CN112764319A - 定位装置、曝光装置以及物品的制造方法 - Google Patents

定位装置、曝光装置以及物品的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN112764319A
CN112764319A CN202011134936.5A CN202011134936A CN112764319A CN 112764319 A CN112764319 A CN 112764319A CN 202011134936 A CN202011134936 A CN 202011134936A CN 112764319 A CN112764319 A CN 112764319A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mounting table
positioning device
plate
original plate
wall portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011134936.5A
Other languages
English (en)
Inventor
本间将人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of CN112764319A publication Critical patent/CN112764319A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7019—Calibration
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明提供有利于高精度地测量载置台的位置的定位装置、曝光装置以及物品的制造方法。进行板的定位的定位装置包括：载置台，能够保持所述板并在第1方向上移动；以及测量部，在所述第1方向上射出光，并基于由设置于所述载置台的上表面之上的反射构件反射的光，测量所述载置台在所述第1方向上的位置，所述载置台在所述第1方向上的所述板与所述反射构件之间具有壁部，该壁部用于减少因所述载置台向所述第1方向的移动而所述板的周围的气体侵入到所述测量部的光路的情形，所述壁部构成为其上端比所述板的上表面高，且与所述板以及所述反射构件分离地配置。

Description

定位装置、曝光装置以及物品的制造方法
技术领域
本发明涉及对板进行定位的定位装置、包括该定位装置的曝光装置以及物品的制造方法。
背景技术
作为在液晶面板或半导体器件的制造工序(光刻工序)中使用的装置之一，已知一边使原版与基板相对地扫描一边对基板进行曝光的曝光装置。在这样的曝光装置中，为了在基板上高精度地形成图案，要求提高保持原版、基板的载置台的定位精度，为此需要高精度地测量载置台的位置。
在载置台的位置的测量中，一般能够使用激光干涉仪，但在激光干涉仪中，由于测量光路上的气体的温度、压力、湿度等的波动而引起的测量光路上的折射率的变化可能成为测量精度的降低(测量误差)的主要原因。例如，在原版中，由于在基板的曝光中被照明而温度上升，因此若在原版上产生的热随着原版载置台的移动而向周围扩展并侵入到测量光路，则原版载置台的位置的测量精度可能降低。另外，为了防止原版的模糊，有时用比其周围低湿度的气体(吹扫气体)充满原版的配置空间。即使在这种情况下，若低湿度的气体随着原版载置台的移动而侵入到测量光路，则原版载置台的位置的测量精度也可能降低。
在专利文献1中公开了一种具备干涉仪的测量装置，该干涉仪朝向设置于载置台的侧面的反射镜射出光，接受由反射镜反射的光与参照光的干涉光而检测载置台的位置。在专利文献1所公开的测量装置中，用于将从气体吹出部朝向载置台吹出的气体向干涉仪的光路整流而高效地引导的构造体(整流板)被设置成，从上下夹持该光路的一部分以及反射镜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-209401号公报
如专利文献1所公开的那样，在反射镜和结构体设置于载置台的侧面的结构中，随着载置台的移动，载置台上(例如原版上)的气体有时会流入载置台的侧面。在该情况下，在载置台的侧面的附近的测量光路上，由从气体吹出部吹出并被构造体引导的气体和从载置台上流动来的气体产生紊流(气体的波动)，载置台的位置的测量精度可能降低。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种有利于用于高精度地测量载置台的位置的技术。
