JPH08181112A - ドライエッチング装置の洗浄法およびそれを用いた半導体装置の製法 - Google Patents
ドライエッチング装置の洗浄法およびそれを用いた半導体装置の製法Info
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- JPH08181112A JPH08181112A JP31983694A JP31983694A JPH08181112A JP H08181112 A JPH08181112 A JP H08181112A JP 31983694 A JP31983694 A JP 31983694A JP 31983694 A JP31983694 A JP 31983694A JP H08181112 A JPH08181112 A JP H08181112A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 処理室内およびガス導入バルブと排気バルブ
のあいだの全体をクリーニングでき、ダストを減少させ
るとともに、装置のメンテナンスサイクルを短縮化させ
ることができるドライエッチング装置の洗浄法および半
導体装置の製法を提供する。 【構成】 ドライエッチング装置のパージガス導入バル
ブ９と排気バルブ１０のあいだにおいて、定期的にパー
ジと真空引きを繰り返す。このことにより、圧力が大き
く変動されるので処理室１内の雰囲気の対流を比較的起
こしやすく、それによって浮遊または付着していたダス
トが排気される。 【効果】 デバイスの歩留まりを向上させることができ
る。
のあいだの全体をクリーニングでき、ダストを減少させ
るとともに、装置のメンテナンスサイクルを短縮化させ
ることができるドライエッチング装置の洗浄法および半
導体装置の製法を提供する。 【構成】 ドライエッチング装置のパージガス導入バル
ブ９と排気バルブ１０のあいだにおいて、定期的にパー
ジと真空引きを繰り返す。このことにより、圧力が大き
く変動されるので処理室１内の雰囲気の対流を比較的起
こしやすく、それによって浮遊または付着していたダス
トが排気される。 【効果】 デバイスの歩留まりを向上させることができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ドライエッチング装置
の洗浄法およびそれを用いた半導体装置の製法に関す
る。
の洗浄法およびそれを用いた半導体装置の製法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】図６は、従来の半導体装置の製法に用い
られるドライエッチング装置の処理室１の断面図を示し
たものである。従来のドライエッチングは、ガスライン
バルブ９の開閉によりガス導入口５よりガスを導入し、
上部電極板３と下部電極板４とのあいだに電圧をかけて
放電させ、下部電極板４上に置かれた基板２上の、ＣＶ
Ｄ法などで生成された膜をエッチングする方法をとって
いる。また装置内の圧力は、排気バルブ１０の開閉によ
り排気ライン６よりターボポンプまたはドライポンプな
どで真空引きの調整を行なっている。
られるドライエッチング装置の処理室１の断面図を示し
たものである。従来のドライエッチングは、ガスライン
バルブ９の開閉によりガス導入口５よりガスを導入し、
上部電極板３と下部電極板４とのあいだに電圧をかけて
放電させ、下部電極板４上に置かれた基板２上の、ＣＶ
Ｄ法などで生成された膜をエッチングする方法をとって
いる。また装置内の圧力は、排気バルブ１０の開閉によ
り排気ライン６よりターボポンプまたはドライポンプな
どで真空引きの調整を行なっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のドライエッチン
グ装置を用いてドライエッチングを行なったばあい、ド
ライエッチング工程ののちには、エッチングされた膜と
反応ガスによる生成物やレジストおよび反応ガスによる
生成物などのダストが処理室１内およびガス導入口５や
排気ライン６に浮遊または付着している状態になった。
グ装置を用いてドライエッチングを行なったばあい、ド
ライエッチング工程ののちには、エッチングされた膜と
反応ガスによる生成物やレジストおよび反応ガスによる
生成物などのダストが処理室１内およびガス導入口５や
排気ライン６に浮遊または付着している状態になった。
【０００４】そのため、定期的に大気開放をしてメカニ
カルクリーニングを行なう必要性があった。また、エッ
チング後に真空のままクリーニング用の専用のガスを導
入してのプラズマクリーニングを行なう必要もあるが、
放電範囲の上部電極板と下部電極板とのあいだのみの部
分的なクリーニングに留まり、その他の空間部はダスト
が浮遊または付着した状態のままであった。
カルクリーニングを行なう必要性があった。また、エッ
チング後に真空のままクリーニング用の専用のガスを導
入してのプラズマクリーニングを行なう必要もあるが、
放電範囲の上部電極板と下部電極板とのあいだのみの部
分的なクリーニングに留まり、その他の空間部はダスト
が浮遊または付着した状態のままであった。
【０００５】本発明は前記のような問題点を解消するた
めになされたもので、圧力を大きく変動させることによ
り、処理室１内の雰囲気の対流を起こしやすくし、それ
