JP2970609B2 - 樹脂封止型電子回路装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子、集積
回路等の電子回路部品を含む樹脂封止型電子回路装置に
関する。
回路等の電子回路部品を含む樹脂封止型電子回路装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】樹脂封止型電子回路装置として図１に示
すように、放熱性を有する金属製支持板１の主面（表
面）上に半導体素子２をろう材（半田）３で固着すると
共に回路素子４ａを有する絶縁性回路基板４を熱硬化性
のエポキシ系接着剤５で固着し、半導体素子２を覆うよ
うにポリイミド又はポリアミド系樹脂等の保護樹脂層６
を設け、回路基板４の表面を覆うようにシリコーンラバ
ーから成る保護樹脂層７を設け、半導体素子２、回路基
板４、内部リード細線８を覆うようにエポキシ系樹脂か
ら成る樹脂封止体９を設けたものが知られている。な
お、回路基板４上にはフリップチップ等の回路素子４ａ
の他に配線導体（図示せず）等が設けられている。ま
た、支持板１からは連結外部リード１０が導出され、更
に非連結外部リードも設けられている。また、樹脂封止
体９はシリカ等の充填材を多く含むものであり、緻密
性、水密性に欠けているので、保護樹脂層６、７は耐湿
性を高めるために設けられている。
すように、放熱性を有する金属製支持板１の主面（表
面）上に半導体素子２をろう材（半田）３で固着すると
共に回路素子４ａを有する絶縁性回路基板４を熱硬化性
のエポキシ系接着剤５で固着し、半導体素子２を覆うよ
うにポリイミド又はポリアミド系樹脂等の保護樹脂層６
を設け、回路基板４の表面を覆うようにシリコーンラバ
ーから成る保護樹脂層７を設け、半導体素子２、回路基
板４、内部リード細線８を覆うようにエポキシ系樹脂か
ら成る樹脂封止体９を設けたものが知られている。な
お、回路基板４上にはフリップチップ等の回路素子４ａ
の他に配線導体（図示せず）等が設けられている。ま
た、支持板１からは連結外部リード１０が導出され、更
に非連結外部リードも設けられている。また、樹脂封止
体９はシリカ等の充填材を多く含むものであり、緻密
性、水密性に欠けているので、保護樹脂層６、７は耐湿
性を高めるために設けられている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、保護樹脂層
７をシリコーンラバーで形成しても十分な耐湿性を得る
ことができないことがある。この問題を解決するために
シリコーンラバーよりも耐湿性が優れているポリイミド
又はポリアミド系樹脂によって保護樹脂層７を形成する
ことがある。しかし、ポリイミド又はポリアミド系樹脂
で保護樹脂層７を形成すると、半導体素子２を固着して
いる半田から成るろう材３にクラック（亀裂）が生じ、
半導体素子２と支持板１との電気的接続が劣化したり、
半導体素子２が支持板１から剥離することがあった。こ
の理由は、必ずしも明らかではないが、ポリイミド系又
はポリアミド系樹脂から成る保護樹脂層７は、シリコー
ンラバーに比べて硬質であり、且つ樹脂封止体９との密
着性に優れていることに起因しているためと思われる。
即ち、図１の回路装置に温度サイクルが加わると、支持
板１の線膨張係数と回路基板４の線膨張係数の差に起因
して、回路基板４に反りが生じることがある。この反り
による応力が樹脂封止体９を介して半導体素子２に達し
て、半導体素子２を支持板１から剥離する作用が生じ、
半導体素子２をを固着している半田から成るろう材３に
クラック（亀裂）が発生し、半導体素子２と支持板１と
の電気的接続が劣化したり、半導体素子２が支持板１か
ら剥離することがあった。
７をシリコーンラバーで形成しても十分な耐湿性を得る
ことができないことがある。この問題を解決するために
シリコーンラバーよりも耐湿性が優れているポリイミド
又はポリアミド系樹脂によって保護樹脂層７を形成する
ことがある。しかし、ポリイミド又はポリアミド系樹脂
