TW202244461A - 測量設備、曝光設備及物品製造方法 - Google Patents

Abstract

本發明涉及測量設備、曝光設備和物品製造方法。提供了一種用於測量物體的高度位置的測量設備。該設備包括將測量光投影到物體上的光投影器、接收被物體反射的測量光的光接收器、以及基於由光接收器接收到的測量光的影像確定物體的高度位置的處理器。光投影器將粗糙檢測圖案和具有週期性圖案的精細檢測圖案投影到物體上，並且處理器基於由光接收器接收到的粗糙檢測圖案確定物體的高度位置的粗糙檢測值，以及基於粗糙檢測值和由光接收器接收到的精細檢測圖案確定物體的高度位置的精細檢測輸出值。

Description

測量設備、曝光設備及物品製造方法

本發明關於一種測量設備、曝光設備和物品製造方法。

諸如半導體裝置和液晶顯示裝置之類的微裝置透過微影方法製造，在微影方法中將形成在原件(original)上的圖案轉移到基板。在微影製程中使用的曝光設備具有用於支撐原件的原件台(original stage)和用於支撐基板的基板台，並且在依次移動原件台和基板台的同時透過投影光學系統(projection optical system)將原件的圖案轉移到基板。在曝光設備中，每次基板上的相應曝光目的地區域(壓射區域(shot region))被基板台移動到投影光學系統下方的曝光位置時，投影光學系統的焦點與基板的平面位置(高度位置)之間的偏差被測量設備檢測，並且基板的平面位置被校正和聚焦。 日本專利No. 6491833公開了透過使用其長度、間隔和寬度以逐步方式改變的測量狹縫來執行對作為目標物體的基板的高度的測量。日本專利特許公開No. 2018-179665公開了透過同時投影條紋圖案和固定圖案來使用固定圖案獲得條紋圖案的相位。日本專利No. 5443303描述了透過預先測量長週期圖案和短週期圖案之間的相位關係來執行少量的高精度的高度測量。 但是，因為根據日本專利No. 6491833的技術使檢測目標的區域中的圖案改變，所以在測量準確度方面可能是不利的。根據日本專利特許公開No. 2018-179665的技術，由於需要使條紋圖案的投影位置與固定圖案的投影位置相匹配，因此測量點密度可能會與固定圖案成比例地減小。此外，根據日本專利No. 5443303的技術，由於在改變週期性圖案的相位的同時進行投影的步驟需要被執行至少四次，因此這在測量時間即輸貫量(throughput)方面可能是不利的。

本發明提供例如有利於實現高精度測量和高輸貫量二者的測量設備。 本發明在其第一方面提供了一種用於測量物體的高度位置的測量設備，該設備包括被配置為將測量光投影到物體上的光投影器(light projector)、被配置為接收被物體反射的測量光的光接收器、以及被配置為基於由光接收器接收到的測量光的影像確定物體的高度位置的處理器，其中光投影器被配置為將粗糙檢測圖案和具有週期性圖案的精細檢測圖案投影到物體上，並且處理器被配置為基於由光接收器接收到的粗糙檢測圖案確定物體的高度位置的粗糙檢測值，以及基於粗糙檢測值和由光接收器接收到的精細檢測圖案確定物體的高度位置的精細檢測輸出值。 根據對示例性實施例的以下描述(參考所附圖式)，本發明的其它特徵將變得清楚。