用于解决课题的技术方案
为了实现上述目的，作为本发明的一技术方案的定位装置，是对板进行定位的定位装置，其特征在于，该定位装置包括：载置台，能够保持所述板并在第1方向上移动；以及测量部，在所述第1方向上射出光，并基于由设置于所述载置台的上表面之上的反射构件反射的光，测量所述载置台在所述第1方向上的位置，所述载置台在所述第1方向上的所述板与所述反射构件之间具有壁部，该壁部用于减少因所述载置台向所述第1方向的移动而所述板的周围的气体侵入到所述测量部的光路的情形，所述壁部构成为其上端比所述板的上表面高，且与所述板以及所述反射构件分离地配置。
本发明的进一步的目的或其它的技术方案能够通过以下参照附图说明的优选的实施方式来明确。
发明效果
根据本发明，例如能够提供一种有利于用于高精度地测量载置台的位置的技术。
附图说明
图1是表示曝光装置的结构的概略图。
图2是表示第1实施方式的定位装置的结构的概略图。
图3是用于说明第1实施方式的定位装置的效果的图。
图4是表示壁部的变形例的图。
图5是表示第2实施方式的定位装置的结构的概略图。
图6是表示第3实施方式的定位装置的结构的概略图。
图7是表示第4实施方式的定位装置的结构的概略图。
图8是表示第4实施方式的定位装置的变形例的概略图。
附图标记说明
10：定位装置、11：原版载置台、12：测量部、13：反射构件、16：支承部、17：壁部、18：罩构件。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明实施方式。此外，以下的实施方式并不限定权利要求书所涉及的发明。在实施方式中记载有多个特征，但这些多个特征未必都是发明所必须的特征，另外，多个特征也可以任意地组合。并且，在附图中，对相同或同样的结构标注相同的附图标记，并省略重复的说明。
[第1实施方式]
[曝光装置的结构]
对本发明的第1实施方式进行说明。图1是表示本实施方式的曝光装置100的整体结构的概略图。本实施方式的曝光装置100是通过一边扫描原版M和基板W一边对基板W进行曝光，从而将原版M的图案转印到基板上的步进扫描方式的曝光装置。这样的曝光装置100也被称为扫描曝光装置或扫描仪。在本实施方式中，原版M例如是石英制的掩模(中间掩模)，形成有要向基板W中的多个投射区域的每一个转印的电路图案。另外，基板W是涂敷有光致抗蚀剂的晶圆，例如能够使用单晶硅基板等。
曝光装置100能够包括照明光学***IO、能够保持原版M并移动的原版载置台11、投影光学***PO、能够保持基板W并移动的基板载置台21、以及控制部CNT。控制部CNT例如由具有CPU、存储器的计算机构成，并且与装置内的各部电连接，统一控制装置整体的动作。在此，在以下的说明中，将与从照明光学***IO射出并向原版M入射的光的光轴平行的轴向设为Z轴方向，将在与该光轴垂直的面内相互正交的2个轴向设为X轴方向以及Y轴方向。
照明光学***IO将从水银灯、ArF受激准分子激光器、KrF受激准分子激光器等光源LS射出的光整形为例如带状或圆弧状的狭缝光，利用该狭缝光对原版M的一部分进行照明。透过了原版M的一部分的光作为反映了该原版M的一部分的图案的图案光入射到投影光学***PO。投影光学***PO具有规定的投影倍率，通过图案光将原版M的图案投影到基板上(具体而言，基板上的抗蚀剂)。原版M和基板W分别由原版载置台11和基板载置台21保持，且分别配置在经由投影光学***PO光学共轭的位置(投影光学***PO的物体面和像面)上。控制部CNT一边使原版载置台11以及基板载置台21相互同步一边以与投影光学***PO的投影倍率对应的速度比进行相对扫描(在本实施方式中，将原版M以及基板W的扫描方向设为Y轴方向(第1方向))。由此，能够将原版M的图案转印到基板上。
[定位装置的结构]
接着，对进行板的定位的定位装置进行说明。在本实施方式中，对作为板进行原版M的定位的定位装置10进行说明，但在作为板进行基板W的定位的情况下也能够应用同样的结构的定位装置。
图2是表示本实施方式的定位装置10A的结构的概略图。图2(a)表示定位装置10A的侧视图，图2(b)表示定位装置10A的俯视图。定位装置10A例如能够包括：原版载置台11，能够保持原版M并至少在Y轴方向(第1方向)上移动；以及测量部12，对Y轴方向上的原版载置台11的位置进行测量。