で保護樹脂層７を形成すると、半導体素子２を固着して
いる半田から成るろう材３にクラック（亀裂）が生じ、
半導体素子２と支持板１との電気的接続が劣化したり、
半導体素子２が支持板１から剥離することがあった。こ
の理由は、必ずしも明らかではないが、ポリイミド系又
はポリアミド系樹脂から成る保護樹脂層７は、シリコー
ンラバーに比べて硬質であり、且つ樹脂封止体９との密
着性に優れていることに起因しているためと思われる。
即ち、図１の回路装置に温度サイクルが加わると、支持
板１の線膨張係数と回路基板４の線膨張係数の差に起因
して、回路基板４に反りが生じることがある。この反り
による応力が樹脂封止体９を介して半導体素子２に達し
て、半導体素子２を支持板１から剥離する作用が生じ、
半導体素子２をを固着している半田から成るろう材３に
クラック（亀裂）が発生し、半導体素子２と支持板１と
の電気的接続が劣化したり、半導体素子２が支持板１か
ら剥離することがあった。
【０００４】そこで、本発明は、ろう材の劣化を防ぐこ
とができる樹脂封止型電子回路装置を提供することを目
的とする。
とができる樹脂封止型電子回路装置を提供することを目
的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成するための本発明は、放熱性を有する金属製
の支持板と、前記支持板の一方の主面の第１の領域にろ
う材で固着された電子回路部品と、前記支持板の一方の
主面の第２の領域に接着剤で固着された回路基板と、前
記回路基板に設けられた回路素子と、前記回路素子を備
えた前記回路基板を被覆するように設けられたシリコ−
ンラバ−から成る保護被覆層と、前記電子回路部品及び
前記回路基板を覆い且つ前記保護被覆層に接触するよう
に前記支持板上に設けられた樹脂封止体とを備えた樹脂
封止型電子回路装置において、前記支持板の一方の主面
の前記第１の領域と前記第２の領域との間に凹部又は凸
部が設けられ、前記凹部又は凸部に前記樹脂封止体が結
合されていることを特徴とする樹脂封止型電子回路装置
に係わるものである。また、請求項２に示すように接着
剤を熱可塑性樹脂とすることができる。
目的を達成するための本発明は、放熱性を有する金属製
の支持板と、前記支持板の一方の主面の第１の領域にろ
う材で固着された電子回路部品と、前記支持板の一方の
主面の第２の領域に接着剤で固着された回路基板と、前
記回路基板に設けられた回路素子と、前記回路素子を備
えた前記回路基板を被覆するように設けられたシリコ−
ンラバ−から成る保護被覆層と、前記電子回路部品及び
前記回路基板を覆い且つ前記保護被覆層に接触するよう
に前記支持板上に設けられた樹脂封止体とを備えた樹脂
封止型電子回路装置において、前記支持板の一方の主面
の前記第１の領域と前記第２の領域との間に凹部又は凸
部が設けられ、前記凹部又は凸部に前記樹脂封止体が結
合されていることを特徴とする樹脂封止型電子回路装置
に係わるものである。また、請求項２に示すように接着
剤を熱可塑性樹脂とすることができる。
【０００６】
【発明の作用及び効果】請求項１の発明によれば、支持
板の第１及び第２の領域の間に凹部又は凸部が設けられ
ているので、支持板に対して樹脂封止体が強固に結合す
る。このため、回路基板に反りが生じ、これに基づく応
力が生じても、この応力の樹脂封止体を介しての伝達が
凹部又は凸部で抑制され、第１の領域の電子回路部品に
ほとんど及ばなくなり、電子回路部品を支持板から剥す
ような作用が抑制され、ろう材の劣化が少なくなる。ま
た、請求項２の発明によれば、接着剤が柔軟性を有する
熱可塑性樹脂から成るので、回路基板と支持板との線膨
張係数差に起因する応力をこの接着剤によって吸収し、
回路基板の反りを抑制することができる。
板の第１及び第２の領域の間に凹部又は凸部が設けられ
ているので、支持板に対して樹脂封止体が強固に結合す
る。このため、回路基板に反りが生じ、これに基づく応
力が生じても、この応力の樹脂封止体を介しての伝達が
凹部又は凸部で抑制され、第１の領域の電子回路部品に
