JP7453277B2 - エレクトロルミネセント表示パネル、及び表示装置 - Google Patents

エレクトロルミネセント表示パネル、及び表示装置 Download PDF

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Description

本開示の実施例は、表示技術の分野に関し、特に、エレクトロルミネセント表示パネル及び表示装置に関する。
表示技術の継続的な発展につれて、有機発光ダイオード(Organic Light Emitting Diode、OLED)表示パネルは、自己発光、広視野角、高コントラスト、低消費電力、高応答速度などの利点のため、様々な電子デバイスにますます適用されている。OLED表示パネルに対する人々の要求の高まりに伴い、表示パネルにおける高解像度の設計を実現するために、OLED表示パネルには一般的にSPR画素配列、いわゆる画素借り入れ方法を利用している。
本開示の実施例は、エレクトロルミネセント表示パネルを提供し、当該エレクトロルミネセント表示パネルは、それぞれ複数のサブ画素を含む複数の重複ユニットを備え、各前記サブ画素は、基板の上に位置する第1の導電層と、前記第1の導電層の上に位置し、前記第1の導電層の一部を露出させる第1のビアを含む、第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層に位置し、互いに電気的に接続された主体部分と補助部分とを含み、前記補助部分は前記第1のビアを介して前記第1の導電層に電気的に接続される、陽極と、を含み、少なくとも1つの前記サブ画素において、前記基板への前記主体部分の正投影と、前記基板への前記第1のビアの正投影とは重ならなく、少なくとも1つの前記サブ画素において、前記主体部分の第1方向のサイズは前記主体部分の第2方向のサイズよりも大きく、且つ、少なくとも1つの前記サブ画素において、前記第1のビアと前記主体部分とは前記第2方向に沿って配置され、ここで、前記第1方向と前記第2方向とは互いに異なる。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第1の導電層は、互いに間隔して設置された第1の電源線と第1の接続線とを含み、各前記サブ画素において、前記補助部分は前記第1のビアを介して前記第1の接続線に電気的に接続される。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第1の電源線は、前記第1方向に沿って配列され、且つ、前記第2方向に沿って延びる複数のサブ電源線と、各々の前記サブ電源線を電気的に接続させる導線と、を含む。
オプションとして、本開示の実施例において、前記サブ電源線と前記導線とはほぼグリッド状な構成を形成し、それぞれのグリッド内部には1つの前記第1の接続線が設置されており、且つ、前記第1の接続線と前記サブ電源線及び前記導線のいずれとの間にも間隔がある。
オプションとして、本開示の実施例において、前記複数の重複ユニットにおける少なくとも1つの重複ユニットは、前記第2方向に沿って配列された1つの第1色サブ画素と、1つの第2色サブ画素対と、1つの第3色サブ画素と、を含み、ここで、前記第2色サブ画素対は、前記第1方向に沿って配列された2つの第2色サブ画素を含み、前記複数の重複ユニットは前記第2方向に沿って配列されて重複ユニットグループを形成し、前記重複ユニットグループは前記第1方向に沿って配列され、且つ、隣接する2つの前記重複ユニットグループにおける重複ユニットは位置がずれて配列される。
オプションとして、本開示の実施例において、各前記サブ画素は、第1の導電層において前記基板に面する側に位置する画素駆動回路をさらに含み、ここで、各前記サブ画素において、画素駆動回路がアレイで分布される。
オプションとして、第1色サブ画素の主体部分の延在方向と、第1色サブ画素の画素駆動回路が存在する領域の長さ方向との間は、第1の夾角があり、ここで、前記第1の夾角は、45度ないし165度の間にあり、第3色サブ画素の主体部分の延在方向と、第3色サブ画素の画素駆動回路が存在する領域の長さ方向との間は、第2の夾角があり、ここで、前記第2の夾角は、45度ないし165度の間にあり、第2色サブ画素対の延在方向と、第2色サブ画素対の画素駆動回路が存在する領域の長さ方向との間は、第3の夾角があり、ここで、前記第3の夾角は、45度ないし165度の間にある。
オプションとして、本開示の実施例において、各前記画素駆動回路における各層のパターンが存在する領域の前記第2方向のサイズは、第1方向のサイズよりも大きい。
オプションとして、本開示の実施例において、隣接する2つの重複ユニットグループにおける1つの第2色サブ画素対は、もう1つの重複ユニットグループにおける隣接する第1色サブ画素および第3色サブ画素の前記第2方向の最大のスパンの間に位置する。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第1色サブ画素の主体部分の前記第2方向のサイズは、前記第3色サブ画素の主体部分の前記第2方向のサイズよりも小さく、前記第1色サブ画素の主体部分の前記第1方向のサイズは、前記第3色サブ画素の主体部分の前記第1方向のサイズよりも大きい。
オプションとして、本開示の実施例において、各前記第3色サブ画素において、前記基板への前記主体部分の正投影と前記基板への前記第1のビアの正投影とは重ならない。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第3色サブ画素において、前記主体部分は軸対称図形であり、且つ、前記第1のビアは前記第2方向に沿う前記主体部分の対称軸に位置する。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第3色サブ画素において、前記基板への前記主体部分の正投影と前記画素駆動回路における駆動トランジスタとは重ならなく、前記基板への前記主体部分の正投影と、前記基板への、前記画素駆動回路に隣接する次の行の画素駆動回路に電気的に接続されたリセット制御信号線およびリセット電源信号線の正投影とは重なり、前記基板への前記主体部分の正投影と前記基板への2つのデータ線の正投影とは重なり、前記基板への前記主体部分の正投影と前記基板への2つの第2の電源線の正投影とは重なる。
オプションとして、本開示の実施例において、各前記第1色サブ画素において、前記基板への前記主体部分の正投影と前記基板への前記第1のビアの正投影とは重ならない。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第1色サブ画素において、前記主体部分は軸対称図形であり、且つ、前記第1のビアは前記第2方向に沿う前記主体部分の対称軸に位置する。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第1色サブ画素において、前記基板への前記主体部分の正投影と前記画素駆動回路における駆動トランジスタとは重なり、前記基板への前記主体部分の正投影と、前記基板への前記画素駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線の正投影とは重なり、前記基板への前記主体部分の正投影と前記基板への2つのデータ線の正投影とは重なり、前記基板への前記主体部分の正投影と前記基板への2つの第2の電源線の正投影とは重なる。
オプションとして、本開示の実施例において、各前記第2色サブ画素において、前記基板への前記主体部分の正投影と前記基板への前記第1のビアの正投影とは重ならない。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第2色サブ画素対は、1番目の第2色サブ画素と2番目の第2色サブ画素とを含み、同一の前記重複ユニットにおいて、前記1番目の第2色サブ画素の第1のビアは、前記1番目の第2色サブ画素における前記第3色サブ画素から離れる側に位置し、同一の前記重複ユニットにおいて、前記2番目の第2色サブ画素の第1のビアは、前記2番目の第2色サブ画素における前記第3色サブ画素から離れる側に位置する。
オプションとして、本開示の実施例において、同一の重複ユニットにおける第1色サブ画素と1番目の第2色サブ画素、および、前記同一の重複ユニットにおける第1色サブ画素及び1番目の第2色サブ画素のいずれにも最も近い第3色サブ画素について、前記1番目の第2色サブ画素の第1のビアは、前記第1色サブ画素と前記第3色サブ画素との間の隙間に位置し、同一の重複ユニットにおける第1色サブ画素と2番目の第2色サブ画素、および、前記同一の重複ユニットにおける第1色サブ画素及び2番目の第2色サブ画素のいずれにも最も近い第3色サブ画素について、前記2番目の第2色サブ画素の第1のビアは、前記第1色サブ画素と前記第3色サブ画素との間の隙間に位置する。
オプションとして、本開示の実施例において、前記1番目の第2色サブ画素において、前記基板への前記主体部分の正投影と前記画素駆動回路における駆動トランジスタとは重ならなく、前記基板への前記主体部分の正投影と、前記基板への、前記画素駆動回路に隣接する次の行の画素駆動回路に電気的に接続されたリセット制御信号線および走査信号線の正投影とは重なり、前記2番目の第2色サブ画素において、前記基板への前記主体部分の正投影と前記画素駆動回路における駆動トランジスタとは重ならなく、前記基板への前記主体部分の正投影と、前記基板への、前記画素駆動回路に隣接する次の行の画素駆動回路に電気的に接続されたリセット制御信号線および走査信号線の正投影とは重なる。
オプションとして、前記第3色サブ画素における画素駆動回路、前記1番目の第2色サブ画素における画素駆動回路、前記第1色サブ画素における画素駆動回路、および、前記2番目の第2色サブ画素における画素駆動回路は、第1方向に沿って順次に配置される。
オプションとして、本開示の実施例において、同種の色のサブ画素における第1のビアは、前記色サブ画素の同一側に位置する。
オプションとして、本開示の実施例において、同一の前記重複ユニットにおいて、前記1番目の第2色サブ画素の第1のビア、前記第1色サブ画素の第1のビア、および、前記2番目の第2色サブ画素の第1のビアは、前記第1方向に沿って、同一の第1のサブ折れ線に順に配列され、1つの重複ユニットグループにおける第1色サブ画素、および、隣接する重複ユニットグループにおける前記第1色サブ画素に最も近い第3色サブ画素について、前記第1色サブ画素の第1のビアおよび前記第3色サブ画素の第1のビアは、第3の方向に沿って同一の第2のサブ折れ線に配列され、ここで、前記第3の方向と前記第1方向とは交差する。
オプションとして、本開示の実施例において、前記折れ線は、前記第1のサブ折れ線と前記第2のサブ折れ線とを含み、異なる列における隣接する2つの重複ユニットにおいて、1番目の重複ユニットにおける第3色サブ画素の第1のビアと2番目の重複ユニットにおける前記1番目の第2色サブ画素の第1のビア、前記第1色サブ画素の第1のビア、および、前記2番目の第2色サブ画素の第1のビアは、この順に折れ線に配列される。
オプションとして、本開示の実施例において、同一の前記重複ユニットにおける前記第3色サブ画素の第1のビア、および、前記第1色サブ画素の第1のビアは、前記第2方向に沿って同一の直線に配列される。
オプションとして、本開示の実施例において、異なる列に位置し、且つ、隣接する2つの重複ユニットにおいて、1つの重複ユニットにおける1番目の第2色サブ画素の第1のビア、および、他の1つの重複ユニットにおける2番目の第2色サブ画素の第1のビアは、前記第2方向に沿って同一の直線に配列される。
オプションとして、本開示の実施例において、奇数類の重複ユニットグループおよび偶数類の重複ユニットグループにおける少なくとも1類の重複ユニットグループにおいて、同一行の重複ユニットにおける前記第1色サブ画素の第1のビア、前記第2色サブ画素対における1番目の第2色サブ画素の第1のビア、および、2番目の第2色サブ画素の第1のビアは、前記第1方向に沿って同一の直線に配列され、また、奇数類の重複ユニットグループおよび偶数類の重複ユニットグループにおける少なくとも1類の重複ユニットグループにおいて、同一行の重複ユニットにおける前記第3色サブ画素の第1のビアは、前記第1方向に沿って同一の直線に配列される。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第1の導電層と前記基板との間に位置し、間隔して設置された第2の電源線と第2の接続線とを含む、第2の導電層と、前記第2の導電層と前記第1の導電層との間に位置し、前記第2の接続線を露出させる第2のビアと前記第2の電源線の一部を露出させる第3のビアとを有する、第2の絶縁層と、をさらに含み、前記第1の接続線は、前記第2のビアと前記第2の接続線とを介して互いに電気的に接続され、前記第1の電源線は、前記第3のビアと前記第2の電源線とを介して互いに電気的に接続される。
オプションとして、本開示の実施例において、互いに電気的に接続された前記第1の接続線と前記第2の接続線について、前記基板への前記第1の接続線の正投影と前記基板への前記第2の接続線の正投影とは少なくとも一部が重なり、前記基板への前記第1の電源線の正投影と前記基板への前記第2の電源線の正投影とは少なくとも一部が重なる。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第3色サブ画素において、前記第1のビアは、前記第2のビアよりも画素駆動回路における駆動トランジスタに接近して設置され、前記第1色サブ画素において、前記第1のビアは、前記第2のビアよりも画素駆動回路における駆動トランジスタから離れて設置され、前記第2色サブ画素において、前記第1のビアは、前記第2のビアよりも画素駆動回路における駆動トランジスタから離れて設置される、請求項28に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
オプションとして、本開示の実施例において、同一の前記サブ画素において、前記基板への前記第1のビアの正投影と前記基板への前記第2のビアの正投影とはほぼ重ならない。
オプションとして、本開示の実施例において、各前記サブ画素は、第4のビアをさらに含み、前記第3色サブ画素において、前記基板への前記第4のビアの正投影と前記基板への前記第2のビアの正投影とは重なり、前記第1色サブ画素において、前記基板への前記第4のビアの正投影と前記基板への前記第1のビアの正投影とは重なり、前記第2色サブ画素において、前記基板への前記第4のビアの正投影と前記基板への前記第1のビアの正投影とは重なる。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第4のビアは、第1方向に沿って1つの直線に配列され、且つ、同一の直線に位置して隣接する2つの第4のビアの間の間隔はほぼ同じである。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第1方向において隣接する2つの第1のビアの間のピッチはほぼ同じであり、前記第2方向において隣接する2つの第1のビアの間のピッチはほぼ同じであり、前記第1方向において隣接する2つの第2のビアの間のピッチはほぼ同じであり、前記第2方向において隣接する2つの第2のビアの間のピッチはほぼ同じである。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第3色サブ画素において、前記基板への前記第1のビアの正投影と、前記基板への前記駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線の正投影とは重なり、且つ、前記基板への前記第2のビアの正投影と、前記基板への前記駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線の正投影とは重ならなく、前記基板への前記第4のビアの正投影と、前記基板への前記駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線の正投影とは重ならない。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第1色サブ画素において、前記基板への前記第1のビアの正投影と、前記基板への前記駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線の正投影とは重ならなく、且つ、前記基板への前記第2のビアの正投影と、前記基板への前記駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線の正投影とは重なり、前記基板への前記第4のビアの正投影と、前記基板への前記駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線の正投影とは重ならない。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第2色サブ画素において、前記基板への前記第1のビアの正投影と、前記基板への前記駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線の正投影とは重ならなく、且つ、前記基板への前記第2のビアの正投影と、前記基板への前記駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線の正投影とは重なり、前記基板への前記第4のビアの正投影と、前記基板への前記駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線の正投影とは重ならない。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第3色サブ画素において、前記基板への前記主体部分の正投影と前記基板への前記第2のビアの正投影とは、少なくとも一部が重なる。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第3色サブ画素において、前記基板への前記主体部分の正投影と前記基板への2つの第3のビアの正投影とは、少なくとも一部が重なる。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第3色サブ画素において、前記第1のビアは、前記基板への前記主体部分の正投影と重なる前記2つの第3のビアの中心線の一側に接近して設置され、前記第2のビアは、前記基板への前記主体部分の正投影と重なる前記2つの第3のビアの中心線の他の側に接近して設置される。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第3色サブ画素において、前記主体部分は軸対称図形であり、前記第2のビアは前記第2方向に沿う前記主体部分の対称軸に位置する。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第1色サブ画素において、前記基板への前記主体部分の正投影と前記基板への前記第2のビアの正投影とは、少なくとも一部が重なる。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第1色サブ画素において、前記基板への前記主体部分の正投影と前記基板への2つの第3のビアの正投影とは、少なくとも一部が重なる。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第1色サブ画素において、前記第1のビアは、正投影が重なる前記2つの第3のビアの中心線の一側に接近して設置され、前記第2のビアは、正投影が重なる前記2つの第3のビアの中心線の他の側に接近して設置される。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第1色サブ画素において、前記主体部分は軸対称図形であり、前記第2のビアは前記第2方向に沿う前記主体部分の対称軸に位置する。
オプションとして、本開示の実施例において、同一の重複ユニットにおける第1色サブ画素と1番目の第2色サブ画素、および、前記同一の重複ユニットにおける第1色サブ画素及び1番目の第2色サブ画素のいずれにも最も近い第3色サブ画素について、前記1番目の第2色サブ画素の第2のビアは、前記第1色サブ画素と前記第3色サブ画素との間の隙間に位置し、同一の重複ユニットにおける第1色サブ画素と2番目の第2色サブ画素、および、前記同一の重複ユニットにおける第1色サブ画素及び2番目の第2色サブ画素のいずれにも最も近い第3色サブ画素について、前記2番目の第2色サブ画素の第2のビアは、前記第1色サブ画素と前記第3色サブ画素との間の隙間に位置する。
オプションとして、本開示の実施例において、前記1番目の第2色サブ画素において、前記第1のビアおよび前記第2のビアは、前記第2方向に沿って同一の直線に配列され、前記2番目の第2色サブ画素において、前記第1のビアおよび前記第2のビアは、前記第2方向に沿って同一の直線に配列される。
オプションとして、本開示の実施例において、前記1番目の第2色サブ画素において、前記第2のビアは、前記第1のビアにおける前記主体部分から離れる側に位置し、
前記2番目の第2色サブ画素において、前記第2のビアは、前記第1のビアにおける前記主体部分から離れる側に位置する。
オプションとして、本開示の実施例において、奇数列の重複ユニットグループにおける第3色サブ画素の第2のビアと偶数列の重複ユニットグループにおける第1色サブ画素の第1のビア、1番目の第2色サブ画素の第1のビア、および、2番目の第2色サブ画素の第1のビアは、前記第1方向に沿って同一の直線に配列される。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第3色サブ画素において、前記基板への前記主体部分の正投影は、前記基板への2つのサブ電源線の正投影を覆い、前記基板への前記主体部分の正投影と重なる前記2つのサブ電源線は、前記主体部分の中心の両側で平行に設置される。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第1色サブ画素において、前記基板への前記主体部分の正投影は、前記基板への2つのサブ電源線の正投影を覆い、前記基板への前記主体部分の正投影と重なる前記2つのサブ電源線は、前記主体部分の中心の両側で平行に設置される。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第2色サブ画素において、前記基板への前記主体部分の正投影と、前記基板への1つの前記サブ電源線および前記サブ電源線に電気的に接続された導線の正投影とは、少なくとも一部が重なる。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第1の導電層は、互いに間隔して設置された、第1の電源線と、第1の接続線と、データ線と、を含み、各前記サブ画素において、前記補助部分は前記第1のビアを介して前記第1の接続線に電気的に接続される。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第1の電源線および前記データ線は、第1方向に沿って配列され、且つ、第2方向に沿って延び、前記第1方向と前記第2方向とは互いに異なる。
