配管２４と、窒素ガス供給源に接続された窒
素ガス供給配管２５が接続されている。この窒素ガス供
給配管２５には、静電気除去装置２６と、この静電気除
去装置２６をバイパスするバイパス配管２７とが設けら
れており、バルブ２８、２９によって、窒素ガスの流通
経路を、静電気除去装置２６を通過させる経路およびバ
イパス配管２７を通過させる経路のどちらかに切り替え
ることができるよう構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空処理装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、真空処理室内に被処理物を収
容し、減圧雰囲気下で被処理物に所定の処理を施す真空
処理装置、例えば、イオン注入装置、エッチング装置、
アッシング装置、スパッタ装置、減圧ＣＶＤ装置等が知
られている。
容し、減圧雰囲気下で被処理物に所定の処理を施す真空
処理装置、例えば、イオン注入装置、エッチング装置、
アッシング装置、スパッタ装置、減圧ＣＶＤ装置等が知
られている。
【０００３】このような真空処理装置では、真空処理室
内を常圧に戻してしまうと、再び真空処理室内を所定の
真空度に設定し、次の処理を開始できる状態にするまで
に非常に長い時間を要する。このため、真空処理室に較
べて容積の少ない予備真空室いわゆるロードロック室を
設け、このロードロック室内だけを常圧に戻すようにし
て、ロードロック室を介して被処理物、例えば半導体ウ
エハを真空処理室内に搬入、搬出するよう構成されたも
のが多い。
内を常圧に戻してしまうと、再び真空処理室内を所定の
真空度に設定し、次の処理を開始できる状態にするまで
に非常に長い時間を要する。このため、真空処理室に較
べて容積の少ない予備真空室いわゆるロードロック室を
設け、このロードロック室内だけを常圧に戻すようにし
て、ロードロック室を介して被処理物、例えば半導体ウ
エハを真空処理室内に搬入、搬出するよう構成されたも
のが多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た真空処理装置では、例えば真空処理室内で発生した反
応生成物、機械的な駆動部例えばゲートバルブや被処理
物の搬送機構等から発生した塵埃等（パーティクル）が
ロードロック室内に多数存在する。また、従来からロー
ドロック室内の真空排気およびロードロック室内への気
体導入をゆっくりと徐々に行ういわゆるスロー排気、ス
ローベント等を行っているものの、このような気体の流
れによるパーティクルの舞い上がりは完全に防止するこ
とができない。このため、半導体デバイスの製造工程等
においては、これらの塵埃が、半導体ウエハ等の被処理
物に付着して不良発生の原因となり、歩留まりの低下を
招く大きな要因となっている。
た真空処理装置では、例えば真空処理室内で発生した反
応生成物、機械的な駆動部例えばゲートバルブや被処理
物の搬送機構等から発生した塵埃等（パーティクル）が
ロードロック室内に多数存在する。また、従来からロー
ドロック室内の真空排気およびロードロック室内への気
体導入をゆっくりと徐々に行ういわゆるスロー排気、ス
ローベント等を行っているものの、このような気体の流
れによるパーティクルの舞い上がりは完全に防止するこ
とができない。このため、半導体デバイスの製造工程等
においては、これらの塵埃が、半導体ウエハ等の被処理
物に付着して不良発生の原因となり、歩留まりの低下を
招く大きな要因となっている。
【０００５】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、従来に較べて被処理物に付着する塵埃の
量を低減することができ、歩留まりの向上を図ることの
できる真空処理装置を提供しようとするものである。
されたもので、従来に較べて被処理物に付着する塵埃の
量を低減することができ、歩留まりの向上を図ることの
できる真空処理装置を提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１記載
の発明は、被処理物に所定の処理を施す真空処理室と、
内部を真空排気可能に構成された予備真空室とを備え、
この予備真空室を介して、前記被処理物を前記真空処理
室内に搬入、搬出するよう構成された真空処理装置にお
いて、前記予備真空室内に設けられ、静電気により塵埃
を吸着する塵埃吸着手段と、前記塵埃吸着手段の静電気
を除去し、吸着された塵埃を除去するクリーニング手段