ほとんど及ばなくなり、電子回路部品を支持板から剥す
ような作用が抑制され、ろう材の劣化が少なくなる。ま
た、請求項２の発明によれば、接着剤が柔軟性を有する
熱可塑性樹脂から成るので、回路基板と支持板との線膨
張係数差に起因する応力をこの接着剤によって吸収し、
回路基板の反りを抑制することができる。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施形態を示す樹脂封止型電
子回路装置を図２及び図３を参照して説明する。本実施
例の樹脂封止型電子回路装置は、放熱性を有する支持板
１１と、この上に半田から成るろう材１３で固着された
電子回路部品としての半導体素子１２と、支持板１１上
に熱可塑性樹脂から成る接着剤１５で固着された回路基
板１４と、半導体素子１２を覆う第１の保護樹脂層１６
と、回路基板１４を覆う第２の保護樹脂層１７と、内部
リード細線１８と、支持板１１、半導体素子１２、回路
基板１４及び内部リード細線１８を覆うエポキシ系樹脂
から成る樹脂封止体１９とを備えている。
子回路装置を図２及び図３を参照して説明する。本実施
例の樹脂封止型電子回路装置は、放熱性を有する支持板
１１と、この上に半田から成るろう材１３で固着された
電子回路部品としての半導体素子１２と、支持板１１上
に熱可塑性樹脂から成る接着剤１５で固着された回路基
板１４と、半導体素子１２を覆う第１の保護樹脂層１６
と、回路基板１４を覆う第２の保護樹脂層１７と、内部
リード細線１８と、支持板１１、半導体素子１２、回路
基板１４及び内部リード細線１８を覆うエポキシ系樹脂
から成る樹脂封止体１９とを備えている。
【０００８】支持板１１は放熱性を有する金属板から成
り、実質的に平坦な一方の主面（表面）２０と他方の主
面（裏面）２１とを有している。この支持板１１の一方
の主面２０は半導体素子１２がろう材１３で固着されて
いる第１の領域２０ａと回路基板１４が接着剤１５で固
着されている第２の領域２０ｂを有し、第１及び第２の
領域２０ａ、２０ｂの間に凹部として蟻溝形状の溝２２
が設けられている。また、支持板１１の一端面から連結
外部リード２３が導出されている。また、リードフレー
ムの状態で外部リード２３に連結され、その後に分離さ
れた非連結外部リード２４が連結外部リード２３に並置
されている。溝２２は支持板１１の一方の側面から他方
の側面に至るように直線状に延びている。溝２２は蟻溝
であるので、この入口の幅はこの底面の幅よりも狭い。
この溝２２の中には樹脂封止体１９が充填され、噛合の
作用によって支持板１１の溝２２の領域と樹脂封止体１
９との強固な結合が成立している。
り、実質的に平坦な一方の主面（表面）２０と他方の主
面（裏面）２１とを有している。この支持板１１の一方
の主面２０は半導体素子１２がろう材１３で固着されて
いる第１の領域２０ａと回路基板１４が接着剤１５で固
着されている第２の領域２０ｂを有し、第１及び第２の
領域２０ａ、２０ｂの間に凹部として蟻溝形状の溝２２
が設けられている。また、支持板１１の一端面から連結
外部リード２３が導出されている。また、リードフレー
ムの状態で外部リード２３に連結され、その後に分離さ
れた非連結外部リード２４が連結外部リード２３に並置
されている。溝２２は支持板１１の一方の側面から他方
の側面に至るように直線状に延びている。溝２２は蟻溝
であるので、この入口の幅はこの底面の幅よりも狭い。
この溝２２の中には樹脂封止体１９が充填され、噛合の
作用によって支持板１１の溝２２の領域と樹脂封止体１
９との強固な結合が成立している。
【０００９】支持板１１は、銅を母材とし、この銅の表
面に無電解メッキ法によってＮｉ（ニッケル）から成る
半田付け性の良い金属層（図示せず）を設けたものであ
り、半導体素子１２の半導体基板及び回路基板１４より
も厚く形成されている。
面に無電解メッキ法によってＮｉ（ニッケル）から成る
半田付け性の良い金属層（図示せず）を設けたものであ
り、半導体素子１２の半導体基板及び回路基板１４より