测量部12例如由激光干涉仪构成，向设置于原版载置台11的反射构件13(反射镜)射出光，基于来自该反射构件13的反射光与参照光的干涉，能够测量Y轴方向上的原版载置台11的位置。在图2所示的例子中，多个(2个)测量部12在X轴方向上分离地配置。这样，通过使用多个测量部12，也能够测量在θ方向(绕Z轴的旋转方向)上的原版载置台11的旋转。另外，反射构件13能够设置在原版载置台11的上表面S上。在本实施方式的情况下，如图2所示，反射构件13由从原版载置台11的上表面S向+Z方向突出的支承部16支承。在此，所谓原版载置台11的上表面S，例如是原版载置台11中的包括保持原版M的保持面在内的面。
在定位装置10A中，若在从测量部12射出的光的光路(测量光路)12a中产生气体的温度、湿度等的波动(气氛波动)，则因此测量光路12a的折射率变化，有时产生测量精度的降低(测量误差)。因此，在本实施方式的定位装置10A中，能够设置吹出用于使测量光路12a的气氛稳定化的气体14a的吹出部14。吹出部14例如能够以在测量部12的测量光路12a中形成沿着Y轴方向的气体的流动的方式朝向原版载置台11吹出气体。从吹出部14吹出的气体14a除了使测量光路12a的气氛稳定化之外，有时还用于防止原版M的模糊或冷却原版载置台11。作为从吹出部14吹出的气体14a，例如可以使用清洁空气、清洁干燥空气、氮气等温度、湿度被保持(调整)为规定范围内的清洁的气体。
另外，由于原版M在基板W的曝光中被照明而温度上升，因此当在原版M上产生的热随着原版载置台11的移动而向周围扩散并侵入到测量光路12a时，测量部12对原版载置台11的位置的测量精度可能降低。另外，为了防止原版M的模糊，有时用比其周围低湿度的气体(吹扫气体)充满原版M的配置空间。即使在这种情况下，若低湿度的气体随着原版载置台11的移动而侵入到测量光路，则测量部12对原版载置台11的位置的测量精度也可能降低。另外，以下有时将来自原版M的带有热量的气体和供给到原版M的配置空间的气体(吹扫气体)统称为“原版M的周围气体”。
因此，在本实施方式的定位装置10A中，在原版载置台11的上表面S的反射构件13(支承部16)与原版M之间设置有壁部17。通过这样设置壁部17，能够减少伴随着原版载置台11的移动而原版M的周围气体移动并侵入到测量光路12a的情形。具体而言，如图3所示，当原版载置台11按照箭头标记V移动时，原版M的周围气体开始向朝向测量光路12a的方向(-X方向)移动。可是，开始移动的原版M的周围气体如箭头标记A所示碰撞到壁部17，其移动方向(流动的朝向)被改变为远离测量光路12a的方向。因此，能够减少(防止)原版M的周围气体侵入到测量光路12a的情形。
壁部17构成为其高度(Z轴方向)高于原版M的上表面。壁部17的高度越高，越能够将原版M的周围气体的移动方向引导(变换)为远离测量光路12a的方向，使该周围气体的流动与测量光路12a之间的距离增加。这样，若使原版M的周围气体的流动与测量光路12a之间的距离增加，则能够减少原版M的周围气体侵入到测量光路12a的情形。并且，在该情况下，能够利用从吹出部14吹出的气体14a使原版M的周围气体的流动从测量光路12a进一步分离，因此能够进一步减少原版M的周围气体侵入到测量光路12a的情形。
另外，壁部17的宽度(X轴方向的长度)可以为原版M的宽度(X轴方向的长度)以上。壁部17的宽度越宽，越能够将移动的原版M的周围气体向远离测量光路12a的方向引导而使该周围气体的流动与测量光路12a之间的距离增加。另外，X轴方向能够定义为在与原版载置台11的上表面S平行的面内与扫描方向(X轴方向、第1方向)垂直的方向(第2方向)。在此，如上所述，壁部17的高度越高越好，壁部17的宽度越宽越好，但壁部17的高度和宽度例如能够根据原版载置台11的尺寸或原版载置台11能够移动的空间的尺寸来决定。
从Z轴方向观察(俯视时)，壁部17不限于矩形形状，也可以具有能够增加改变原版M的周围气体的移动方向的效果的其它的形状。图4(a)～(d)表示壁部17的形状例。图4(a)所示的壁部17具有X轴方向侧的端部向远离原版M的方向(+Y方向)折弯成“L”字状的形状。图4(b)所示的壁部17具有X轴方向侧的端部向朝向原版M的方向(-Y方向)折弯成“L”字状的形状。图4(c)所示的壁部17具有X轴方向侧的端部向远离原版M的方向(+Y方向)折弯成“く”字状的形状。图4(d)所示的壁部17具有X轴方向侧的侧面倾斜的形状(即，俯视时的形状具有梯形形状)。另外，壁部17的形状并不限定于具有曲率或厚度局部不同等图4所示的形状。另外，在利用壁部17处的空气阻力而对原版载置台11的移动造成影响的情况下，也可以将壁部17设为倾斜形状，以使得该空气阻力比期望值小。