とを具備したことを特徴とする。
の発明は、被処理物に所定の処理を施す真空処理室と、
内部を真空排気可能に構成された予備真空室とを備え、
この予備真空室を介して、前記被処理物を前記真空処理
室内に搬入、搬出するよう構成された真空処理装置にお
いて、前記予備真空室内に設けられ、静電気により塵埃
を吸着する塵埃吸着手段と、前記塵埃吸着手段の静電気
を除去し、吸着された塵埃を除去するクリーニング手段
とを具備したことを特徴とする。
【０００７】また、請求項２記載の発明は、被処理物に
所定の処理を施す真空処理室と、内部を真空排気可能に
構成された予備真空室とを備え、この予備真空室を介し
て、前記被処理物を前記真空処理室内に搬入、搬出する
よう構成された真空処理装置において、前記予備真空室
内の前記被処理物と対向する位置に設けられ、樹脂から
なり、静電気により塵埃を吸着する塵埃吸着手段と、前
記塵埃吸着手段の静電気を除去し、吸着された塵埃を除
去するクリーニング手段とを具備したことを特徴とす
る。
所定の処理を施す真空処理室と、内部を真空排気可能に
構成された予備真空室とを備え、この予備真空室を介し
て、前記被処理物を前記真空処理室内に搬入、搬出する
よう構成された真空処理装置において、前記予備真空室
内の前記被処理物と対向する位置に設けられ、樹脂から
なり、静電気により塵埃を吸着する塵埃吸着手段と、前
記塵埃吸着手段の静電気を除去し、吸着された塵埃を除
去するクリーニング手段とを具備したことを特徴とす
る。
【０００８】さらに、請求項３記載の発明は、半導体ウ
エハにイオンビームを照射してイオンを注入する真空処
理室と、内部を真空排気可能に構成された予備真空室と
を備え、この予備真空室を介して、前記半導体ウエハを
前記真空処理室内に搬入、搬出するよう構成されたイオ
ン注入装置において、前記予備真空室内の前記半導体ウ
エハと対向する位置に設けられ、樹脂からなり、静電気
により塵埃を吸着する塵埃吸着手段と、前記塵埃吸着手
段の静電気を除去し、吸着された塵埃を除去するクリー
ニング手段とを具備したことを特徴とする。
エハにイオンビームを照射してイオンを注入する真空処
理室と、内部を真空排気可能に構成された予備真空室と
を備え、この予備真空室を介して、前記半導体ウエハを
前記真空処理室内に搬入、搬出するよう構成されたイオ
ン注入装置において、前記予備真空室内の前記半導体ウ
エハと対向する位置に設けられ、樹脂からなり、静電気
により塵埃を吸着する塵埃吸着手段と、前記塵埃吸着手
段の静電気を除去し、吸着された塵埃を除去するクリー
ニング手段とを具備したことを特徴とする。
【０００９】
【作用】上記構成の本発明の真空処理装置では、例えば
半導体ウエハ等の被処理物をイオン注入等を行う真空処
理室内に搬入、搬出するための予備真空室、すなわち、
ロードロック室に、静電気により塵埃を吸着する樹脂等
からなる塵埃吸着手段が設けられている。
半導体ウエハ等の被処理物をイオン注入等を行う真空処
理室内に搬入、搬出するための予備真空室、すなわち、
ロードロック室に、静電気により塵埃を吸着する樹脂等
からなる塵埃吸着手段が設けられている。
【００１０】したがって、ロードロック室内の塵埃が、
この塵埃吸着手段に吸着され、半導体ウエハ等の被処理
物に付着することを防止することができる。
この塵埃吸着手段に吸着され、半導体ウエハ等の被処理
物に付着することを防止することができる。
【００１１】また、このような塵埃吸着手段は、ある程
度塵埃を吸着すると、静電的に飽和し、それまでに吸着
した塵埃を放出する。そこで、本発明の真空処理装置で
は、イオンを含む気体を供給すること等により、塵埃吸
着手段の静電気を除去し、吸着された塵埃を除去するク
リーニング手段が設けられており、このクリーニング手
段によって、定期的に塵埃吸着手段をクリーニングする
ことにより、その吸着機能を保持し、半導体ウエハ等の
被処理物への塵埃の付着を防止することができる。
度塵埃を吸着すると、静電的に飽和し、それまでに吸着
した塵埃を放出する。そこで、本発明の真空処理装置で
は、イオンを含む気体を供給すること等により、塵埃吸
着手段の静電気を除去し、吸着された塵埃を除去するク
リーニング手段が設けられており、このクリーニング手
段によって、定期的に塵埃吸着手段をクリーニングする
ことにより、その吸着機能を保持し、半導体ウエハ等の
被処理物への塵埃の付着を防止することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明をイオン注入装置に適用した一
