JP7469864B2 - 位置決め装置、露光装置、および物品の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 92
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 68
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 13
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 73
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
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- G—PHYSICS
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
- G—PHYSICS
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- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
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- Atmospheric Sciences (AREA)
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Description
[露光装置の構成]
本発明に係る第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態の露光装置100の全体構成を示す概略図である。本実施形態の露光装置100は、原版Mと基板Wとを走査しながら基板Wを露光することにより原版Mのパターンを基板上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置である。このような露光装置100は、走査露光装置やスキャナとも呼ばれる。本実施形態では、原版Mは、例えば石英製のマスク(レチクル)であり、基板Wにおける複数のショット領域の各々に転写されるべき回路パターンが形成されている。また、基板Wは、フォトレジストが塗布されたウェハであり、例えば単結晶シリコン基板等が用いられうる。
次に、プレートの位置決めを行う位置決め装置について説明する。本実施形態では、プレートとして原版Mの位置決めを行う位置決め装置10について説明するが、プレートとして基板Wの位置決めを行う場合においても同様の構成の位置決め装置を適用することができる。
本発明に係る第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態を基本的に引き継ぐものであるが、計測部12の計測光路12aの一部を取り囲むカバー部材18を更に有する点で第1実施形態と異なる。以下に、カバー部材18を有する本実施形態の位置決め装置10Bについて説明する。
本発明に係る第3実施形態について説明する。本実施形態では、原版Mが配置される空間(以下、原版Mの配置空間)にパージガスを供給するように構成された位置決め装置10Cの構成例について説明する。なお、本実施形態は、特に言及されない限り、第1~第2実施形態を基本的に引き継ぐものである。
本発明に係る第5実施形態について説明する。本実施形態では、原版ステージ11が粗動ステージ11aと微動ステージ11bとを含むように構成された位置決め装置10Dの構成例について説明する。なお、本実施形態は、特に言及されない限り、第1実施形態を基本的に引き継ぐものである。また、本実施形態は、第2実施形態で説明したカバー部材18を含む構成、および/または、第3実施形態で説明した第1面部材31と第2面部材32とを含む構成を適用してもよい。
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像(加工)する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (13)
- プレートの位置決めを行う位置決め装置であって、
前記プレートを保持して第1方向に移動可能なステージと、
前記第1方向に光を射出し、前記ステージの上面に設けられた反射部材で反射された光に基づいて、前記第1方向における前記ステージの位置を計測する計測部と、
前記ステージの上面において前記第1方向における前記プレートと前記反射部材との間に設けられ、前記ステージの上面と平行な面内で前記第1方向に垂直な第2方向に沿って伸びる部分と2つの端部とを有する壁部と、
を有し、
前記壁部は、その上端が前記プレートの上面より高く構成され、且つ、前記プレートおよび前記反射部材から離間して配置され、前記第2方向における前記2つの端部間の距離は前記第2方向における前記プレートの長さ以上であることを特徴とする位置決め装置。 - 前記壁部は、前記第1方向において、前記プレートと前記反射部材との中間位置より前記プレート側に配置されている、ことを特徴とする請求項1に記載の位置決め装置。
- 前記反射部材は、前記ステージの上面から突出した支持部によって支持され、
前記壁部は、前記支持部から離間して配置されている、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の位置決め装置。 - 前記ステージの上面は、前記プレートを保持する保持面を含む面である、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の位置決め装置。
- 前記第2方向において、前記壁部の長さは前記プレートの長さ以上である、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の位置決め装置。
- 前記ステージは、前記計測部の光路の一部を取り囲むカバー部材を有し、
前記カバー部材と前記壁部との間には、前記カバー部材の内部から気体を排出するための隙間が形成されている、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の位置決め装置。 - プレートの位置決めを行う位置決め装置であって、