によって浮遊または付着していたダストが排気され、処
理室１内およびガス導入バルブ９と排気バルブ１０のあ
いだの全体をクリーニングできるため、ダストを減少さ
せるとともに、装置のメンテナンスサイクルを短縮化さ
せることのできるドライエッチング装置の洗浄法をうる
ことを目的としている。さらに、本発明は前記洗浄法を
用いた半導体装置の製法を提供することを目的とする。
めになされたもので、圧力を大きく変動させることによ
り、処理室１内の雰囲気の対流を起こしやすくし、それ
によって浮遊または付着していたダストが排気され、処
理室１内およびガス導入バルブ９と排気バルブ１０のあ
いだの全体をクリーニングできるため、ダストを減少さ
せるとともに、装置のメンテナンスサイクルを短縮化さ
せることのできるドライエッチング装置の洗浄法をうる
ことを目的としている。さらに、本発明は前記洗浄法を
用いた半導体装置の製法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１にかかわる発明
は、ドライエッチング後に処理室内部を洗浄するための
ドライエッチング装置の洗浄法であって、前記処理室に
通ずる吸気ラインと排気ラインとのあいだにおいて、パ
ージおよび真空引きを繰り返してサイクルパージを行な
うことを特徴としたものである。
は、ドライエッチング後に処理室内部を洗浄するための
ドライエッチング装置の洗浄法であって、前記処理室に
通ずる吸気ラインと排気ラインとのあいだにおいて、パ
ージおよび真空引きを繰り返してサイクルパージを行な
うことを特徴としたものである。
【０００７】請求項２にかかわる発明は、定期的にサイ
クルパージを行なうことを特徴とするものである。
クルパージを行なうことを特徴とするものである。
【０００８】請求項３にかかわる発明は、パージ用Ｎ2
またはＯ2 ガスの吸気ラインにマスフローコントローラ
ーを設置し、パージガスの流量を制御するものである。
またはＯ2 ガスの吸気ラインにマスフローコントローラ
ーを設置し、パージガスの流量を制御するものである。
【０００９】請求項４にかかわる発明は、前記排気ライ
ンにサイクルパージのタイミングとパージの完了のタイ
ミングを判断するパーティクルモニターを設置し、排気
ラインを通過するダストのパーティクルの数を監視する
ものである。
ンにサイクルパージのタイミングとパージの完了のタイ
ミングを判断するパーティクルモニターを設置し、排気
ラインを通過するダストのパーティクルの数を監視する
ものである。
【００１０】請求項５にかかわる発明は、サイクルパー
ジの圧力範囲が１３．３〜１３３Ｐａの範囲内に設定さ
れているものである。
ジの圧力範囲が１３．３〜１３３Ｐａの範囲内に設定さ
れているものである。
【００１１】請求項６にかかわる発明は、前記処理室の
容量１００リットルに対し、サイクルパージのパージ時
の圧力設定値の上限が１Ｐａ以上にされているものであ
る。
容量１００リットルに対し、サイクルパージのパージ時
の圧力設定値の上限が１Ｐａ以上にされているものであ
る。
【００１２】請求項７にかかわる発明は、前記処理室内
を真空引きし、そののち、急激に処理室内にパージガス
を導入する操作を繰り返すものである。
を真空引きし、そののち、急激に処理室内にパージガス
を導入する操作を繰り返すものである。
【００１３】請求項８にかかわる発明は、成膜後にドラ
イエッチングにより前記膜に所望のパターンを形成する
工程を含む半導体装置の製法であって、前記ドライエッ
チング後にパージおよび真空引きを繰り返してサイクル
パージを行なうものである。
イエッチングにより前記膜に所望のパターンを形成する
工程を含む半導体装置の製法であって、前記ドライエッ
チング後にパージおよび真空引きを繰り返してサイクル
パージを行なうものである。
【００１４】請求項９にかかわる発明は、定期的にサイ
クルパージを行なうことを特徴とするものである。
クルパージを行なうことを特徴とするものである。
【００１５】
【作用】請求項１にかかわる発明の作用は、サイクルパ
ージにより処理室内全体をクリーニングできるため、ダ
ストを減少させるとともに、装置のメンテナンスサイク
ルを短縮化させることができる。したがって、デバイス
の歩留まりを上げることも可能となる。
ージにより処理室内全体をクリーニングできるため、ダ
ストを減少させるとともに、装置のメンテナンスサイク
ルを短縮化させることができる。したがって、デバイス
の歩留まりを上げることも可能となる。
【００１６】請求項２にかかわる発明の作用は、定期的
にサイクルパージを行なうことにより、より一層ダスト
を減少させることができる。
にサイクルパージを行なうことにより、より一層ダスト
を減少させることができる。
【００１７】請求項３にかかわる発明の作用は、パージ
用Ｎ2 またはＯ2 ガスの吸気ラインにマスフローコント
ローラーを設置することにより、正確にパージガスの流
量を測定することができ、圧力設定が容易になる。
用Ｎ2 またはＯ2 ガスの吸気ラインにマスフローコント
ローラーを設置することにより、正確にパージガスの流
量を測定することができ、圧力設定が容易になる。
【００１８】請求項４にかかわる発明の作用は、排気ラ
インにサイクルパージのタイミングとパージの完了のタ
イミングを判断するパーティクルモニターを設置するこ
とにより、サイクルパージを必要とするパーティクルの