在下文中，將參考所附圖式詳細描述實施例。注意的是，以下實施例並非旨在限制要求保護的發明的範圍。實施例中描述了多個特徵，但並不限於需要所有這些特徵的發明，並且多個這樣的特徵可以適當地組合。此外，在所附圖式中，相同的所附圖式符號被賦予相同或相似的配置，並且省略對其的冗餘描述。 ＜第一實施例＞ 圖1是圖示根據實施例的應用了本發明的測量設備的曝光設備100的配置的圖。圖2是圖示基板3的壓射佈局和對準標記的圖。在本說明書和所附圖式中，方向在XYZ座標系中示出，其中水平平面是XY平面。一般而言，基板3被放置在基板台4上，使得基板3的表面平行於水平平面(XY平面)。因此，在以下描述中，將在沿著基板3的表面的平面中相互正交的方向定義為X軸和Y軸，並且將垂直於X軸和Y軸的方向定義為Z軸。在下面的描述中，平行於XYZ座標系中的X軸、Y軸和Z軸的方向被稱為X方向、Y方向和Z方向，並且繞X軸、Y軸和Z軸的旋轉方向分別被稱為θx方向、θy方向和θz方向。 在圖1中，曝光設備100包括保持原件1的原件台2、保持基板3並且可移動的基板台4、以及用曝光光(exposure light)照射保持在原件台2中的原件1的照明光學系統5。曝光設備100還包括：投影光學系統6，其將被曝光光照射的原件1的圖案投影到由基板台4保持的基板3上並對圖案進行曝光；以及控制器20，其共同地控制整個曝光設備的操作。控制器20可以包括例如CPU 21和記憶體22。記憶體22儲存各種控制資料、由CPU 21執行的曝光設備的控制程式，等等。 曝光設備100可以是例如掃描曝光設備(掃描器)，其在沿著掃描方向(例如，Y方向)彼此同步地移動原件1和基板3的同時對基板3進行曝光。替代地，曝光設備100可以是一種類型的曝光設備(步進機(stepper))，其在固定原件1的狀態下對基板3進行曝光並且逐步移動基板3以對下一個壓射區域進行曝光。 原件1中的預定照明區域由照明光學系統5使用具有均勻照度分佈的曝光光照射。照明光學系統5中的光源可以是汞燈、KrF準分子雷射、ArF準分子雷射、F2雷射等。替代地，為了製造更小的半導體元件等，照明光學系統5可以發射波長為幾奈米(nm)至百nm的極紫外光(Extreme Ultra Violet：EUV光)。 原件台2是可在XY平面中移動的，並且可以在θz方向上微小地旋轉。原件台2由諸如線性馬達之類的原件台驅動設備(未示出)驅動，並且原件台驅動設備由控制器20控制。原件台2上設有鏡7。此外，用於測量鏡7的位置的XY平面雷射干涉儀9設在面對鏡7的位置處。雷射干涉儀9即時測量原件台2上的原件1的二維位置和旋轉角度，並將測量結果輸出到控制器20。控制器20基於雷射干涉儀9的測量結果控制原件台驅動設備，並執行原件台2(即原件1)的定位。 投影光學系統6以預定的投影倍率將原件1的圖案投影到基板3上，並且可以包括多個光學元件。投影光學系統6可以是具有例如1/4或1/5的投影倍率的縮小投影系統。 基板台4包括用於經由基板卡盤(未示出)保持基板3的θz傾斜台、用於支撐θz傾斜台的XY台(未示出)和用於支撐XY台的底座(未示出)。基板台4由諸如線性馬達之類的基板台驅動設備(未示出)驅動。基板台驅動設備由控制器20控制。此外，與基板台4一起移動的鏡8設在基板台4上。此外，設有在面向鏡8的位置處用於X和Y軸測量的雷射干涉儀10，並且設有用於Z方向測量的雷射干涉儀12。基板台4的X軸位置和Y軸位置以及θz由雷射干涉儀10即時測量，並且測量結果被輸出到控制器20。此外，雷射干涉儀12即時測量基板台4的Z軸位置、θx和θy，並將測量結果輸出到控制器20。控制器20基於雷射干涉儀10和12的測量結果控制基板台驅動設備，並執行基板台4(即，基板3)的定位。 原件對準檢測系統13設在原件台2附近。原件對準檢測系統13檢測原件1的原件基準標記(未示出)和基板台4上的台基準板11上的基板側基準標記17(見圖2)。此外，原件對準檢測系統13安裝有諸如CCD相機之類的光電轉換元件，例如，以檢測來自原件基準標記和基板側基準標記17的反射光。基於光電轉換元件的訊號，執行原件與基板之間的對準。