オプションとして、本開示の実施例において、前記第1の電源線は、駆動電圧を伝送する電源線として配置される。
本開示の実施例は、表示装置をさらに提供し、当該表示装置は、上記のエレクトロルミネセント表示パネルを含む。
図1aは関連技術におけるにおける表示パネルの平面構成の模式図である。 図1bは図1aに示した表示パネルにおけるAA’方向に沿う断面構成の模式図である。 図2aは本開示に係るいくつかの画素駆動回路の構成の模式図である。 図2bは本開示に係るいくつかのアクティブ半導体層の平面構成の模式図である。 図2cは本開示に係るいくつかのゲート導電層の平面構成の模式図である。 図2dは本開示に係るいくつかの基準導電層の平面構成の模式図である。 図2eは本開示に係るいくつかのソース・ドレイン金属層の平面構成の模式図である。 図2fは本開示に係るいくつかの補助金属層の平面構成の模式図である。 図2gは本開示に係るアクティブ半導体層、ゲート導電層、基準導電層、ソース・ドレイン金属層、および、補助金属層の積層位置関係の模式図である。 図3aは本開示に係るいくつかの表示パネルの平面構成の模式図である。 図3bは本開示に係る他の表示パネルの平面構成の模式図である。 図3cは本開示に係る他の表示パネルの平面構成の模式図である。 図4は本開示に係るいくつかの表示パネルの陽極、第1のビア、および、第2のビアの構成の模式図である。 図5aは本開示に係るいくつかの表示パネルにおける第1の導電層、第2のビア、および、第3のビアの構成の模式図である。 図5bは本公開に係る他の表示パネルにおける第1の導電層、第2のビア、および、第3のビアの構成の模式図である。 図6aは図3aに示した表示パネルにおけるAA’方向に沿う断面構成の模式図である。 図6bは図3aに示した表示パネルにおけるBB’方向に沿う断面構成の模式図である。 図6cは図3bに示した表示パネルにおけるAA’方向に沿う断面構成の模式図である。 図7aは図3aに示した表示パネルにおけるCC’方向に沿う断面構成の模式図である。 図7bは図3aに示した表示パネルにおけるDD’方向に沿う断面構成の模式図である。 図8aは図3aに示した表示パネルにおけるEE’方向に沿う断面構成の模式図である。 図8bは図3aに示した表示パネルにおけるFF’方向に沿う断面構成の模式図である。 図8cは図3bに示した表示パネルにおけるBB’方向に沿う断面構成の模式図である。 図9aは本開示に係る他の表示パネルの平面構成の模式図である。 図9bは本開示に係る他の表示パネルの平面構成の模式図である。 図10は図9aに示した表示パネルの陽極及び第1のビアの構成の模式図である。 図11は図9aに示した表示パネルにおける第1の導電層及び第1のビアの構成の模式図である。 図12は図9aに示した表示パネルにおけるAA’方向に沿う断面構成の模式図である。 図13は図9aに示した表示パネルにおけるBB’方向に沿う断面構成の模式図である。 図14は図9aに示した表示パネルにおけるCC’方向に沿う断面構成の模式図である。 図15は図9aに示した表示パネルにおけるDD’方向に沿う断面構成の模式図である。 図16は図9bに示した表示パネルにおけるAA’方向に沿う断面構成の模式図である。 図17は図9bに示した表示パネルにおけるBB’方向に沿う断面構成の模式図である。
本開示の実施例の目的、技術案および利点をより明確にさせるために、以下、本開示の実施例の図面を参照しながら、本開示の実施例の技術案について、明らかにかつ完全に説明する。説明される実施例は、本開示の一部の実施例であり、全ての実施例ではないことが明らかである。説明される本開示の実施例に基づき、当業者が創造的な労働を必要としない前提で得られるすべての他の実施例は、いずれも本開示の保護範囲に属する。
別に定義しない限り、ここに使用される技術用語又は科学用語とは、本開示の分野において一般的なスキルを持つ人によって理解される通常の意味を示すべきである。本開示に使用される「第1」、「第2」及び類似する用語は、何らの順番、数又は重要性を示すものではなく、異なる構成要素を区別するものに過ぎない。「含む」や「有する」などの類似する用語とは、該用語の前の要素や物体が該用語の後に挙げられる要素や物体及びそれらに同等なものを網羅する意味であり、他の要素や物体を除外するものではない。「接続する」や「電気的に接続する」などの類似する用語は、物理的又は機械的な接続に限定されていなく、電気的な接続を含むことができ、直接か間接かに拘らない。
通常のOLED表示パネルは、下地基板と、下地基板に設置された画素駆動回路と、画素駆動回路において下地基板から離れる側に設置された平坦層と、平坦層において下地基板から離れる側に設置された陽極と、陽極において下地基板から離れる側に設置された発光層と、発光層において下地基板から離れた側に設置された陰極と、を含む。
図1aは、いくつかの表示パネルの平面構成の模式図である。図1bは、図1aに示した表示パネルにおけるAA’方向に沿う断面構成の模式図である。図1aおよび図1bに示されたように、表示パネルは、下地基板10と、画素駆動回路20と、平坦層30と、陽極40と、発光層50と、陰極60と、画素限定層80と、を含んでもよく、画素限定層80は、開口を有し、開口によって有効発光領域を限定する。ここで、画素駆動回路20は、トランジスタとコンデンサとを有し、トランジスタとコンデンサとの相互作用によって電気信号を生成し、生成した電気信号が接続線21を介して陽極40に入力される。また、対応する電圧を陰極60に印加し、発光層50を発光させるように駆動することができる。平坦層30には、ビア31があり、陽極40は、ビア31を介して接続線21と互いに電気的に接続される。しかしながら、ビア31がある程度の深さを有するため、当該ビア31が存在する領域において、陽極40および陽極40上の発光層50が凹み、それにより陽極40が平らではなくなり、さらに表示パネルにカラーキャスト現象が生じる。
図2aに示されたように、画素駆動回路0121は、画素駆動回路0122と、第1の発光制御回路0123と、第2の発光制御回路0124と、データ書込回路0126と、記憶回路0127と、閾値補償回路0128と、リセット回路0129と、を含んでもよい。ここで、画素駆動回路0122は、制御端と、第1端と、第2端と、を含み、且つ、発光元件0120を駆動して発光させるための駆動電流を発光元件0120に提供するように配置される。たとえば、第1の発光制御回路0123は、画素駆動回路0122の第1端および第1の電圧端VDDに接続され、且つ、画素駆動回路0122と第1の電圧端VDDとの間の接続のオン・オフを実現するように配置される。第2の発光制御回路0124は、画素駆動回路0122の第2端および発光元件0120の第1の発光電圧印加電極に電気的に接続され、且つ、画素駆動回路0122と発光元件0120との間の接続のオン・オフを実現するように配置される。データ書込回路0126は、画素駆動回路0122の第1端に電気的に接続され、且つ、走査信号の制御に従ってデータ信号を記憶回路0127に書き込むように配置される。記憶回路0127は、画素駆動回路0122の制御端および第1の電圧端VDDに電気的に接続され、且つ、データ信号を記憶するように配置される。閾値補償回路0128は、画素駆動回路0122の制御端および第2端に電気的に接続され、且つ、画素駆動回路0122に対して閾値補償を行うように配置される。リセット回路0129は、画素駆動回路0122の制御端および発光元件0120の第1の発光電圧印加電極に電気的に接続され、且つ、リセット制御信号の制御に従って画素駆動回路0122の制御端および発光元件0120の第1の発光電圧印加電極に対して、リセットを行うように配置される。ここで、発光器件0120は、積層して設置された陽極40と、発光層50と、陰極60と、を含む。
例示的に、図2aに示されたように、画素駆動回路0122は、駆動トランジスタT1を含み、画素駆動回路0122の制御端は、駆動トランジスタT1のゲート電極を含み、画素駆動回路0122の第1端は、駆動トランジスタT1の第1電極を含み、画素駆動回路0122の第2端は、駆動トランジスタT1の第2電極を含む。
例示的に、図2aに示されたように、データ書込回路0126は、データ書込トランジスタT2を含み、記憶回路0127は、第3のコンデンサC2を含み、閾値補償回路0128は、閾値補償トランジスタT3を含み、第1の発光制御回路0123は、第1の発光制御トランジスタT4を含み、第2の発光制御回路0124は、第2の発光制御トランジスタT5を含み、リセット回路0129は、第1のリセットトランジスタT6と第2のリセットトランジスタT7とを含み、リセット制御信号は、第1のサブリセット制御信号と第2のサブリセット制御信号とを含んでもよい。
具体的に、データ書込トランジスタT2の第1電極は、駆動トランジスタT1の第1電極に電気的に接続され、データ書込トランジスタT2の第2電極は、データ線Vdに電気的に接続されてデータ信号を受信するように配置され、データ書込トランジスタT2のゲート電極は、第1の走査信号線Ga1に電気的に接続されて走査信号を受信するように配置され、第3のコンデンサC2の第1電極は、第1の電源端VDDに電気的に接続され、第3のコンデンサC2の第2電極は、駆動トランジスタT1のゲート電極に電気的に接続され、閾値補償トランジスタT3の第1電極は、駆動トランジスタT1の第2電極に電気的に接続され、閾値補償トランジスタT3の第2電極は、駆動トランジスタT1のゲート電極に電気的に接続され、閾値補償トランジスタT3のゲート電極は、第2の走査信号線Ga2に電気的に接続されて補償制御信号を受信するように配置される。第1のリセットトランジスタT6の第1電極は、第1のリセット電源端Vinit1に電気的に接続されて第1のリセット信号を受信するように配置され、第1のリセットトランジスタT6の第2電極は、駆動トランジスタT1のゲート電極に電気的に接続され、第1のリセットトランジスタT6のゲート電極は、第1のリセット制御信号線Rst1に電気的に接続されて第1のサブリセット制御信号を受信するように配置される。第2のリセットトランジスタT7の第1電極は、第2のリセット電源端Vinit2に電気的に接続されて第2のリセット信号を受信するように配置され、第2のリセットトランジスタT7の第2電極は、発光元件120の第1の発光電圧印加電極に電気的に接続され、第2のリセットトランジスタT7のゲート電極は、第2のリセット制御信号線Rst2に電気的に接続されて第2のサブリセット制御信号を受信するように配置される。第1の発光制御トランジスタT4の第1電極は、第1の電源端VDDに電気的に接続され、第1の発光制御トランジスタT4の第2電極は、駆動トランジスタT1の第1電極に電気的に接続され、第1の発光制御トランジスタT4のゲート電極は、第1の発光制御信号線EM1に電気的に接続されて第1の発光制御信号を受信するように配置される。第2の発光制御トランジスタT5の第1電極は、駆動トランジスタT1の第2電極に電気的に接続され、第2の発光制御トランジスタT5の第2電極は、発光元件120の第1の発光電圧印加電極に電気的に接続され、第2の発光制御トランジスタT5のゲート電極は、第2の発光制御信号線EM2に電気的に接続されて第2の発光制御信号を受信するように配置される。発光元件120の第2の発光電圧印加電極は、第2の電源端VSSに電気的に接続される。ここで、第1電極および第2電極は、実際の応用によってソース電極またはドレイン電極として決定されることができ、ここでは限定しない。
例示的に、第1の電源端VDDおよび第2の電源端VSSのうちの1つは、高圧端であり、他の1つは、低圧端である。たとえば、図2aに示した実施例において、第1の電源端VDDは、一定の第1の電圧を出力する電圧源であり、第1の電圧は、正の電圧であり、一方、第2の電源端VSSは、一定の第2の電圧を出力する電圧源であってもよく、第2の電圧は負の電圧である。たとえば、いくつかの例において、第2の電源端VSSは、接地されてもよい。
なお、本開示の実施例において、サブ画素の画素駆動回路は、図2aに示した構成のほか、他の数のトランジスタを含む構成であってもよく、本開示の実施例ではこれを限定しない。
図2b~図2gは、本開示のいくつかの実施例によって提供される画素駆動回路の各層の模式図である。以下、図2b~2gを参照して、基板において、画素駆動回路における各々の回路の位置関係を説明し、図2b~2gに示した例は、1つのサブ画素の画素駆動回路の例である。ここで、図2b~2gには、画素駆動回路0121に接続された第1の走査信号線Ga1aと、第2の走査信号線Ga2aと、第1のリセット制御信号線Rst1aと、第2のリセット制御信号線Rst2aと、第1のリセット電源端Vinit1aの第1のリセット電源信号線Init1aと、第2のリセット電源端Vinit2aの第2のリセット電源信号線Init2aと、第1の発光制御信号線EM1aと、第2の発光制御信号線EM2aと、データ線Vdと、第1の電源端VDDの第1の電源信号線VDD1と、第2の電源信号線VDD2と、第1の電源信号線VDD1と、第2の電源信号線VDD2とが、互いに電気的に接続されたことがさらに示されている。なお、図2b~2gに示した例において、第1の走査信号線Ga1aと第2の走査信号線Ga2aとは同一の信号線であり、第1のリセット電源信号線Init1aと第2のリセット電源信号線Init2aとは同一の信号線であり、第1のリセット制御信号線Rst1aと第2のリセット制御信号線Rst2aとは同一の信号線であり、第1の発光制御信号線EM1aと第2の発光制御信号線EM2aとは同一の信号線である。
たとえば、図2bには、当該画素駆動回路0121のアクティブ半導体層0310が示される。アクティブ半導体層0310は、半導体材料をパターン化することにより形成されることができる。アクティブ半導体層0310は、上記の駆動トランジスタT1と、データ書込トランジスタT2と、閾値補償トランジスタT3と、第1の発光制御トランジスタT4と、第2の発光制御トランジスタT5と、第1のリセットトランジスタT6と、第2のリセットトランジスタT7のアクティブ層との製造に利用されることができ、各アクティブ層は、ソース電極領域と、ドレイン電極領域と、ソース電極領域とドレイン電極領域との間のチャンネル領域と、を含んでもよい。たとえば、各トランジスタのアクティブ層は、一体として設置される。
たとえば、アクティブ半導体層0310は、アモルファスシリコン、多結晶シリコン、酸化物半導体材料などを利用して製造してもよい。なお、上記のソース電極領域およびドレイン電極領域は、n型不純物またはp型不純物がドープされた領域であってもよい。
たとえば、画素駆動回路0121のゲート電極金属層は、ゲート導電層0320を含んでもよい。上記のアクティブ半導体層0310には、上記のアクティブ半導体層0310を保護するためのゲート電極絶縁層(図示せず)が形成されている。図2cは、当該画素駆動回路0121のゲート導電層0320を示し、ゲート導電層0320は、ゲート電極絶縁層に設置されるので、アクティブ半導体層0310から絶縁される。ゲート導電層0320は、第3のコンデンサC2の第2電極CC2aと、第1の走査信号線Ga1aと、第2の走査信号線Ga2aと、第1のリセット制御信号線Rst1aと、第2のリセット制御信号線Rst2aと、第1の発光制御信号線EM1aと、第2の発光制御信号線EM2aと、駆動トランジスタT1と、データ書込トランジスタT2と、閾値補償トランジスタT3と、第1の発光制御トランジスタT4と、第2の発光制御トランジスタT5と、第1のリセットトランジスタT6と、第2のリセットトランジスタT7のゲート電極と、を含んでもよい。
たとえば、図2cに示されたように、データ書込トランジスタT2のゲート電極は、第1の走査信号線Ga1aとアクティブ半導体層0310との重なる部分であってもよく、第1の発光制御トランジスタT4のゲート電極は、第1の発光制御信号線EM1a/第2の発光制御信号線EM2aとアクティブ半導体層0310との重なる第1の部分であってもよく、第2の発光制御トランジスタT5のゲート電極は、第1の発光制御信号線EM1a/第2の発光制御信号線EM2aとアクティブ半導体層0310との重なる第2の部分であってもよく、第1のリセットトランジスタT6のゲート電極は、第1のリセット制御信号線Rst1a/第2のリセット制御信号線Rst2aとアクティブ半導体層0310との重なる第1の部分であり、第2のリセットトランジスタT7のゲート電極は、第1のリセット制御信号線Rst1a/第2のリセット制御信号線Rst2aとアクティブ半導体層0310との重なる第2の部分であってもよく、閾値補償トランジスタT3は、ダブルゲート構造の薄膜トランジスタであってもよく、閾値補償トランジスタT3の1番目のゲート電極は、第2の走査信号線Ga2aとアクティブ半導体層0310との重なる部分であってもよく、閾値補償トランジスタT3の2番目のゲート電極は、第2の走査信号線Ga2aから突出した突出部とアクティブ半導体層0310とが重なる部分であってもよい。図2aおよび2cに示されたように、駆動トランジスタT1のゲート電極は、第3のコンデンサC2の第2電極CC2aであってもよい。
なお、図2bにおける点線の各長方形の枠はゲート導電層0320とアクティブ半導体層0310との重なる各々の部分を示めす。
たとえば、図2cに示されたように、第1の走査信号線Ga1a/第2の走査信号線Ga2a、第1のリセット制御信号線Rst1a/第2のリセット制御信号線Rst2a、および、第1の発光制御信号線EM1a/第2の発光制御信号線EM2aは、第2方向F2に沿って配列される。第1の走査信号線Ga1a/第2の走査信号線Ga2aは、第1のリセット制御信号線Rst1a/第2のリセット制御信号線Rst2aと、第1の発光制御信号線EM1a/第2の発光制御信号線EM2aとの間に位置する。
たとえば、第2方向F2において、第3のコンデンサC2の第2電極CC2aは、第1の走査信号線Ga1a/第2の走査信号線Ga2aと、第1の発光制御信号線EM1a/第2の発光制御信号線EM2aとの間に位置する。第2の走査信号線Ga2aから突出した突出部は、第2の走査信号線Ga2aにおいて第1の発光制御信号線EM1a/第2の発光制御信号線EM2aから離れる側に位置する。
たとえば、図2bに示されたように、第2方向F2において、データ書込トランジスタT2のゲート電極、閾値補償トランジスタT3のゲート電極、第1のリセットトランジスタT6のゲート電極、第2のリセットトランジスタT7のゲート電極は、いずれも駆動トランジスタT1のゲート電極の第1側に位置し、第1の発光制御トランジスタT4のゲート電極、第2の発光制御トランジスタT5のゲート電極は、いずれも駆動トランジスタT1のゲート電極の第2側に位置する。
たとえば、いくつかの実施例において、図2b~図2gに示されたように、第1の方向F1において、データ書込トランジスタT2のゲート電極、第1の発光制御トランジスタT4のゲート電極は、いずれも駆動トランジスタT1のゲート電極の第3側に位置し、閾値補償トランジスタT3の1番目のゲート電極、第2の発光制御トランジスタT5のゲート電極、第2のリセットトランジスタT7のゲート電極は、いずれも駆動トランジスタT1のゲート電極の第4側に位置する。ここで、駆動トランジスタT1のゲート電極の第3側と第4側とは、第1の方向F1に駆動トランジスタT1のゲート電極の互いに相対する両側である。
たとえば、上記のゲート導電層0320には、上記のゲート導電層0320を保護するための第1の層間絶縁層(図示せず)が形成されている。図2dには、当該画素駆動回路120aの基準導電層0330が示され、基準導電層0330は、第3のコンデンサC2の第1電極CC1aと、第1のリセット電源信号線Init1aと、第2のリセット電源信号線Init2aと、を含む。第3のコンデンサC2は、第3のコンデンサC2の第1電極CC1aと第3のコンデンサC2の第2電極CC2aと少なくとも一部が重なるように形成される。
たとえば、上記の基準導電層0330には、上記の基準導電層0330を保護するための第2の層間絶縁層(図示せず)が形成されている。図2eには、当該画素駆動回路0121のソース・ドレイン金属層0340が示され、ソース・ドレイン金属層0340は、データ線Vdと第1の電源信号線VDD1とを含む。
たとえば、上記のソース・ドレイン金属層0340には、上記のソース・ドレイン金属層0340を保護するための第3の層間絶縁層(図示せず)が形成されている。図2fには、当該画素駆動回路0121の補助金属層0350が示され、補助金属層0350は、第2の電源信号線VDD2を含む。
図2gは、上記のアクティブ半導体層0310、ゲート導電層0320、基準導電層0330、ソース・ドレイン金属層0340、補助金属層0350の積層位置関係の模式図である。図2e~図2gに示されたように、データ線Vdは、ゲート電極絶縁層、第1の層間絶縁層、および、第2の層間絶縁層における少なくとも1つのビア(たとえば、ビア381a)を介して、アクティブ半導体層0310におけるデータ書込トランジスタT2のソース電極領域に電気的に接続される。第1の電源信号線VDD1は、ゲート電極絶縁層、第1の層間絶縁層、および、第2の層間絶縁層における少なくとも1つのビア(たとえば、ビア382a)を介して、アクティブ半導体層0310における対応する第1の発光制御トランジスタT4のソース電極領域に電気的に接続される。第1の電源信号線VDD1は、第2の絶縁層における少なくとも1つのビア(たとえば、ビア3832a)を介して、基準導電層0330における第3のコンデンサC2の第1電極CC1aに電気的に接続される。第1の電源信号線VDD1は、さらに、第2の絶縁層における少なくとも1つのビア(たとえば、ビア3831a)を介して、補助金属層0350における第2の電源信号線VDD2に電気的に接続される。
