JPH0346574Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0346574Y2 JPH0346574Y2 JP1983025538U JP2553883U JPH0346574Y2 JP H0346574 Y2 JPH0346574 Y2 JP H0346574Y2 JP 1983025538 U JP1983025538 U JP 1983025538U JP 2553883 U JP2553883 U JP 2553883U JP H0346574 Y2 JPH0346574 Y2 JP H0346574Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- current
- base
- emitter
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 20
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 12
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D1/00—Demodulation of amplitude-modulated oscillations
- H03D1/14—Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear elements having more than two poles
- H03D1/18—Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear elements having more than two poles of semiconductor devices
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本考案はAM（振幅変調）信号を検波する為の
AM検波回路に関するもので、特にIC（集積回路）
化に適したAM検波回路に関するものである。
AM検波回路に関するもので、特にIC（集積回路）
化に適したAM検波回路に関するものである。
(ロ) 従来技術
AM検波回路に関しては、古くから様々な回路
が提案されているが、IC化に適したものとして、
例えば第１図の如き回路がある。第１図におい
て、入力端子１に印加されたAM信号は、入力コ
ンデンサ２を介して第１トランジスタ３のベース
に印加され、該第１トランジスタ３のベース・エ
ミツタ接合及び検波コンデンサ４により検波さ
れ、第２及び第３トランジスタ５及び６を介して
出力端子７に導出される。その場合、IC内に組
み込むことが出来るコンデンサは、通常ICに外
部接続されるコンデンサの容量（10000PF程度）
の1/500から1/1000程度の小さな容量（数＋PF程
度）である為、検波時定数を所定値にする為には
検波用のトランジスタの動作電流も極く小としな
ければならない。この条件を満す為に、第１図の
回路においては、I0の定電流源８を設け、第３ト
ランジスタ６のベース電流をI0／β（ただしβはト ランジスタの電流増幅率）とし、更に第２トラン
ジスタ５のベース電流をI0／β2として、第１トラン ジスタ３のコレクタ・エミツタ電流を小さな値に
保つている。通常前記βは100程度であるから、
２段接続では十分な検波を行うことが出来ず、第
１乃至第３トランジスタ３乃至６を使用して３段
接続としなければ所望の出力を得ることが出来な
かつた。しかして、第１図の検波回路において
は、少くとも３個のトランジスタと、定電流源と
が直列接続される為に、最低3VBE＋VX（ただし、
VBEはトランジスタのベース・エミツタ間電圧、
VXは定電流源の動作電圧）の動作電圧が必要で
あり、例えばVBE＝VX＝0.7Vとすれば、2.8V以上
の電源を必要とした。また、前記動作電圧を得る
為に、４個のダイオード９乃至１２を用いると、
該ダイオード９乃至１２に流れる電流と、第１及
び第２トランジスタ３及び５に流れる電流とが大
きく異る為に、立上り電圧の相違や温度特性のい
を招き、出力端子７に得られる検波出力信号のバ
ラツキが大となつたり、検波出力信号を利得制御
の為に使用する場合には、初期設定電圧がバラツ
クという欠点を有していた。
が提案されているが、IC化に適したものとして、
例えば第１図の如き回路がある。第１図におい
て、入力端子１に印加されたAM信号は、入力コ
ンデンサ２を介して第１トランジスタ３のベース
に印加され、該第１トランジスタ３のベース・エ
ミツタ接合及び検波コンデンサ４により検波さ
れ、第２及び第３トランジスタ５及び６を介して
出力端子７に導出される。その場合、IC内に組
み込むことが出来るコンデンサは、通常ICに外