此時，透過調整原件基準標記和基板側基準標記17的位置和聚焦，可以調整原件與基板之間的相對位置關係(X、Y、Z)。順便提及，基板側基準標記17可以是透射的或反射的。在基板台4的角落處的台基準板11安裝在與基板3的表面大致相同的高度處。 離軸(OA)檢測系統16包括用於將測量光照射到基板3上的基板對準標記19(見圖2)和台基準板11上的OA檢測系統基準標記18(見圖2)的照射器(irradiator)。OA檢測系統16內部還包括用於接收來自這些標記的反射光的光接收器、檢測基板對準標記19和OA檢測系統基準標記18的位置。 作為聚焦/傾斜檢測系統的測量設備15透過將測量光投影到作為目標物體(物體)的基板3的表面上並接收由基板3反射的測量光來測量基板3在高度方向(Z軸)上的表面位置(高度位置)。這裡，測量設備15被配置為由控制器20控制，但是測量設備15可以設有專用控制器。 參考圖3A，將詳細描述測量設備15。測量設備15可以包括將測量光投影到基板3的光投影器110和接收被基板3反射的測量光的光接收器120。由光接收器120接收到的測量光的影像的訊號被傳送到作為處理器的控制器20，並且控制器20基於接收到的訊號執行確定基板3的高度位置的處理。 光投影器110可以包括聚光透鏡111、光罩112、透鏡113和鏡114。光接收器120可以包括鏡124、透鏡122和影像截取單元123。影像截取單元123可以包括影像截取元件121，諸如CCD或CMOS。從光源115發射的光被聚光透鏡111會聚以照射光罩112。構成圖案的多個狹縫形成在光罩112中，並且測量光由來自光源115的光經過光罩112形成。穿過光罩112的多個狹縫的光經由透鏡113和鏡114以預定的入射角入射到基板3上。光罩112和基板3相對於透鏡113具有成像關係，並且在基板3上形成光罩112的多個狹縫的空中影像。透鏡113可以用於將光罩112和基板3置於防光(shine-proof)光學關係中。因此，可以透過將光罩112的整個表面聚焦在基板3上來提高測量準確度。在測量基板3的高度時，還可以防止測量值因基板3局部傾斜而發生變化。被基板3反射的測量光經由鏡124和透鏡122重新成像在影像截取單元123的影像截取元件121上，並且獲得與光罩112的多個狹縫對應的狹縫影像的訊號125。透鏡122可以用於將基板3和影像截取元件121置於shine-proof光學關係中。因此，透過將基板3的整個表面聚焦在影像截取元件121上，可以提高測量準確度。在測量基板3的高度時，還可以防止測量值因基板3局部傾斜而發生變化。訊號125被傳送到作為處理器的控制器20。控制器20透過檢測在影像截取元件121上接收到的訊號125的位置偏差，獲得基板3在Z方向上的位置(高度位置)。 光罩112的多個狹縫的影像透過光投影器110投影到基板3上。在下文中，這被稱為「光投影圖案」。參考圖4A至圖4D，將描述常規技術的基板3上的光投影圖案140。測量設備基於投影到影像截取元件的視場303中的預定的精細檢測區域301上的光投影圖案來精確地確定高度位置。在測量設備中，為了詳細測量基板3的表面的精細檢測區域301中的高度，需要使光投影圖案140的圖案間隔141(圖4A)盡可能窄。當光接收器120接收到光投影圖案140時，圖案影像151出現在影像截取元件121的成像表面上(圖4B)。當使用圖案影像151的訊號的每個峰位置執行高度測量時，測量點的數量與影像截取元件的視場303中的峰位置153的數量的增加成比例地增加。為了增加精細檢測區域301中的測量點的數量，需要使圖案間隔141更窄。 但是，當使光投影圖案140的圖案間隔更窄時，「間距偏差」的問題可能變得顯著。例如，如圖4C中所示，由於基板3的高度變化，因此存在精細檢測區域301中的光投影圖案140相對於圖4A的圖案偏離一個週期的情況。圖4D圖示了此時由光接收器120接收到的圖案影像151，其可以與圖4B中的相同。因此，即使基板3的高度發生變化，由控制器20計算出的精細檢測區域301中的高度的檢測值也可能不變。