増加のタイミングと、サイクルパージによりパーティク
ルが減少し完了となるタイミングが判断可能となる。
インにサイクルパージのタイミングとパージの完了のタ
イミングを判断するパーティクルモニターを設置するこ
とにより、サイクルパージを必要とするパーティクルの
増加のタイミングと、サイクルパージによりパーティク
ルが減少し完了となるタイミングが判断可能となる。
【００１９】請求項５にかかわる発明の作用は、サイク
ルパージの圧力範囲を１３．３〜１３３Ｐａの範囲内に
設定することにより、サイクルパージの間隔の時間を短
くすることができる。
ルパージの圧力範囲を１３．３〜１３３Ｐａの範囲内に
設定することにより、サイクルパージの間隔の時間を短
くすることができる。
【００２０】請求項６にかかわる発明の作用は、処理室
の容量１００リットルに対し、サイクルパージのパージ
時の圧力設定値の上限が１Ｐａ以上に設定することによ
り、短時間で効果的にダストを減少させることができ
る。
の容量１００リットルに対し、サイクルパージのパージ
時の圧力設定値の上限が１Ｐａ以上に設定することによ
り、短時間で効果的にダストを減少させることができ
る。
【００２１】請求項７にかかわる発明の作用は、真空引
きののち、急激にパージガスを処理室内に導入すること
により、処理室の内壁などからダストを剥離し、対流す
る働きがさらに強くなる。
きののち、急激にパージガスを処理室内に導入すること
により、処理室の内壁などからダストを剥離し、対流す
る働きがさらに強くなる。
【００２２】請求項８にかかわる発明の作用は、成膜後
にドライエッチングにより前記膜に所望のパターンを形
成したのち、サイクルパージにより処理室内全体をクリ
ーニングできるため、ダストを減少させるとともに、装
置のメンテナンスサイクルを短縮化させることができ
る。したがって、デバイスの歩留まりを上げることも可
能となる。
にドライエッチングにより前記膜に所望のパターンを形
成したのち、サイクルパージにより処理室内全体をクリ
ーニングできるため、ダストを減少させるとともに、装
置のメンテナンスサイクルを短縮化させることができ
る。したがって、デバイスの歩留まりを上げることも可
能となる。
【００２３】請求項９にかかわる発明の作用は、定期的
にサイクルパージを行なうことにより、より一層ダスト
を減少させることができる。
にサイクルパージを行なうことにより、より一層ダスト
を減少させることができる。
【００２４】
［実施例１］図１は請求項１、２および５にかかわる発
明のドライエッチング装置の洗浄法の一実施例における
サイクルパージ時のパージガス流量と真空度との対応関
係を経時的に示すグラフである。
明のドライエッチング装置の洗浄法の一実施例における
サイクルパージ時のパージガス流量と真空度との対応関
係を経時的に示すグラフである。
【００２５】本実施例のドライエッチング装置の洗浄法
は、ドライエッチング後に処理室内部を洗浄するための
ドライエッチング装置の洗浄法であって、ガス導入バル
ブと排気バルブとのあいだにおいて、定期的にパージお
よび真空引きを繰り返してサイクルパージを行なうこと
に特徴がある。かかるサイクルパージを行なうことによ
り、定期的に処理室内全体をクリーニングできるためよ
り一層ダストを減少させることができる。なお、定期的
にサイクルパージを行なう代わりに、適当なときに不定
期にサイクルパージを行なっても充分ダストを減少させ
ることができる。
は、ドライエッチング後に処理室内部を洗浄するための
ドライエッチング装置の洗浄法であって、ガス導入バル
ブと排気バルブとのあいだにおいて、定期的にパージお
よび真空引きを繰り返してサイクルパージを行なうこと
に特徴がある。かかるサイクルパージを行なうことによ
り、定期的に処理室内全体をクリーニングできるためよ
り一層ダストを減少させることができる。なお、定期的
にサイクルパージを行なう代わりに、適当なときに不定
期にサイクルパージを行なっても充分ダストを減少させ
ることができる。
【００２６】サイクルパージの経時的変化は、たとえ
ば、図１に示されるように、パージガスを２０００ｃｃ
／ｍｉｎ程度の流量で導入することにより処理室内部の
真空度を１３３Ｐａまでにし、処理室を含めた空間部全
体の洗浄を行なう。３０秒経過後に真空度を１３．３Ｐ
ａに変えて設定し、処理室内部の真空度を１３．３Ｐａ
までひき、ふたたび前述と同様にパージガスを導入し
て、真空度を１３３Ｐａまでにする。以下、この変化を
繰り返す。
ば、図１に示されるように、パージガスを２０００ｃｃ
／ｍｉｎ程度の流量で導入することにより処理室内部の
真空度を１３３Ｐａまでにし、処理室を含めた空間部全
体の洗浄を行なう。３０秒経過後に真空度を１３．３Ｐ
ａに変えて設定し、処理室内部の真空度を１３．３Ｐａ
までひき、ふたたび前述と同様にパージガスを導入し
て、真空度を１３３Ｐａまでにする。以下、この変化を
繰り返す。
【００２７】また、前記サイクルパージの圧力範囲が１
３．３Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲内に設定されているの
で、サイクルパージの間隔の時間を短くするという効果
がある。
３．３Ｐａ〜１３３Ｐａの範囲内に設定されているの
で、サイクルパージの間隔の時間を短くするという効果
がある。