部接続されるコンデンサの容量（10000PF程度）
の1/500から1/1000程度の小さな容量（数＋PF程
度）である為、検波時定数を所定値にする為には
検波用のトランジスタの動作電流も極く小としな
ければならない。この条件を満す為に、第１図の
回路においては、I0の定電流源８を設け、第３ト
ランジスタ６のベース電流をI0／β（ただしβはト ランジスタの電流増幅率）とし、更に第２トラン
ジスタ５のベース電流をI0／β2として、第１トラン ジスタ３のコレクタ・エミツタ電流を小さな値に
保つている。通常前記βは100程度であるから、
２段接続では十分な検波を行うことが出来ず、第
１乃至第３トランジスタ３乃至６を使用して３段
接続としなければ所望の出力を得ることが出来な
かつた。しかして、第１図の検波回路において
は、少くとも３個のトランジスタと、定電流源と
が直列接続される為に、最低3VBE＋VX（ただし、
VBEはトランジスタのベース・エミツタ間電圧、
VXは定電流源の動作電圧）の動作電圧が必要で
あり、例えばVBE＝VX＝0.7Vとすれば、2.8V以上
の電源を必要とした。また、前記動作電圧を得る
為に、４個のダイオード９乃至１２を用いると、
該ダイオード９乃至１２に流れる電流と、第１及
び第２トランジスタ３及び５に流れる電流とが大
きく異る為に、立上り電圧の相違や温度特性のい
を招き、出力端子７に得られる検波出力信号のバ
ラツキが大となつたり、検波出力信号を利得制御
の為に使用する場合には、初期設定電圧がバラツ
クという欠点を有していた。
(ハ) 考案の目的
本考案は、上述の点に鑑み成されたもので、低
電源電圧で動作する様に回路構成が工夫された
AM検波回路を提供せんとするとともに、それに
付随して、安定な検波出力信号を得ることが出来
るAM検波回路を提供せんとするものである。
電源電圧で動作する様に回路構成が工夫された
AM検波回路を提供せんとするとともに、それに
付随して、安定な検波出力信号を得ることが出来
るAM検波回路を提供せんとするものである。
(ニ) 考案の構成
本考案に係るAM検波回路は、ベースに入力信
号が印加される第１トランジスタと、一端が該第
１トランジスタのエミツタに接続されたコンデン
サと、ベースが前記第１トランジスタのエミツタ
に接続された第２トランジスタと、該第２トラン
ジスタのコレクタ電流を反転する電流反転回路
と、ベースが該反転回路の出力端に接続された第
３トランジスタと、前記第２及び第３トランジス
タの共通エミツタに接続された定電流源とによつ
て構成される。
号が印加される第１トランジスタと、一端が該第
１トランジスタのエミツタに接続されたコンデン
サと、ベースが前記第１トランジスタのエミツタ
に接続された第２トランジスタと、該第２トラン
ジスタのコレクタ電流を反転する電流反転回路
と、ベースが該反転回路の出力端に接続された第
３トランジスタと、前記第２及び第３トランジス
タの共通エミツタに接続された定電流源とによつ
て構成される。
(ホ) 実施例
第２図は、本考案の一実施例を示すもので、１
３は検波されるべきAM入力信号が印加される入
力端子、１４は入力コンデンサ１５を介してベー
スに前記入力信号が印加される第１トランジス
タ、１６は該第１トランジスタ１４のエミツタと
アースとの間に接続されたコンデンサ、１７はベ
ースが前記第１トランジスタ１４のエミツタに接
続された第２トランジスタ、１８はダイオード接
続されたトランジスタ１９と該トランジスタ１９
とベース及びエミツタが共通接続されたトランジ
スタ２０とから成り、前記第２トランジスタ１７
のコレクタ電流を反転して前記トランジスタ２０
のコレクタに発生させる電流反転回路、２１はベ
ースが前記反転回路１８のトランジスタ２０のコ
レクタに接続された第３トランジスタ、２２は前
記第２及び第３トランジスタ１７及び２１の共通
エミツタに接続された定電流源、及び２３は検波
出力信号が得られる出力端子である。
３は検波されるべきAM入力信号が印加される入
力端子、１４は入力コンデンサ１５を介してベー
スに前記入力信号が印加される第１トランジス
タ、１６は該第１トランジスタ１４のエミツタと
アースとの間に接続されたコンデンサ、１７はベ
ースが前記第１トランジスタ１４のエミツタに接
続された第２トランジスタ、１８はダイオード接
続されたトランジスタ１９と該トランジスタ１９
とベース及びエミツタが共通接続されたトランジ
スタ２０とから成り、前記第２トランジスタ１７
のコレクタ電流を反転して前記トランジスタ２０
のコレクタに発生させる電流反転回路、２１はベ
ースが前記反転回路１８のトランジスタ２０のコ
レクタに接続された第３トランジスタ、２２は前
記第２及び第３トランジスタ１７及び２１の共通
エミツタに接続された定電流源、及び２３は検波
出力信号が得られる出力端子である。
入力端子１３に印加された検波されるべきAM