因此，當具有週期性結構的光投影圖案的投影位置出現一個週期以上的誤差時，不可能準確地執行高度測量。 作為針對這種間距偏差的對策，在本實施例中，光投影器110將不同類型的光投影圖案投影在基板3上。光罩112的平面圖在圖3B中示出。光罩112具有第一區域R1和第二區域R2。例如，第一區域R1是在光罩112的中心的區域，並且第二區域R2可以是與第一區域R1相鄰的區域或在第一區域R1周圍的區域。在第一區域R1中，多個狹縫S1以間隔D1週期性地佈置。當來自光源115的光穿過多個狹縫S1時，具有週期性的精細檢測圖案被投影在基板3上。在第二區域R2中，形成一個或多個狹縫。在圖3B的示例中，在第二區域R2中，多個狹縫S2以大於間隔D1的間隔D2週期性地佈置。來自光源115的光穿過多個狹縫S2，由此粗糙檢測圖案被投影到基板3上。 作為處理器的控制器20基於由光接收器123接收到的粗糙檢測圖案和精細檢測圖案確定基板3的高度位置。例如，控制器20基於由光接收器123接收到的粗糙檢測圖案獲得基板3的高度位置的粗糙檢測值。之後，控制器20基於獲得的粗糙檢測值和由光接收器123接收到的精細檢測圖案確定基板3的高度位置的精細檢測輸出值。 圖5圖示了在該實施例中投影在基板3上的光投影圖案的示例。在圖5中，光投影圖案212由精細檢測圖案210和粗糙檢測圖案220組成。光投影器110使用具有如圖3B中所示的配置的光罩112來投影精細檢測圖案210和粗糙檢測圖案220二者。光投影器110可以同時投影精細檢測圖案210和粗糙檢測圖案220，或者可以投影精細檢測圖案210和粗糙檢測圖案220使得投影粗糙檢測圖案220的時段與投影精細檢測圖案210的時段的至少一部分重疊。精細檢測圖案210被投影到精細檢測區域301上，並且粗糙檢測圖案220被投影到與精細檢測區域301相鄰的粗糙檢測區域302上。在影像截取元件121的視場303中，精細檢測圖案210和粗糙檢測圖案220二者都入射。在影像截取元件121的視場303中，精細檢測圖案210和粗糙檢測圖案220可以同時入射，並且粗糙檢測圖案210入射的時段與精細檢測圖案220入射的時段的至少一部分可以重疊。順便提及，光投影圖案212取決於基板3的高度而在圖案從光投影器110投影到基板3上的方向(從上方沿Z方向觀察的平面圖中的Y方向)上變化，但是不需要整個變化的光投影圖案212適合於影像截取元件121的視場303。控制器20可以接收足夠的圖案光使得可以在精細檢測圖案210和粗糙檢測圖案220中的每一個中執行高度位置的計算就足夠了。 精細檢測圖案210和粗糙檢測圖案220由彼此不同的圖案形成。此外，為了增加精細檢測區域301中的測量點的數量，例如，使精細檢測圖案210的間隔211小於粗糙檢測圖案220的間隔221。使粗糙檢測圖案220的間隔221為在基板3的高度變化的範圍(其被預先確定為測量裝置100的測量範圍)內粗糙檢測圖案220在單個週期內不會變化的長度。因此，由於粗糙檢測圖案220不會引起間距偏差(週期性誤差)，因此粗糙檢測值被唯一地確定。 粗糙檢測圖案220可以是沒有週期性的單一圖案，只要總是可以在控制器20中針對在測量設備100的測量範圍內的基板3的高度變化引起的光投影圖案112的變化執行高度計算即可。作為示例，粗糙檢測圖案220可以是如圖6中所示的點圖案。考慮到基板3的反射率和影像截取元件121的視場303在基板3中的位置的變化、以及由於內部結構造成的漸暈(vignetting)等，可以在多個位置佈置點圖案作為粗糙檢測圖案220，如圖6中所示。 例如，精細檢測圖案210和粗糙檢測圖案220彼此相鄰。因為精細檢測圖案210和粗糙檢測圖案220相鄰，所以可以減小使用精細檢測圖案210的基板3的高度測量與使用粗糙檢測圖案220的基板3的高度測量之間的測量位置差異。 參考圖7，將給出對由控制器20執行的高度位置計算方法的描述。控制器20使用粗糙檢測區域302中的粗糙檢測圖案220獲得基板3的高度位置的粗糙檢測值233。如上所述，由於使粗糙檢測圖案220成為不引起間距偏差(週期性誤差)的圖案，因此唯一地確定粗糙檢測值233。