たとえば、図2eおよび2gに示されたように、ソース・ドレイン金属層0340は、接続部341aと、接続部342aと、接続部343aと、をさらに含む。接続部341aの一端は、ゲート電極絶縁層、第1の層間絶縁層、および、第2の層間絶縁層における少なくとも1つのビア(たとえば、ビア384a)を介して、アクティブ半導体層0310における対応する閾値補償トランジスタT3のドレイン電極領域に電気的に接続される。接続部341aの他の端は、第1の層間絶縁層および第2の層間絶縁層における少なくとも1つのビア(たとえば、ビア385a)を介して、ゲート導電層0320における駆動トランジスタT1のゲート電極(すなわち、第3のコンデンサC2の第2電極CC2a)に電気的に接続される。接続部342aの一端は、第2の絶縁層における1つのビア(たとえば、ビア386a)を介して、第1のリセット電源信号線Init1a/第2のリセット電源信号線Init2aに電気的に接続され、接続部342aの他の端は、ゲート電極絶縁層、第1の層間絶縁層、および、第2の層間絶縁層における少なくとも1つのビア(たとえば、ビア387a)を介して、アクティブ半導体層0310における第2のリセットトランジスタT7のドレイン電極領域に電気的に接続される。接続部343aは、ゲート電極絶縁層、第1の層間絶縁層、および、第2の層間絶縁層における少なくとも1つのビア(たとえば、ビア388a)を介して、アクティブ半導体層0310における第2の発光制御トランジスタT5のドレイン電極領域に電気的に接続される。
たとえば、図2f及び2gに示されたように、補助金属層0350は、接続部351aをさらに含む。接続部351aは、第3の層間絶縁層を貫通するビア(たとえば、ビア385b)を介して、接続部343aに電気的に接続される。
たとえば、図2b~図2gに示されたように、第2方向F2において、第1の走査信号線Ga1a、第2の走査信号線Ga2a、第1のリセット制御信号線Rst1a、第2のリセット制御信号線Rst2a、第1のリセット電源信号線Init1a、第2のリセット電源信号線Init2aは、いずれも駆動トランジスタT1のゲート電極の第1側に位置し、第1の発光制御信号線EM1a、第2の発光制御信号線EM2aは、いずれも駆動トランジスタT1の第2側に位置する。
たとえば、第1の走査信号線Ga1a、第2の走査信号線Ga2a、第1のリセット制御信号線Rst1a、第2のリセット制御信号線Rst2a、第1の発光制御信号線EM1a、第2の発光制御信号線EM2a、第1のリセット電源信号線Init1a、第2のリセット電源信号線Init2aは、いずれも第1の方向F1に沿って延びており、データ線Vdは、第2方向F2に沿って延びている。
たとえば、第1の電源信号線VDD1は、第2方向F2に沿って延びており、第2の電源信号線VDD2は、第2方向F2に沿って延びている。つまり、表示基板の全体において、第1の電源信号線VDD1と第2の電源信号線VDD2とが電気的に接続されるため、第1の電源端VDDの信号線の抵抗が小さくなり、電圧降下が少なくなるため、さらに、第1の電源端VDDによって提供される電源電圧の安定性を向上させることができる。
たとえば、第1の走査信号線Ga1a、第2の走査信号線Ga2a、第1のリセット制御信号線Rst1a、第2のリセット制御信号線Rst2a、第1の発光制御信号線EM1a、第2の発光制御信号線EM2aは、同一層に位置しており、第1のリセット電源信号線Init1a、第2のリセット電源信号線Init2a、第2の電源信号線VDD2aは、同一層に位置している。第1の電源信号線VDD1、データ線Vdは、同一層に位置している。
なお、各画素駆動回路における、画素駆動回路、第1の発光制御回路、第2の発光制御回路、データ書込回路、記憶回路、および、閾値補償回路、リセット回路などの位置配置関係は、図2b~図2gに示した例に限定されず、実用の需要に従って、画素駆動回路、第1の発光制御回路、第2の発光制御回路、データ書込回路、記憶回路、閾値補償回路、および、リセット回路の位置を、具体的に設置することができる。
図3a~図8cに示されたように、本開示の実施例によって提供されるエレクトロルミネセント表示パネルは、複数の重複ユニット001を含んでもよく、各重複ユニット001は、複数のサブ画素を含み、各サブ画素は、基板100の上に位置する第1の導電層200と、第1の導電層200の上に位置する第1の絶縁層300と、第1の絶縁層300の上に位置する陽極400と、を含んでもよい。第1の絶縁層300は、第1のビア310を含み、第1のビア310は、第1の導電層200の一部を露出させる。陽極400は、互いに電気的に接続された主体部分410と補助部分420とを含み、補助部分420は、第1のビア310を介して第1の導電層200に電気的に接続される。ここで、少なくとも1つのサブ画素において、基板100への主体部分410の正投影と基板100への第1のビア310の正投影とは重ならない。そして、少なくとも1つのサブ画素において、主体部分410の、第1の方向F1のサイズは、第2方向F2のサイズよりも大きく、且つ、少なくとも1つのサブ画素において、第1のビア310と主体部分410とは、第2方向F2に沿って配置され、ここで、第1の方向F1と第2方向F2とは異なるものである。
本開示の実施例によって提供されるエレクトロルミネセント表示パネルによると、互いに電気的に接続された主体部分と補助部分とを含むように陽極をさせ、補助部分が第1のビアを介して第1の導電層に電気的に接続されるようにすることによって、陽極が第1の導電層を介して画素駆動回路と互いに電気的に接続されるようにする。そして、少なくとも1つのサブ画素において、主体部分の第1の方向におけるサイズは第2方向におけるサイズよりも大きく、且つ、少なくとも1つのサブ画素において、第1のビアと主体部分とが第2方向に沿って配置され、ここで、第1の方向と第2方向とは異なるものである。少なくとも1つのサブ画素において、基板への主体部分の正投影と基板への第1のビアの正投影とは重ならないので、当該サブ画素における陽極の主体部分が第1のビアの深さの影響を受けないように、当該サブ画素における第1のビアを回避することができ、これにより、陽極の主体部分において凹みが生じることを避けて、第1のビアによって陽極が平らでない状況を避け、さらに、表示パネルのカラーキャスト現象を改善する。
具体的に実施する時、第1のビアと主体部分とは、第2方向に沿って配置され、たとえば、前記第1のビアと前記主体部分とが第2方向に平行している1つの直線に投影されば、前記第1のビアの投影と前記主体部分との投影が不完全に重複され、たとえば第1のビアの投影と前記主体部分との投影が重ならないか、または、ただ一部が重なってもよいし、あるいは、前記第1のビアと前記主体部分とが第1の方向に平行している1つの直線に投影されば、第1のビアの投影が前記主体部分の投影内に完全に収まれてもよい。具体的に実施する時、第1のビアと主体部分とは、第2方向に沿って配置され、たとえば、前記主体部分は第1の方向にほぼ平行している第1の辺を有し、前記第1のビアは前記主体部分の第1の辺に対して前記主体部分から離れる側に位置してもよい。具体的に実施する時、第1のビアと主体部分とは第2方向に沿って配置され、たとえば、前記第1のビアの中心と前記主体部分における任意の一つの点を結ぶ1つの仮想線と、第2方向との夾角が90°よりも小さいであってもよいし、さらに、60°よりも小さいであってもよいし、またさらに、45°よりも小さいであってもよい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図8cに示されたように、同一のサブ画素における主体部分と補助部分は一体構造である。たとえば、ワンタイムパターニングプロセスによって、同一のサブ画素における主体部分と補助部分とが形成される。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図8cに示されたように、第1の導電層200は、互いに間隔して設置された第1の電源線210と第1の接続線220とを含んでもよく、ここで、各サブ画素において、補助部分420は、第1のビア310を介して第1の接続線220に電気的に接続される。例示的に、第1の導電層200は、たとえば上記の補助金属層0350である。ここで、第1の電源線210は、たとえば上記の第2の電源信号線VDD2であり、第1の接続線220は、たとえば上記の接続部351aである。また、ビアとの対応関係はここで繰り返して説明しない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図8cに示されたように、エレクトロルミネセント表示パネルは、第1の導電層200と基板100との間に位置する第2の導電層600と、第2の導電層600と第1の導電層200との間に位置する第2の絶縁層500と、をさらに含んでもよい。第2の導電層600は、間隔して設置された第2の電源線610と第2の接続線620とを有する。第2の絶縁層500は、第2の接続線620を露出させる第2のビア520と、第2の電源線610の一部を露出させる第3のビア630と、を有する。そして、第1の電源線210は、第3のビア530を介して第2の電源線610と互いに電気的に接続されることにより、抵抗を低減する効果を奏する。第1の接続線220は、第2のビア520を介して第2の接続線620と互いに電気的に接続され、第2の接続線620は、画素駆動回路におけるトランジスタのドレイン電極に電気的に接続されることにより、信号の伝送を実現する。例示的に、第2の導電層600は、たとえば上記のソース・ドレイン金属層0340である。第2の電源線610は、たとえば上記の第1の電源信号線VDD1であり、第2の接続線620は、たとえば上記の接続部343aである。そして、その中、ビアと絶縁層および他の層との対応関係は、上記のアクティブ半導体層0310、ゲート導電層0320、および、基準導電層0330の実施例を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図8cに示されたように、互いに電気的に接続された第1の接続線220と第2の接続線620とについて、基板100への第1の接続線220の正投影と、基板100への第2の接続線620の正投影とは、少なくとも一部が重なる。オプションとして、基板100への第1の接続線220の正投影と、基板100への第2の接続線620の正投影とは、重なる。オプションとして、基板100への第1の接続線220の正投影と、基板100への第2の接続線620の正投影とは一部が重なる。このようにして、互いに電気的に接続する効果を向上させることができる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図8cに示されたように、基板100への第1の電源線210の正投影と、基板100への第2の電源線610の正投影とは少なくとも一部が重なる。オプションとして、基板100への第1の電源線210の正投影と、基板100への第2の電源線610の正投影とは重なる。オプションとして、基板100への第1の電源線210の正投影と、基板100への第2の電源線610の正投影とは一部が重なる。このようにして、互いに電気的に接続する効果を向上させることができる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3aに示されたように、第3のビア530は、基板100にアレイで分布される。例示的に、複数の第3のビア530は、第1の方向F1及び第2方向F2に沿って均一に配列される。例示的に、第1の電源線210は、駆動電圧を伝送する電源線として構成されてもよい。このようにして、第2の電源線610も、駆動電圧を伝送する電源線として構成されてもよい。これにより、伝送する駆動電圧に対する負荷の悪影響を抑制することができる。さらに、具体的に実施する時、第2の導電層600は、第2の電源線610および第2の接続線620とそれぞれ間隔して設置されたデータ線及びブリッジング線とをさらに有する。当該ブリッジング線は、画素駆動回路における一部のトランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極のうちの2つを電気的に接続させるように配置される。当該データ線は、データ信号を伝送するように配置され、そして、データ線およびブリッジング線の設置方式は、関連技術における設置方式と基本的に同じであってもよく、ここでは繰り返して説明しない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図6aに示されたように、各サブ画素は、陽極400において基板100から離れる側に位置する画素限定層80と、陽極400において基板100から離れる側に位置する発光層50と、発光層50に対して陽極の反対側に位置する陰極60と、をさらに含んでもよい。ここで、画素限定層80は、陽極400の主体部分410の少なくとも一部の領域を露出させる開口を有し、発光層50は、開口内に位置し、且つ、開口に露出される主体部分410の領域に接触し、開口内の発光層50が存在する領域は、発光するために利用され、これにより、開口によって有効発光領域90を限定することができる。つまり、画素限定層80の開口と陽極400の主体部分410とが重なる部分の領域は、各サブ画素の有効発光領域90である。例示的に、第3色サブ画素030における画素限定層80の開口と陽極400の主体部分413とが重なる部分の領域は、第3色サブ画素030の有効発光領域90-030である。第1色サブ画素010における画素限定層80の開口と陽極400の主体部分411とが重なる部分の領域は、第1色サブ画素010の有効発光領域90-010である。第2色サブ画素021における画素限定層80の開口と陽極400の主体部分4121とが重なる部分の領域は、第2色サブ画素021の有効発光領域90-021である。第2色サブ画素022における画素限定層80の開口と陽極400の主体部分4122とが重なる部分の領域は、第2色サブ画素022の有効発光領域90-022である。
なお、本開示の実施例において、それぞれの発光層は、エレクトロルミネセント層自体と、エレクトロルミネセント層の両側に位置する他の共通層とを含んでもよく、たとえば、正孔注入層、正孔伝送層、電子注入層、電子伝送層などを含んでもよいが、本開示の図面では発光層におけるエレクトロルミネセント層のみが示され、他の共通層が示されていない。例示的に、エレクトロルミネセント層の材料は、有機エレクトロルミネセント材料を含んでもよく、このようにして、エレクトロルミネセント表示パネルをOLED表示パネルとすることができる。あるいは、エレクトロルミネセント層の材料は、量子ドットエレクトロルミネセント材料を含んでもよく、このようにして、エレクトロルミネセント表示パネルを、量子ドット発光ダイオード(Quantum Dot Light Emitting Diodes、QLED)表示パネルとすることができる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3aおよび図4に示されたように、同一のサブ画素において、基板100への第1のビア310の正投影と基板100への第2のビア520の正投影とは重ならない。このようにして、ビアが深すぎることで陽極が第2の接続線に電気的に接続されない問題を避けることができる。
例示的に、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a、図3b、及び図5aに示されたように、第1の電源線210は、第1の方向F1に沿って配列され、且つ、第2方向F2に沿って延びている複数のサブ電源線211を含んでもよい。ここで、第1の方向F1と第2方向F2とは異なるものである。例示的に、第1の方向F1は、第2方向F2に垂直である。例示的に、第1の方向F1は、表示パネルの行方向、すなわちゲート線が伸びる方向であってもよく、第2方向F2は、表示パネル列方向、すなわちデータ線が延びている方向であってもよい。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3cおよび図5bに示されたように、第1の電源線210は、第1の方向F1に沿って配列され、且つ、第2方向F2に沿って延びている複数のサブ電源線211と、各々のサブ電源線211を電気的に接続する導線212とを含んでもよい。このようにして、第1の電源線210の抵抗をさらに低減することができる。例示的に、第1の方向F1は、第2方向F2に垂直である。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3cおよび図5bに示されたように、サブ電源線211と導線212によってほぼグリッド構成が形成され、それぞれのグリッドの内部には、1つの第1の接続線220が設置されており、且つ、第1の接続線220は、サブ電源線211とも、導線212とも、間隔がある。
一般的に、表示分野において、1つの画素は、通常に、それぞれ単一の色(たとえば、赤、緑、または、青)を表示させる複数のサブ画素を含み、異なる色のサブ画素の比率を制御することによって、異なる色の表示を実現するので、上記のサブ画素は単一の色のサブ画素であることができる。具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、複数の重複ユニット001の夫々は、第2方向F2に沿って配列された1つの第1色サブ画素010と、1つの第2色サブ画素対020と、1つの第3色サブ画素030と、を含んでもよい。ここで、第2色サブ画素対020は、第1の方向F1に沿って配列された2つの第2色サブ画素021、022を含んでもよい。ここで、第1色サブ画素010は、第1色の光を発光するように構成され、第2色サブ画素021、022は、第2色の光を発光するように構成され、第3色サブ画素は、第3色の光を発光するように構成される。いくつかの例において、第1色、第2色、および、第3色は、赤、緑、および、青の中から選択してもよい。たとえば、第1色は赤であり、第2色は緑であり、第3色は青である。したがって、当該重複ユニット001は、赤サブ画素、緑サブ画素、および、青サブ画素が配列される構成である。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。上記の第1色、第2色、および、第3色は、他の色であってもよい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、複数の重複ユニット001は、第2方向F2に沿って配列されて重複ユニットグループを形成し、重複ユニットグループは、第1の方向F1に沿って配列され、且つ、隣接する2つの重複ユニットグループにおける重複ユニット001が位置をずらして配列される。例示的に、隣接する2つの重複ユニットグループにおける重複ユニット001は、重複ユニット001のサイズの1/2だけずれる。なお、1つの上記の重複ユニット001のサイズは、第2方向F2において隣接する2つの重複ユニット001における同一の色サブ画素の中心の間の距離であってもよい。たとえば、1つの上記の重複ユニット001のサイズは、第2方向F2において隣接する2つの重複ユニット001における第1色サブ画素010の中心の間の距離であってもよい。
あるいは、たとえば、隣接する重複ユニットグループにおける重複ユニットは、第2方向において互いにずれている、つまり、隣接する重複ユニットグループにおける隣接する重複ユニットは、第2方向においてある程度のオフセット量を持つ。したがって、隣接する重複ユニットグループにおける同一の色のサブ画素は、第2方向において整列されていない。いくつかの例において、隣接する重複ユニットグループにおける同一の色サブ画素の第2方向のオフセット量は、重複ユニットの第2方向のサイズの半分であってもよい。たとえば、重複ユニットの第2方向のサイズは、重複ユニットの第2方向のピッチであってもよい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第2色サブ画素対020は、第1方向F1に沿って配列された2つの第2色サブ画素021、022を含んでもよい。FMM(Fine Metal Mask)蒸着プロセスによって発光層を製造する場合、それぞれの第2色サブ画素対020における2つの第2色サブ画素021、022の発光層を接続し、FMMにおける1つの蒸着穴によって、各第2色サブ画素対020における2つの第2色サブ画素021、022の発光層を形成してもよい。第2色が緑である場合、緑のサブ画素の発光層を製造するプロセスの難易度をある程度低減することができる。
また、図面での各サブ画素の主体部分の形状は、2つの線分によって形成される厳密な角度を含むが、いくつかの実施例において、各サブ画素の有効発光領域の形状は、いずれも丸みを帯びた図形であってもよい。つまり、上記の様々な図形の形状をもとにして、各サブ画素の有効発光領域の角が面取りされる。たとえば、マスクを介して発光層を蒸着する場合、発光層における角の部分は、自然に丸みを帯びた形状に形成されることがある。
いくつかの例において、図3a~図4に示されたように、第1色サブ画素010および第3色サブ画素030の主体部分の形状は、いずれも六角形であってもよく、当該六角形における3対の反対側の辺対はいずれも平行している。各第2色サブ画素021、022の主体部分の形状は、五角形であってもよく、当該五角形は、直交せず交差する2つの辺と、平行する反対側の辺対と、当該平行している反対側の辺対に垂直する1つの垂直辺とを含み、直交せず交差する2つの辺は平行する辺対同士を接続する。ここで、各第2色サブ画素対020における第2色サブ画素021、022の垂直辺は、隣接して設置される。
いくつかの例において、図3a~図4に示されたように、第1色サブ画素010の主体部分における平行する比較的に長い反対側の辺対、および、第3色サブ画素030の主体部分における平行する比較的に長い反対側の辺対は、それぞれ、第2色サブ画素021、022の主体部分における平行する反対側の辺対に平行している。さらに、例示的に、第1色サブ画素010の有効発光領域90-010における平行する比較的に長い反対側の辺対、および、第3色サブ画素030の有効発光領域90-030における平行する比較的に長い反対側の辺対は、それぞれ、第2色サブ画素021、022の有効発光領域90-021、90-022における平行する反対側の辺対に平行している。