も厚く形成されている。
【００１０】半導体素子１２はパワートランジスタであ
って、ＰＮ接合を含む半導体基板とこの基板の下面に形
成されたコレクタ電極と、この基板の上面に形成された
ベース電極及びエミッタ電極とを有し、下面のコレクタ
電極が鉛錫半田から成るろう材１３によって支持板１１
の第１の領域２０ａに固着され且つ電気的に接続されて
いる。なお、半導体素子１２の上面側のベース電極及び
エミッタ電極はリード細線１８によって回路基板１４上
の配線導体を中継して外部リード２４に接続されてい
る。また、半導体素子１２の上面はポリイミド又はポリ
アミド樹脂から成る保護樹脂層１６で被覆されている。
って、ＰＮ接合を含む半導体基板とこの基板の下面に形
成されたコレクタ電極と、この基板の上面に形成された
ベース電極及びエミッタ電極とを有し、下面のコレクタ
電極が鉛錫半田から成るろう材１３によって支持板１１
の第１の領域２０ａに固着され且つ電気的に接続されて
いる。なお、半導体素子１２の上面側のベース電極及び
エミッタ電極はリード細線１８によって回路基板１４上
の配線導体を中継して外部リード２４に接続されてい
る。また、半導体素子１２の上面はポリイミド又はポリ
アミド樹脂から成る保護樹脂層１６で被覆されている。
【００１１】回路基板１４はエポキシ系樹脂から成る絶
縁性基板であって、支持板１１よりも変形し易いもので
ある。即ち回路基板１４の体積弾性係数は支持板３の体
積弾性係数よりも小さく、支持板１１よりも変形し易
い。回路基板１４の下面は熱可塑性樹脂から成る絶縁性
接着剤１５によって支持板１１の第２の領域２０ｂに固
着されている。なお、接着剤１５は回路基板１４よりも
大きい柔軟性及び弾性を有する。即ち接着剤１５の体積
弾性係数は回路基板１４のそれよりも小さい。回路基板
１４の表面にはフリップチップ等の回路素子１４ａが固
着されており、また多数の配線導体（図示せず）が設け
られている。
縁性基板であって、支持板１１よりも変形し易いもので
ある。即ち回路基板１４の体積弾性係数は支持板３の体
積弾性係数よりも小さく、支持板１１よりも変形し易
い。回路基板１４の下面は熱可塑性樹脂から成る絶縁性
接着剤１５によって支持板１１の第２の領域２０ｂに固
着されている。なお、接着剤１５は回路基板１４よりも
大きい柔軟性及び弾性を有する。即ち接着剤１５の体積
弾性係数は回路基板１４のそれよりも小さい。回路基板
１４の表面にはフリップチップ等の回路素子１４ａが固
着されており、また多数の配線導体（図示せず）が設け
られている。
【００１２】回路基板１４上の回路素子１４ａ及び配線
導体等を保護するために回路基板１４上に設けられた保
護樹脂層１７は、シリコ−ンラバ−から成る。なお、保
護樹脂層１７を形成する時には、回路素子１４ａを覆う
ように回路基板１４上に液状の樹脂を滴下し、しかる後
固化し、回路基板１４の上面のほぼ全部を覆うように保
護樹脂層１７を形成する。この時、液状保護樹脂が回路
基板１４の外側に垂れることがあるが、この広がりが溝
２２で阻止される。
導体等を保護するために回路基板１４上に設けられた保
護樹脂層１７は、シリコ−ンラバ−から成る。なお、保
護樹脂層１７を形成する時には、回路素子１４ａを覆う
ように回路基板１４上に液状の樹脂を滴下し、しかる後
固化し、回路基板１４の上面のほぼ全部を覆うように保
護樹脂層１７を形成する。この時、液状保護樹脂が回路
基板１４の外側に垂れることがあるが、この広がりが溝
２２で阻止される。
【００１３】樹脂封止体１９は熱硬化性のエポキシ樹脂
と充填材とから成り、周知のトランスファモールド法に
よって形成されている。即ち、樹脂封止体１９は半導体
素子１２、回路基板１４、支持板１１の溝２２を含む一
方の主面２０及び側面、内部リード細線１８の全部、及
び外部リード２３、２４の一部を覆うように形成されて
いる。従って、樹脂封止体１９は保護樹脂層１６、１７
に強固に密着（固着）されていると共に、支持板１１の
溝２２を含む主面２０に対しても比較的強固に密着（固
着）されている。