另一方面，从吹出部14吹出的气体14a的流动也能够通过壁部17而变化。如上所述，为了使测量光路12a的气氛稳定化而减少测量精度的降低，气体14a被供给到测量光路12a。因此，若在测量光路12a中气体14a的流动局部地变化，则在该部分，折射率变化，测量精度可能降低。例如，当从吹出部14吹出的气体14a碰撞到壁部17时，在壁部17的附近，气体14a的流动可能发生变化。另外，壁部17附近的气体14a随着原版载置台11的移动而被壁部17推出或拉拽，因此有时成为紊乱的流动(紊流)。若在测量光路12a中产生这样的气体14a的流动的变化、紊流，则可能引起测量精度的降低。
因此，本实施方式的壁部17在Y轴方向上与反射构件13(支承部16)分离地配置。例如，壁部17可以在Y轴方向上配置于比原版M与反射构件13(支承部16)的中间位置靠原版侧(板侧)的位置。这样，通过将壁部17与反射构件13(支承部16)分离配置，能够降低壁部17的附近的气体14a的流动的变化、紊流对测量测光路12a造成的影响，能够减少测量精度的降低。并且，通过壁部17而使气体14a的流动发生变化的方向成为远离测量光路12a的方向，因此通过这样的变化后的气体14a的流动，能够增加使越过壁部17而来的原版M的周围气体远离测量光路12a的效果。
接着，对通过模拟来确认在原版M与反射构件13(支承部16)之间设置壁部17的效果的结果进行说明。在模拟中，将原版M的尺寸设为152mm×152mm。另外，将壁部17设为180mm宽度(X轴方向的长度)以及26mm高度，设置于距原版载置台11的上表面S的原版M的端部35mm的位置。在该情况下，在基板W的曝光中原版M的温度上升1.4℃时，与未设置壁部17的情况相比，成为由原版M的温度引起的测量光路12a的波动改善了45％的结果。
如上所述，在本实施方式的定位装置10A中，在原版载置台11的上表面的原版M与反射构件13之间设置有壁部17。另外，壁部17构成为其上端比原版M的上表面高，与原版M和反射构件13(支承部16)分离地配置。根据该结构，能够减少在曝光中在原版M产生的热、对原版M供给的吹扫气体等原版M的周围气体侵入到测量部12的测量光路12a的情形。因此，能够降低由测量光路12a的气氛波动引起的测量部12的测量误差，高精度地对原版M进行定位。在此，在本实施方式的结构中，也可以调换测量部12和反射构件13的位置。即，在本实施方式中，在原版载置台11的上表面S设置了反射构件13，但也可以在原版载置台11的上表面S设置测量部12。
[第2实施方式]
对本发明的第2实施方式进行说明。本实施方式是基本上延续了第1实施方式的实施方式，但在还具有包围测量部12的测量光路12a的一部分的罩构件18这一点上与第1实施方式不同。以下，对具有罩构件18的本实施方式的定位装置10B进行说明。
图5是表示本实施方式的定位装置10B的结构的概略图。图5(a)表示定位装置10B的侧视图，图5(b)表示定位装置10B的俯视图。本实施方式的原版载置台11在其上表面S具有包围(覆盖)测量光路12a的一部分的罩构件18。为了进一步降低越过壁部17而来的原版M的周围气体对测量光路12a造成的影响，即，为了调整在原版载置台11上的气体的流动而实现测量光路12a的气氛的稳定化而能够设置罩构件18。
本实施方式的罩构件18能够以在罩构件18与壁部17之间形成间隙19的方式配置于原版载置台11的上表面S。通过这样从壁部17隔开间隙19地配置罩构件18，能够使从吹出部14吹出并通过了罩构件18的气体14a从该间隙19排出，并沿着壁部17流动。即，能够进一步增加使越过壁部17移动来的原版M的周围气体远离测量光路12a的效果。
罩构件18与壁部17之间的间隙19越窄，越能够增加从该间隙19排出的气体14a的流速，增加使原版M的周围气体远离测量光路12a的效果。另一方面，若使间隙19变窄，则从吹出部14吹出的气体14a在罩构件18的内部停滞，有时引起测量光路12a的气氛波动。因此，本实施方式的罩构件18在X轴方向侧的侧面具有用于排出通过内部的气体的开口部18a。开口部18a可以形成在壁部17侧，优选可以形成在Y轴方向上的反射构件13与壁部17之间。另外，优选开口部18a在Y轴方向上配置在尽可能远离反射构件13的位置。这是为了即使原版M的周围气体越过壁部17而从开口部18a侵入到罩构件18的内部，也减少对测量光路12a造成影响的情况。
在此，罩构件18也可以与壁部17一体地构成。在该情况下，也能够相对于该一体构成的构件形成与间隙19以及开口部18a对应的开口、切口等。另外，开口部18a也可以与罩构件18和壁部17之间的间隙19的狭窄无关地形成。并且，如图5所示，本实施方式的罩构件18构成为包围在X轴方向上分离配置的多个反射构件13(测量光路12a)，但不限于此，也可以构成为分别包围多个反射构件13的每一个。