【００２８】なお、請求項６にかかわる発明の一実施例
である図２に示されるように、前記サイクルパージの圧
力設定値の上限は、処理室内容量１００リットル当たり
１Ｐａ以上に設定されているので、短時間で効果的にダ
ストを減少することができる。
である図２に示されるように、前記サイクルパージの圧
力設定値の上限は、処理室内容量１００リットル当たり
１Ｐａ以上に設定されているので、短時間で効果的にダ
ストを減少することができる。
【００２９】［実施例２］図３に請求項１、２および４
にかかわる発明のドライエッチング装置の洗浄法の一実
施例が適用されるドライエッチング装置の処理室の断面
図を示す。図１に示されるドライエッチング装置は、シ
リコンウェハまたはガラスなどからなる基板２のドライ
エッチングを行なうための処理室１に、パージ用のＮ2
またはＯ2ガスの吸気ライン５および排気ライン６が連
通し、かつ前記処理室１の内部に放電用の上部電極板３
および下部電極板４が所定の距離だけ離され、対向して
設けられている。また、このドライエッチング装置に
は、図１のグラフに示されるようなタイミングで定期的
にパージおよび真空引きを繰り返して行なうサイクルパ
ージ機構が設けられている。
にかかわる発明のドライエッチング装置の洗浄法の一実
施例が適用されるドライエッチング装置の処理室の断面
図を示す。図１に示されるドライエッチング装置は、シ
リコンウェハまたはガラスなどからなる基板２のドライ
エッチングを行なうための処理室１に、パージ用のＮ2
またはＯ2ガスの吸気ライン５および排気ライン６が連
通し、かつ前記処理室１の内部に放電用の上部電極板３
および下部電極板４が所定の距離だけ離され、対向して
設けられている。また、このドライエッチング装置に
は、図１のグラフに示されるようなタイミングで定期的
にパージおよび真空引きを繰り返して行なうサイクルパ
ージ機構が設けられている。
【００３０】サイクルパージ機構は、たとえば、前記ガ
ス導入バルブ９および排気バルブ１０と、該ガス導入バ
ルブ９および排気バルブ１０の開閉制御を行なうＣＰＵ
１２と、処理室１、吸気ライン５および排気ライン６の
内部にダストが残留しているか否かを監視するために、
排気ライン６に設置されたパーティクルモニター１１と
から構成されている。
ス導入バルブ９および排気バルブ１０と、該ガス導入バ
ルブ９および排気バルブ１０の開閉制御を行なうＣＰＵ
１２と、処理室１、吸気ライン５および排気ライン６の
内部にダストが残留しているか否かを監視するために、
排気ライン６に設置されたパーティクルモニター１１と
から構成されている。
【００３１】ガス導入バルブ９および排気バルブ１０に
は、たとえば、電磁弁などが用いられる。
は、たとえば、電磁弁などが用いられる。
【００３２】パーティクルモニター１１は、たとえば、
レーザー光の散乱などを用いて、ある容積内に規定の粒
子径以上の粒子の数を計測して、気体の清浄度を調べる
ことによりダストの残留を監視する。
レーザー光の散乱などを用いて、ある容積内に規定の粒
子径以上の粒子の数を計測して、気体の清浄度を調べる
ことによりダストの残留を監視する。
【００３３】実施例２の装置は、前記の構造を採用して
いるので、サイクルパージ機構を用いて、図２に示され
るような、パージおよび真空引きを繰り返すことによ
り、処理室１、吸気ライン５および排気ライン６の内部
の圧力を大きく変動させることにより、処理室内の雰囲
気の対流を起こしやすく、それによって、浮遊または付
着していたダストが排気され、処理室１内およびガス導
入バルブ９と排気バルブ１０のあいだをクリーニングす
ることができるという効果がある。
いるので、サイクルパージ機構を用いて、図２に示され
るような、パージおよび真空引きを繰り返すことによ
り、処理室１、吸気ライン５および排気ライン６の内部
の圧力を大きく変動させることにより、処理室内の雰囲
気の対流を起こしやすく、それによって、浮遊または付
着していたダストが排気され、処理室１内およびガス導
入バルブ９と排気バルブ１０のあいだをクリーニングす
ることができるという効果がある。
【００３４】また、実施例２の装置は、排気ライン６に
サイクルパージのタイミングとパージの完了のタイミン
グを判断するパーティクルモニター１１が設置されてい
るため、該装置を用いて前記実施例１のごとくドライエ
ッチング装置の洗浄を行えば、サイクルパージを必要と
するパーティクルの増加のタイミングと、サイクルパー
ジによりパーティクルが減少し完了となるタイミングが
判断可能となる。
サイクルパージのタイミングとパージの完了のタイミン
グを判断するパーティクルモニター１１が設置されてい
るため、該装置を用いて前記実施例１のごとくドライエ
ッチング装置の洗浄を行えば、サイクルパージを必要と
するパーティクルの増加のタイミングと、サイクルパー
ジによりパーティクルが減少し完了となるタイミングが
判断可能となる。
【００３５】さらに、実施例２の装置は、パージ用Ｎ2
またはＯ2ガスの吸気ラインの導入口５ａおよび排気ラ
イン６の導入口６ａが、前記処理室１の対向する２つの
壁面にそれぞれ設置されているため、処理室１を含めた
空間部全体の対流の溜りがなくなり、ダストを容易に排
気することができる。
またはＯ2ガスの吸気ラインの導入口５ａおよび排気ラ
イン６の導入口６ａが、前記処理室１の対向する２つの