と充填材とから成り、周知のトランスファモールド法に
よって形成されている。即ち、樹脂封止体１９は半導体
素子１２、回路基板１４、支持板１１の溝２２を含む一
方の主面２０及び側面、内部リード細線１８の全部、及
び外部リード２３、２４の一部を覆うように形成されて
いる。従って、樹脂封止体１９は保護樹脂層１６、１７
に強固に密着（固着）されていると共に、支持板１１の
溝２２を含む主面２０に対しても比較的強固に密着（固
着）されている。
【００１４】樹脂封止型電子回路装置を図２及び図３に
示すように形成すると、この回路装置にヒートサイクル
（高温と低温との繰返し）が加わっても、ろう材１３の
劣化（クラック等）が少なく、半導体素子１２の支持板
１１からの剥離が生じない。これは次の作用効果に基づ
いている。 （１） 支持板１１に蟻溝形状の溝２２が形成されてお
り、この溝２２に樹脂封止体１９の一部が充填されるた
め、支持板１１と樹脂封止体１９とが強固に密着（結
合）する。このため、ヒートサイクルで回路基板１４に
反りが生じても、この反りによる応力が樹脂封止体１９
を介して半導体素子１２に加わることが抑制され、半導
体素子１２の剥離作用も抑制される。 （２） 回路基板１４を支持板１１に固着する接着剤１
５が熱可塑性樹脂から成り、比較的柔軟性があるため、
回路基板１４と支持板１１との線膨張係数差に起因する
応力がこの接着剤１５で吸収され、回路基板１４の反り
が少なくなり、この反りによる応力が小さくなり、半導
体素子１２の剥離作用が抑制される。 （３） 支持板１１の表面（少なくとも半導体素子１２
の固着面）に無電解メッキ法によって半田ぬれ性の良い
金属層が形成されているため、ろう材１３を支持板１１
に強固に固着することができる。即ち、無電解メッキ法
によれば、金属層を支持板１１の表面に均一に且つ比較
的肉厚に形成することができる。従って、半導体素子１
２の下面の全部において、ろう材１３が支持板１１の金
属層に強固に密着し、半導体素子１２の強固な結合が達
成され、半導体素子１２が剥離し難くなる。 なお、無電解メッキ法ではなくて電解メッキ法で支持板
１１に金属層（Ｎｉメッキ層）を形成することもでき
る。しかし、電解メッキ法によれば無電解メッキ法のよ
うに均一にメッキ層を形成することはできない。
示すように形成すると、この回路装置にヒートサイクル
（高温と低温との繰返し）が加わっても、ろう材１３の
劣化（クラック等）が少なく、半導体素子１２の支持板
１１からの剥離が生じない。これは次の作用効果に基づ
いている。 （１） 支持板１１に蟻溝形状の溝２２が形成されてお
り、この溝２２に樹脂封止体１９の一部が充填されるた
め、支持板１１と樹脂封止体１９とが強固に密着（結
合）する。このため、ヒートサイクルで回路基板１４に
反りが生じても、この反りによる応力が樹脂封止体１９
を介して半導体素子１２に加わることが抑制され、半導
体素子１２の剥離作用も抑制される。 （２） 回路基板１４を支持板１１に固着する接着剤１
５が熱可塑性樹脂から成り、比較的柔軟性があるため、
回路基板１４と支持板１１との線膨張係数差に起因する
応力がこの接着剤１５で吸収され、回路基板１４の反り
が少なくなり、この反りによる応力が小さくなり、半導
体素子１２の剥離作用が抑制される。 （３） 支持板１１の表面（少なくとも半導体素子１２
の固着面）に無電解メッキ法によって半田ぬれ性の良い
金属層が形成されているため、ろう材１３を支持板１１
に強固に固着することができる。即ち、無電解メッキ法
によれば、金属層を支持板１１の表面に均一に且つ比較
的肉厚に形成することができる。従って、半導体素子１
２の下面の全部において、ろう材１３が支持板１１の金
属層に強固に密着し、半導体素子１２の強固な結合が達
成され、半導体素子１２が剥離し難くなる。 なお、無電解メッキ法ではなくて電解メッキ法で支持板
１１に金属層（Ｎｉメッキ層）を形成することもでき
る。しかし、電解メッキ法によれば無電解メッキ法のよ
うに均一にメッキ層を形成することはできない。