いくつかの例において、図3a~図4に示されたように、第1色サブ画素010の面積は、1つの第2色サブ画素020の面積よりも大きく、第3色サブ画素030の面積は、1つの第2色サブ画素020の面積よりも大きい。たとえば、第1色サブ画素010の有効発光領域90-010の面積は、1つの第2色サブ画素020の有効発光領域90-021、90-022の面積よりも大きく、第3色サブ画素030の有効発光領域90-030の面積は、1つの第2色サブ画素020の有効発光領域90-021、90-022の面積よりも大きい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第1方向F1において隣接する2つの重複ユニットの第2方向F2のずれ距離は、第1色サブ画素010の最大のスパン、第2色サブ画素021の最大のスパン、第2色サブ画素022の最大のスパン、および、第3色サブ画素030の最大のスパンのうちの1つまたはそれらの合計よりも大きい。たとえば、第1方向F1において隣接する2つの重複ユニットの第2方向F2のずれ距離は、第1色サブ画素010の有効発光領域90-010の最大のスパンd010、第2色サブ画素021の有効発光領域90-021の最大のスパンd020、第2色サブ画素022の有効発光領域90-022の最大のスパンd020、および、第3色サブ画素030の有効発光領域90-030の最大のスパンd030のうちの1つまたはそれらの合計よりも大きい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、1つの重複ユニット001において、第2色サブ画素対020における第2色サブ画素021と第2色サブ画素022との第1方向F1の最も遠い距離は、第1色サブ画素010における任意の2つの点同士の第1方向F1の最も遠い距離よりも大きい。たとえば、1つの重複ユニット001において、第2色サブ画素対020における第2色サブ画素021の有効発光領域90-021と第2色サブ画素022の有効発光領域90-022との第1方向F1の最も遠い距離は、第1色サブ画素010の有効発光領域90-010における任意の2つの点同士の第1方向F1の最も遠い距離よりも大きい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、1つの重複ユニット001において、第2色サブ画素対020における第2色サブ画素021と第2色サブ画素022との第1方向F1の最も遠い距離は、第3色サブ画素030における任意の2つの点同士の第1方向F1の最も遠い距離よりも大きい。たとえば、1つの重複ユニット001において、第2色サブ画素対020における第2色サブ画素021の有効発光領域90-021と第2色サブ画素022の有効発光領域90-022との第1方向F1の最も遠い距離は、第3色サブ画素030の有効発光領域90-030における任意の2つの点同士の第1方向F1の最も遠い距離よりも大きい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第1色サブ画素に隣接するサブ画素は、第1色サブ画素を含まなく、第2色サブ画素対に隣接するサブ画素は、第2色サブ画素を含まなく、第3色サブ画素に隣接するサブ画素は、第3色サブ画素を含まない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第1方向F1および第2方向F2において、2つの第1色サブ画素010は、第1色サブ画素以外の他のサブ画素によって分割され、2つの第3色サブ画素030は、第3色サブ画素以外の他のサブ画素によって分割され、2つの第2色サブ画素対は、第2色サブ画素以外の他のサブ画素によって分割される。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第1方向F1において隣接する2つの重複ユニットは、1つの重複グループとして配列される。例示的に、同一の重複グループにおいて、1つの重複ユニットにおける第2色サブ画素対は、もう1つの重複ユニットにおける1つの第1色サブ画素と1つの第3色サブ画素との第2方向F2の最大のスパンの間に位置する。たとえば、同一の重複グループにおいて、1つの重複ユニットにおける第2色サブ画素対の有効発光領域は、もう1つの重複ユニットにおける1つの第1色サブ画素の有効発光領域と1つの第3色サブ画素の有効発光領域の第2方向F2の最大のスパンの間に位置する。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第1方向F1において隣接する2つの重複ユニットは、1つの重複グループとして配列される。例示的に、同一の重複グループにおいて、1つの重複ユニットにおける第1色サブ画素は、もう1つの重複ユニットにおける1つの第2色サブ画素対と1つの第3色サブ画素との第2方向F2の最大のスパンの間に位置する。たとえば、同一の重複グループにおいて、1つの重複ユニットにおける第1色サブ画素の有効発光領域は、もう1つの重複ユニットにおける1つの第2色サブ画素対の有効発光領域と1つの第3色サブ画素の有効発光領域との第2方向F2の最大のスパンの間に位置する。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第1方向F1において隣接する2つの重複ユニットは、1つの重複グループとして配列される。例示的に、同一の重複グループにおいて、1つの重複ユニットにおける第3色サブ画素は、もう1つの重複ユニットにおける1つの第2色サブ画素対と1つの第1色サブ画素との第2方向F2の最大のスパンの間に位置する。たとえば、同一の重複グループにおいて、1つの重複ユニットにおける第3色サブ画素の有効発光領域は、もう1つの重複ユニットにおける1つの第2色サブ画素対の有効発光領域と1つの第1色サブ画素の有効発光領域との第2方向F2の最大のスパンの間に位置する。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、同一の重複ユニット001において、同一の第2色サブ画素対020における2つの第2色サブ画素021、022の第1方向F1の最小距離は、1つの第1色サブ画素010の第1方向の最大のスパンよりも小さい。たとえば、同一の重複ユニット001において、同一の第2色サブ画素対020における第2色サブ画素021の有効発光領域90-021と第2色サブ画素022の有効発光領域90-022との第1方向F1の最小距離は、1つの第1色サブ画素010の有効発光領域90-010の第1方向F1の最大のスパンd010よりも小さい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、同一の重複ユニット001において、同一の第2色サブ画素対020における2つの第2色サブ画素021、022の第1方向F1の最小距離は、1つの第3色サブ画素030の第1方向F1の最大のスパンよりも小さい。たとえば、同一の重複ユニット001において、同一の第2色サブ画素対020における第2色サブ画素021の有効発光領域90-021と第2色サブ画素022の有効発光領域90-022との第1方向F1の最小距離は、1つの第3色サブ画素030の有効発光領域90-030の第1方向F1の最大のスパンd030よりも小さい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、奇数列の重複ユニットグループにおける重複ユニットにおけるサブ画素の配列方式は同一であり、偶数列の重複ユニットグループにおける重複ユニットにおけるサブ画素の配列方式は同一である。たとえば、基板の表示領域のへり部分以外、各重複ユニットにおける2つの緑サブ画素の中心の接続線は、隣接する重複ユニットグループにおける隣接する赤サブ画素と青サブ画素の夫々の中心の間に位置する。また、上記の2つの緑サブ画素の縁部は、上記の隣接する赤サブ画素および青サブ画素の外側縁部の内側に位置し、ここでの外側縁部とは、2つのサブ画素における第1方向F1に互いに離れる縁部を指す。つまり、第1方向F1において、1つの緑サブ画素対が第1方向において延びる範囲は、上記隣接する赤サブ画素と青サブ画素が第1方向において延びる範囲よりも大きくない。また、本開示の実施例において、特に説明がない限り、サブ画素の「中心」とは、サブ画素(たとえば、第1色サブ画素、第2色サブ画素、または、第3色サブ画素)の形状の幾何学的な中心を指す。
なお、サブ画素の配列構成を設計する時、サブ画素は一般的に六角形、五角形、台形または他の形状などの規則的な形状で設計される。設計する時、サブ画素の中心は、上記の規則的な形状の幾何学的な中心であってもよい。しかしながら、実際の製造プロセスにおいて、形成されたサブ画素の形状は、一般的に、設計された上記の規則的な形状とある程度の偏差があることになる。たとえば、上記の規則的な形状の各々の角は、丸コーナに変換される可能性もあり、したがって、サブ画素の形状は、丸みを帯びた図形であってもよい。なお、実際に製造されたサブ画素の形状は、設計された形状に対して他の変化がある可能性もある。たとえば、六角形に設計されたサブ画素の形状が、実際の製造においてほぼ楕円形になる可能性もある。したがって、サブ画素の中心も、製造して形成されたサブ画素の不規則的な形状の厳密な幾何学的な中心でない可能性もある。本開示の実施例において、サブ画素の中心は、サブ画素の形状の幾何学的な中心からある程度のオフセット量を有してもよい。サブ画素の中心とは、サブ画素の幾何学的な中心からサブ画素の縁部の各点までの放射線分における特定の点によって囲まれる領域内の任意の点を指し、当該放射線分における特定の点は、当該幾何学的な中心から当該放射線分の長さの1/3離れたところに位置する。当該サブ画素中心の定義は、規則的な形状のサブ画素形状の中心に適用され、不規則的な形状のサブ画素の中心にも適用される。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、隣接する3つの重複ユニットグループごとにおいて、当該3つの隣接する列は、行方向(すなわち、第1方向F1)に沿って第1列、第2列、および、第3列を順次に含み、第2列における第2色サブ画素020対における2つの第2色サブ画素021、022の中心の行方向の最小距離は、第1列における第1色サブ画素010の中心と第3列における第1色サブ画素010の中心との行方向の最小距離よりも小さい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第1色サブ画素010における第2方向F2の辺と、第3色サブ画素030における第2方向F2の辺は、平行に並べている。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、各重複ユニット001において、第1色サブ画素010、第2色サブ画素対020、および、第3色サブ画素030の配列順序は同一である。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第1色サブ画素010の主体部分411の第2方向F2のサイズは、第3色サブ画素030の主体部分413の第2方向F2のサイズよりも小さい。そして、第1色サブ画素010の主体部分411の第1方向F1のサイズは、第3色サブ画素030の主体部分413の第1方向F1のサイズよりも大きい。例示的に、第3色サブ画素030の主体部分413の第2方向F2のサイズは、第3色サブ画素030の主体部分413の第1方向F1のサイズよりも小さく、そして、第1色サブ画素010の主体部分411の第2方向F2のサイズは、第1色サブ画素010の主体部分411の第1方向F1のサイズよりも小さい。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されなく、上記の各サイズの間の関係は、他の形態であってもよい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図8cに示されたように、各サブ画素は、第1の導電層200の基板100に面する側に位置する画素駆動回路をさらに含み、ここで、各サブ画素における画素駆動回路はアレイで分布される。なお、画素駆動回路の各層の構成は、図2a~図2gに示した構成を参照することができ、ここでは繰り返して説明しない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図2gおよび図3bに示されたように、第3色サブ画素030における画素駆動回路、1番目の第2色サブ画素021における画素駆動回路、第1色サブ画素010における画素駆動回路、および、2番目の第2色サブ画素022における画素駆動回路は、第1方向F1に沿って順次に配置される。当然ながら、本開示は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図2gおよび図3bに示されたように、各画素駆動回路における各層パターンが存在する領域の第2方向F2のサイズは、第1方向のサイズよりも大きい。当然ながら、本開示は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図2gおよび図3bに示されたように、第1色サブ画素010の主体部分411の延在方向S1と第1色サブ画素010の画素駆動回路が存在する領域の長さ方向S2との間には、第1の夾角θ1があり、ここで、第1の夾角θ1は、45度ないし165度の間にある。例示的に、θ1は、ほぼ90度であってもよく、つまり、第1色サブ画素010の主体部分411の延在方向S1(たとえば、第1色サブ画素010の主体部分411の延在方向、第1方向F1であってもよい)は、第1色サブ画素010の画素駆動回路が存在する領域の長さ方向(たとえば、第1色サブ画素010の画素駆動回路が存在する領域の長さ方向は、第2方向F2であってもよい)にほぼ垂直である。当然ながら、θ1は、ほぼ45度ないし135度の間にあってもよいし、75度と115度との間にあってもよいし、または、50度、80度、100度、120度、140度であってもよい。本開示は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図2gおよび図3bに示されたように、第3色サブ画素030の主体部分413の延在方向S3と第3色サブ画素010の画素駆動回路が存在する領域の長さ方向S2との間には、第2の夾角θ2があり、ここで、第2の夾角θ2は、45度ないし165度の間にある。例示的に、θ2は、ほぼ90度であってもよく、つまり、第3色サブ画素030の主体部分413の延在方向S1(たとえば、第3色サブ画素030の主体部分411の延在方向は、第1方向F1)は、第3色サブ画素010の画素駆動回路が存在する領域の長さ方向S2(たとえば、第3色サブ画素010の画素駆動回路が存在する領域の長さ方向は、第2方向F2)にほぼ垂直である。当然ながら、θ2は、ほぼ45度、75度、115度、135度であってもよい。本開示は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図2gおよび図3bに示されたように、第2色サブ画素対020の延在方向S4と第2色サブ画素対020の画素駆動回路が存在する領域の長さ方向S2との間には、第3の夾角θ3があり、ここで、第3の夾角θ3は、45度ないし165度の間にある。例示的に、θ3は、ほぼ90度であってもよく、つまり、第2色サブ画素対020の延在方向S4(たとえば、第2色サブ画素対020の延在方向は、第1方向F1)は、第2色サブ画素対020の画素駆動回路が存在する領域の長さ方向S2(たとえば、第2色サブ画素対020の画素駆動回路が存在する領域の長さ方向は、第2方向F2)にほぼ垂直である。当然ながら、θ3は、ほぼ45度ないし135度の間にあってもよいし、75度ないし115度の間にあってもよいし、または、50度、80度、100度、120度、140度であってもよい。本開示は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、たとえば、1つのサブ画素の画素駆動回路の各々の層のパターンを含むように1つの矩形領域を限定し、たとえば、図2gの点線枠に示されたように、基板上にマトリックス状に配列するように各々のサブ画素の画素駆動回路の矩形領域を限定すると、当該矩形領域の長辺方向は第1色サブ画素の主体部分の延在方向にほぼ垂直である。
具体的に実施する時、たとえば、1つのサブ画素の画素駆動回路の各々の層のパターンを含むように1つの矩形領域を限定し、たとえば、図2gの点線枠に示されたように、基板上にマトリックス状に配列するように各々のサブ画素の画素駆動回路の矩形領域を限定すると、当該矩形領域の長辺方向は第3色サブ画素の主体部分の延在方向にほぼ垂直である。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図2a~図6cに示されたように、第3色サブ画素030において、基板100への主体部分413の正投影と画素駆動回路における駆動トランジスタとは重ならなく、基板100への主体部分413の正投影と、基板100への、画素駆動回路に隣接する次の行の画素駆動回路に電気的に接続されたリセット制御信号線(すなわち、次の行の第1のリセット制御信号線Rst1aまたは第2のリセット制御信号線Rst2a)およびリセット電源信号線(すなわち、次の行の第1のリセット電源信号線Init1aまたは第2のリセット電源信号線Init2a)の正投影とは重なるし、基板100への主体部分413の正投影と基板100への2つのデータ線Vdの正投影とは重なるし、基板100への主体部分413の正投影と基板100への2つの第2の電源線610の正投影とは重なる。例示的に、正投影が主体部分413と重なる、データ線Vdと電源線610とは交互に配列される。当然ながら、本開示は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図5bに示されたように、第3色サブ画素030において、基板100への主体部分413の正投影は、基板100への2つのサブ電源線211の正投影を覆う。そして、基板100への主体部分413の正投影と重なる2つのサブ電源線211は、主体部分413の中心の両側で平行に設置される。例示的に、基板100への主体部分413の正投影と重なる2つのサブ電源線211の正投影は、主体部分413の正投影を通過する。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図5bに示されたように、第1色サブ画素010において、基板100への主体部分411の正投影は、基板100への2つのサブ電源線211の正投影を覆う。そして、基板100への主体部分411の正投影と重なる2つのサブ電源線211は、主体部分411の中心の両側で平行に設置される。例示的に、基板100への主体部分411の正投影と重なる2つのサブ電源線211の正投影は、主体部分411の正投影を通過する。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図6cに示されたように、第1色サブ画素010において、基板100への主体部分411の正投影と画素駆動回路における駆動トランジスタとは重なるし、基板100への主体部分411の正投影と、基板100への画素駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線(第1の発光制御信号線EM1aまたは第2の発光制御信号線EM2a)の正投影とは重なるし、基板100への主体部分411の正投影と基板100への2つのデータ線Vdの正投影とは重なるし、基板100への主体部分411の正投影と基板100への2つの第2の電源線610の正投影とは重なる。当然ながら、本開示は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3cおよび図5bに示されたように、第2色サブ画素において、基板への主体部分の正投影と、基板への1つのサブ電源線およびサブ電源線に電気的に接続された導線の正投影とは少なくとも一部が重なる。例示的に、図3cおよび図5bに示されたように、第2色サブ画素対020は、1番目の第2色サブ画素021と2番目の第2色サブ画素022とを含んでもよい。ここで、1番目の第2色サブ画素021において、基板100への主体部分4121の正投影と、基板100への1つのサブ電源線211およびサブ電源線211に電気的に接続された導線212の正投影とは一部が重なる。例示的に、基板100への主体部分4121の正投影と重なるサブ電源線211および導線212は、十字状の設置方式を利用してもよい。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。上記の基板100への主体部分4121の正投影と重なるサブ電源線211および導線212は、他の形態に設置されてもよい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3b、図5b、及び図6cに示されたように、1番目の第2色サブ画素021において、基板100への主体部分4121の正投影と画素駆動回路における駆動トランジスタとは重なりがないし、基板100への主体部分4121の正投影と、基板への画素駆動回路に隣接する次の行の画素駆動回路に電気的に接続されたリセット制御信号線(すなわち、次の行の第1のリセット制御信号線Rst1aまたは第2のリセット制御信号線Rst2a)および走査信号線(すなわち、次の行の第1の走査信号線Ga1aまたは第2の走査信号線Ga2a)の正投影とは重なる。当然ながら、本開示は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3b、図5b、及び図6cに示されたように、2番目の第2色サブ画素022において、基板100への主体部分4122の正投影と画素駆動回路における駆動トランジスタとは重なりがないし、基板100への主体部分4122の正投影と、基板100への画素駆動回路に隣接する次の行の画素駆動回路に電気的に接続されたリセット制御信号線(すなわち、次の行の第1のリセット制御信号線Rst1aまたは第2のリセット制御信号線Rst2a)及び走査信号線(すなわち、次の行の第1の走査信号線Ga1aまたは第2の走査信号線Ga2a)の正投影とは重なる。当然ながら、本開示は、これらを含むが、これらに限定されない。