壁面にそれぞれ設置されているため、処理室１を含めた
空間部全体の対流の溜りがなくなり、ダストを容易に排
気することができる。
【００３６】つぎに、実施例２の装置を用いて、半導体
基板２のドライエッチングを行なったのち、処理室１、
吸気ライン５および排気ライン６の内部に残留するダス
トを排除する方法について説明する。 （１）まず、ガス導入バルブ９を閉め、排気バルブ１０
を開け、排気ライン６に接続された真空ポンプによっ
て、処理室１の内部の真空引きを行なう。 （２）引き続き、排気バルブ１０を閉め、ガス導入バル
ブ９を開け、処理室１の内部の負圧により、パージ用Ｎ
2またはＯ2ガスを吸気ライン５から導入する。このと
き、処理室１、吸気ライン５および排気ライン６の内部
に残留するダストが浮遊または剥離する。 （３）一定の圧力に到達した後、ガス導入バルブ９を閉
め、排気バルブ１０を開ける。このとき、ダストが排気
ライン６を通って、外部に吐き出される。このとき、真
空ポンプの駆動は、継続して続ける。
基板２のドライエッチングを行なったのち、処理室１、
吸気ライン５および排気ライン６の内部に残留するダス
トを排除する方法について説明する。 （１）まず、ガス導入バルブ９を閉め、排気バルブ１０
を開け、排気ライン６に接続された真空ポンプによっ
て、処理室１の内部の真空引きを行なう。 （２）引き続き、排気バルブ１０を閉め、ガス導入バル
ブ９を開け、処理室１の内部の負圧により、パージ用Ｎ
2またはＯ2ガスを吸気ライン５から導入する。このと
き、処理室１、吸気ライン５および排気ライン６の内部
に残留するダストが浮遊または剥離する。 （３）一定の圧力に到達した後、ガス導入バルブ９を閉
め、排気バルブ１０を開ける。このとき、ダストが排気
ライン６を通って、外部に吐き出される。このとき、真
空ポンプの駆動は、継続して続ける。
【００３７】以下、前記パーティクルモニター１１によ
り、処理室１、吸気ライン５および排気ライン６の内部
の空気が規定の清浄度になったと判断されるまで、前記
（１）〜（３）の手順を繰り返す。
り、処理室１、吸気ライン５および排気ライン６の内部
の空気が規定の清浄度になったと判断されるまで、前記
（１）〜（３）の手順を繰り返す。
【００３８】これら一連の手順のあいだ、サイクルパー
ジ機構を用いて、図２に示されるような、パージおよび
真空引きを繰り返すことにより、処理室１、吸気ライン
５および排気ライン６の内部の圧力を大きく変動させる
ことができる。これにより、処理室内の雰囲気の対流を
起こしやすくなる。したがって、浮遊または付着してい
たダストが排気され、処理室１内およびガス導入バルブ
９と排気バルブ１０のあいだをクリーニングすることが
できる。
ジ機構を用いて、図２に示されるような、パージおよび
真空引きを繰り返すことにより、処理室１、吸気ライン
５および排気ライン６の内部の圧力を大きく変動させる
ことができる。これにより、処理室内の雰囲気の対流を
起こしやすくなる。したがって、浮遊または付着してい
たダストが排気され、処理室１内およびガス導入バルブ
９と排気バルブ１０のあいだをクリーニングすることが
できる。
【００３９】［実施例３］図４は請求項３にかかわる発
明の一実施例のドライエッチング装置の処理室の断面図
である。なお、この装置の基本的な構造は、実施例２と
同じであるので共通部分の説明を省略する。本実施例の
ドライエッチング装置の構造は、図４に示されるよう
に、パージ用Ｎ2 またはＯ2 ガスの吸気ライン５にマス
フローコントローラー７を設置されていることに特徴が
ある。
明の一実施例のドライエッチング装置の処理室の断面図
である。なお、この装置の基本的な構造は、実施例２と
同じであるので共通部分の説明を省略する。本実施例の
ドライエッチング装置の構造は、図４に示されるよう
に、パージ用Ｎ2 またはＯ2 ガスの吸気ライン５にマス
フローコントローラー７を設置されていることに特徴が
ある。
【００４０】実施例３の装置は、前記の構造を採用して
いるので、該装置を用いて前記実施例１のごとくドライ
エッチング装置の洗浄を行なえば、正確にパージガスの
流量を測定することができ、圧力設定が容易になる。
いるので、該装置を用いて前記実施例１のごとくドライ
エッチング装置の洗浄を行なえば、正確にパージガスの
流量を測定することができ、圧力設定が容易になる。
【００４１】［実施例４］また、請求項７にかかわる発
明の一実施例について説明する。サイクルパージを行な
うばあい、前記実施例１のサイクルパージの経時的変化
（図１参照）のように真空度を一定に維持しながらパー
ジガスを導入する代わりに、図５に示されるように、真
空引きののち、急激にパージガスを導入する操作を繰り
返すようにしてもよい。図５のグラフに示される経時的
変化のごとく、パージのあいだ、真空度は減少していく
が、短時間のあいだに急激にパージガスを導入するの
で、処理室内に付着したダストを剥離し、対流する働き
がさらに強くなる。
明の一実施例について説明する。サイクルパージを行な
うばあい、前記実施例１のサイクルパージの経時的変化
（図１参照）のように真空度を一定に維持しながらパー
ジガスを導入する代わりに、図５に示されるように、真
空引きののち、急激にパージガスを導入する操作を繰り
返すようにしてもよい。図５のグラフに示される経時的
変化のごとく、パージのあいだ、真空度は減少していく