【００１５】
【変形例】本発明は上述の実施例に限定されるものでな
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 樹脂封止体１９を支持板１１の他方の主面２１
側も被覆するように形成することができる。 （２） 回路基板１４を固着する接着剤１５をエポキシ
系樹脂等の熱硬化性接着剤とすることもできる。但し、
熱可塑性の樹脂の方が望ましい。 （３） 溝２２は支持板１１の上面の回路基板１４と半
導体素子１２との間に間欠的に設けてもよい。但し、回
路基板１４の反りに伴う応力が樹脂封止体１９を通じて
半導体素子１２に加わることを十分に抑制するために、
溝２２は回路基板１４と半導体素子１２との間において
支持板１１の一方の側面から他方の側面に至るように形
成することが望ましい。 （４） 半導体素子１２はダイオード、ＦＥＴ等であっ
てもよい。 （５） 半導体素子１２の保護樹脂層１６をポリイミド
又はポリアミド樹脂以外の耐湿性絶縁樹脂にすることが
できる。 （６） 溝２２の代りに凸状部を設け、樹脂封止体１９
との結合強度を強めることができる。 （７） 接着剤１５を導電性接着剤とすることができ
る。 （８） 保護樹脂層１６は、支持板１１の一方の主面２
０及び溝２２を被覆していてもよい。
く、例えば次の変形が可能なものである。 （１） 樹脂封止体１９を支持板１１の他方の主面２１
側も被覆するように形成することができる。 （２） 回路基板１４を固着する接着剤１５をエポキシ
系樹脂等の熱硬化性接着剤とすることもできる。但し、
熱可塑性の樹脂の方が望ましい。 （３） 溝２２は支持板１１の上面の回路基板１４と半
導体素子１２との間に間欠的に設けてもよい。但し、回
路基板１４の反りに伴う応力が樹脂封止体１９を通じて
半導体素子１２に加わることを十分に抑制するために、
溝２２は回路基板１４と半導体素子１２との間において
支持板１１の一方の側面から他方の側面に至るように形
成することが望ましい。 （４） 半導体素子１２はダイオード、ＦＥＴ等であっ
てもよい。 （５） 半導体素子１２の保護樹脂層１６をポリイミド
又はポリアミド樹脂以外の耐湿性絶縁樹脂にすることが
できる。 （６） 溝２２の代りに凸状部を設け、樹脂封止体１９
との結合強度を強めることができる。 （７） 接着剤１５を導電性接着剤とすることができ
る。 （８） 保護樹脂層１６は、支持板１１の一方の主面２
０及び溝２２を被覆していてもよい。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の樹脂封止型電子回路装置を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の実施例の樹脂封止型電子回路装置を示
す平面図である。
す平面図である。
【図３】図２の樹脂封止型電子回路装置を示す断面図で
ある。
ある。
１１ 支持板 １２ 半導体素子 １３ ろう材 １４ 回路基板 １５ 接着剤 １６、１７ 保護樹脂層 １９ 樹脂封止体
Claims (2)
- 【請求項１】 放熱性を有する金属製の支持板と、 前記支持板の一方の主面の第１の領域にろう材で固着さ
れた電子回路部品と、 前記支持板の一方の主面の第２の領域に接着剤で固着さ
れた回路基板と、 前記回路基板に設けられた回路素子と、 前記回路素子を備えた前記回路基板を被覆するように設
けられたシリコ−ンラバ−から成る保護被覆層と、 前記電子回路部品及び前記回路基板を覆い且つ前記保護
被覆層に接触するように前記支持板上に設けられた樹脂
封止体とを備えた樹脂封止型電子回路装置において、 前記支持板の一方の主面の前記第１の領域と前記第２の
領域との間に凹部又は凸部が設けられ、前記凹部又は凸
部に前記樹脂封止体が結合されていることを特徴とする
樹脂封止型電子回路装置。 - 【請求項２】 放熱性を有する金属製の支持板と、 前記支持板の一方の主面の第１の領域にろう材で固着さ
れた電子回路部品と、 前記支持板の一方の主面の第２の領域に接着剤で固着さ
