JPH04154121A - スパッタリング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体基板にスパッタリングするとともにド
ライエツチングを行う高周波プラズマエツチング室付き
のスパッタリング装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種のスパッタリング装置は、図面には示さな
いが、半導体基板に金属膜を被着するスパッタリング室
と、これら金属膜を選択的に除去する高周波プラズマエ
ツチング室と、これら各室に大気に戻すことなく半導体
基板を収納させるための予備真空室であるロードロック
室とを有していた。

このスパッタリング装置で、半導体基板に回路パターン
を形成する場合には、半導体基板をまずロードロック室
に収納し、所定の真空に排気した、ロードロック室のゲ
ートバルブを開いて、スパッタリング室に半導体基板を
搬送する０次に、スパッタリング室で半導体基板に金属
膜を形成し、スパッタリング室より半導体基板を取出す
。

一方、この作業中に、ロードロック室には金属膜上にマ
スクが形成された別の半導体基板が収納されている。

次に、前述取り出された半導体基板を別の装置で、金属
膜が形成された半導体基板上にマスクを形成する。また
、先にロードロック室に収容された別の半導体基板を高
周波プラズマエツチング室に大気に戻すことなく搬送す
る。次に、新にマスクが形成された半導体基板をロード
ロック室に収納するとともに高周波プラズマエツチング
室に収納された半導体基板を選択的にエツチングし、回
路パターンを形成する。

このように、このスパッタリング装置は、金属膜形成、
マスク形成及び選択的エツチングという一連の作業を行
っていた。また、プラズマエツチング室はエツチングの
際に、半導体基板より除去された金属が室内の壁に付着
するので、半導体基板の処理を何枚を行った後、室内に
大気を導入し、作業者が清掃していた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上述した従来のスパッタリング装置では、スリニングの
たびに高周波スプリングエツチング室を大気にしなけれ
ばならず、その後の立上げに時間がかかるという欠点が
ある。また、大気にしたことによって塵埃が室内に侵入
するという欠点もある。

本発明の目的は、かかる欠点を解消すべく、室内に大気
に戻すことなく室内を清掃出来るスバ・ンタリング装置
を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明のスパッタリング装置は、高周波プラズマエツチ
ング室と、スパッタリング室とを備えるスパッタリング
装置において、前記高周波プラズマエツチング室に酸素
ガスを導入する配管及び仕切弁と、この室内の酸素の圧
力を一定に保つ圧力制御弁とを備え、前記高周波プラズ
マを発生し、前蟇室内を清掃することを特徴としている
。

〔実施例〕

次に、本発明について図面を参照して説明する。

第１図は本発明の一実施例を示すスパッタリング装置の
ブロック図である。このスパッタリング装置は、同図に
示すように、エツチング室５に配管を介し、て接続され
る酸素ガスを導入するカットオフバルブ９と、酸素ガス
の流量を制御するマスフローバルブ８と、このマスフロ
ーバルブを室内の圧力を圧力計６で検出し制御するマス
フローコントローラ７とを設けたことである。それ以外
は従来例と同じである。

第２図は第１図のスパッタリング装置の動作を説明する
ための流れ図である。まず、〔始〕により、マスクが形
成された半導体基板が、セパレータ室３にある搬送マニ
ュプレータにより、ロードロック室４からエツチング室
５に収納される０次に、〔製品処理〕により、高周波プ
ラズマエツチングされ、半導体基板上の金属膜が選択エ
ツチングされる０次に、判断機能〔処理ＥＮＤＥで、半
導体基板が処理されたことを確認する０次に、処理済み
の半導体基板はマニュプレータによりロードロック室４
に搬送される０次に、再び、ロードロック室４より別の
半導体基板がエツチング室５に移送され、処理される。

次に、〔処理枚数一定態上か？〕で、エツチング処理さ
れた数が所定の枚数に達したら、エツチング室５の空室
の状態にし、所定の真空度に排気した後に、ＣＯ２プラ
ズマクリーニング〕で、カットオフバルブ９を開き、マ
スフローコントローラ７によりマスフローバルブ８に酸
素ガスの流量を指令し、酸素ガスをエツチング室５に導
入する。また、このとき、圧力計６は室内の酸素ガス圧
力を一定にする。次に、高周波電源により電極に印加し
、プラズマを発生し、酸素ガスをイオン化し、内壁に付
着した金属を除去し、酸素ガスもらとも室外に排気する
。次に、所定の時間経過後、再び〔始〕で処理作業を開
始する。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、室内に酸素ガスを導入し
、プラズマイオン化し、内壁に付着する汚れを除去する
手段を設けることによって、エツチング室を大気に戻す
ことなくクリーニングを行なうことができるスパッタリ
ング装置が得られるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一例を示すスパッタリング装置のブロ
ック図、第２図は第１図のスパッタリング装置の動作を
説明するための流れ図である。 １．２・・・スパッタリング図、３・・・セパレート室
、４・・・ロードロック室、５・・・エツチング室、６
・・・圧力計、７・・・マスフローコントローラ、８・
・・マスフローバルブ、９・・・カットバルブ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　高周波プラズマエッチング室と、スパッタリング室と
   を備えるスパッタリング装置において、前記高周波プラ
   ズマエッチング室に酸素ガスを導入する配管及び仕切弁
   と、この室内の酸素の圧力を一定に保つ圧力制御弁とを
   備え、前記高周波プラズマを発生し、前記室内を清掃す
   ることを特徴とするスパッタリング装置。