例示的に、図3cおよび図5bに示されたように、2番目の第2色サブ画素022において、基板100への主体部分4122の正投影と、基板100への1つのサブ電源線211およびサブ電源線211に電気的に接続された導線212の正投影とは、一部が重なる。例示的に、基板100への主体部分4122の正投影と重なるサブ電源線211および導線212は、十字状の設置方式を利用してもよい。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。上記基板100への主体部分4122の正投影と重なるサブ電源線211および導線212は、他の形態に設置されてもよい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3cおよび図5bに示されたように、サブ電源線211と導線212は互いに電気的に接続されて、第1の電源線210がグリッド状の構成に形成される。例示的に、導線212は、基板100にアレイで配置される。たとえば、図3cおよび図5bに示されたように、同一の重複ユニットグループにおける隣接する第3色サブ画素030および第1色サブ画素010について、当該第3色サブ画素030における主体部分413と第1色サブ画素010における主体部分411との間に、1つの導線212が設置される。第2色サブ画素対020における主体部分4121および主体部分4122によって覆われる導線212は、第1方向F1に沿って、同一の直線に延びる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図6cに示されたように、各第3色サブ画素030において、主体部分413と補助部分423は、互いに電気的に接続され、補助部分423は第1のビア310を介して第1の接続線223と互いに電気的に接続され、第1の接続線223は第2のビア520を介して第2の接続線623と互いに電気的に接続され、第2の接続線623は画素駆動回路におけるトランジスタのドレイン電極に電気的に接続されて、画素駆動回路によって生成された電気信号を陽極400に入力し、また、対応する電圧を陰極60に印加することによって、発光層50を発光させるように駆動する。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4、図6a、及び図6cに示されたように、各第3色サブ画素030において、基板100への主体部分413の正投影と、基板100への第1のビア310の正投影とは重ならない。このようにして、各第3色サブ画素030における主体部分413が第1のビア310の影響を受けないようにすることができて、第1のビア310によって主体部分413が平らでない状況の発生を避け、これにより、表示パネルのカラーキャスト現象を改善することができる。
一般的に、第1のビア310と第2のビア520との間の距離は、遠すぎたり近すぎたりしてはならなく、具体的に実施する時、本開示の実施例において、各第3色サブ画素030において、第2方向F2に沿って、第1のビア310と第2のビア520との間の距離Wにおける最小値は、1ミクロン~2ミクロンの範囲に収束されることができる。ここで、第1のビア310と第2のビア520との間の距離Wにおける最小値がであってもよい。第1のビア310と第2のビア520との間の距離Wにおける最小値がであってもよく、第1のビア310と第2のビア520との間の距離Wにおける最小値がであってもよい。当然ながら、実際の応用において、第1のビア310と第2のビア520との間の距離Wは、実際の応用の環境に応じて設計して確定すればよく、ここでは限定しない。
オプションとして、第1の絶縁層は、平坦層として構成されてもよく、これにより、第1の絶縁層に位置する主体部分が比較的に高い平坦度を有するようにする。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4、図6a、及び図6cに示されたように、第3色サブ画素030において、基板100への主体部分413の正投影と基板100への第2のビア520の正投影とは、少なくとも一部が重なる。たとえば、基板100への主体部分413の正投影は、基板100への第2のビア520の正投影を覆われる。第2のビア520が第2の絶縁層500に位置するため、第2の絶縁層500と主体部分413との間には、第1の絶縁層300および第1の導電層200が存在し、したがって、主体部分413に対する第2のビア520の影響が比較的に小さくなり、無視されることもできる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3bおよび図6cに示されたように、第3色サブ画素030において、第1のビア310は、第2のビア520よりも画素駆動回路における駆動トランジスタに接近して設置される。当然ながら、本開示は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3bに示されたように、各サブ画素は、第4のビア710をさらに含む。オプションとして、第4のビア710は、第1方向F1に沿って1つの直線に配列され、且つ、同一の直線に位置する、隣接する2つの第4のビア710の間の間隔は、ほぼ同じである。ここで、第4のビア710は、ビア388aであってもよい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3bおよび図6cに示されたように、第3色サブ画素030において、基板100への第4のビア710の正投影と基板100への第2のビア520の正投影とは重なる。当然ながら、本開示は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3b~図8cに示されたように、第3色サブ画素030において、基板100への第1のビア310の正投影と、基板100への駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線(すなわち、本行の第1の発光制御信号線EM1aまたは第2の発光制御信号線EM2a)の正投影とは重なるし、且つ、基板100への第2のビア520の正投影と、基板100への駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線(すなわち、本行の第1の発光制御信号線EM1aまたは第2の発光制御信号線EM2a)の正投影とは、重ならないし、基板100への第4のビア710の正投影と、基板100への駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線(本行の第1の発光制御信号線EM1aまたは第2の発光制御信号線EM2a)の正投影とは重ならない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3aおよび図6bに示されたように、第3色サブ画素030において、基板100への主体部分413の正投影と基板100への2つの第3のビア530の正投影とは、少なくとも一部が重なる。たとえば、第3色サブ画素030において、基板100への主体部分413の正投影と基板100への2つの第3のビア530の正投影とは、一部が重なる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a、図3c、及び図6bに示されたように、第3色サブ画素030において、第1のビア310は、基板100への主体部分413の正投影と重なる2つの第3のビア530の中心線LZ1の一側に接近して設置され、また、第2のビア520は、基板100への主体部分413の正投影と重なる2つの第3のビア530の中心線LZ1の他の側に接近して設置される。このようにして、第3色サブ画素030における第1のビア310と第2のビア520とは、距離が比較的に近いように設置されることができる。なお、中心線LZ1は、第1方向F1に平行している。また、中心線LZ1は、この2つの第3のビア530の中心を通過する線であり、実際に存在する線ではなく、仮想的なものである。
なお、本開示の実施例において、基板が位置する平面に平行している平面において、ビアの断面は、たとえば、長方形、正多角形(正方形、正五角形、正六角形等)、円形、楕円形などの規則的な図形であってもよいし、このとき、ビアの中心とは、当該規則的な図形の幾何学的中心を指してもよい。当然ながら、基板が位置する平面に平行している平面において、ビアの断面は、不規則的な図形であってもよいし、このとき、ビアの中心とは当該不規則的な図形の同等の幾何学的中心を指してもよい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第3色サブ画素030において、主体部分413は、軸対称図形であってもよく、第1のビア310は、第2方向F2に沿う主体部分413の対称軸に位置してもよい。例示的に、第3色サブ画素030における主体部分413は、第2方向F2に沿う第1の対称軸を有してもよく、第3色サブ画素030における第1のビア310は、第1の対称軸に対してほぼ軸対称に設置され、例示的に、第3色サブ画素030における主体部分413の形状は、ほぼ六角形または楕円形であり、六角形の長対称軸または楕円形の長軸は、第1方向F1にほぼ平行され、六角形の短対称軸または楕円形の短軸は、第2方向F2にほぼ平行され、六角形の短対称軸または楕円形の短軸を第1の対称軸とすることができる。例示的に、第3色サブ画素030における第1のビア310を、第1の対称軸に対してほぼ軸対称に設置してもよいし、第3色サブ画素030における第1のビア310を、第1の対称軸に対してほぼ軸対称に設置することでなく、ただ第1の対称軸と交差するように設置してもよい。当然ながら、実際の応用において、実際の応用の環境に応じて、第3色サブ画素030における第1のビア310の実施形態を設計して確定すればよく、ここでは限定しない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第3色サブ画素030において、第2のビア520は、第2方向F2に沿う主体部分413の対称軸に位置してもよい。例示的に、第3色サブ画素030における第2のビア520は、第1の対称軸に対してほぼ軸対称に設置される。例示的に、第3色サブ画素030における第2のビア520を、第1の対称軸に対してほぼ軸対称に設置してもよいし、第3色サブ画素030における第2のビア520を第1の対称軸に対してほぼ軸対称に設置することでなく、ただ第1の対称軸と交差するように設置してもよい。当然ながら、実際の応用において、実際の応用の環境に応じて、第3色サブ画素030における第2のビア520の実施形態を設計して確定すればよく、ここでは限定しない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図3c、図6c、及び図7aに示されたように、各第1色サブ画素010において、主体部分411と補助部分421とは互いに電気的に接続され、補助部分421は、第1のビア310を介して第1の接続線221と互いに電気的に接続され、第1の接続線221は、第2のビア520を介して第2の接続線621と互いに電気的に接続され、第2の接続線621と画素駆動回路におけるトランジスタのドレイン電極と電気的に接続されることによって、画素駆動回路によって生成された電気信号を陽極400に入力し、また、対応する電圧を陰極60に印加することによって、発光層50を発光させるように駆動する。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4、図6c、及び図7aに示されたように、各第1色サブ画素010において、基板100への主体部分411の正投影と基板100への第1のビア310の正投影とは重ならない。このようにして、各第1色サブ画素010における主体部分411が第1のビア310の影響を受けないようにすることができ、第1のビアによって主体部分411が平らでない状況の発生を避け、これにより、表示パネルのカラーキャスト現象を改善することができる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4、及び、図6c~図7aに示されたように、第1色サブ画素010において、基板100への主体部分411の正投影と基板100への第2のビア520の正投影とは、少なくとも一部が重なる。例示的に、基板100への主体部分411の正投影は、基板100への第2のビア520の正投影を覆う。第2のビア520が第2の絶縁層500に位置するため、第2の絶縁層500と主体部分411との間には、第1の絶縁層300及び第1の導電層200が存在し、したがって、主体部分411に対する第2のビア520の影響が比較的に小さく、無視してもよい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3bに示されたように、第1色サブ画素010において、第1のビア310は、第2のビア520よりも画素駆動回路における駆動トランジスタから離れて設置される。当然ながら、本開示は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3bおよび図6cに示されたように、第1色サブ画素010において、基板100への第4のビア710の正投影と基板100への第1のビア310の正投影とは重なる。当然ながら、本開示は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3bおよび図6cに示されたように、第1色サブ画素010において、基板100への第1のビア310の正投影と、基板100への駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線(すなわち、本行の第1の発光制御信号線EM1aまたは第2の発光制御信号線EM2a)の正投影とは、重ならないし、且つ、基板への第2のビアの正投影と、基板への駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線(すなわち、本行の第1の発光制御信号線EM1aまたは第2の発光制御信号線EM2a)の正投影とは重なるし、基板100への第4のビア710の正投影と、基板100への駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線(すなわち、本行の第1の発光制御信号線EM1aまたは第2の発光制御信号線EM2a)の正投影とは重ならない。当然ながら、本開示は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4、図6c、及び図7bに示されたように、第1色サブ画素010において、基板100への主体部分411の正投影と基板100への2つの第3のビア530の正投影とは、少なくとも一部が重なる。例示的に、第1色サブ画素010において、基板100への主体部分411の正投影と基板100への2つの第3のビア530の正投影とは、一部が重なる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第1色サブ画素010において、第1のビア310は、正投影が重なる2つの第3のビア530の中心線LZ2の一側に接近して設置され、また、第2のビア520は、正投影が重なる2つの第3のビア530の中心線LZ2の他の側に接近して設置される。このようにして、第1色サブ画素010における第1のビア310と第2のビア520は、距離が比較的に近いように設置されることができる。なお、中心線LZ2は、第1方向F1に平行している。また、中心線LZ2は、この2つの第3のビア530の中心を通過する線であり、実際に存在する線ではなく、仮想的なものである。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第1色サブ画素010において、主体部分411は、軸対称図形であってもよく、第1のビア310は、第2方向F2に沿う主体部分411の対称軸に位置する。例示的に、第1色サブ画素010における主体部分411は、第2方向F2に沿う第2の対称軸を有してもよい。例示的に、第1色サブ画素010における主体部分411の形状は、ほぼ六角形または楕円形であり、六角形の長対称軸または楕円形の長軸は、第1方向F1にほぼ平行され、六角形の短対称軸または楕円形の短軸は、第2方向F2にほぼ平行され、六角形の短対称軸または楕円形の短軸を第2の対称軸とすることができる。例示的に、第1色サブ画素010における第1のビア310を第2の対称軸に対してほぼ呈軸対称に設置してもよいし、第1色サブ画素010における第1のビア310を第1の対称軸に対してほぼ軸対称に設置することでなく、ただ第1の対称軸と交差するように設置してもよい。当然ながら、実際の応用において、実際の応用の環境に応じて、第1色サブ画素010における第1のビア310の実施形態を設計して確定すればよく、ここでは限定しない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第1色サブ画素010において、第2のビア520は、第2方向F2に沿う主体部分411の対称軸に位置する。例示的に、第1色サブ画素010における第2のビア520を、第2の対称軸に対してほぼ呈軸対称に設置してもよいし、第1色サブ画素010における第2のビア520を第2の対称軸に対してほぼ軸対称に設置することでなく、ただ第1の対称軸と交差するように設置してもよい。当然ながら、実際の応用において、実際の応用の環境に応じて、第1色サブ画素010における第2のビア520の実施形態を設計して確定すればよく、ここでは限定しない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4、図8a、及び図8cに示されたように、各1番目の第2色サブ画素021において、主体部分4121は、補助部分4221と互いに電気的に接続され、補助部分4221は、第1のビア310を介して第1の接続線2221と互いに電気的に接続され、第1の接続線2221は、第2のビア520を介して第2の接続線6221と互いに電気的に接続され、第2の接続線6221は、画素駆動回路におけるトランジスタのドレイン電極に電気的に接続されることによって、画素駆動回路によって生成された電気信号を陽極400に入力し、また、対応する電圧を陰極60に印加することによって、発光層50を発光させるように駆動する。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4、図8b、及び図8cに示されたように、各2番目の第2色サブ画素022において、主体部分4122は、補助部分4222と互いに電気的に接続され、補助部分4222は、第1のビア310を介して第1の接続線2222と互いに電気的に接続され、第1の接続線2222は、第2のビア520を介して第2の接続線6222と互いに電気的に接続され、第2の接続線6222は、画素駆動回路におけるトランジスタのドレイン電極に電気的に接続されることによって、画素駆動回路によって生成された電気信号を陽極400に入力し、そして、対応する電圧を陰極60に印加することによって、発光層50を発光させるように駆動する。
オプションとして、図3a~図4、及び、図8a~図8cに示されたように、各第2色サブ画素において、基板への主体部分の正投影と基板への第1のビアの正投影とは重ならない。例示的に、図3a~図4、図8a、及び図8cに示されたように、1番目の第2色サブ画素021において、基板100への主体部分4121の正投影と基板100への第1のビア310の正投影とは重ならない。このようにして、各1番目の第2色サブ画素021における主体部分4121が第1のビア310の影響を受けないようにすることができ、第1のビア310によって主体部分4121が平らでない状況の発生を避け、これにより、表示パネルのカラーキャスト現象を改善することができる。
