JPS6353943A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS6353943A JPS6353943A JP61196770A JP19677086A JPS6353943A JP S6353943 A JPS6353943 A JP S6353943A JP 61196770 A JP61196770 A JP 61196770A JP 19677086 A JP19677086 A JP 19677086A JP S6353943 A JPS6353943 A JP S6353943A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- dust
- absorbent
- atmospheric pressure
- semiconductor manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 4
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 abstract 4
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 abstract 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は内部を大気圧に開放した状態で半導体基板を搬
出入させる真空室を有する半導体製造装置に関する。
出入させる真空室を有する半導体製造装置に関する。
[従来の技術]
従来、半導体!!!造装置において、真空中で加工した
半導体基板を搬出する際には、気体を半導体装置内に供
給して真空から大気圧に開放した状態で半導体基板を搬
出していた。
半導体基板を搬出する際には、気体を半導体装置内に供
給して真空から大気圧に開放した状態で半導体基板を搬
出していた。
[発明が解決しようとする問題点]
上述した従来の方法では、半導体装置内を真空より大気
圧にするときに、半導体基板搬入後、真空にする際、半
導体装置内下部に下降し付着していた塵埃が舞い上がり
、半導体基板に付着するという欠点がある。
圧にするときに、半導体基板搬入後、真空にする際、半
導体装置内下部に下降し付着していた塵埃が舞い上がり
、半導体基板に付着するという欠点がある。
本発明の目的は半導体基板の搬出入の際に塵埃が半導体
基板に付着するのを防止する半導体製造装置を提供する
ことにある。
基板に付着するのを防止する半導体製造装置を提供する
ことにある。
[問題点を解決するための手段]
本発明は内部を大気圧に開放した状態で半導体基板を搬
出入する真空室を有する半導体製造装置において、該真
空室下部に、塵埃の捕捉用吸着材を供給・排出する開口
部を設けたことを特徴とする半導体製造装置である。
出入する真空室を有する半導体製造装置において、該真
空室下部に、塵埃の捕捉用吸着材を供給・排出する開口
部を設けたことを特徴とする半導体製造装置である。
[実施例]
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図に示すように、本発明装置は半導体基板加工室8
との間を開閉可能な遮断扉9により仕切られた真空室1
1を有し、真空室11には気体の供給口3と排出口4と
を設けるとともに、真空室11の下部に、液体又は半固
体状の塵埃捕捉用吸着材5を供給する供給口6と排出ロ
アとを設けたものである。10は搬送部、12は外壁、
2は半導体基板1を保持するカセットである。
との間を開閉可能な遮断扉9により仕切られた真空室1
1を有し、真空室11には気体の供給口3と排出口4と
を設けるとともに、真空室11の下部に、液体又は半固
体状の塵埃捕捉用吸着材5を供給する供給口6と排出ロ
アとを設けたものである。10は搬送部、12は外壁、
2は半導体基板1を保持するカセットである。
実施例において、真空室11が大気圧時にカセット2に
半導体基板1を保持してこれを真空室11内に送り込み
、気体排出口4より排気し真空室11を真空にする。こ
のとき、液体または半固体等の吸着材5を供給口6より
供給し、真空室11の下部に溜めて塵埃を捕捉する。こ
の場合、排出ロアは閉じている。真空到達後、遮断扉9
を開放し、半導体基板1を半導体基板加工室8に搬送し
加工する。
半導体基板1を保持してこれを真空室11内に送り込み
、気体排出口4より排気し真空室11を真空にする。こ
のとき、液体または半固体等の吸着材5を供給口6より
供給し、真空室11の下部に溜めて塵埃を捕捉する。こ
の場合、排出ロアは閉じている。真空到達後、遮断扉9
を開放し、半導体基板1を半導体基板加工室8に搬送し
加工する。
加工後、カセット2に半導体基板1を入れ遮断扉9で遮
断し、真空室11内に気体供給口3より気体を供給し、
真空室11を大気圧にし、半導体基板1を装置外へ搬出
する。
断し、真空室11内に気体供給口3より気体を供給し、
真空室11を大気圧にし、半導体基板1を装置外へ搬出
する。
[発明の効果]
本発明は以上説明したように真空室を大気圧より真空に
する際に真空室下部へ下降する塵埃が真空室下部に溜ま
っている液体または半固体等の吸着材に捕捉されるため
、大気圧に戻しても塵埃が舞い上がらず、半導体基板を
塵埃による汚染から防止できる効果を有するものでおる
。
する際に真空室下部へ下降する塵埃が真空室下部に溜ま
っている液体または半固体等の吸着材に捕捉されるため
、大気圧に戻しても塵埃が舞い上がらず、半導体基板を
塵埃による汚染から防止できる効果を有するものでおる
。
第1図は本発明の一実施例を示す半導体製造装置の断面
図である。
図である。
Claims (1)
- (1)内部を大気圧に開放した状態で半導体基板を搬出
入する真空室を有する半導体製造装置において、該真空
室下部に、塵埃の捕捉用吸着材を供給・排出する開口部
を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61196770A JPS6353943A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61196770A JPS6353943A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6353943A true JPS6353943A (ja) | 1988-03-08 |
Family
ID=16363335
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61196770A Pending JPS6353943A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6353943A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5304224A (en) * | 1992-10-01 | 1994-04-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Coated abrasive article having a tear resistant backing |