が、短時間のあいだに急激にパージガスを導入するの
で、処理室内に付着したダストを剥離し、対流する働き
がさらに強くなる。
【００４２】［実施例５］つぎに、請求項８および９に
かかわる前記実施例１のドライエッチング装置の洗浄法
を用いた半導体装置の製法を説明する。
かかわる前記実施例１のドライエッチング装置の洗浄法
を用いた半導体装置の製法を説明する。
【００４３】本実施例の半導体装置の製法は、ダイオー
ド、トランジスタなどの半導体装置の製法のうち、成膜
工程および前記膜をドライエッチングする工程を含むも
のであれば、あらゆる製法にも適用されうるものであ
る。以下、本実施例の半導体装置の製法を説明する。半
導体基板上に絶縁膜または半導体膜などの種々の膜を形
成し、ついでドライエッチングにより前記膜に所望のパ
ターンを形成していく。ドライエッチングが終了し、半
導体基板が搬出されたのち、引き続き処理室を含む空間
部全体を定期的にパージおよび真空引きを繰り返しサイ
クルパージを行なうことにより、定期的に処理室全体を
クリーニングさせることができる。なお、ドライエッチ
ング工程を終了後、半導体基板にさらに、従来より知ら
れているレジスト除去や不純物導入、電極膜の形成など
の処理を施し、半導体装置が作製される。
ド、トランジスタなどの半導体装置の製法のうち、成膜
工程および前記膜をドライエッチングする工程を含むも
のであれば、あらゆる製法にも適用されうるものであ
る。以下、本実施例の半導体装置の製法を説明する。半
導体基板上に絶縁膜または半導体膜などの種々の膜を形
成し、ついでドライエッチングにより前記膜に所望のパ
ターンを形成していく。ドライエッチングが終了し、半
導体基板が搬出されたのち、引き続き処理室を含む空間
部全体を定期的にパージおよび真空引きを繰り返しサイ
クルパージを行なうことにより、定期的に処理室全体を
クリーニングさせることができる。なお、ドライエッチ
ング工程を終了後、半導体基板にさらに、従来より知ら
れているレジスト除去や不純物導入、電極膜の形成など
の処理を施し、半導体装置が作製される。
【００４４】なお、定期的にサイクルパージを行なう代
わりに、適当なときに不定期にサイクルパージを行なっ
ても充分ダストを減少させることができる。
わりに、適当なときに不定期にサイクルパージを行なっ
ても充分ダストを減少させることができる。
【００４５】
【発明の効果】以上のように、請求項１にかかわる発明
の効果は、処理室内およびガス導入口または排気ライン
全体のダストを減少させることができ、ドライエッチン
グ装置のメンテナンスサイクルを短縮化できる。さら
に、デバイスの歩留まりを向上させることができる。
の効果は、処理室内およびガス導入口または排気ライン
全体のダストを減少させることができ、ドライエッチン
グ装置のメンテナンスサイクルを短縮化できる。さら
に、デバイスの歩留まりを向上させることができる。
【００４６】請求項２にかかわる発明の効果は、定期的
にサイクルパージを行なうことにより、より一層ダスト
を減少させることができる。
にサイクルパージを行なうことにより、より一層ダスト
を減少させることができる。
【００４７】請求項３にかかわる発明の効果は、パージ
用Ｎ2 またはＯ2 ガスの吸気ラインにマスフローコント
ローラーを設置することによって、正確にパージガスの
流量を測定することができ、圧力設定が容易になる。
用Ｎ2 またはＯ2 ガスの吸気ラインにマスフローコント
ローラーを設置することによって、正確にパージガスの
流量を測定することができ、圧力設定が容易になる。
【００４８】請求項４にかかわる発明の効果は、排気ラ
インにサイクルパージのタイミングとパージの完了のタ
イミングを判断するパーティクルモニターを設置するこ
とによって、サイクルパージを必要とするパーティクル
の増加のタイミングと、サイクルパージによりパーティ
クルが減少し完了となるタイミングが判断可能となる。
インにサイクルパージのタイミングとパージの完了のタ
イミングを判断するパーティクルモニターを設置するこ
とによって、サイクルパージを必要とするパーティクル
の増加のタイミングと、サイクルパージによりパーティ
クルが減少し完了となるタイミングが判断可能となる。
【００４９】請求項５にかかわる発明の効果は、サイク
ルパージの圧力範囲を１３．３〜１３３Ｐａの範囲内に
設定することにより、サイクルパージの間隔の時間を短
くすることができる。
ルパージの圧力範囲を１３．３〜１３３Ｐａの範囲内に
設定することにより、サイクルパージの間隔の時間を短
くすることができる。
【００５０】請求項６にかかわる発明の効果は、処理室
の容量１００リットルに対し、サイクルパージの圧力設
定値の上限を少なくとも１Ｐａ以上に設定することによ
り、短時間で効果的にダストを減少させることができ
る。
の容量１００リットルに対し、サイクルパージの圧力設
定値の上限を少なくとも１Ｐａ以上に設定することによ
り、短時間で効果的にダストを減少させることができ
る。
【００５１】請求項７にかかわる発明の効果は、処理室
の内壁などからダストを剥離し対流する働きがさらに強
くなり、クリーニング効果が高い。
の内壁などからダストを剥離し対流する働きがさらに強
くなり、クリーニング効果が高い。
【００５２】請求項８にかかわる発明の効果は、成膜後