れた回路基板と、 前記回路基板に設けられた回路素子と、 前記回路素子を備えた前記回路基板を被覆するように設
けられたシリコ−ンラバ−から成る保護被覆層と、 前記電子回路部品及び前記回路基板を覆い且つ前記保護
被覆層に接触するように前記支持板上側に設けられた樹
脂封止体とを備えた樹脂封止型電子回路装置において、 前記接着剤が前記回路基板よりも柔軟性の大きい熱可塑
性樹脂から成ることを特徴とする樹脂封止型電子回路装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19323797A JP2970609B2 (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 樹脂封止型電子回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19323797A JP2970609B2 (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 樹脂封止型電子回路装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126688A JPH1126688A (ja) | 1999-01-29 |
| JP2970609B2 true JP2970609B2 (ja) | 1999-11-02 |
Family
ID=16304620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19323797A Expired - Fee Related JP2970609B2 (ja) | 1997-07-02 | 1997-07-02 | 樹脂封止型電子回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2970609B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3866880B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2007-01-10 | 株式会社日立製作所 | 樹脂封止型電子装置 |
| TW200718769A (en) | 2002-11-29 | 2007-05-16 | Hitachi Chemical Co Ltd | Adhesive composition, adhesive composition for circuit connection, connected body semiconductor device |
| JP2007059575A (ja) * | 2005-08-24 | 2007-03-08 | Diamond Electric Mfg Co Ltd | イグナイタ |
| JP4681648B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2011-05-11 | 富士通株式会社 | 樹脂封止モジュール、光モジュールおよび樹脂封止方法 |
| JP2008016564A (ja) * | 2006-07-04 | 2008-01-24 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止型パワーモジュール |
| JP5713032B2 (ja) | 2013-01-21 | 2015-05-07 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-07-02 JP JP19323797A patent/JP2970609B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1126688A (ja) | 1999-01-29 |
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