入力信号は、第１トランジスタ１４及びコンデン
サ１６によつてAM検波される。そして検波され
た信号は、第２トランジスタ１７のベースに印加
され、該第２トランジスタ１７と第３トランジス
タ２１との共通エミツタから出力端子２３に導出
される。
入力信号は、第１トランジスタ１４及びコンデン
サ１６によつてAM検波される。そして検波され
た信号は、第２トランジスタ１７のベースに印加
され、該第２トランジスタ１７と第３トランジス
タ２１との共通エミツタから出力端子２３に導出
される。
いま、定電流源２２に流れる定電流をI0とする
と、定常状態においては、第３トランジスタ２１
のコレクタ電流がI0（≒（１−１／β）I0）、第２ト ランジスタ１７のコレクタ電流がI0／β、前記第３ トランジスタ２１のベース電流がI0／β、及び第１ トランジスタ１４のコレクタ電流がI0／β2となり、 この状態は第２トランジスタ１７のコレクタか
ら、電流反転回路１８、第３トランジスタ２１の
ベース・エミツタを経由して第２トランジスタ１
７のエミツタに至るループの負帰還により安定に
保たれる。しかして、第１トランジスタ１４のコ
レクタ電流はI0／β2という小さな値となるから、IC 化された小容量のコンデンサ１６とともにAM検
波を行う為に適切なものである。また、第１トラ
ンジスタ１４のベースからアース迄の動作電圧
は、2VBE＋VXとなるので、VBE＝VX＝0.7Vとす
れば、本考案に係るAM検波回路は、2.1Vの低い
電圧で動作可能である。
と、定常状態においては、第３トランジスタ２１
のコレクタ電流がI0（≒（１−１／β）I0）、第２ト ランジスタ１７のコレクタ電流がI0／β、前記第３ トランジスタ２１のベース電流がI0／β、及び第１ トランジスタ１４のコレクタ電流がI0／β2となり、 この状態は第２トランジスタ１７のコレクタか
ら、電流反転回路１８、第３トランジスタ２１の
ベース・エミツタを経由して第２トランジスタ１
７のエミツタに至るループの負帰還により安定に
保たれる。しかして、第１トランジスタ１４のコ
レクタ電流はI0／β2という小さな値となるから、IC 化された小容量のコンデンサ１６とともにAM検
波を行う為に適切なものである。また、第１トラ
ンジスタ１４のベースからアース迄の動作電圧
は、2VBE＋VXとなるので、VBE＝VX＝0.7Vとす
れば、本考案に係るAM検波回路は、2.1Vの低い
電圧で動作可能である。
更に本考案においては、第４、第５及び第６ト
ランジスタ２４，２５及び２６によつてバイアス
回路を構成し、第１トランジスタ１４のベースに
3VBE（＝2.1V）の動作電圧を供給している。定電
流源２７の電流を、定電流源２２の電流と等しく
I0とすれば、第４トランジスタ２４のコレクタ電
流がI0、ベース電流がI0／β、第５トランジスタ２ ５のコレクタ電流がI0／β、ベース電流がI0／β2、第
６ トランジスタ２６のコレクタ電流がI0／β2となり、 各トランジスタに流れる電流を、それぞれ、第１
トランジスタ１４と第６トランジスタ２６、第２
トランジスタ１７と第５トランジスタ２５、第３
トランジスタ２１と第４トランジスタ２４、とい
う具合に対応させることが出来る。従つて、対応
するトランジスタをIC内にペア構造に作成すれ
ば、立上り特性や温度特性を揃えることが出来、
出力電圧や利得制御初期設定電圧のバラツキを押
さえることが出来る。
ランジスタ２４，２５及び２６によつてバイアス
回路を構成し、第１トランジスタ１４のベースに
3VBE（＝2.1V）の動作電圧を供給している。定電
流源２７の電流を、定電流源２２の電流と等しく
I0とすれば、第４トランジスタ２４のコレクタ電
流がI0、ベース電流がI0／β、第５トランジスタ２ ５のコレクタ電流がI0／β、ベース電流がI0／β2、第
６ トランジスタ２６のコレクタ電流がI0／β2となり、 各トランジスタに流れる電流を、それぞれ、第１
トランジスタ１４と第６トランジスタ２６、第２
トランジスタ１７と第５トランジスタ２５、第３
トランジスタ２１と第４トランジスタ２４、とい
う具合に対応させることが出来る。従つて、対応
するトランジスタをIC内にペア構造に作成すれ
ば、立上り特性や温度特性を揃えることが出来、
出力電圧や利得制御初期設定電圧のバラツキを押
さえることが出来る。
(ヘ) 考案の効果
以上述べた如く本考案に依れば、コンデンサが
内蔵されかつ低電圧で動作するAM検波回路を得
ることが出来る。またバイアス回路として第２図
図示の如き回路を使用すれば、安定な出力電圧を
得ることが出来る。
内蔵されかつ低電圧で動作するAM検波回路を得
ることが出来る。またバイアス回路として第２図
図示の如き回路を使用すれば、安定な出力電圧を
得ることが出来る。
第１図は従来のAM検波回路を示す回路図、及
び第２図は本考案の一実施例を示す回路図であ
る。 主な図番の説明、１４……第１トランジスタ、