此後，控制器20基於粗糙檢測值233和精細檢測圖案210獲得基板3的高度位置的精細檢測輸出值。具體而言，如下獲得精細檢測輸出值。 控制器20使用精細檢測區域301中的精細檢測圖案210確定在測量範圍內的基板3的多個高度位置候選231。多個高度位置候選231可以包括在沒有間距偏差的情況下檢測到的高度位置和在具有一個週期以上的間距偏差的情況下檢測到的高度位置。由於粗糙檢測圖案測量位置(粗糙檢測區域302)和精細檢測圖案的測量位置(精細檢測區域301)相鄰，因此粗糙檢測值233是接近於在精細檢測區域301中的基板3的實際高度位置230的值。因此，控制器20獲得多個高度位置候選231中的與粗糙檢測值233之間具有最小差異234(最接近粗糙檢測值233)的精細檢測輸出值作為精細檢測輸出值。 因此，可以防止由於間距偏差引起的錯誤檢測，並且實現高精度的高度位置檢測。這種測量技術在輸貫量方面也是有利的，因為不需要像常規技術那樣為了確定高度位置而執行多次投影。 ＜第二實施例＞ 圖8圖示了第二實施例中目標物體上的光投影圖案的示例。當作為目標物體的基板3的高度變化時，基板3上的光投影圖案112被投影的位置發生變化。此時，如果光投影圖案112偏離精細檢測區域301，那麼不可能執行測量。因此，在本實施例中，精細檢測圖案210被投影到基板3的表面的包括精細檢測區域301的比精細檢測區域301大的區域上，使得即使物體的高度變化，也確實可以在精細檢測區域301中觀察到精細檢測圖案210。 在一個示例中，在從上方沿Z方向觀察精細檢測區域301的平面圖中，光投影器110和光接收器120之間的測量光的光軸方向平行於Y方向。在這種情況下，當精細檢測區域301的高度波動時，精細檢測圖案210在精細檢測區域301上投影的位置在Y方向上改變。因此，為了將精細檢測圖案210始終投影到精細檢測區域301上，使精細檢測圖案210在Y方向上的投影範圍大於精細檢測區域301在Y方向上的範圍。 在這種情況下，例如，如圖8中所示，粗糙檢測圖案220被設置於在X方向上分離的位置處，其中精細檢測圖案210介於其間。為了使用粗糙檢測圖案220測量物體的高度，無論精細檢測區域301的高度變化如何，影像截取元件121都必須始終接收粗糙檢測圖案220。如果物體的高度變化，那麼光投影圖案112在Y方向上變化，Y方向是平面圖中測量光的光軸方向。因此，透過沿著垂直於Y方向的X方向佈置粗糙檢測圖案220，該方向為在其上圖案由於物體高度變化而變化的方向，可以減小影像截取元件121的所需尺寸。一般而言，由於影像截取元件的尺寸與價格直接成比例，因此期望影像截取元件的尺寸較小。此外，由於當影像截取元件的圖元數量增加時傳送速度和計算處理速度增加，並且較大的影像截取元件在測量輸貫量方面不利，因此期望較小的影像截取元件。 ＜第三實施例＞ 圖9圖示了投影到精細檢測區域301的粗糙檢測圖案92和投影到精細檢測區域301附近的粗糙檢測區域302的精細檢測圖案91的示例。精細檢測圖案91是具有第一週期的圖案，並且粗糙檢測圖案92是具有比第一週期長的第二週期的圖案。與圖5的示例相比，圖9中的粗糙檢測圖案92的週期比圖5的粗糙檢測圖案220的週期短。由於粗糙檢測圖案92的週期性圖案越短，可以增加測量點的數量，因此可以以越高的準確度執行高度測量。透過提高使用粗糙檢測圖案92確定的粗糙檢測區域302的高度測量的準確度，可以從使用精細檢測圖案91選擇的多個高度位置候選231中更準確地確定精細檢測區域301的高度位置。 但是，雖然圖5的示例中的粗糙檢測圖案220的週期被設置為不會引起間距偏差的長度，但是圖9的粗糙檢測圖案92的週期比它更短，並且與精細檢測圖案91一樣，存在間距偏差的可能性。因此，在本實施例中，如下獲得高度位置。 參考圖10，將描述本實施例中計算高度位置的方法。控制器20使用粗糙檢測區域302中的粗糙檢測圖案92獲得基板3的高度位置的粗糙檢測值。但是，在本實施例中，由於粗糙檢測圖案92可能導致間距偏差，因此高度位置不是唯一確定的。因此，控制器20使用粗糙檢測圖案92獲得針對在測量範圍內的基板3的高度位置的多個粗糙檢測值候選232。