JP7439521B2 - 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の一形態に係る半導体モジュールは、ワイドバンドギャップ半導体素子を有する半導体チップと、前記半導体チップの上面外周および側面上部のエッジ部を覆う被覆部材と、前記被覆部材と前記エッジ部との間に介在して配置される緩衝部材と、前記半導体チップ、前記被覆部材及び前記緩衝部材を含む部品を囲うケース部材と、前記ケース部材によって規定される空間内に充填され、前記部品を覆う封止樹脂と、を備え、前記緩衝部材の弾性率は、前記封止樹脂及び前記被覆部材の弾性率よりも低く、前記半導体チップは、前記ワイドバンドギャップ半導体素子の上面に設けられた上面電極と、前記上面電極の周囲に設けられた絶縁膜と、前記上面電極にボンディングされたワイヤと、を有し、前記被覆部材は、前記半導体チップの上面において、前記上面電極のワイヤボンディング領域を覆わず、前記絶縁膜の少なくとも一部を全周に亘って覆う、第1の被覆部を有し、前記緩衝部材は、前記絶縁膜の全周に亘って、前記第1の被覆部と前記絶縁膜との間に介在して配置され、前記第1の被覆部は、前記絶縁膜に沿った形状を持つ隔壁部を有し、前記隔壁部は、前記上面電極の外周縁と前記絶縁膜の全体とを全周に亘って被覆する保護膜の少なくとも外周縁部を全周に亘って覆い、前記絶縁膜上の前記緩衝部材と前記上面電極とを隔てる。
2 :積層基板
10 :ベース板
12 :ケース部材
14 :端子部材
16 :封止樹脂
20 :絶縁層
22 :回路板
30 :半導体チップ
31 :半導体素子
32 :絶縁膜
33 :上面電極
34 :ワイヤボンディング領域
40 :接合材
50 :被覆部材
60 :緩衝部材
Claims (16)
- ワイドバンドギャップ半導体素子を有する半導体チップと、
前記半導体チップの上面外周および側面上部のエッジ部を覆う被覆部材と、
前記被覆部材と前記エッジ部との間に介在して配置される緩衝部材と、
前記半導体チップ、前記被覆部材及び前記緩衝部材を含む部品を覆う封止樹脂と、
を備え、
前記緩衝部材の弾性率は、前記封止樹脂及び前記被覆部材の弾性率よりも低く、
前記半導体チップは、
前記ワイドバンドギャップ半導体素子の上面に設けられた上面電極と、
前記上面電極の周囲に設けられた絶縁膜と、
前記上面電極にボンディングされたワイヤと、を有し、
前記被覆部材は、前記半導体チップの上面において、前記上面電極のワイヤボンディング領域を覆わず、前記絶縁膜の少なくとも一部を全周に亘って覆う、第1の被覆部を有し、
前記緩衝部材は、前記絶縁膜の全周に亘って、前記第1の被覆部と前記絶縁膜との間に介在して配置され、
前記第1の被覆部は、前記絶縁膜に沿った形状を持つ隔壁部を有し、
前記隔壁部は、前記絶縁膜上方から前記絶縁膜に向かって延び、全周に亘って前記絶縁膜と直に接触し、前記絶縁膜上の前記緩衝部材と前記上面電極とを隔てる、半導体モジュール。 - 前記被覆部材は、前記半導体チップの上面外周および側面上部のエッジ部を全周に亘って覆い、
前記緩衝部材は、前記エッジ部の全周に亘って、前記被覆部材と前記エッジ部との間に介在して配置される、請求項1に記載の半導体モジュール。 - 前記緩衝部材は、弾性率が0.5×10-3GPa以上、5.0×10-3GPa以下である、請求項1又は請求項2に記載の半導体モジュール。
- 前記緩衝部材の破断伸び率は、40%以上である、請求項1から請求項3のいずれかに記載の半導体モジュール。
- 前記緩衝部材は、シリコーンゴムである、請求項1から請求項4のいずれかに記載の半導体モジュール。
- 前記被覆部材は、弾性率が7GPa以上、30GPa以下である、請求項1から請求項5のいずれかに記載の半導体モジュール。
- 前記被覆部材は、フィラーを添加したエポキシ樹脂である、請求項1から請求項6のいずれかに記載の半導体モジュール。
- 前記封止樹脂は、弾性率が7GPa以上、30GPa以下である、請求項1から請求項7のいずれかに記載の半導体モジュール。