にドライエッチングにより前記膜に所望のパターンを形
成したのち、サイクルパージにより処理室内全体をクリ
ーニングできるため、ダストを減少させるとともに、装
置のメンテナンスサイクルを短縮化させることができ
る。したがって、デバイスの歩留まりを上げることも可
能となる。
にドライエッチングにより前記膜に所望のパターンを形
成したのち、サイクルパージにより処理室内全体をクリ
ーニングできるため、ダストを減少させるとともに、装
置のメンテナンスサイクルを短縮化させることができ
る。したがって、デバイスの歩留まりを上げることも可
能となる。
【００５３】請求項９にかかわる発明の効果は、定期的
にサイクルパージを行なうことにより、より一層ダスト
を減少させることができる。
にサイクルパージを行なうことにより、より一層ダスト
を減少させることができる。
【図１】 請求項１、２および５にかかわる発明のドラ
イエッチング装置の洗浄法の一実施例におけるサイクル
パージ時のパージガス流量と真空度との対応関係を経時
的に示すグラフである。
イエッチング装置の洗浄法の一実施例におけるサイクル
パージ時のパージガス流量と真空度との対応関係を経時
的に示すグラフである。
【図２】 請求項６にかかわる発明のドライエッチング
装置の洗浄法の一実施例におけるサイクルパージ時の真
空度の時間変化を示すグラフである。
装置の洗浄法の一実施例におけるサイクルパージ時の真
空度の時間変化を示すグラフである。
【図３】 請求項１、２および４にかかわる発明のドラ
イエッチング装置の洗浄法の一実施例が適用されるドラ
イエッチングの処理室の断面図である。
イエッチング装置の洗浄法の一実施例が適用されるドラ
イエッチングの処理室の断面図である。
【図４】 請求項３にかかわる発明のドライエッチング
装置の洗浄法の一実施例が適用されるドライエッチング
装置の断面図である。
装置の洗浄法の一実施例が適用されるドライエッチング
装置の断面図である。
【図５】 請求項７にかかわる発明のドライエッチング
装置の洗浄法の一実施例におけるサイクルパージ時の真
空度の時間変化を示すグラフである。
装置の洗浄法の一実施例におけるサイクルパージ時の真
空度の時間変化を示すグラフである。
【図６】 従来のドライエッチング装置の処理室の断面
図である。
図である。
１ 処理室、２ 基板、３ 上部電極板、４ 下部電極
板、５ 吸気ライン、５ａ 吸気ライン導入口、６ 排
気ライン、６ａ 排気ライン導入口、７ マスフローコ
ントローラー、８ ダスト、９ ガス導入バルブ、１０
排気バルブ、１１ パーティクルモニター、１２ バ
ルブ開閉制御用ＣＰＵ。
板、５ 吸気ライン、５ａ 吸気ライン導入口、６ 排
気ライン、６ａ 排気ライン導入口、７ マスフローコ
ントローラー、８ ダスト、９ ガス導入バルブ、１０
排気バルブ、１１ パーティクルモニター、１２ バ
ルブ開閉制御用ＣＰＵ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大崎 三郎 熊本県菊池郡西合志町御代志997番地 株 式会社アドバンスト・ディスプレイ内
Claims (9)
- 【請求項１】 ドライエッチング後に処理室内部を洗浄
するためのドライエッチング装置の洗浄法であって、前
記処理室に通ずる吸気ラインと排気ラインとのあいだに
おいて、パージおよび真空引きを繰り返してサイクルパ
ージを行なうことを特徴とするドライエッチング装置の
洗浄法。 - 【請求項２】 定期的にサイクルパージを行なうことを
特徴とする請求項１記載の洗浄法。 - 【請求項３】 パージ用Ｎ2 またはＯ2 ガスの吸気ライ
ンにマスフローコントローラーを設置し、パージガスの
流量を制御する請求項１または２記載の洗浄法。 - 【請求項４】 前記排気ラインにサイクルパージのタイ
ミングとパージの完了のタイミングを判断するパーティ
クルモニターを設置し、排気ラインを通過するダストの
パーティクルの数を監視する請求項１または２記載の洗
浄法。 - 【請求項５】 サイクルパージの圧力範囲が１３．３〜
１３３Ｐａの範囲内に設定されている請求項１または２
記載の洗浄法。 - 【請求項６】 前記処理室内の容量１００リットルに対
し、サイクルパージのパージ時の圧力設定値の上限が１
Ｐａ以上にされている請求項１または２記載の洗浄法。 - 【請求項７】 前記処理室内を真空引きし、そののち、
急激に処理室内にパージガスを導入する操作を繰り返す
請求項１または２記載の洗浄法。 - 【請求項８】 成膜後にドライエッチングにより前記膜
に所望のパターンを形成する工程を含む半導体装置の製
法であって、前記ドライエッチング後にパージおよび真
空引きを繰り返してサイクルパージを行なうことを特徴
とする半導体装置の製法。 - 【請求項９】 定期的にサイクルパージを行なうことを
特徴とする請求項８記載の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31983694A JPH08181112A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | ドライエッチング装置の洗浄法およびそれを用いた半導体装置の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31983694A JPH08181112A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | ドライエッチング装置の洗浄法およびそれを用いた半導体装置の製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08181112A true JPH08181112A (ja) | 1996-07-12 |