１６……コンデンサ、１７……第２トランジス
タ、１８……電流反転回路、２１……第３トラン
ジスタ、２２……電流源。
び第２図は本考案の一実施例を示す回路図であ
る。 主な図番の説明、１４……第１トランジスタ、
１６……コンデンサ、１７……第２トランジス
タ、１８……電流反転回路、２１……第３トラン
ジスタ、２２……電流源。
Claims (1)
- 検波されるべき信号がベースに印加される第１
トランジスタと、該第１トランジスタのエミツタ
とアースとの間に接続されたコンデンサと、ベー
スが前記第１トランジスタのエミツタに接続され
た第２トランジスタと、該第２トランジスタのコ
レクタ電流の反転電流を得る為の電流反転回路
と、該電流反転回路の出力がベースに印加される
第３トランジスタと、該第３トランジスタと前記
第２トランジスタとの共通エミツタに接続された
電流源と、前記第１トランジスタのベースに接続
されたバイアス回路とから成り、前記電流源に流
れる電流I0の１／β2（ただし、βはトランジスタ
の電流増幅率）の電流が前記第２トランジスタの
ベースに流れる様にして、前記コンデンサの容量
と前記第２トランジスタのベース電流とによつて
検波時定数を設定することを特徴とするAM検波
回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983025538U JPS59132212U (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | Ａｍ検波回路 |
| KR2019840001357U KR900002357Y1 (ko) | 1983-02-22 | 1984-02-20 | Am 검파회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1983025538U JPS59132212U (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | Ａｍ検波回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59132212U JPS59132212U (ja) | 1984-09-05 |
| JPH0346574Y2 true JPH0346574Y2 (ja) | 1991-10-02 |
Family
ID=12168780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1983025538U Granted JPS59132212U (ja) | 1983-02-22 | 1983-02-22 | Ａｍ検波回路 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59132212U (ja) |
| KR (1) | KR900002357Y1 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5335351A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-01 | Hitachi Ltd | Direct-coupled transistor circuit |
| JPS54160156A (en) * | 1978-06-09 | 1979-12-18 | Toshiba Corp | Detection circuit |
-
1983
- 1983-02-22 JP JP1983025538U patent/JPS59132212U/ja active Granted
-
1984
- 1984-02-20 KR KR2019840001357U patent/KR900002357Y1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5335351A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-01 | Hitachi Ltd | Direct-coupled transistor circuit |
| JPS54160156A (en) * | 1978-06-09 | 1979-12-18 | Toshiba Corp | Detection circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR840006474U (ko) | 1984-12-03 |
| KR900002357Y1 (ko) | 1990-03-22 |
| JPS59132212U (ja) | 1984-09-05 |
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