- 前記被覆部材と前記封止樹脂は、同じ材料を用いて形成される、請求項1から請求項8のいずれかに記載の半導体モジュール。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体素子は、SiC(炭化ケイ素)又はGaN(窒化ガリウム)を用いて作成された半導体素子である、請求項1から請求項9のいずれかに記載の半導体モジュール。
- 前記被覆部材は、前記半導体チップの側面の少なくとも一部を全周に亘って覆う、第2の被覆部を有し、
前記緩衝部材は、前記側面の全周に亘って、前記第2の被覆部と前記側面との間に介在して配置される、
請求項1から請求項10のいずれかに記載の半導体モジュール。 - 基板を備え、
前記半導体チップは、接合部によって前記基板上に接合され、
前記第2の被覆部の下端部は、前記側面の側方から前記側面に向かって延び、全周に亘って前記側面と直に接触し、前記第2の被覆部と前記側面との間に介在する緩衝部材と前記接合部とを隔てる、請求項11に記載の半導体モジュール。 - 前記被覆部材は、前記上面外周および側面上部のエッジ部に沿った形状を持つ枠状体である、請求項1から請求項12の何れか一項に記載の半導体モジュール。
- ワイドバンドギャップ半導体素子を有する半導体チップと、
前記半導体チップの上面外周および側面上部のエッジ部を覆う被覆部材と、
前記被覆部材と前記エッジ部との間に介在して配置される緩衝部材と、
前記半導体チップ、前記被覆部材及び前記緩衝部材を含む部品を覆う封止樹脂と、
を備え、
前記緩衝部材の弾性率は、前記封止樹脂及び前記被覆部材の弾性率よりも低く、
前記半導体チップは、
前記ワイドバンドギャップ半導体素子の上面に設けられた上面電極と、
前記上面電極の周囲に設けられた絶縁膜と、
前記上面電極にボンディングされたワイヤと、を有し、
前記被覆部材は、前記半導体チップの上面において、前記上面電極のワイヤボンディング領域を覆わず、前記絶縁膜の少なくとも一部を全周に亘って覆う、第1の被覆部を有し、
前記緩衝部材は、前記絶縁膜の全周に亘って、前記第1の被覆部と前記絶縁膜との間に介在して配置され、
前記第1の被覆部は、前記絶縁膜に沿った形状を持つ隔壁部を有し、
前記隔壁部は、前記上面電極の外周縁と前記絶縁膜の全体とを全周に亘って被覆する保護膜の少なくとも外周縁部を全周に亘って覆い、前記絶縁膜上の前記緩衝部材と前記上面電極とを隔てる、半導体モジュール。 - ワイドバンドギャップ半導体素子を有する半導体チップを備える半導体モジュールの製造方法であって、
前記半導体チップの上面外周および側面上部のエッジ部に沿った形状を持つ被覆部材に緩衝材を塗布する工程と、
前記緩衝材が塗布された被覆部材を前記半導体チップに被せることにより、前記緩衝材を前記被覆部材と前記エッジ部との間に介在して配置させる工程と、
前記被覆部材と前記エッジ部との間に介在して配置された緩衝材を硬化させる工程と、
前記緩衝材を硬化させることによって得た緩衝部材、前記被覆部材及び前記半導体チップを含む部品を基板に取り付ける工程と、
前記基板に取り付けられた前記部品を封止樹脂で覆う工程と、
を含み、
前記緩衝部材の弾性率は、前記封止樹脂及び前記被覆部材の弾性率よりも低い、半導体モジュールの製造方法。 - ワイドバンドギャップ半導体素子を有する半導体チップと、複数の枠体を組み合わせることにより、前記半導体チップの上面外周および側面上部のエッジ部に沿った形状をなす被覆部材と、を備える半導体モジュールの製造方法であって、
前記半導体チップを基板に取り付ける工程と、
前記複数の枠体の各々に緩衝材を塗布する工程と、
前記緩衝材が塗布された複数の枠体の各々を前記エッジ部に沿わせるように前記半導体チップに被せることにより、前記緩衝材を前記被覆部材と前記エッジ部との間に介在して配置させる工程と、
前記被覆部材と前記エッジ部との間に介在して配置された緩衝材を硬化させる工程と、
前記緩衝材を硬化させることによって得た緩衝部材、前記被覆部材及び前記半導体チップを含む部品を封止樹脂で覆う工程と、
を含み、
前記緩衝部材の弾性率は、前記封止樹脂及び前記被覆部材の弾性率よりも低い、半導体モジュールの製造方法。
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