例示的に、図3a~図4、図8a、及び図8cに示されたように、2番目の第2色サブ画素021において、基板100への主体部分4122の正投影と基板100への第1のビア310の正投影とは重ならない。このようにして、各2番目の第2色サブ画素022における主体部分4122が第1のビア310の影響を受けないようにすることができ、第1のビア310によって主体部分4122が平らでない状況の発生を避け、これにより、表示パネルのカラーキャスト現象を改善することができる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第2色サブ画素対020は、1番目の第2色サブ画素021と2番目の第2色サブ画素022とを含み、ここで、同一の重複ユニット001において、1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310は、当該1番目の第2色サブ画素021における第3色サブ画素030から離れる側に位置する。また、同一の重複ユニット001において、2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、当該2番目の第2色サブ画素022における第3色サブ画素030から離れる側に位置する。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、同一の重複ユニット001における第1色サブ画素010と1番目の第2色サブ画素021、および、上記の同一の重複ユニット001における第1色サブ画素010および1番目の第2色サブ画素021のいずれにも最も近い第3色サブ画素030について、1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310は、当該第1色サブ画素010と当該第3色サブ画素030との間の隙間内に位置する。また、同一の重複ユニット001における第1色サブ画素010と2番目の第2色サブ画素022、および、上記の同一の重複ユニット001における第1色サブ画素010および2番目の第2色サブ画素022のいずれにも最も近い第3色サブ画素030について、当該2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、当該第1色サブ画素010と当該第3色サブ画素030との間の隙間内に位置する。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、同一の重複ユニット001における第1色サブ画素010と1番目の第2色サブ画素021、および、同一の重複ユニット001における第1色サブ画素010および1番目の第2色サブ画素021のいずれにも最も近い第3色サブ画素030について、1番目の第2色サブ画素021の第2のビア520は、当該第1色サブ画素010と当該第3色サブ画素030との間の隙間内に位置する。そして、同一の重複ユニット001における第1色サブ画素010と2番目の第2色サブ画素022、および、同一の重複ユニット001における第1色サブ画素010および2番目の第2色サブ画素022のいずれにも最も近い第3色サブ画素030について、2番目の第2色サブ画素022の第2のビア520は、第1色サブ画素010と第3色サブ画素030との間の隙間内に位置する。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、同種の色サブ画素における第1のビア310は、当該色サブ画素の同一側に位置する。例示的に、第1色サブ画素010の第1のビア310は、自身が位置する第1色サブ画素010の同一側に位置する。第2色サブ画素021、022の第1のビア310は、自身が位置する第2色サブ画素021、022の同一側に位置する。第3色サブ画素030の第1のビア310は、自身が位置する第3色サブ画素030の同一側に位置する。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、同一の重複ユニット001において、1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310及び第2のビア520は、第1色サブ画素010の一側に接近して設置され、2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310および第2のビア520は、第1色サブ画素010の他の側に接近して設置される。すなわち、1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310および2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、それぞれ、第1色サブ画素010の両側に位置する。1番目の第2色サブ画素021の第2のビア520および2番目の第2色サブ画素022の第2のビア520は、それぞれ、第1色サブ画素010の両側に位置する。例示的に、同一の重複ユニット001において、1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310および第2のビア520は、当該重複ユニット001における第1色サブ画素010における主体部分411と、当該主体部分411の左側に隣接する第3色サブ画素030における主体部分413との間に設置してもよい。そして、同一の重複ユニット001において、2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310および第2のビア520は、当該重複ユニット001における第1色サブ画素010における主体部分411と、当該主体部分411の右側に隣接する第3色サブ画素030における主体部分413との間に設置してもよい。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、1番目の第2色サブ画素021において、第2のビア520を、第1のビア310における主体部分4121から離れる側に位置させてもよい。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、1番目の第2色サブ画素021において、第1のビア310および第2のビア520を、第2方向F2に沿って同一の直線上に配列してもよい。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3bに示されたように、1番目の第2色サブ画素021において、第1のビア310は、第2のビア520よりも画素駆動回路における駆動トランジスタから離れて設置される。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3bおよび図8cに示されたように、1番目の第2色サブ画素021において、基板100への第4のビア710の正投影と基板100への第1のビア310の正投影とは重なる。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3bおよび図8cに示されたように、1番目の第2色サブ画素021において、基板100への第1のビア310の正投影と、基板100への駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線(すなわち、本行の第1の発光制御信号線EM1aまたは第2の発光制御信号線EM2a)の正投影とは重ならないし、且つ、基板100への第2のビア520の正投影と、基板100への駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線(すなわち、本行の第1の発光制御信号線EM1aまたは第2の発光制御信号線EM2a)の正投影とは重なるし、基板100への第4のビア710の正投影と、基板100への駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線(すなわち、本行の第1の発光制御信号線EM1aまたは第2の発光制御信号線EM2a)の正投影とは重ならない。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4、図8b、及び図8cに示されたように、2番目の第2色サブ画素022において、第2のビア520を、第1のビア310における主体部分4122から離れる側に位置させてもよい。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4、図8b、及び図8cに示されたように、2番目の第2色サブ画素022において、第1のビア310および第2のビア520を、第2方向F2に沿って同一の直線に配列させてもよい。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3bに示されたように、2番目の第2色サブ画素022において、第1のビア310は、第2のビア520よりも画素駆動回路における駆動トランジスタから離れて設置される。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3bおよび図8cに示されたように、2番目の第2色サブ画素022において、基板100への第4のビア710の正投影と基板100への第1のビア310の正投影とは重なる。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3bおよび図8cに示されたように、2番目の第2色サブ画素022において、基板100への第1のビア310の正投影と、基板100への駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線(すなわち、本行の第1の発光制御信号線EM1aまたは第2の発光制御信号線EM2a)の正投影とは重ならないし、且つ、基板100への第2のビア520の正投影と、基板100への駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線(すなわち、本行の第1の発光制御信号線EM1aまたは第2の発光制御信号線EM2a)の正投影とは重なるし、基板100への第4のビア710の正投影と、基板100への駆動回路に電気的に接続された発光制御信号線(すなわち、本行の第1の発光制御信号線EM1aまたは第2の発光制御信号線EM2a)の正投影とは重ならない。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、同一の重複ユニット001において、第2色サブ画素対020における1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310、第1色サブ画素010の第1のビア310、および、2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、第1方向F1に沿って、同一の第1のサブ折れ線Z1に順に配列される。例示的に、第2列の重複ユニットグループの1つの重複ユニット001において、第2色サブ画素対020における1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310、第1色サブ画素010の第1のビア310、および、2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310について、これら3つの第1のビア310を、第1方向F1の矢印が指す方向に沿って、第1のサブ折れ線Z1に順に配列してもよく、したがって、これら3つの第1のビア310を製造する時に使用するマスク(Mask)の設計の難易度を低減することができる。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、1つの重複ユニットグループにおける第1色サブ画素010、および、隣接する重複ユニットグループにおける第1色サブ画素010に最も近い第3色サブ画素030について、第1色サブ画素010の第1のビア310および第3色サブ画素030の第1のビア310は、第3の方向に沿って、同一の第2のサブ折れ線Z2に配列され、ここで、第3の方向と第1方向とは、垂直せず交差する。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、折れ線は、第1のサブ折れ線Z1と第2のサブ折れ線Z2とを含んでもよく、異なる列における隣接する2つの重複ユニット001において、1番目の重複ユニットにおける第3色サブ画素030の第1のビア310と2番目の重複ユニットにおける1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310、第1色サブ画素010の第1のビア310、および、2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、この順に当該折れ線に配列される。つまり、異なる列における隣接する2つの重複ユニット001において、1番目の重複ユニットにおける第3色サブ画素030の第1のビア310と2番目の重複ユニットにおける1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310、第1色サブ画素010の第1のビア310、および、2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、重複配列される。このようにしても、これら第1のビア310を製造する時に使用するマスク(Mask)の設計の難易度を低減することできる。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、同一の重複ユニット001における第3色サブ画素030の第1のビア310、および、第1色サブ画素010の第1のビア310は、第2方向F2に沿って、同一の直線に配列される。このようにしても、これら3つの第1のビア310を製造する時に使用するマスク(Mask)の設計の難易度を低減することできる。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、異なる列に位置し、且つ、隣接する2つの重複ユニット001において、1つの重複ユニット001における1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310、および、もう1つの重複ユニット001における2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、第2方向F2に沿って、同一の直線に配列される。このようにしても、これら第1のビア310を製造する時に使用するマスク(Mask)の設計の難易度を低減することできる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、奇数列の重複ユニットグループにおける第3色サブ画素030の第2のビア520と偶数列の重複ユニットグループにおける第1色サブ画素010の第1のビア310、1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310、および、2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、第1方向F1に沿って、同一の直線に配列される。例示的に、第1列及び第3列の重複ユニットグループにおける第3色サブ画素030の第2のビア520、第2列の重複ユニットグループにおける第1色サブ画素010の第1のビア310、1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310、および、2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、第1方向F1に沿って、同一の直線に配列される。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、奇数類の重複ユニットグループにおいて、同一行の重複ユニット001における第1色サブ画素010の第1のビア310、第2色サブ画素対020における1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310、および、2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、第1方向F1に沿って、同一の直線に配列される。このようにしても、表示パネルにおけるこれら3つの第1のビア310を製造する時に使用するマスク(Mask)の設計の難易度を低減することできる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、奇数類の重複ユニットグループにおいて、同一行の重複ユニット001における第3色サブ画素030の第1のビア310は、第1方向F1に沿って、同一の直線に配列される。このようにしても、表示パネルにおけるこれら3つの第1のビア310を製造する時に使用するマスク(Mask)の設計の難易度を低減することできる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、偶数類の重複ユニットグループにおいて、同一行の重複ユニット001における第1色サブ画素010の第1のビア310、第2色サブ画素対020における1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310、および、2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、第1方向F1に沿って、同一の直線上配列される。このようにしても、表示パネルにおけるこれら3つの第1のビア310を製造する時に使用するマスク(Mask)の設計の難易度を低減することできる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、偶数類の重複ユニットグループにおいて、同一行の重複ユニット001における第3色サブ画素030の第1のビア310は、第1方向F1に沿って、同一の直線に配列される。このようにしても、表示パネルにおけるこれら3つの第1のビア310を製造する時に使用するマスク(Mask)の設計の難易度を低減することできる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第1方向F1に沿って隣接する2つの第1のビア310の間の間隔は、ほぼ同じであってもよい。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第2方向F2に沿って隣接する2つの第1のビア310の間の間隔は、ほぼ同じであってもよい。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第1方向F1に沿って隣接する2つの第2のビア520との間の間隔は、ほぼ同じであってもよい。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図3a~図4に示されたように、第2方向F2に沿って隣接する2つの第2のビア520との間の間隔は、ほぼ同じであってもよい。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。
本開示の実施例は、同一の発明構想に基づいて、他のいくつかのエレクトロルミネセント表示パネルをさらに提供し、図9a~図15に示されたように、上記の実施例における一部の実施形態を変形した。以下、本実施例と上記の実施例の相違点のみを説明し、同様のところについて、ここでは繰り返して説明しない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a~図15に示されたように、複数の重複ユニット001を含んでもよく、各重複ユニット001は、複数のサブ画素を含み、各サブ画素は、基板100の上に位置する第1の導電層200と、第1の導電層200の上に位置する第1の絶縁層300と、第1の絶縁層300上に位置する陽極400と、を含んでもよい。第1の絶縁層300は、第1のビア310を含み、第1のビア310は、第1の導電層200の一部を露出させる。陽極400は、互いに電気的に接続された主体部分410と補助部分420とを含み、補助部分420は、第1のビア310を介して第1の導電層200に電気的に接続される。ここで、少なくとも1つのサブ画素において、基板100への主体部分410の正投影と基板100への第1のビア310の正投影とは重ならない。また、少なくとも1つのサブ画素において、主体部分410の第1方向F1のサイズは、第2方向F2のサイズよりも大きく、且つ、少なくとも1つのサブ画素において、第1のビア310と主体部分410は、第2方向F2に配置され、ここで、第1方向F1と第2方向F2とは異なる。
本開示の実施例によって提供されるエレクトロルミネセント表示パネルによると、互いに電気的に接続された主体部分と補助部分とを含むように陽極をさせ、補助部分が第1のビアを介して第1の導電層に電気的に接続されるようにすることによって、陽極が第1の導電層を介して画素駆動回路と互いに電気的に接続されるようにする。そして、少なくとも1つのサブ画素において、基板への主体部分の正投影と基板への第1のビアの正投影とが重ならないので、当該サブ画素における陽極の主体部分が第1のビアの深さの影響を受けないように、当該サブ画素における第1のビアを回避することができ、これにより、陽極の主体部分において凹みが生じることを避けて、第1のビアによって陽極が平らでない状況の発生を避け、さらに、表示パネルのカラーキャスト現象を改善する。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a、図9b、図11、及び図12に示されたように、第1の導電層200は、互いに間隔して設置された第1の電源線210と、第1の接続線220と、データ線230とを含んでもよい。ここで、各サブ画素において、補助部分420は、第1のビア310を介して第1の接続線220に電気的に接続される。第1の接続線220は、画素駆動回路におけるトランジスタのドレイン電極に電気的に接続されることによって、信号の伝送を実現する。なお、上述はただ第3色サブ画素030を例として説明したものであり、他のサブ画素の設置はこれに準じて類推すればよく、ここでは繰り返して説明しない。
さらに、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a、図9b、図11、及び図12に示されたように、第1の導電層200は、第1の電源線210、第1の接続線220、および、データ線230とそれぞれ間隔して設置されたブリッジング線240をさらに含んでもよい。当該ブリッジング線は、画素駆動回路における一部のトランジスタのゲート電極、ソース電極、および、ドレイン電極のうちの2つの電極を電気的に接続するように配置される。また、ブリッジング線の設置形態は、関連技術における設置形態と基本的に同じであればよく、ここでは繰り返して説明しない。
例示的に、第1の導電層200は、たとえば、上記のソース・ドレイン金属層0340であってもよい。第1の電源線210は、たとえば、上記の第1の電源信号線VDD1であってもよく、データ線230は、たとえば、上記のデータ線Vdであってもよく、第1の接続線220は、たとえば、上記の接続部343aであってもよく、ブリッジング線240は、たとえば、上記の接続部341a、342aにおける少なくとも1つであってもよい。つまり、本実施例は、上記の実施例と比較すると、補助金属層0350を設置しておらず、ここで、ビアと絶縁層および他の層の対応関係は、上記のアクティブ半導体層0310、ゲート導電層0320、および、基準導電層0330の実施を参照すればよく、ここでは繰り返して説明しない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図12に示されたように、各サブ画素は、陽極400において基板100から離れる側に位置する画素限定層80と、陽極400において基板100から離れる側に位置する発光層50と、発光層50に対して陽極の反対側に位置する陰極60とをさらに含んでもよい。ここで、画素限定層80は、開口を有し、且つ、開口は、陽極400の主体部分410の少なくとも一部の領域を露出させ、発光層50は開口内に位置してもよく、且つ、開口に露出された主体部分410の領域と接触され、開口での発光層50が存在する領域が発光のために利用され、したがって、開口によって有効発光領域90を限定することができる。なお、上記の各サブ画素の有効発光領域90の実施形態は、上記の実施例を参照すればよく、ここでは繰り返して説明しない。