Family
ID=18114764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31983694A Pending JPH08181112A (ja) | 1994-12-22 | 1994-12-22 | ドライエッチング装置の洗浄法およびそれを用いた半導体装置の製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08181112A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11274146A (ja) * | 1998-01-20 | 1999-10-08 | Lucent Technol Inc | ポリゲ―トエッチング用その場乾式清浄化法 |
| US6306770B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-10-23 | Nec Corporation | Method and apparatus for plasma etching |
| US7160812B2 (en) | 2002-07-16 | 2007-01-09 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method for preventing electrode deterioration in etching apparatus |
| JP2007324165A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | シリコン基板の表面処理方法および太陽電池セルの製造方法 |
| JP2009147379A (ja) * | 2004-03-29 | 2009-07-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| EP2940712A1 (en) | 2014-04-28 | 2015-11-04 | Tokyo Electron Limited | Dry cleaning method and plasma processing apparatus |
-
1994
- 1994-12-22 JP JP31983694A patent/JPH08181112A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11274146A (ja) * | 1998-01-20 | 1999-10-08 | Lucent Technol Inc | ポリゲ―トエッチング用その場乾式清浄化法 |
| US6306770B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-10-23 | Nec Corporation | Method and apparatus for plasma etching |
| US7160812B2 (en) | 2002-07-16 | 2007-01-09 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Method for preventing electrode deterioration in etching apparatus |
| JP2009147379A (ja) * | 2004-03-29 | 2009-07-02 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
| US8221835B2 (en) | 2004-03-29 | 2012-07-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device and apparatus for processing substrate |
| JP2007324165A (ja) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Mitsubishi Electric Corp | シリコン基板の表面処理方法および太陽電池セルの製造方法 |
| JP4652282B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2011-03-16 | 三菱電機株式会社 | シリコン基板の表面処理方法および太陽電池セルの製造方法 |
| EP2940712A1 (en) | 2014-04-28 | 2015-11-04 | Tokyo Electron Limited | Dry cleaning method and plasma processing apparatus |
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