前記プレートを保持して第1方向に移動可能なステージと、
前記第1方向に光を射出し、前記ステージの上面に設けられた反射部材で反射された光に基づいて、前記第1方向における前記ステージの位置を計測する計測部と、
前記ステージの上面において前記第1方向における前記プレートと前記反射部材との間に設けられた壁部と、
を有し、
前記壁部は、その上端が前記プレートの上面より高く構成され、且つ、前記プレートおよび前記反射部材から離間して配置され、
前記ステージは、前記計測部の光路の一部を取り囲むカバー部材を有し、
前記カバー部材と前記壁部との間には、前記カバー部材の内部から気体を排出するための隙間が形成され、
前記カバー部材は、その内部から気体を排出するための開口部を、前記第1方向と垂直な第2方向側の側面に有する、ことを特徴とする位置決め装置。 - 前記カバー部材は、前記第1方向における前記反射部材と前記壁部との間に前記開口部を有する、ことを特徴とする請求項7に記載の位置決め装置。
- 前記ステージは、粗動ステージと、前記プレートを保持するとともに前記粗動ステージに対して相対移動する微動ステージとを含み、
前記壁部は、前記微動ステージによって支持されている、ことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の位置決め装置。 - プレートの位置決めを行う位置決め装置であって、
前記プレートを保持して第1方向に移動可能なステージと、
前記第1方向に光を射出し、前記ステージの上面に設けられた反射部材で反射された光に基づいて、前記第1方向における前記ステージの位置を計測する計測部と、
前記ステージの上面において前記第1方向における前記プレートと前記反射部材との間に設けられた壁部と、
を有し、
前記壁部は、その上端が前記プレートの上面より高く構成され、且つ、前記プレートおよび前記反射部材から離間して配置され、
前記ステージは、粗動ステージと、前記プレートを保持するとともに前記粗動ステージに対して相対移動する微動ステージとを含み、
前記壁部は、前記粗動ステージによって支持されている、ことを特徴とする位置決め装置。 - 前記計測部の光路において前記第1方向に沿った気体の流れが形成されるように、前記ステージに向けて気体を吹き出す吹出部を更に含む、ことを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の位置決め装置。
- 原版と基板とを走査しながら前記基板を露光する露光装置であって、
請求項1乃至11のいずれか1項に記載の位置決め装置を含み、
前記位置決め装置は、前記プレートとして、前記原版および前記基板の少なくとも一方の位置決めを行う、ことを特徴とする露光装置。 - 請求項12に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光を行われた前記基板を現像する工程と、を含み、
現像された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019192133A JP7469864B2 (ja) | 2019-10-21 | 2019-10-21 | 位置決め装置、露光装置、および物品の製造方法 |
TW109134697A TWI811569B (zh) | 2019-10-21 | 2020-10-07 | 定位裝置、曝光裝置及物品之製造方法 |
KR1020200134888A KR20210047259A (ko) | 2019-10-21 | 2020-10-19 | 위치결정 장치, 노광 장치, 및 물품의 제조 방법 |
CN202011134936.5A CN112764319A (zh) | 2019-10-21 | 2020-10-21 | 定位装置、曝光装置以及物品的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019192133A JP7469864B2 (ja) | 2019-10-21 | 2019-10-21 | 位置決め装置、露光装置、および物品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021067775A JP2021067775A (ja) | 2021-04-30 |
JP7469864B2 true JP7469864B2 (ja) | 2024-04-17 |
Family
ID=75637210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019192133A Active JP7469864B2 (ja) | 2019-10-21 | 2019-10-21 | 位置決め装置、露光装置、および物品の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7469864B2 (ja) |
KR (1) | KR20210047259A (ja) |
CN (1) | CN112764319A (ja) |
TW (1) | TWI811569B (ja) |
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2019
- 2019-10-21 JP JP2019192133A patent/JP7469864B2/ja active Active
-
2020
- 2020-10-07 TW TW109134697A patent/TWI811569B/zh active
- 2020-10-19 KR KR1020200134888A patent/KR20210047259A/ko active Search and Examination
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TW202117465A (zh) | 2021-05-01 |
TWI811569B (zh) | 2023-08-11 |
JP2021067775A (ja) | 2021-04-30 |
KR20210047259A (ko) | 2021-04-29 |
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