US5305656A (en) * | 1990-12-21 | 1994-04-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Balancer apparatus for engine |
US5355636A (en) * | 1992-10-01 | 1994-10-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Tear resistant coated abrasive article |
US5427842A (en) * | 1992-10-01 | 1995-06-27 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Tear resistant multilayer films and articles incorporating such films |
US6040061A (en) * | 1992-10-01 | 2000-03-21 | 3M Innovative Properties Company | Tear resistant multilayer films based on sebacic acid copolyesters and articles incorporating such films |
JP2018037475A (ja) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | 株式会社日立ハイテクマニファクチャ&サービス | ウェーハ搬送装置 |
JP2018190783A (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送装置及び搬送方法 |
-
1986
- 1986-08-22 JP JP61196770A patent/JPS6353943A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5305656A (en) * | 1990-12-21 | 1994-04-26 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Balancer apparatus for engine |
US5304224A (en) * | 1992-10-01 | 1994-04-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Coated abrasive article having a tear resistant backing |
US5355636A (en) * | 1992-10-01 | 1994-10-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Tear resistant coated abrasive article |
US5427842A (en) * | 1992-10-01 | 1995-06-27 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Tear resistant multilayer films and articles incorporating such films |
US5604019A (en) * | 1992-10-01 | 1997-02-18 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Tear resistant multilayer films and articles incorporating such films |
US6040061A (en) * | 1992-10-01 | 2000-03-21 | 3M Innovative Properties Company | Tear resistant multilayer films based on sebacic acid copolyesters and articles incorporating such films |
JP2018037475A (ja) * | 2016-08-30 | 2018-03-08 | 株式会社日立ハイテクマニファクチャ&サービス | ウェーハ搬送装置 |
JP2018190783A (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送装置及び搬送方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6353943A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH05286800A (ja) | 加工物を周囲空気を排除した特定の選択ガスの雰囲気中で処理するための装置及び方法 | |
JP3012328B2 (ja) | 圧力密閉室内の基板をガス中の汚染物質から保護する方法および装置 | |
JP3301408B2 (ja) | 半導体製造装置のパーティクル除去装置及びパーティクルの除去方法 | |
JP2002353086A (ja) | 半導体製造装置及び半導体製造方法 | |
JP2772835B2 (ja) | 基板処理装置及び真空処理方法 | |
JP2000164688A5 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2003515244A (ja) | 半導体ウェーハから汚染物を減らす方法と装置 | |
JPS62139239A (ja) | イオン注入室の浄化方法及び同装置 | |
JPH04272643A (ja) | イオン注入装置およびイオン注入方法 | |
JPH0783011B2 (ja) | 減圧処理方法及び装置 | |
JPH04228573A (ja) | プラズマ化学気相堆積装置における微粒子汚染減少方法 | |
JPS5988824A (ja) | ウエハ処理装置 | |
JP2985463B2 (ja) | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 | |
JPS6353944A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPS63244846A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH02274868A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH06140294A (ja) | 真空処理装置 | |
JP2000100786A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH0245920A (ja) | 半導体製造装置 | |
JPH06232235A (ja) | ロードロック室 | |
JPH10326730A (ja) | 半導体製造装置及びそのメンテナンス方法 | |
JPS5966121A (ja) | 反応室の大気開放方法 | |
JPH05245360A (ja) | 真空処理装置 | |
JPH03214645A (ja) | 半導体ウエハの収納・搬送装置 |