多個粗糙檢測值候選232可以包括在沒有間距偏差的情況下檢測到的粗糙檢測值和在具有一個週期以上的間距偏差的情況下檢測到的粗糙檢測值。接下來，控制器20使用精細檢測圖案91獲得針對在測量範圍內的基板3的高度位置的多個精細檢測輸出值候選231。 接下來，控制器20從多個對當中指定具有差異dmin (高度位置的最小差異d)的對的精細檢測輸出值候選235，每個對包括多個粗糙檢測值候選232之一和多個精細檢測輸出值候選231之一。識別出的精細檢測輸出值候選235最接近實際高度位置230。因此，控制器20獲得指定的精細檢測輸出值候選235作為精細檢測輸出值。 考慮多個粗糙檢測值候選232和多個精細檢測輸出值候選231的組合，測量範圍是從基準狀態直到精細檢測圖案91的週期和粗糙檢測圖案92的週期各自都是確切的整數倍的區間236。因此，在提高精細檢測圖案91和粗糙檢測圖案92的相應的測量準確度的同時，可以進一步擴大精細檢測圖案91的測量範圍。 此外，透過使精細檢測圖案91和粗糙檢測圖案92二者都為週期性圖案，可以對精細檢測圖案91和粗糙檢測圖案92中的每一個使用相同的高度計算方法。因此，由於控制器20中不需要具有多個處理器(未示出)，因此可以透過簡化處理器來降低成本，並且可以透過單個處理來提高處理速度。 ＜第四實施例＞ 如圖2中所示，曝光設備100將原件1的圖案傳送到基板3的多個壓射區域中的每個壓射區域。參考圖11的流程圖，將描述透過曝光設備100曝光基板的方法。 首先，在步驟S21中，基板3被傳送到曝光設備100中，並且在步驟S22中，由OA檢測系統16執行基板3的對準。接下來，在步驟S10中，由測量設備15執行根據上述方法的基板3的表面位置測量，並且例如作為測量結果的表面形狀資料被儲存在記憶體22中。接下來，在步驟S23中，基板3被基板台4定位在用於開始掃描要曝光的壓射區域的位置處。此時，基板台4基於基板3的表面形狀資料控制基板3的在Z方向上的位置(焦點)和傾斜度(傾斜)，使得基板3的表面位置與投影光學系統6的像平面的偏差量減少。在步驟S24中，掃描並曝光要曝光的壓射區域。在該掃描曝光中，控制器20使基板台4控制基板3的Z軸位置(焦點)和傾斜度(傾斜)，以減小與像平面的偏差量。因此，在每個壓射區域的掃描曝光中，能夠與基板3的掃描同步地使基板3的表面與投影光學系統6的像平面相匹配。在步驟S25中，控制器20確定是否存在未曝光的壓射區域。如果存在未曝光的壓射區域，那麼該處理返回到步驟S10以對下一個壓射區域重複該處理。在所有壓射區域的曝光完成之後，在步驟S26中，從曝光設備100卸載基板3。 透過上述曝光方法，曝光設備100將原件1的圖案轉移到基板3的多個壓射區域中的每個壓射區域，如圖2中所示。即，共同的圖案被轉移到每個壓射區域。因此，可以僅在第一次測量基板3的高度位置時執行使用粗糙檢測圖案的測量。此外，當預先設想基板3的高度變化時，可以採用不執行使用粗糙檢測圖案的測量的配置。由於在這種情況下減少了測量點的數量，因此提高了影像截取元件的截取速度和控制器中的高度計算速度。替代地，使用精細檢測圖案的高度測量的測量點的數量可以增加測量點數量減少的量。在這種情況下，可以在不改變高度計算速度的情況下進行高密度的高度測量。 ＜物品製造方法的實施例＞ 例如，根據本發明的實施例的物品製造方法適用於製造諸如微裝置(諸如半導體設備)或具有微結構的元件之類的物品。本實施例的物品製造方法包括使用上述曝光設備在施加到基板的感光劑上形成潛像圖案(latent image pattern)的步驟(對基板進行曝光的第一步驟)和對透過這樣的步驟在其上形成有潛像圖案的基板進行顯影的第二步驟。此外，此類製造方法包括諸如氧化、沉積、蒸鍍、摻雜、平坦化、蝕刻、抗蝕劑剝離、切割、接合、封裝等其它眾所周知的製程。本實施例的物品製造方法與常規方法相比，在物品的性能、品質、生產率和生產成本中的至少一項上具有優勢。 雖然已經參考示例性實施例描述了本發明，但是應該理解的是，本發明不限於所公開的示例性實施例。所附申請專利範圍被賦予最廣泛的解釋以涵蓋所有此類修改和等效結構及功能。

100:曝光設備 1:原件 2:原件台 3:基板 4:基板台 5:照明光學系統 6:投影光學系統 7:鏡 8:鏡 9:雷射干涉儀 10:雷射干涉儀 11:台基準板 12:雷射干涉儀 13:原件對準檢測系統 15:測量設備 16:OA檢測系統 17:基板側基準標記 18:OA檢測系統基準標記 19:基板對準標記 20:控制器 21:CPU 22:記憶體 110:光投影器 111:聚光透鏡 112:光罩/光投影圖案 113:透鏡 114:鏡 115:光源 120:光接收器 121:影像截取元件 122:透鏡 123:影像截取單元 124:鏡 125:訊號 S1:狹縫 S2:狹縫 D1:間隔 D2:間隔 R1:第一區域 R2:第二區域 301:精細檢測區域 303:視場 140:光投影圖案 141:圖案間隔 151:圖案影像 210:精細檢測圖案 211:間隔 212:光投影圖案 220:粗糙檢測圖案 221:間隔 302:粗糙檢測區域 230:實際高度位置 231:高度位置候選 233:粗糙檢測值 234:最小差異 91:精細檢測圖案 92:粗糙檢測圖案 232:粗糙檢測值候選 235:精細檢測輸出值候選 236:區間

[圖1]是圖示曝光設備的配置的圖。 [圖2]是圖示基板的壓射佈局和對準標記的圖。 [圖3A和圖3B]是圖示測量設備的配置示例和光罩的配置示例的圖。 [圖4A至圖4D]是用於解釋常規技術中的間距偏差的圖。 [圖5]是圖示目標物體上的光投影圖案的示例的圖。 [圖6]是圖示目標物體上的光投影圖案的示例的圖。 [圖7]是圖示用於由測量設備計算高度位置的方法的圖。 [圖8]是圖示目標物體上的光投影圖案的示例的圖。 [圖9]是圖示目標物體上的光投影圖案的示例的圖。 [圖10]是圖示用於由測量設備計算高度位置的方法的圖。 [圖11]是用於描述曝光方法的流程圖。