実施例について、図面を参照して説明する。
実施例について、図面を参照して説明する。
【００１３】図２は、本発明の一実施例のイオン注入装
置の全体構成を示すもので、イオン源１では、ガスボッ
クス２内に収容されたガスボトルから供給された所定の
ガスを、イオン源用電源３から印加された電力によりイ
オン化する。そして、このイオンを引き出し、質量分析
マグネット４および可変スリット５によって選別し、加
速管６および四極子レンズ７、Ｙスキャンプレート８お
よびＸスキャンプレート９によって加速、収束、走査を
行い、イオンビームとしてエンドステーション１０のプ
ラテン１１上に配置された半導体ウエハ１２に走査、照
射するよう構成されている。
置の全体構成を示すもので、イオン源１では、ガスボッ
クス２内に収容されたガスボトルから供給された所定の
ガスを、イオン源用電源３から印加された電力によりイ
オン化する。そして、このイオンを引き出し、質量分析
マグネット４および可変スリット５によって選別し、加
速管６および四極子レンズ７、Ｙスキャンプレート８お
よびＸスキャンプレート９によって加速、収束、走査を
行い、イオンビームとしてエンドステーション１０のプ
ラテン１１上に配置された半導体ウエハ１２に走査、照
射するよう構成されている。
【００１４】上記プラテン１１等は、高真空とされた真
空処理室１３内に配置されている。そして、エンドステ
ーション１０には、真空処理室１３を挟むように2 つの
ロードロック室１４が設けられている。図３にも示すよ
うに、各ロードロック室１４の前方には、回転可能に構
成されたターンテーブル１５および長手方向に移動可能
とされたフォーク１６からなるウエハ搬送機構が設けら
れており、これらのウエハ搬送機構の間には、フォーク
１６上の半導体ウエハ１２の位置合わせ（センタリン
グ）を行うセンタリングカップ１７が設けられている。
空処理室１３内に配置されている。そして、エンドステ
ーション１０には、真空処理室１３を挟むように2 つの
ロードロック室１４が設けられている。図３にも示すよ
うに、各ロードロック室１４の前方には、回転可能に構
成されたターンテーブル１５および長手方向に移動可能
とされたフォーク１６からなるウエハ搬送機構が設けら
れており、これらのウエハ搬送機構の間には、フォーク
１６上の半導体ウエハ１２の位置合わせ（センタリン
グ）を行うセンタリングカップ１７が設けられている。
【００１５】また、ターンテーブル１５の側方には、そ
れぞれ上下動可能に構成されたカセットエレベータ１８
が設けられており、これらのカセットエレベータ１８上
には、複数枚（例えば25枚）の半導体ウエハ１２を収容
したウエハカセット１９が載置されるよう構成されてい
る。
れぞれ上下動可能に構成されたカセットエレベータ１８
が設けられており、これらのカセットエレベータ１８上
には、複数枚（例えば25枚）の半導体ウエハ１２を収容
したウエハカセット１９が載置されるよう構成されてい
る。
【００１６】図１に示すように、上記ロードロック室１
４と真空処理室１３との間には、これらの間を気密に閉
塞可能に構成されたゲートバルブ２０が設けられてお
り、ロードロック室１４の前部（ターンテーブル１５
側）にも図３に示すようにゲートバルブ２１が設けられ
ている。
４と真空処理室１３との間には、これらの間を気密に閉
塞可能に構成されたゲートバルブ２０が設けられてお
り、ロードロック室１４の前部（ターンテーブル１５
側）にも図３に示すようにゲートバルブ２１が設けられ
ている。
【００１７】また、図１に示すように、ロードロック室
１４内には、半導体ウエハ１２を支持するための上下動
可能に構成されたウエハ支持ピン２２が設けられてお
り、このウエハ支持ピン２２上の半導体ウエハ１２と対
向するロードロック室１４内の天井面には、静電気を帯
び易い材質、例えばテフロン等の樹脂からなる塵埃吸着
機構２３が設けられている。
１４内には、半導体ウエハ１２を支持するための上下動
可能に構成されたウエハ支持ピン２２が設けられてお
り、このウエハ支持ピン２２上の半導体ウエハ１２と対
向するロードロック室１４内の天井面には、静電気を帯
び易い材質、例えばテフロン等の樹脂からなる塵埃吸着
機構２３が設けられている。
【００１８】さらに、このロードロック室１４には、図
示しない真空ポンプに接続された排気配管２４と、図示
しないベント用の窒素ガス供給源に接続された窒素ガス