如上所述，本实施方式的定位装置10B具有相对于壁部17隔开间隙19地设置于原版载置台11的上表面S的罩构件18。另外，罩构件18也可以具有形成于X轴方向侧的侧面的开口部18a。根据该结构，能够使从吹出部14吹出并通过了罩构件18的气体14a从该间隙19排出，并沿着壁部17流动，因此能够进一步减少原版M的周围气体侵入到测量部12的测量光路12a的情形。
[第3实施方式]
对本发明的第3实施方式进行说明。在本实施方式中，对构成为向配置有原版M的空间(以下称为原版M的配置空间)供给吹扫气体的定位装置10C的结构例进行说明。另外，本实施方式只要没有特别提及，则基本延续第1～第2实施方式。
图6是表示本实施方式的定位装置10C的结构的概略图。图6(a)表示定位装置10C的侧视图，图6(b)表示定位装置10C的俯视图。本实施方式的定位装置10C例如在向原版M的配置空间供给吹扫气体(作为一例为低湿度的气体)的情况下是有用的。
本实施方式的定位装置10C构成为使原版载置台11在第1面构件31与第2面构件32之间移动。第1面构件31例如是被照明光学***IO支承并在XY方向上扩展的构件，第2面构件32例如是被投影光学***PO支承并在XY方向上扩展的构件。第1面构件31和第2面构件32以相对于原版载置台11的间隙尽可能变窄的方式配置。由此，能够减少供给到原版M的配置空间的吹扫气体33从第1面构件31与原版载置台11的间隙、以及第2面构件32与原版载置台11的间隙脱出。
另外，原版载置台11具有反射构件13(支承部16)、壁部17、罩构件18以及间隙规定构件34。反射构件13(支承部16)及壁部17如在第1～第2实施方式中说明的那样设置在原版载置台11的上表面S上。如在第2实施方式中说明的那样，罩构件18以相对于壁部17形成间隙19的方式设置于原版载置台11的上表面S，在X轴方向侧的侧面具有开口部18a。并且，在本实施方式的情况下，罩构件18能够以相对于第1面构件31形成窄间隙的方式构成为与壁部17相同的高度。间隙限定构件34是用于相对于第1面构件31形成窄间隙的构件，以原版M的配置空间为基准(中心)而配置在壁部17以及罩构件18的相反侧(原版M的配置空间的-Y方向侧)。间隙限定构件34能够构成为与壁部17以及罩构件18相同的高度。
这样，通过构成原版载置台11，能够减少供给到原版M的配置空间的吹扫气体33脱出的情形。另外，能够减少吹扫气体33经由壁部17与第1面构件31之间的间隙以及壁部17与罩构件18之间的间隙而侵入到测量光路12a的情形。在此，优选罩构件18的开口部18a的面积(总面积)大于壁部17与罩构件18的间隙的面积(总面积)。这是因为，在本实施方式的结构中，由于气体14a难以从壁部17与罩构件18的间隙排出，因此在罩构件18的内部气体14a停滞，容易引起测量光路12a的气氛波动。另外，开口部18a可以在Y轴方向上形成在反射构件13与壁部17之间。在该情况下，开口部18a优选在Y轴方向上形成于尽可能远离反射构件13的位置。这是为了在反射构件13附近的测量光路12a中抑制气体14a的急剧的流速变化，降低测量光路12a的气氛波动。
[第4实施方式]
对本发明的第5实施方式进行说明。在本实施方式中，对构成为原版载置台11包括粗动载置台11a和微动载置台11b的定位装置10D的结构例进行说明。需要说明的是，本实施方式只要没有特别提及，则基本延续第1实施方式。另外，本实施方式也可以应用包括在第2实施方式中说明的罩构件18的结构和/或包括在第3实施方式中说明的第1面构件31和第2面构件32的结构。
图7是表示本实施方式的定位装置10D的结构的概略图。图7(a)表示定位装置10D的侧视图，图7(b)表示定位装置10D的俯视图。本实施方式的定位装置10D中的原版载置台11能够包括粗动载置台11a和微动载置台11b。
粗动载置台11a具有用于相对于基座41至少在Y轴方向上相对移动的驱动机构42(致动器)。并且，Y轴方向上的粗动载置台11a的位置由第2测量部43测量。第2测量部43例如由激光干涉仪构成，朝向设置于粗动载置台11a的反射构件44射出光，基于来自该反射构件44的反射光与参照光的干涉，能够测量Y轴方向上的粗动载置台11a的位置。在图7中，示出了第2测量部43的测量光路43a。在此，在本实施方式中，反射构件44设置于粗动载置台11a的侧面，但也可以设置于粗动载置台11a的上表面。