具体的に実施する時、第1の電源線は、駆動電圧を伝送する電源線として配置される。データ線は、データ電圧を伝送する信号線として構成されてもよい。本開示の実施例において、図9a、図9b、及び図11に示されたように、第1の電源線210およびデータ線230は、第1方向F1に沿って配列され、且つ、第2方向F2に沿って延びるし、そして、第1方向F1と第2方向F2とは異なる。例示的に、第1方向F1は、第2方向F2に垂直される。例示的に、第1方向F1は、表示パネルの行方向であるゲート線が延びる方向であってもよく、第2方向F2は、表示パネル列方向であるデータ線が延びる方向であってもよい。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。
一般的に、表示分野において、1つの画素は、通常に、それぞれ単一の色(たとえば、赤、緑、または、青)を表示させる複数のサブ画素を含み、異なる色のサブ画素の比率を制御することによって、異なる色の表示を実現するので、上記のサブ画素は単一の色のサブ画素であることができる。具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a~図10に示されたように、複数の重複ユニット001の夫々は、第2方向F2に沿って配列された1つの第1色サブ画素010と、1つの第2色サブ画素対020と、1つの第3色サブ画素030とを含んでもよい。ここで、第2色サブ画素対020は、第1方向F1に沿って配列された2つの第2色サブ画素021、022を含んでもよい。ここで、第1色サブ画素010は、第1色の光を発光するように構成され、第2色サブ画素021、022は、第2色の光を発光するように構成され、第3色サブ画素は、第3色の光を発光するように構成される。いくつかの例において、第1色、第2色、および、第3色は、赤、緑、および、青の中から選択してもよい。たとえば、第1色は赤であり、第2色は緑であり、第3色は青である。したがって、当該重複ユニット001は、赤サブ画素、緑サブ画素、および、青サブ画素の配列構造である。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない。上記の第1色、第2色、および、第3色は、他の色であってもよい。なお、上記の各サブ画素の配列方式は、上記の実施形態を参照すればよく、ここでは繰り返して説明しない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a~図10に示されたように、複数の重複ユニット001は、第2方向F2に沿って配列されて重複ユニットグループを形成し、重複ユニットグループは、第1方向F1に沿って配列され、且つ、隣接する2つの重複ユニットグループにおける重複ユニット001は、位置をずらして配列される。例示的に、隣接する2つの重複ユニットグループにおける重複ユニット001は、重複ユニット001のサイズの1/2だけずれる。なお、1つの上記の重複ユニット001のサイズは、第2方向F2において隣接する2つの重複ユニット001における同一の色サブ画素の中心の間の距離であってもよい。たとえば、1つの上記の重複ユニット001のサイズは、第2方向F2において隣接する2つの重複ユニット001における第1色サブ画素010の中心の間の距離であってもよい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a~図10に示されたように、第1色サブ画素010の主体部分411の第2方向F2のサイズは、第3色サブ画素030の主体部分413の第2方向F2のサイズよりも小さい。そして、第1色サブ画素010の主体部分411の第1方向F1のサイズは、第3色サブ画素030の主体部分413の第1方向F1のサイズよりも大きい。例示的に、第3色サブ画素030の主体部分413の第2方向F2のサイズは、第3色サブ画素030の主体部分413の第1方向F1のサイズよりも小さく、かつ、第1色サブ画素010の主体部分411の第2方向F2のサイズは、第1色サブ画素010の主体部分411の第1方向F1のサイズよりも小さい。当然ながら、本開示の実施例は、これらを含むが、これらに限定されない、上記の各サイズとの間の関係は、他の形態であってもよい。
具体的に実施する時、図9a~図11に示されたように、隣接する1つの第1の電源線210および1つのデータ線230を1つの信号線グループとし、本開示の実施例において、第3色サブ画素030において、基板100への主体部分413の正投影は、基板100への2つの信号線グループの正投影を覆う。そして、基板100への主体部分413の正投影と重なる2つの信号線グループは、主体部分413の中心の両側で平行に設置される。例示的に、第3色サブ画素030において、基板100への主体部分413の正投影は、基板100への2つの第1の電源線210および2つのデータ線230の正投影を覆う。そして、1つの第1の電源線210および1つのデータ線230は、主体部分413の一側で平行に設置され、もう1つの第1の電源線210およびもう1つのデータ線230は、主体部分413の他の側で平行に設置される。
さらに、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a~図11に示されたように、第3色サブ画素030において、基板100への主体部分413の正投影と基板100への2つのブリッジング線240の正投影とは、少なくとも一部が重なる。例示的に、基板100への主体部分413の正投影と、基板100への1つのブリッジング線240の正投影とは重なり、かつ、基板100への主体部分413の正投影と、基板100への他の1つのブリッジング線240の正投影の縁部とは重なる。
具体的に実施する時、図9a~図11に示されたように、第1色サブ画素010において、基板100への主体部分411の正投影は、基板100への2つの信号線グループの正投影を覆う。そして、基板100への主体部分411の正投影と重なる2つの信号線グループは、主体部分411の両側で平行に設置される。例示的に、第1色サブ画素010において、基板100への主体部分411の正投影は、基板100への2つの第1の電源線210および2つのデータ線230の正投影を覆う。そして、1つの第1の電源線210および1つのデータ線230は、主体部分411の一側で平行に設置され、もう1つの第1の電源線210およびもう1つのデータ線230は、主体部分411の他の側で平行に設置される。
さらに、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a~図11に示されたように、第1色サブ画素010において、基板100への主体部分411の正投影と基板100への1つのブリッジング線240の正投影とは重なる。例示的に、基板100への主体部分411の正投影と基板100への1つのブリッジング線240の正投影の縁部とは重なる。
具体的に実施する時、図9a~図11に示されたように、第2色サブ画素において、基板100への主体部分の正投影と、基板100への1つの信号線グループの正投影とは重なる。そして、同一の第2色サブ画素対020において、基板100への2つの第2色サブ画素の主体部分の正投影と重なる信号線グループは、隣接して設置される。例示的に、第2色サブ画素対020は、1番目の第2色サブ画素021と2番目の第2色サブ画素022とを含んでもよい。ここで、1番目の第2色サブ画素021において、基板100への主体部分4121の正投影と、基板100への1つの第1の電源線210および1つのデータ線220の正投影とは重なる。2番目の第2色サブ画素022において、基板100への主体部分4122の正投影と、基板100への他の1つの第1の電源線210および他の1つのデータ線220の正投影とは重なる。
さらに、具体的に実施する時、図9a~図11に示されたように、基板100への1番目の第2色サブ画素021における主体部分4121の正投影は、さらに、基板100への1つのブリッジング線240の正投影の縁部と重なってもよい。
さらに、具体的に実施する時、図9a~図11に示されたように、基板100への2番目の第2色サブ画素022における主体部分4122の正投影は、さらに、基板100への2つのブリッジング線240の正投影の縁部と重なってもよい。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a、図9b、図12、及び図16に示されたように、各第3色サブ画素030において、主体部分413と補助部分423とは、互いに電気的に接続され、補助部分423は、第1のビア310を介して第1の接続線223と互いに電気的に接続され、第1の接続線223は、画素駆動回路20におけるトランジスタのドレイン電極に電気的に接続されることによって、画素駆動回路20によって生成された電気信号を陽極400に入力し、かつ、対応する電圧を陰極60に印加することによって、発光層50を発光させるように駆動する。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a、図9b、図12、及び図16に示されたように、各第3色サブ画素030において、基板100への主体部分413の正投影と基板100への第1のビア310の正投影とは重ならない。このようにして、各第3色サブ画素030における主体部分413が第1のビア310の影響を受けないようにすることができ、第1のビア310によって主体部分413が平らでない状況の発生を避け、これにより、表示パネルのカラーキャスト現象を改善することができる。
オプションとして、第1の絶縁層は、平坦層として構成されてもよく、これにより、第1の絶縁層に位置する主体部分が比較的に高い平坦度を有するようにする。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a~図10、図12、及び図16に示されたように、第3色サブ画素030において、主体部分413は、軸対称図形であってもよく、そして、第1のビア310は、第2方向F2に沿う主体部分413の対称軸に位置してもよい。例示的に、第3色サブ画素030における主体部分413は、第2方向F2に沿う第1の対称軸を有してもよい。例示的に、第3色サブ画素030における主体部分413の形状は、ほぼ六角形または楕円形であり、六角形の長対称軸または楕円形の長軸は、第1方向F1にほぼ平行され、六角形の短対称軸または楕円形の短軸は、第2方向F2にほぼ平行され、六角形の短対称軸または楕円形の短軸を第1の対称軸とすることができる。例示的に、第3色サブ画素030における第1のビア310を、第1の対称軸に対してほぼ軸対称に設置してもよい。また、第3色サブ画素030における第1のビア310を、第1の対称軸に対してほぼ軸対称に設置することでなく、ただ第1の対称軸と交差するように設置してもよい。当然ながら、実際の応用において、実際の応用の環境に応じて、第3色サブ画素030における第1のビア310の実施形態を設計して確定すればよく、ここでは限定しない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a、図9b、図13、及び図16に示されたように、各第1色サブ画素010において、主体部分411と補助部分421とは、互いに電気的に接続され、補助部分421は、第1のビア310を介して第1の接続線221と互いに電気的に接続され、第1の接続線221と画素駆動回路20におけるトランジスタのドレイン電極とが電気的に接続されることによって、画素駆動回路20によって生成された電気信号を陽極400に入力し、また、対応する電圧を陰極60に印加することによって、発光層50を発光させるように駆動する。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a、図9b、図13、及び図16に示されたように、各第1色サブ画素010において、基板100への主体部分411の正投影と基板100への第1のビア310の正投影とは重ならない。このようにして、各第1色サブ画素010における主体部分411が第1のビア310の影響を受けないようにすることができ、第1のビアによって主体部分411が平らでない状況の発生を避け、これにより、表示パネルのカラーキャスト現象を改善することができる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a、図9b、及び図10に示されたように、第1色サブ画素010において、主体部分411は、軸対称図形であってもよく、また第1のビア310は、第2方向F2に沿う主体部分411の対称軸に位置してもよい。例示的に、第1色サブ画素010における主体部分411は、第2方向F2に沿う第2の対称軸を有してもよい。例示的に、第1色サブ画素010における主体部分411の形状は、ほぼ六角形または楕円形であり、六角形の長対称軸または楕円形の長軸は、第1方向F1にほぼ平行され、六角形の短対称軸または楕円形の短軸は、第2方向F2にほぼ平行され、六角形の短対称軸または楕円形の短軸を第2の対称軸とすることができる。例示的に、第1色サブ画素010における第1のビア310を、第2の対称軸に対してほぼ軸対称に設置してもよい。また、第1色サブ画素010における第1のビア310を、第2の対称軸に対してほぼ軸対称に設置することでなく、第1の対称軸と交差するように設置してもよい。当然ながら、実際の応用において、実際の応用の環境に応じて、第1色サブ画素010における第1のビア310の実施形態を設計して確定すればよく、ここでは限定しない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a、図9b、図10、図14、及び図17に示されたように、各1番目の第2色サブ画素021において、主体部分4121は、補助部分4221と互いに電気的に接続され、補助部分4221は、第1のビア310を介して第1の接続線2221と互いに電気的に接続され、第1の接続線2221と画素駆動回路20におけるトランジスタのドレイン電極とが電気的に接続されることによって、画素駆動回路20によって生成された電気信号を陽極400に入力し、そして、対応する電圧を陰極60に印加することによって、発光層50を発光させるように駆動する。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a、図9b、図10、図15、及び図17に示されたように、各2番目の第2色サブ画素022において、主体部分4122は、補助部分4222と互いに電気的に接続され、補助部分4222は、第1のビア310を介して第1の接続線2222と互いに電気的に接続され、第1の接続線2222と画素駆動回路20におけるトランジスタのドレイン電極電気的に接続されることによって、画素駆動回路20によって生成された電気信号を陽極400に入力し、そして、対応する電圧を陰極60に印加することによって、発光層50を発光させるように駆動する。
オプションとして、図9a、図9b、図10、及び図14~図17に示されたように、各第2色サブ画素において、基板への主体部分の正投影と基板への第1のビアの正投影とは重ならない。例示的に、図9a、図9b、図10、図14、及び図17に示されたように、1番目の第2色サブ画素021において、基板100への主体部分4121の正投影と基板100への第1のビア310の正投影とは重ならない。このようにして、各1番目の第2色サブ画素021における主体部分4121が第1のビア310の影響を受けないようにすることができ、第1のビア310によって主体部分4121が平らでない状況の発生を避け、これにより、表示パネルのカラーキャスト現象を改善することができる。
例示的に、図9a、図9b、図10、図15、及び図17に示されたように、2番目の第2色サブ画素021において、基板100への主体部分4122の正投影と基板100への第1のビア310の正投影とは重ならない。このようにして、各2番目の第2色サブ画素022における主体部分4122が第1のビア310の影響を受けないようにすることができ、第1のビア310によって主体部分4122が平らでない状況の発生を避け、これにより、表示パネルのカラーキャスト現象を改善することができる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a~図10に示されたように、同一の重複ユニット001において、1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310は、第1色サブ画素010の一側に接近して設置され、2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、第1色サブ画素010の他の側に接近して設置される。すなわち、1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310、および、2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、それぞれ、第1色サブ画素010の両側に位置する。例示的に、同一の重複ユニット001において、1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310は、当該重複ユニット001における第1色サブ画素010における主体部分411と、当該主体部分411の左側に隣接する第3色サブ画素030における主体部分413との間に設置されてもよい。また、同一の重複ユニット001において、2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、当該重複ユニット001における第1色サブ画素010における主体部分411と、当該主体部分411の右側に隣接する第3色サブ画素030における主体部分413との間に設置されてもよい。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a~図10に示されたように、同一の重複ユニット001において、第1色サブ画素010の第1のビア310、第2色サブ画素対020における1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310および2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、第1方向F1に沿って、同一の直線上に配列される。例示的に、第2列の重複ユニットグループの1つの重複ユニット001において、第1色サブ画素010の第1のビア310、第2色サブ画素対020における1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310、および、2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310について、これら3つの第1のビア310を、第1方向F1に沿って、同一の直線に配列してもよく、これにより、これら3つの第1のビア310を製造する時に使用するマスク(Mask)の設計の難易度を低減することができる。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a~図10に示されたように、同一の重複ユニット001における第3色サブ画素030の第1のビア310および第1色サブ画素010の第1のビア310は、第2方向F2に沿って、同一の直線に配列される。このようにしても、これら3つの第1のビア310を製造する時に使用するマスク(Mask)の設計の難易度を低減することができる。
オプションとして、具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a~図10に示されたように、同一の重複ユニットグループにおいて、第3色サブ画素030の第1のビア310及び第1色サブ画素010の第1のビア310は、第2方向F2に沿って同一の直線に配列される。そして、同一の重複ユニットグループにおいて、各第2色サブ画素対020における1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310は、第2方向F2に沿って同一の直線に配列される。そして、同一の重複ユニットグループにおいて、各第2色サブ画素対020における2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、第2方向F2に沿って同一の直線に配列される。このようにしても、これら第1のビア310を製造する時に使用するマスク(Mask)の設計の難易度を低減することができる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a~図10に示されたように、奇数類の重複ユニットグループにおいて、同一行の重複ユニット001における第1色サブ画素010の第1のビア310、第2色サブ画素対020における1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310、および、2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、第1方向F1に沿って同一の直線に配列される。このようにしても、表示パネルにおけるこれら3つの第1のビア310を製造する時に使用するマスク(Mask)の設計の難易度を低減することができる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a~図10に示されたように、奇数類の重複ユニットグループにおいて、同一行の重複ユニット001における第3色サブ画素030の第1のビア310は、第1方向F1に沿って同一の直線に配列される。このようにしても、表示パネルにおけるこれら3つの第1のビア310を製造する時に使用するマスク(Mask)の設計の難易度を低減することができる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a~図10に示されたように、偶数類の重複ユニットグループにおいて、同一行の重複ユニット001における第1色サブ画素010の第1のビア310、第2色サブ画素対020における1番目の第2色サブ画素021の第1のビア310、および、2番目の第2色サブ画素022の第1のビア310は、第1方向F1に沿って同一の直線に配列される。このようにしても、表示パネルにおけるこれら3つの第1のビア310を製造する時に使用するマスク(Mask)の設計の難易度を低減することができる。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、図9a~図10に示されたように、偶数類の重複ユニットグループにおいて、同一行の重複ユニット001における第3色サブ画素030の第1のビア310は、第1方向F1に沿って同一の直線に配列される。このようにしても、表示パネルにおけるこれら3つの第1のビア310を製造する時に使用するマスク(Mask)の設計の難易度を低減することができる。