供給配管２５が接続されている。この窒素ガス供給配管
２５には、静電気除去装置２６と、この静電気除去装置
２６をバイパスするバイパス配管２７とが設けられてお
り、バルブ２８、２９によって、図示しない窒素ガス供
給源からの窒素ガスの流通経路を、静電気除去装置２６
を通過させる経路およびバイパス配管２７を通過させる
経路のどちらかに切り替えることができるよう構成され
ている。
示しない真空ポンプに接続された排気配管２４と、図示
しないベント用の窒素ガス供給源に接続された窒素ガス
供給配管２５が接続されている。この窒素ガス供給配管
２５には、静電気除去装置２６と、この静電気除去装置
２６をバイパスするバイパス配管２７とが設けられてお
り、バルブ２８、２９によって、図示しない窒素ガス供
給源からの窒素ガスの流通経路を、静電気除去装置２６
を通過させる経路およびバイパス配管２７を通過させる
経路のどちらかに切り替えることができるよう構成され
ている。
【００１９】上記構成のこの実施例のイオン注入装置で
は、カセットエレベータ１８の一方に処理を行う半導体
ウエハ１２を収容したウエハカセット１９を載置し、他
方に空のウエハカセット１９を載置して、一方のロード
ロック室１４を半導体ウエハ１２の搬入用、他方のロー
ドロック室１４を処理の終了した半導体ウエハ１２の搬
出用として用いる。
は、カセットエレベータ１８の一方に処理を行う半導体
ウエハ１２を収容したウエハカセット１９を載置し、他
方に空のウエハカセット１９を載置して、一方のロード
ロック室１４を半導体ウエハ１２の搬入用、他方のロー
ドロック室１４を処理の終了した半導体ウエハ１２の搬
出用として用いる。
【００２０】そして、まずカセットエレベータ１８によ
って、この処理を行う半導体ウエハ１２を収容したウエ
ハカセット１９を上昇させ、最下段の半導体ウエハ１２
をフォーク１６によって取り出す。そして、ターンテー
ブル１５を回転させ、センタリングカップ１７によって
フォーク１６上の半導体ウエハ１２の位置合わせ（セン
タリング）を行い、この後、この半導体ウエハ１２をロ
ードロック室１４に搬入する。なお、この搬入用のロー
ドロック室１４は、予め常圧とし、大気側のゲートバル
ブ２１を開けておく。
って、この処理を行う半導体ウエハ１２を収容したウエ
ハカセット１９を上昇させ、最下段の半導体ウエハ１２
をフォーク１６によって取り出す。そして、ターンテー
ブル１５を回転させ、センタリングカップ１７によって
フォーク１６上の半導体ウエハ１２の位置合わせ（セン
タリング）を行い、この後、この半導体ウエハ１２をロ
ードロック室１４に搬入する。なお、この搬入用のロー
ドロック室１４は、予め常圧とし、大気側のゲートバル
ブ２１を開けておく。
【００２１】次に、ロードロック室１４内のウエハ支持
ピン２２を上昇させ、半導体ウエハ１２をフォーク１６
上からウエハ支持ピン２２上に移し、フォーク１６をロ
ードロック室１４から引き抜いて、ゲートバルブ２１を
閉じる。そして、排気配管２４から図示しない真空ポン
プにより排気し、ロードロック室１４内を所定の真空度
に設定する。
ピン２２を上昇させ、半導体ウエハ１２をフォーク１６
上からウエハ支持ピン２２上に移し、フォーク１６をロ
ードロック室１４から引き抜いて、ゲートバルブ２１を
閉じる。そして、排気配管２４から図示しない真空ポン
プにより排気し、ロードロック室１４内を所定の真空度
に設定する。
【００２２】この後、真空処理室１３側のゲートバルブ
２０を開け、真空処理室１３内に設けられた図示しない
搬送機構により、ウエハ支持ピン２２上の半導体ウエハ
１２を搬送し、プラテン１１上に配置する。なお、プラ
テン１１は、半導体ウエハ１２を支持する支持面がほぼ
水平な状態および垂直な状態となるよう約90度回転自在
に構成されている。そして、このプラテン１１支持面を
ほぼ水平な状態として半導体ウエハ１２をロード・アン
ロードし、支持面をほぼ垂直な状態としてイオンビーム
の照射を行う。
２０を開け、真空処理室１３内に設けられた図示しない
搬送機構により、ウエハ支持ピン２２上の半導体ウエハ
１２を搬送し、プラテン１１上に配置する。なお、プラ
テン１１は、半導体ウエハ１２を支持する支持面がほぼ
水平な状態および垂直な状態となるよう約90度回転自在
に構成されている。そして、このプラテン１１支持面を
ほぼ水平な状態として半導体ウエハ１２をロード・アン
ロードし、支持面をほぼ垂直な状態としてイオンビーム