另外，微动载置台11b具有用于保持原版M并且相对于粗动载置台11a至少在Y轴方向上相对移动的驱动机构45(致动器)。在本实施方式的情况下，反射构件13(支承部16)以及壁部17设置于微动载置台11b的上表面S。并且，壁部17以在反射构件13(支承部16)与原版M之间与反射构件13及原版M分离的方式被微动载置台11b支承。
在此，如图8所示，壁部17也可以不由微动载置台11b支承，而由粗动载置台11a支承。图8是表示壁部17被粗动载置台11a支承的结构的定位装置10E的结构的概略图。图8(a)表示定位装置10E的侧视图，图8(b)表示定位装置10E的俯视图。在图8所示的定位装置10E中，壁部17经由支承构件46被粗动载置台11a支承。具体而言，壁部17以在反射构件13(支承部16)与原版M之间与反射构件13及原版M分离的方式，经由支承构件46由粗动载置台11b支承。
根据本实施方式的定位装置10D～10E的结构，也能够减少原版M的周围气体侵入到测量部12的测量光路12a的情形。因此，能够降低由于测量光路12a中的气氛波动而引起的测量部12的测量误差，从而能够高精度地对原版M进行定位。
[物品的制造方法的实施方式]
本发明的实施方式的物品的制造方法例如适合于制造半导体器件等微器件、具有微细构造的元件等物品。本实施方式的物品的制造方法包括：使用上述曝光装置在涂敷于基板的感光剂上形成潜像图案的工序(对基板进行曝光的工序)；以及对在该工序中形成有潜像图案的基板进行显影(加工)的工序。而且，该制造方法包括其它的公知的工序(氧化、成膜、蒸镀、掺杂、平坦化、蚀刻、抗蚀剂剥离、切割、接合、封装等)。本实施方式的物品的制造方法与以往的方法相比，在物品的性能、品质、生产率、生产成本中的至少1个方面是有利的。
本发明并不限定于上述实施方式，能够在不脱离发明的精神和范围的情况下进行各种变更和变形。因此，为了公开发明的范围而添加权利要求。

Claims (13)

1.一种定位装置，对板进行定位，其特征在于，
该定位装置包括：
载置台，能够保持所述板并在第1方向上移动；以及
测量部，在所述第1方向上射出光，并基于由设置于所述载置台的上表面之上的反射构件反射的光，测量所述载置台在所述第1方向上的位置，
所述载置台在所述第1方向上的所述板与所述反射构件之间具有壁部，该壁部用于减少因所述载置台向所述第1方向的移动而所述板的周围的气体侵入到所述测量部的光路的情形，
所述壁部构成为其上端比所述板的上表面高，且与所述板以及所述反射构件分离地配置。
2.根据权利要求1所述的定位装置，其特征在于，
所述壁部在所述第1方向上配置于比所述板与所述反射构件的中间位置靠所述板所在侧的位置。
3.根据权利要求1所述的定位装置，其特征在于，
所述反射构件由从所述载置台的上表面突出的支承部支承，
所述壁部与所述支承部分离地配置。
4.根据权利要求1所述的定位装置，其特征在于，
所述载置台的上表面是包括保持所述板的保持面在内的面。
5.根据权利要求1所述的定位装置，其特征在于，
在与所述载置台的上表面平行的面内与所述第1方向垂直的第2方向上，所述壁部的长度为所述板的长度以上。
6.根据权利要求1所述的定位装置，其特征在于，
所述载置台具有包围所述测量部的光路的一部分的罩构件，
在所述罩构件与所述壁部之间形成有用于从所述罩构件的内部排出气体的间隙。
7.根据权利要求6所述的定位装置，其特征在于，
所述罩构件在与所述第1方向垂直的第2方向侧的侧面具有用于从该罩构件的内部排出气体的开口部。
8.根据权利要求7所述的定位装置，其特征在于，
所述罩构件在所述第1方向上的所述反射构件与所述壁部之间具有所述开口部。
9.根据权利要求1所述的定位装置，其特征在于，
所述载置台包括：粗动载置台；以及微动载置台，保持所述板并且相对于所述粗动载置台进行相对移动，
所述壁部由所述微动载置台支承。
10.根据权利要求1所述的定位装置，其特征在于，
所述载置台包括：粗动载置台；以及微动载置台，保持所述板并且相对于所述粗动载置台进行相对移动，
所述壁部由所述粗动载置台支承。
11.根据权利要求1所述的定位装置，其特征在于，
所述定位装置还包括吹出部，该吹出部朝向所述载置台吹出气体，以在所述测量部的光路上形成沿着所述第1方向的气体的流动。
12.一种曝光装置，一边扫描原版和基板一边对所述基板进行曝光，其特征在于，
该曝光装置包括权利要求1至11中任一项所述的定位装置，
所述定位装置对作为所述板的所述原版及所述基板的至少一方进行定位。
13.一种物品的制造方法，其特征在于，
该物品的制造方法包括：
使用权利要求12所述的曝光装置对基板进行曝光的工序；以及
对在所述工序中进行了曝光的所述基板进行显影的工序，
从显影后的所述基板制造物品。