なお、本実施例における第1のビアの実施形態は、上記の実施例における第1のビアの実施形態を参照してもよく、ここでは繰り返して説明しない。
なお、プロセス条件の制約または他の要素により、上記の各特徴では、「同一」は完全に同じ意味ではなく、いくつかの偏差がある可能性があり、したがって、上記の各特徴同士の間の「同一」関係が上記の条件をほぼ満たさればよく、いずれも本発明の保護範囲に属する。たとえば、上記の「同一」は、誤差許可範囲内の同一であればよい。
そして、プロセス条件の制約または他の要素により、上記の異なるビアが完全に第1方向又は第2方向に沿って1つの直線に配列されるようにすることができなく、いくつかの偏差がある可能性があり、したがって、上記の1つの直線に配列されるといった関係は上記の条件をほぼ満たされればよく、いずれも本発明の保護範囲に属する。
本開示の実施例は、同一の発明構想に基づいて、表示装置をさらに提供し、当該表示装置は、本開示の実施例によって提供される上記のエレクトロルミネセント表示パネルを含む。当該表示装置が解決しようとする問題の原理は、前述したエレクトロルミネセント表示パネルに類似するので、当該表示装置の実施は前述したエレクトロルミネセント表示パネルの実施を参照すればよく、重複する部分はここで繰り返して説明しない。
具体的に実施する時、本開示の実施例において、表示装置は、携帯電話、タブレットコンピューター、テレビ、ディスプレイ、ノートブックコンピューター、デジタルフォトフレーム、ナビゲーターなどといった、表示機能を有する任意の製品またはコンポーネントであってもよい。当該表示装置が他の不可欠な構成要素のいずれも備えることは、当業者によって理解されるべきであり、ここでは説明せず、本開示を限定するものとしていけない。
本開示の実施例によって提供されるエレクトロルミネセント表示パネル、及び表示装置によると、互いに電気的に接続された主体部分と補助部分とを含むように陽極をさせ、補助部分が第1のビアを介して第1の導電層に電気的に接続されるようにすることによって、陽極が第1の導電層を介して画素駆動回路と互いに電気的に接続されるようにする。そして、少なくとも1つのサブ画素において、基板への主体部分の正投影と基板への第1のビアの正投影とは重ならないので、当該サブ画素における第1のビアを回避することができることによって、当該サブ画素における陽極の主体部分が第1のビアの深さの影響を受けないように、陽極の主体部分においての凹みが生じることを避けることができ、第1のビアによって陽極が平らでない状況の発生を避け、さらに、表示パネルのカラーキャスト現象を改善する。
明らかに、当業者は本開示の実施例の主旨及び範囲を離脱しないように、本開示の実施例に対し様々な変更及び変形を行うことができる。このように、本開示のこのような変更及び変形が本開示の請求範囲及び均等的な技術範囲に属する場合、本開示はこれらの変更及び変形を含むと図る。
10 下地基板
20 画素駆動回路
21 接続線
30 平坦層
31 ビア
40 陽極
50 発光層
60 陰極
80 画素限定層
90 有効発光領域
100 基板
200 第1の導電層
210 第1の電源線
211 複数のサブ電源線
212 導線
220、221、2221、2222、223 第1の接続線
230 データ線
240 ブリッジング線
300 第1の絶縁層
310 第1のビア
341a、342a、343a、351a 接続部
381a、382a、3831a、3832a、384a、385a、386a、387a、388a ビア
351a 接続部
400 陽極
410、411、413、4121、4122 主体部分
420、421,423、4221、4222 補助部分
500 第2の絶縁層
520 第2のビア
530 第3のビア
610 第2の電源線
620、621、6221、6222、623 第2の接続線
710 第4のビア
001 重複ユニット
010 第1色サブ画素
020 第2色サブ画素対
021、022 第2色サブ画素
030 第3色サブ画素
0120 発光元件
0121 画素駆動回路
0122 画素駆動回路
0123 第1の発光制御回路
0124 第2の発光制御回路
0126 データ書込回路
0127 記憶回路
0128 閾値補償回路
0129 リセット回路
0310 アクティブ半導体層
0320 ゲート導電層
0330 基準導電層
0340 ソース・ドレイン金属層
0350 補助金属層

Claims (35)

  1. 下地基板と、
    画素駆動回路を含む複数のサブ画素とを備え、
    前記画素駆動回路は層を含み、
    前記画素駆動回路は、
    前記下地基板の上に位置する第1の導電層と、
    前記第1の導電層における前記下地基板から離れる側に位置する陽極と、を含み、
    前記第1の導電層は、互いに間隔して配置された、陽極接続部と、データ線と、電源線とを含み、前記データ線の第2方向のサイズは第1方向のサイズよりも大きく、前記電源線の前記第2方向のサイズは前記第1方向のサイズよりも大きく、前記第1方向と前記第2方向とは互いに異なり、
    前記陽極が位置する層と前記第1の導電層の間に少なくとも1つの膜層を有し、且つ、前記陽極は、前記少なくとも1つの膜層を貫通する第1のビアを介して前記陽極接続部に直接に接続され、
    前記サブ画素は、第1のサブ画素と、第2のサブ画素とを含み、前記第1のサブ画素は第1の画素駆動回路を含み、前記第2のサブ画素は第2の画素駆動回路を含み、
    前記第1の画素駆動回路は、前記層に位置する第1の半導体図形を含み、前記第2の画素駆動回路は、前記層に位置する第2の半導体図形を含み、
    前記第1の画素駆動回路と前記第2の画素駆動回路とは前記第1方向に沿って配置され、
    前記陽極は第1の陽極を含み、前記第1の陽極は、前記第1の画素駆動回路とは前記第2方向に沿って配置され、前記第1の陽極の前記第1方向のサイズは、前記第1の陽極の前記第2方向のサイズよりも大きく、
    前記データ線は、第1のデータ線と、第2のデータ線とを含み、前記第1のデータ線は、前記第1の画素駆動回路に電気的に接続され、前記第2のデータ線は、前記第2の画素駆動回路に電気的に接続され、
    前記電源線は、第1の電源線と、第2の電源線とを含み、前記下地基板への前記第1の電源線の正投影と前記下地基板への前記第1の半導体図形の正投影とは重なり、前記下地基板への前記第2の電源線の正投影と前記下地基板への前記第2の半導体図形の正投影とは重なり、
    前記画素駆動回路はコンデンサープレートを含み、前記第1の画素駆動回路は第1のコンデンサープレートを含み、前記第2の画素駆動回路は第2のコンデンサープレートを含み、前記第1のコンデンサープレートと前記第2のコンデンサープレートは同じ層に配置され、
    前記下地基板への前記第1の画素駆動回路に電気的に接続される第1の陽極の正投影は、前記下地基板への前記第1のコンデンサープレートの正投影、前記下地基板への前記第2のコンデンサープレートの正投影、前記下地基板への前記第1のデータ線の正投影、前記下地基板への前記第2のデータ線の正投影、前記下地基板への前記第1の電源線の正投影および前記下地基板への前記第2の電源線の正投影それぞれとは重なり、および、前記下地基板への前記第1の陽極と前記第1のコンデンサープレートの正投影との重なる面積は、前記下地基板への前記第1の陽極と前記第2のコンデンサープレートの正投影と重なる面積よりも大きく、
    前記下地基板への前記第1の陽極と前記第1のデータ線の正投影との重なる面積は、前記下地基板への前記第1の陽極と前記第2のデータ線の正投影との重なる面積と等しい、エレクトロルミネセント表示パネル。
  2. それぞれの前記画素駆動回路は駆動トランジスタを含み、前記駆動トランジスタはゲート電極を含み、
    前記第1のコンデンサープレートは、前記第1の画素駆動回路における駆動トランジスタのゲート電極として使用され、
    前記第2のコンデンサープレートは、前記第2の画素駆動回路における駆動トランジスタのゲート電極として使用される、請求項1に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  3. 前記下地基板への前記電源線の正投影と前記下地基板への前記駆動トランジスタのゲート電極の正投影とは重なる、請求項2に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  4. 前記陽極は、互いに電気的に接続された主体部分と補助部分とを含み、
    前記下地基板への前記陽極の有効発光領域の正投影は、前記下地基板への前記主体部分の正投影の内部に位置し、且つ、前記主体部分の境界と前記陽極の境界とは少なくとも部分的に同一であり、前記下地基板への前記第1のビアの正投影は、前記下地基板への前記補助部分の正投影の内部に位置し、且つ、前記補助部分と前記陽極とは少なくとも部分的に同一の境界を持ち、
    前記下地基板への前記第1の陽極における主体部分と前記第1のデータ線の正投影と重なる面積は、前記下地基板への前記第1の陽極における主体部分と前記第2のデータ線の正投影との重なる面積と等しい、請求項1に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  5. 前記第1のデータ線と前記第1の電源線との間の距離は、前記第1の電源線と前記第2の電源線との間の距離より小さい、請求項1~4のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  6. それぞれの前記画素駆動回路は蓄積コンデンサを含み、前記蓄積コンデンサはリファレンスプレートを含み、前記リファレンスプレートは、前記コンデンサープレートと前記第1の導電層との間に位置し、
    前記リファレンスプレートはプレート穴を有し、
    前記下地基板への前記第1の陽極の正投影は、前記下地基板への前記第1のサブ画素におけるリファレンスプレートのプレート穴の正投影と重なる、請求項1~4のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  7. 前記第1方向の前記第1の陽極の縁部は、前記第2方向において第1の陽極サイズを有し、
    前記第1方向の前記第1の陽極の中間部分は、前記第2方向において第2の陽極サイズを有し、
    前記第1の陽極サイズは前記第2の陽極サイズより小さい、請求項1~4のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  8. 前記第2方向上の前記第1のサブ画素における陽極の縁部は、前記第1方向において第3の陽極サイズを有し、
    前記第2方向上の前記第1のサブ画素における陽極の中間部分は、前記第1方向において第4の陽極サイズを有し、
    前記第3の陽極サイズは前記第4の陽極サイズより小さい、請求項1~4のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  9. 第1の発光色を有する2つのサブ画素の有効発光領域の中心の間に、第1の最小距離を有し、
    第2の発光色を有する2つのサブ画素の有効発光領域の中心の間に、第2の最小距離を有し、
    前記第1の最小距離は、前記第2の最小距離より小さく、
    前記第2の発光色は、前記第1の発光色以外のいずれかの発光色である、請求項1~4のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  10. 前記サブ画素は第3のサブ画素を含み、
    前記第1のサブ画素における補助部分が前記第1のサブ画素における主体部分を突出する方向は、第1の突出方向であり、
    前記第2のサブ画素における補助部分が前記第2のサブ画素における主体部分を突出する方向は、第2の突出方向であり、
    前記第3のサブ画素における補助部分が前記第3のサブ画素における主体部分を突出する方向は、第3の突出方向であり、
    前記第1の突出方向と前記第3の突出方向との間の夾角は、前記第1の突出方向と前記第2の突出方向との間の夾角より小さい、請求項4に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  11. 前記第1のサブ画素における陽極と前記第2のサブ画素における陽極との間の最小距離は、前記第1のサブ画素における補助部分の長さより小さい、請求項10に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  12. 前記第1のサブ画素における第1のビアと前記第3のサブ画素における第1のビアの間の距離は、前記第1方向上の前記第3のサブ画素における陽極の長さより小さい、請求項10に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  13. 前記下地基板への前記第1の陽極における主体部分と前記第1の電源線の正投影との重なる面積は、前記下地基板への前記第1の陽極における主体部分と前記第2の電源線の正投影との重なる面積と等しい、請求項4に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  14. 前記下地基板への前記第1の陽極における主体部分と、前記第1の電源線と前記第1のデータ線の正投影との重なる面積の和は、第1の面積の和であり、
    前記下地基板への前記第1の陽極における主体部分と、前記第2の電源線と前記第2のデータ線の正投影との重なる面積の和は、第2の面積の和であり、
    前記第1の面積の和と前記第2の面積の和は、等しい、請求項4に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  15. 前記下地基板への前記陽極の正投影と、前記下地基板への走査信号線、リセット制御信号線およびリセット電源信号線の正投影それぞれとは重なり、
    前記走査信号線は、前記画素駆動回路における閾値補償トランジスタを制御するように構成され、
    前記リセット制御信号線は、前記画素駆動回路における第1のリセットトランジスタを制御するように構成され、
    前記リセット電源信号線は初期化電圧を提供するように構成される、請求項1~4のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  16. 前記第1のリセットトランジスタの第2電極は、駆動トランジスタのゲート電極に電気的に接続され、前記リセット電源信号線は、前記第1のリセットトランジスタを介して前記駆動トランジスタのゲート電極に電気的に接続される、請求項15に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  17. 導電層に配置された第1の接続ブロックは、前記駆動トランジスタのゲート電極および前記層における前記閾値補償トランジスタのソース電極領域またはドレイン電極領域に電気的に接続され、
    前記導電層は、前記陽極と前記層との間に配置される、請求項16に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  18. 前記下地基板への前記走査信号線の正投影と、前記下地基板への前記第1の接続ブロックの正投影は重なる、請求項17に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  19. 前記導電層に配置された第2の接続ブロックは、前記リセット電源信号線と、前記層における前記第1のリセットトランジスタのソース電極領域と電気的に接続する、請求項17に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  20. 前記下地基板への前記走査信号線の正投影と前記下地基板への前記リセット電源信号線の正投影との間に前記下地基板への前記リセット制御信号線の正投影がある、請求項15に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  21. 前記電源線は、リファレンス導電層に配置されるリファレンスプレートに電気的に接続される、請求項1~4のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  22. 前記第1の導電層における陽極が位置する層から離れる側に少なくとも1つの膜層が配置され、
    前記電源線は、前記少なくとも1つの膜層を貫通する接続スルーホールを介して画素駆動回路に電気的に接続され、
    前記第1の陽極それぞれは、前記第1の電源線に対応する接続スルーホールおよび前記第2の電源線に対応する接続スルーホールと重なり、前記下地基板への前記第1の陽極と前記第1の電源線に対応する接続スルーホールの正投影との重なる面積と、前記下地基板への前記第1の陽極と前記第2の電源線に対応する接続スルーホールの正投影と重なる面積とは等しい、請求項1~4のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  23. 1種の色のサブ画素における陽極の主体部分と、対応するコンデンサープレートとは重ならない、請求項4に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  24. 前記1種の色は、前記第1の画素駆動回路が存在するサブ画素の発光色と異なる、請求項23に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  25. 少なくとも2つの陽極の補助部分の延在方向は異なる、請求項4に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  26. 前記陽極は第4の陽極をさらに含み、前記第1方向上の前記第4の陽極のサイズは、前記第2方向のサイズより大きく、
    前記第4の陽極は、前記第1のデータ線、前記第2のデータ線、前記第1の電源線および前記第2の電源線それぞれと重なり、
    前記下地基板への前記第1の陽極に対応する有効発光領域の正投影と、前記下地基板への前記第4の陽極に対応する有効発光領域の正投影とは、平行移動された後に重ならない、請求項1~4のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  27. 前記下地基板への前記第4の陽極と前記第1の電源線の正投影との重なる面積は、前記下地基板への前記第4の陽極と前記第2の電源線の正投影との重なる面積より大きい、請求項26に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  28. 前記複数のサブ画素における陽極の主体部分と、対応する陽極接続部とは重ならない、請求項4に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  29. 前記複数のサブ画素は緑色のサブ画素を含み、
    前記緑色のサブ画素における陽極接続部と、対応する陽極の主体部分とは重ならない、請求項28に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  30. 前記緑色のサブ画素において、前記第1のビアおよび対応する前記陽極の主体部分は、前記第1方向において重ならなく、且つ、前記第1のビアと、対応する前記有効発光領域とは、前記第1方向において重ならない、請求項29に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  31. 複数の前記サブ画素における第1のビアは、前記第1方向に沿って延在する同一の直線上に位置し、
    前記下地基板への少なくとも2つの前記第1のビアに対応する有効発光領域の正投影は、平行移動された後に重ならない、請求項30に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  32. 複数の前記サブ画素における第1のビアは、前記第1方向に沿って延在する同一の直線上に位置し、
    少なくとも2つの前記第1のビアは、対応する陽極の主体部分と前記第2方向上において重ならなく、且つ、少なくとも2つの前記第1のビアは、対応する有効発光領域と前記第2方向において重ならない、請求項30に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  33. 前記緑色のサブ画素における補助部分は、陽極穴配置部と陽極穴接続部とを含み、前記陽極穴配置部と陽極穴接続部のいずれもロングストリップ状を有し、前記陽極穴接続部は、前記主体部分および前記陽極穴配置部を電気的に接続させるように構成され、
    前記緑色のサブ画素において、前記下地基板への前記第1のビアの正投影は、前記下地基板への前記陽極穴配置部の正投影内部に位置し、且つ、前記陽極穴配置部の最大幅は前記陽極穴接続部の最大幅より大きい、請求項29~32のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  34. 複数の前記サブ画素は、少なくとも2つの緑色のサブ画素を含み、
    1つの緑色のサブ画素における前記下地基板への陽極と、対応するコンデンサープレートの正投影との間の重なる面積は、他の1つの緑色のサブ画素における前記下地基板への陽極と、対応するコンデンサープレートの正投影との間の重なる面積と等しく、
    前記少なくとも2つの緑色のサブ画素における前記下地基板への少なくとも2つの陽極に対応する有効発光領域の正投影は平行移動された後に重なる、請求項30~32のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント表示パネル。
  35. 請求項1~34のいずれか一項に記載のエレクトロルミネセント表示パネルを備える表示装置。
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