1:原件

2:原件台

3:基板

4:基板台

5:照明光學系統

6:投影光學系統

7:鏡

8:鏡

9:雷射干涉儀

10:雷射干涉儀

11:台基準板

12:雷射干涉儀

13:原件對準檢測系統

15:測量設備

16:OA檢測系統

20:控制器

21:CPU

22:記憶體

100:曝光設備

Claims (10)

1. 一種測量設備，所述測量設備用於測量物體的高度位置，所述測量設備包括： 光投影器，被配置為將測量光投影到物體上； 光接收器，被配置為接收被所述物體反射的所述測量光；以及 處理器，被配置為基於由所述光接收器接收到的所述測量光的影像確定所述物體的高度位置，其中 所述光投影器被配置為將粗糙檢測圖案和具有週期性圖案的精細檢測圖案投影到所述物體上，並且 所述處理器被配置為： 基於由所述光接收器接收到的所述粗糙檢測圖案，確定所述物體的高度位置的粗糙檢測值；以及 基於所述粗糙檢測值和由所述光接收器接收到的所述精細檢測圖案，確定所述物體的高度位置的精細檢測輸出值。
2. 如請求項1所述的測量設備，其中所述處理器被配置為： 基於由所述光接收器接收到的所述精細檢測圖案，確定多個高度位置候選；以及 將所述多個高度位置候選中與所述粗糙檢測值最接近的高度位置候選確定為所述精細檢測輸出值。
3. 如請求項1所述的測量設備，其中所述處理器被配置為： 基於所述粗糙檢測圖案確定多個粗糙檢測值候選； 基於所述精細檢測圖案確定多個精細檢測輸出值候選；以及 從多個對當中將具有最小高度位置差異的對的精細檢測輸出值候選確定為所述精細檢測輸出值，所述多個對中的每個對包括所述多個粗糙檢測值候選之一和所述多個精細檢測輸出值候選之一。
4. 如請求項1所述的測量設備，其中所述光投影器被配置為：將所述精細檢測圖案投影到精細檢測區域上，所述精細檢測區域是在所述物體的表面中的用於使用所述精細檢測圖案來確定所述精細檢測輸出值的區域；以及將所述粗糙檢測圖案投影到與所述精細檢測區域相鄰的粗糙檢測區域上。
5. 如請求項1所述的測量設備，其中所述光投影器被配置為執行所述精細檢測圖案的投影和所述粗糙檢測圖案的投影，使得投影所述粗糙檢測圖案的時間間隔與投影所述精細檢測圖案的時間間隔的至少一部分重疊。
6. 如請求項4所述的測量設備，其中所述精細檢測圖案被投影到在所述物體的表面中的比所述精細檢測區域大並且包含所述精細檢測區域的區域上。
7. 如請求項1所述的測量設備，其中所述粗糙檢測圖案是非週期性圖案。
8. 如請求項1所述的測量設備，其中所述精細檢測圖案是具有第一週期的週期性圖案，並且所述粗糙檢測圖案是具有比所述第一週期長的第二週期的週期性圖案。
9. 一種曝光設備，所述曝光設備用於透過投影光學系統將原件的圖案投影到基板上並對所述基板進行曝光，所述曝光設備包括： 如請求項1至8中的任一項所述的所述測量設備，所述測量設備被佈置為測量所述基板的高度位置；以及 控制器，所述控制器被配置為基於由所述測量設備測量的結果控制所述基板的位置，使得所述高度位置與所述投影光學系統的像平面的偏差量減小。
10. 一種用於製造物品的方法，所述方法包括： 使用如請求項9所述的所述曝光設備對所述基板進行曝光；以及 對經曝光的所述基板進行顯影，其中 從經顯影的所述基板製造物品。

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