CN202011134936.5A 2019-10-21 2020-10-21 定位装置、曝光装置以及物品的制造方法 Pending CN112764319A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019-192133 2019-10-21
JP2019192133A JP7469864B2 (ja) 2019-10-21 2019-10-21 位置決め装置、露光装置、および物品の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112764319A true CN112764319A (zh) 2021-05-07

Family

ID=75637210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011134936.5A Pending CN112764319A (zh) 2019-10-21 2020-10-21 定位装置、曝光装置以及物品的制造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7469864B2 (zh)
KR (1) KR20210047259A (zh)
CN (1) CN112764319A (zh)
TW (1) TWI811569B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1137895A (ja) * 1997-07-17 1999-02-12 Nikon Corp 反射率測定センサの検査方法
US20070085990A1 (en) * 2005-10-11 2007-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JP2009141190A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2012164785A (ja) * 2011-02-07 2012-08-30 Canon Inc インプリント装置、および、物品の製造方法
JP2012209401A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Canon Inc 計測装置、リソグラフィ装置及びデバイスの製造方法。
CN108614392A (zh) * 2016-12-13 2018-10-02 佳能株式会社 平版印刷装置、物品的制造方法以及测量装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3089802B2 (ja) * 1992-04-01 2000-09-18 株式会社ニコン ステージの位置計測装置、投影露光装置及び投影露光方法
JP2001160531A (ja) * 1999-12-01 2001-06-12 Canon Inc ステージ装置
JP2004241478A (ja) 2003-02-04 2004-08-26 Nikon Corp 露光方法及びその装置、並びにデバイス製造方法
JP2010161116A (ja) 2009-01-06 2010-07-22 Canon Inc 位置決め装置、それを用いた露光装置及びデバイスの製造方法
JP5002613B2 (ja) * 2009-03-31 2012-08-15 株式会社東芝 Ｘｙステージ装置
NL2015639A (en) * 2014-11-28 2016-09-20 Asml Netherlands Bv Encoder, position measurement system and lithographic apparatus.
JP2017111243A (ja) 2015-12-15 2017-06-22 キヤノン株式会社 ステージ装置、リソグラフィ装置、及び物品の製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1137895A (ja) * 1997-07-17 1999-02-12 Nikon Corp 反射率測定センサの検査方法
US20070085990A1 (en) * 2005-10-11 2007-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JP2009141190A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Nikon Corp 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