の照射を行う。
【００２３】半導体ウエハ１２にイオンビームの照射を
行っている間、搬入用のロードロック室１４では、次の
半導体ウエハ１２の搬入のための準備を行う。すなわ
ち、ゲートバルブ２０、２１とも閉めた状態で、窒素ガ
ス供給配管２５から内部に窒素ガスを導入し常圧に戻し
た後、大気側のゲートバルブ２１を開けて上記手順によ
り次の半導体ウエハ１２の搬入動作を実行する。なお、
この時、通常時は、バルブ２８を閉じ、バルブ２９を開
けてバイパス配管２７を通過させた窒素ガスをロードロ
ック室１４内に供給する。
行っている間、搬入用のロードロック室１４では、次の
半導体ウエハ１２の搬入のための準備を行う。すなわ
ち、ゲートバルブ２０、２１とも閉めた状態で、窒素ガ
ス供給配管２５から内部に窒素ガスを導入し常圧に戻し
た後、大気側のゲートバルブ２１を開けて上記手順によ
り次の半導体ウエハ１２の搬入動作を実行する。なお、
この時、通常時は、バルブ２８を閉じ、バルブ２９を開
けてバイパス配管２７を通過させた窒素ガスをロードロ
ック室１４内に供給する。
【００２４】一方、搬出用のロードロック室１４は、予
め真空排気を実施し、所定の真空度に設定しておく。そ
して、半導体ウエハ１２のイオン注入処理が終了する
と、真空処理室１３側のゲートバルブ２０を開け、真空
処理室１３内に設けられた図示しない搬送機構により、
プラテン１１上の半導体ウエハ１２を搬送し、ウエハ支
持ピン２２上に配置する。そして、ゲートバルブ２０、
２１を両方とも閉め、窒素ガス供給配管２５からロード
ロック室１４内部に窒素ガスを導入し常圧に戻した後、
大気側のゲートバルブ２１を開け、ターンテーブル１５
およびフォーク１６によってロードロック室１４内の半
導体ウエハ１２を取り出し、空のウエハカセット１９の
上段から順に収容する。なお、この時、通常時は、バル
ブ２８を閉じ、バルブ２９を開けてバイパス配管２７を
通過させた窒素ガスをロードロック室１４内に供給す
る。
め真空排気を実施し、所定の真空度に設定しておく。そ
して、半導体ウエハ１２のイオン注入処理が終了する
と、真空処理室１３側のゲートバルブ２０を開け、真空
処理室１３内に設けられた図示しない搬送機構により、
プラテン１１上の半導体ウエハ１２を搬送し、ウエハ支
持ピン２２上に配置する。そして、ゲートバルブ２０、
２１を両方とも閉め、窒素ガス供給配管２５からロード
ロック室１４内部に窒素ガスを導入し常圧に戻した後、
大気側のゲートバルブ２１を開け、ターンテーブル１５
およびフォーク１６によってロードロック室１４内の半
導体ウエハ１２を取り出し、空のウエハカセット１９の
上段から順に収容する。なお、この時、通常時は、バル
ブ２８を閉じ、バルブ２９を開けてバイパス配管２７を
通過させた窒素ガスをロードロック室１４内に供給す
る。
【００２５】上述した一連の半導体ウエハ１２の搬入、
搬出操作において、ロードロック室１４内には、真空排
気および窒素ガスのパージに伴って、気体流が生じ、こ
の気体流によってロードロック室１４天井面の樹脂製の
塵埃吸着機構２３が帯電し、ロードロック室１４内の塵
埃を吸着する。したがって、このような気体流によって
ロードロック室１４内の塵埃が舞い上がり、半導体ウエ
ハ１２に付着することを防止することができる。
搬出操作において、ロードロック室１４内には、真空排
気および窒素ガスのパージに伴って、気体流が生じ、こ
の気体流によってロードロック室１４天井面の樹脂製の
塵埃吸着機構２３が帯電し、ロードロック室１４内の塵
埃を吸着する。したがって、このような気体流によって
ロードロック室１４内の塵埃が舞い上がり、半導体ウエ
ハ１２に付着することを防止することができる。
【００２６】図４は、このようなロードロック室１４に
よって、6 インチ径の半導体ウエハ１２を搬入、搬出
し、半導体ウエハ１２上に付着した0.3 μｍ以上の塵埃
の数を調べた結果を示すもので、この図に示す場合、ラ
ンニング枚数が400 枚を越えると、急激に半導体ウエハ
１２上の塵埃の数が増加している。これは、塵埃吸着機
構２３が、ある程度塵埃を吸着すると、静電的に飽和
し、それまでに吸着した塵埃を放出するためであると考
えられる。
よって、6 インチ径の半導体ウエハ１２を搬入、搬出
し、半導体ウエハ１２上に付着した0.3 μｍ以上の塵埃
の数を調べた結果を示すもので、この図に示す場合、ラ
ンニング枚数が400 枚を越えると、急激に半導体ウエハ
１２上の塵埃の数が増加している。これは、塵埃吸着機
構２３が、ある程度塵埃を吸着すると、静電的に飽和
し、それまでに吸着した塵埃を放出するためであると考
えられる。
【００２７】そこで、本実施例では、所定枚数、例えば
250 枚の半導体ウエハ１２を処理する毎に、一旦イオン
注入処理を休止し、図１のバルブ２８を開け、バルブ２
９を閉じて静電気除去装置２６を通過させた窒素ガスを
ロードロック室１４内にパージすることにより、塵埃吸
着機構２３の静電気を除去し、付着した塵埃のクリーニ
ングを行う。クリーニングにより放出された塵埃は、真
空ポンプにより装置外に排出される。これにより、塵埃
吸着機構２３の塵埃吸着機能を保つことができ、半導体
ウエハ１２に対する塵埃の付着を防止することができ
る。
250 枚の半導体ウエハ１２を処理する毎に、一旦イオン
注入処理を休止し、図１のバルブ２８を開け、バルブ２
９を閉じて静電気除去装置２６を通過させた窒素ガスを
ロードロック室１４内にパージすることにより、塵埃吸
着機構２３の静電気を除去し、付着した塵埃のクリーニ
ングを行う。クリーニングにより放出された塵埃は、真
空ポンプにより装置外に排出される。これにより、塵埃
吸着機構２３の塵埃吸着機能を保つことができ、半導体
ウエハ１２に対する塵埃の付着を防止することができ
る。
【００２８】なお、静電気除去装置２６としては、電極
間に電圧を印加することにより、気体分子をイオン化
し、このイオンを帯電部分に作用させて除電する装置等
を使用することができる。
間に電圧を印加することにより、気体分子をイオン化
し、このイオンを帯電部分に作用させて除電する装置等
を使用することができる。
【００２９】以上のように、本実施例によれば、従来に
較べて半導体ウエハ１２に付着する塵埃の量を低減する
ことができ、半導体デバイスの製造工程における歩留ま
りの向上を図ることができる。
較べて半導体ウエハ１２に付着する塵埃の量を低減する
ことができ、半導体デバイスの製造工程における歩留ま
りの向上を図ることができる。
【００３０】なお、上記実施例では、本発明をイオン注
入装置に適用した場合について説明したが、本発明はか
かる実施例に限定されるものではなく、減圧雰囲気下で
被処理物に所定の処理を施す真空処理装置、例えば、エ
ッチング装置、アッシング装置、スパッタ装置、減圧Ｃ
ＶＤ装置等に適用することができる。また、被処理物と
しては、半導体ウエハ１２に限らず、例えばＬＣＤ用基
板の処理等に対しても同様にして適用することができ
る。
入装置に適用した場合について説明したが、本発明はか
かる実施例に限定されるものではなく、減圧雰囲気下で
被処理物に所定の処理を施す真空処理装置、例えば、エ
ッチング装置、アッシング装置、スパッタ装置、減圧Ｃ
ＶＤ装置等に適用することができる。また、被処理物と
しては、半導体ウエハ１２に限らず、例えばＬＣＤ用基
板の処理等に対しても同様にして適用することができ
る。
【００３１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の真
空処理装置によれば、従来に較べて被処理物に付着する
塵埃の量を低減することができ、歩留まりの向上を図る
ことができる。
空処理装置によれば、従来に較べて被処理物に付着する
塵埃の量を低減することができ、歩留まりの向上を図る
ことができる。
【図１】本発明の一実施例の真空処理装置の要部構成を
示す図。
示す図。
【図２】本発明の一実施例の真空処理装置の全体構成を
示す図。
示す図。
【図３】図２の真空処理装置のエンドステーションの構
成を示す図。
成を示す図。
【図４】半導体ウエハに対する塵埃の付着量とランニン
グ枚数との関係を示す図。
グ枚数との関係を示す図。
１２ 半導体ウエハ １３ 真空処理室 １４ ロードロック室 ２０ ゲートバルブ ２２ ウエハ支持ピン ２３ 塵埃吸着機構 ２４ 排気配管 ２５ 窒素ガス供給配管 ２６ 静電気除去装置 ２７ バイパス配管 ２８，２９ バルブ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/285 Ｓ 7376−4Ｍ 21/31 Ｂ
Claims (3)
- 【請求項１】 被処理物に所定の処理を施す真空処理室
と、内部を真空排気可能に構成された予備真空室とを備
え、この予備真空室を介して、前記被処理物を前記真空
処理室内に搬入、搬出するよう構成された真空処理装置
において、 前記予備真空室内に設けられ、静電気により塵埃を吸着
する塵埃吸着手段と、 前記塵埃吸着手段の静電気を除去し、吸着された塵埃を
除去するクリーニング手段とを具備したことを特徴とす
る真空処理装置。 - 【請求項２】 被処理物に所定の処理を施す真空処理室
と、内部を真空排気可能に構成された予備真空室とを備
え、この予備真空室を介して、前記被処理物を前記真空
処理室内に搬入、搬出するよう構成された真空処理装置
において、 前記予備真空室内の前記被処理物と対向する位置に設け
られ、樹脂からなり、静電気により塵埃を吸着する塵埃
吸着手段と、 前記塵埃吸着手段の静電気を除去し、吸着された塵埃を
除去するクリーニング手段とを具備したことを特徴とす
る真空処理装置。 - 【請求項３】 半導体ウエハにイオンビームを照射して
イオンを注入する真空処理室と、内部を真空排気可能に
構成された予備真空室とを備え、この予備真空室を介し
て、前記半導体ウエハを前記真空処理室内に搬入、搬出
するよう構成されたイオン注入装置において、 前記予備真空室内の前記半導体ウエハと対向する位置に
設けられ、樹脂からなり、静電気により塵埃を吸着する
塵埃吸着手段と、 前記塵埃吸着手段の静電気を除去し、吸着された塵埃を
除去するクリーニング手段とを具備したことを特徴とす
るイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP304192A JPH06140294A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP304192A JPH06140294A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140294A true JPH06140294A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=11546231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP304192A Withdrawn JPH06140294A (ja) | 1992-01-10 | 1992-01-10 | 真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140294A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08325733A (ja) * | 1995-05-26 | 1996-12-10 | Tel Varian Ltd | 真空処理方法および真空処理装置 |
| KR100213448B1 (ko) * | 1996-07-25 | 1999-08-02 | 윤종용 | 반도체 제조시스템의 에어 공급장치 |
| US6544890B2 (en) | 1999-02-26 | 2003-04-08 | Nec Corporation | Process for fabricating semiconductor device having silicide layer with low resistance and uniform profile and sputtering system used therein |
-
1992
- 1992-01-10 JP JP304192A patent/JPH06140294A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08325733A (ja) * | 1995-05-26 | 1996-12-10 | Tel Varian Ltd | 真空処理方法および真空処理装置 |
| KR100213448B1 (ko) * | 1996-07-25 | 1999-08-02 | 윤종용 | 반도체 제조시스템의 에어 공급장치 |
| US6544890B2 (en) | 1999-02-26 | 2003-04-08 | Nec Corporation | Process for fabricating semiconductor device having silicide layer with low resistance and uniform profile and sputtering system used therein |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990408 |