JP2012164785A (ja) * 2011-02-07 2012-08-30 Canon Inc インプリント装置、および、物品の製造方法
JP2012209401A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Canon Inc 計測装置、リソグラフィ装置及びデバイスの製造方法。
CN108614392A (zh) * 2016-12-13 2018-10-02 佳能株式会社 平版印刷装置、物品的制造方法以及测量装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021067775A (ja) 2021-04-30
JP7469864B2 (ja) 2024-04-17
TW202117465A (zh) 2021-05-01
TWI811569B (zh) 2023-08-11
KR20210047259A (ko) 2021-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8964166B2 (en) Stage device, exposure apparatus and method of producing device
JP2000012453A (ja) 露光装置及びその使用方法、露光方法、並びにマスクの製造方法
JP2020112695A (ja) 露光装置、露光方法および、物品製造方法
JP5369443B2 (ja) ステージ装置、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
US20010006422A1 (en) Stage system in projection exposure apparatus
JP2009021498A (ja) 露光装置、液浸システム、及びデバイス製造方法
JP2008288506A (ja) 調整方法、露光装置、及びデバイス製造方法
CN112764319A (zh) 定位装置、曝光装置以及物品的制造方法
JP2013083655A (ja) 露光装置、及びデバイス製造方法
JP7385421B2 (ja) 露光装置、および物品製造方法
JP2008300770A (ja) 露光装置、露光方法、リソグラフィシステム、デバイス製造システム、デバイスの製造方法、及び基板処理方法
JP2020042255A (ja) 露光装置、および物品の製造方法
WO2002047132A1 (fr) Dispositif et procede d'exposition par projection de rayons x et dispositif a semi-conducteurs
JP5414288B2 (ja) 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
JP2007299864A (ja) 保持方法及び保持装置、パターン形成方法及びパターン形成装置、デバイス製造方法
JP2019032552A (ja) 露光装置、露光方法、デバイス製造方法
US10725388B2 (en) Exposure apparatus and method of manufacturing article
JP7033168B2 (ja) 露光装置、および物品の製造方法
JP5612810B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP6418281B2 (ja) 露光装置
JP2001230192A (ja) 投影露光装置及びデバイスの製造方法
JP2009238922A (ja) 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP2011124415A (ja) 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
JP2017015995A (ja) 露光装置及び物品の製造方法
JP2004311773A (ja) 位置検出装置、露光装置およびそれを用いたデバイス製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination