JP7392258B2 - 伸縮性配線基板およびウェアラブルデバイス - Google Patents
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Description
エラストマーを含有する基板と、
前記基板の一面上に接置されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
未伸長時の前記基板の厚みをT1(μm)とし、未伸長時の前記基板のJIS K6253(1997)に準拠した25℃におけるタイプAデュロメータ硬さをH1とし、未伸長時の前記配線の厚みをT2(μm)としたとき、
H1、T1、およびT2が、以下の式(I)を満たす剛性構造を有する、伸縮性配線基板が提供される。
20≦H1×(T1/T2)≦1000 ・・(I)
上記伸縮性配線基板を備えるウェアラブルデバイスが提供される。
未伸長時の基板の厚みをT1(μm)とし、
未伸長時の基板のJIS K6253(1997)に準拠した25℃におけるタイプAデュロメータ硬さをH1とし、
未伸長時の配線の厚みをT2(μm)としたとき、
当該伸縮性配線基板は、H1、T1、およびT2が、以下の式(I)を満たす剛性構造を有するものである。
20≦H1×(T1/T2)≦1000 ・・(I)
このような知見に基づいて鋭意検討した結果、2つの要素を組み合わせて、基板硬度×(基板厚み/配線厚み)で表される剛性パラメータを指針とすることにより、伸縮性配線基板の伸長時特性およびウェアラブル適合性を適切に制御できること、そして、剛性パラメータを所定の数値範囲内とすることにより、剛性パラメータで規定される剛性構造を有する伸縮性配線基板の伸長時特性およびウェアラブル適合性が改善されることが見出された。
上記基板や配線に含まれるエラストマーとしては、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンゴムからなる群から選択される一種以上を含むことができる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
この中でも、エラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴムからなる群から選択される一種以上の熱硬化性エラストマーを含むことができる。また、エラストマーは、化学的に安定であり、また、機械的強度にも優れる観点からシリコーンゴムを含むことができる。
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)を含むことができる。
オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)は、直鎖構造を有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B1)と分岐構造を有する分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B2)とに分類され、これらのうちのいずれか一方または双方を含むことができる。
(Ha(R7)3-aSiO1/2)m(SiO4/2)n
(式(c)において、R7は一価の有機基、aは1~3の範囲の整数、mはHa(R7)3-aSiO1/2単位の数、nはSiO4/2単位の数である)
シリコーンゴム系硬化性組成物の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを用いて形成された配線が適度な柔軟性を持つことができる。また、シリコーンゴム系硬化性組成物の含有量を上記上限値以下とすることにより配線の機械的強度の向上を図ることができる。
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、必要に応じ、シリカ粒子(C)を含むことができる。これにより、シリコーンゴム系硬化性組成物から形成されるエラストマーの硬さや機械的強度の向上を図ることができる。
シリカ粒子(C)の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを使用して作製された配線のエラストマーが適度な機械的強度を持つことができる。また、シリカ粒子(C)の含有量を上記上限値以下とすることにより、導電性ペーストを使用して作製された配線が適度な導電特性を持つことができる。
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、シランカップリング剤(D)を含むことができる。
シランカップリング剤(D)は、加水分解性基を有することができる。加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子(C)表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子(C)の表面改質を行うことができる。
上記式(4)中、nは1~3の整数を表わす。Yは、疎水性基、親水性基またはビニル基を有するもののうちのいずれかの官能基を表わし、nが1の時は疎水性基であり、nが2または3の時はその少なくとも1つが疎水性基である。Xは、加水分解性基を表わす。
上記官能基として疎水性基を有するものとして、例えば、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、n-プロピルトリメトキシシラン、n-プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシランのようなアルコキシシラン;メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシランのようなクロロシラン;ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。この中でも、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、及びトリメチルエトキシシランからなる群から選択される一種以上を含むトリメチルシリル基を有するシランカップリング剤が好ましい。
シランカップリング剤(D)の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを用いて形成された配線とエラストマーを含有する基板との適度な密着性を持ち、また、シリカ粒子(C)を用いる場合においては、配線と基板全体としての機械的強度の向上に資することができる。また、シランカップリング剤(D)の含有量を上記上限値以下とすることにより、導電性樹脂膜が適度な機械特性を持つことができる。
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、白金または白金化合物(E)を含むことができる。
白金または白金化合物(E)は、硬化の際の触媒として作用する触媒成分である。白金または白金化合物(E)の添加量は触媒量である。
白金または白金化合物(E)の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物が適切な速度で硬化することが可能となる。また、白金または白金化合物(E)の含有量を上記上限値以下とすることにより、製造コストの削減に資することができる。
また、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物には、上記成分(A)~(E)以外に、水(F)が含まれていてもよい。
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、有機過酸化物(H)を含むことができる。有機過酸化物(H)は、触媒として作用する成分である。有機過酸化物(H)は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)および白金または白金化合物(E)に代えて、またはオルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)および白金または白金化合物(E)と有機過酸化物(H)を併用して使用することができる。
さらに、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、上記(A)~(F)成分以外に、他の成分をさらに含むことができる。この他の成分としては、例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等のシリカ粒子(C)以外の無機充填材、反応阻害剤、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等の添加剤が挙げられる。
本実施形態の導電性ペーストは、導電性フィラーを含むものである。この導電性フィラーとしては、公知の導電材料を用いることができる。
例えば、配線を構成するエラストマーは、例えば、導電性フィラーとして、金属、カーボンまたは導電性ポリマーを含むことができる。導電性フィラーは、粉粒状、繊維状、ワイヤー状のいずれであってもよい。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記金属粉(G)を構成する金属は特に限定はされないが、例えば、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、或いはこれらを合金化した金属粉のうち少なくとも一種類、あるいは、これらのうちの二種以上を含むことができる。
これらのうち、金属粉(G)としては、導電性の高さや入手容易性の高さから、銀または銅を含むこと、すなわち、銀粉または銅粉を含むことが好ましい。
なお、これらの金属粉(G)は他種金属でコートしたものも使用できる。
本実施形態の導電性ペーストは、溶剤を含むものである。この溶剤としては、公知の各種溶剤を用いることができるが、例えば、高沸点溶剤を含むことができる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
ここで用いられる溶媒は、上記の導電性ペースト中の組成成分を均一に溶解ないし分散させることのできる溶媒の中から適宜選択すればよい。
以下、本実施形態に係る導電性ペーストの製造方法について説明する。
以下、伸縮性配線基板(配線基板50)の一例について、図1を示しながら説明する。図1には、伸縮性配線基板を備えた電子装置100(ウェアラブルデバイス)の概略を断面図として図示している。
この材料としては、前述のエラストマーと同様のものを採用することができる。具体的には、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム等を用いることができ、用途等に応じ、この材料を適宜選択することができる。また、基板20は、上記のシリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成されていてもよい。
絶縁ペーストは、上記の導電性ペーストの製造方法と同様にして、工程[2]で得られたエラストマー組成物(シリコーンゴム系硬化性組成物)を、溶剤に溶解させて絶縁性ペーストが得られる。
基板中のシリカ粒子(C)の含有量を上記下限値以上とすることにより、基板が適度な機械的強度を持つことができる。一方、基板中のシリカ粒子(C)の含有量を上記上限値以下とすることにより、基板が適度な伸縮特性を持つことができる。これにより、繰り返し使用時における耐久性を高めることができる。
上記式(I)中、基板厚みT1は、未伸長時の基板20の厚み(μm)とし、H1は、未伸長時の基板20のJIS K6253(1997)に準拠した25℃におけるタイプAデュロメータ硬さとし、T2は、未伸長時の配線10の厚み(μm)とする。
なお、基板20の厚みが所定厚みに満たない場合、例えば、基板20の一部を切り出した切出片を複数枚積層して、所定厚みのサンプルを作成し、このサンプルの硬度を「H1」としてもよい。
配線基板50の厚みについて、定圧厚さ測定器を用いて、図3(a)中の点線で囲まれた5点を測定する。5点は、配線10の近傍のものであればよく、隣接した点間距離が等間隔となるように選択する。5点の厚みの平均値を、基板厚みT1とする。
配線10の幅方向(X方向)の中心を、イオンビームを用いて研磨し、切断面を得る。得られた切断面について、視野領域:600μm×480μm、視野数:1視野、倍率:200倍の条件で、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察像を得る。図3(b)に示すように、配線10の中央部近傍における厚みを、観察像に基づいて計測し、配線厚みT2とする。
なお、配線10が上面視形状が四角形状の電極パッドの場合、切断面は電極パッドの中央近傍を通過すればよい。
本実施形態の電子装置100は、たとえばウェアラブルデバイスとして用いられるものであり、各方向に繰り返し伸縮される装置に好適に用いることができる。
また、上記電子部品60は、用途に応じ、公知の部品の中から適宜選択すればよい。
具体的には、半導体素子、及び半導体素子以外の抵抗やコンデンサ等を挙げることができる。半導体素子としては、たとえば、トランジスタや、ダイオード、LED、コンデンサ等を挙げることができる。本実施形態の電子装置100において、この電子部品60は配線10により導通が図られている。
また、このカバー材30は、基板20と同様の材料により構成することができる。このようなカバー材30が基板20や配線10の伸縮に追従することから、電子装置100全体として、偏りなく伸縮することができ、この電子装置100の長寿命化にも資することができる。
図2は、本実施形態における電子装置100の製造工程の概略を示す断面図である。
以上により、図2(f)に示す電子装置100を得ることができる。
以下、参考形態の例を付記する。
1. エラストマーを含有する基板と、
前記基板の一面上に接置されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
未伸長時の前記基板の厚みをT1(μm)とし、未伸長時の前記基板のJIS K6253(1997)に準拠した25℃におけるタイプAデュロメータ硬さをH1とし、未伸長時の前記配線の厚みをT2(μm)としたとき、
H1、T1、およびT2が、以下の式(I)を満たす剛性構造を有する、伸縮性配線基板。
20≦H1×(T1/T2)≦1000 ・・(I)
2. 1.に記載の伸縮性配線基板であって、
上記式(I)中のH1は、20以上80以下である、伸縮性配線基板。
3. 1.または2.に記載の伸縮性配線基板であって、
前記基板および前記配線に含まれるエラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンゴムからなる群から選択される一種以上を含む、伸縮性配線基板。
4. 1.から3.のいずれか1つに記載の伸縮性配線基板であって、
前記基板は、シリカ粒子(C)を含む、伸縮性配線基板。
5. 1.から4.のいずれか1つに記載の伸縮性配線基板であって、
前記導電性フィラーは、金属、カーボンまたは導電性ポリマーを含む、伸縮性配線基板。
6. 1.から5.のいずれか1つに記載の伸縮性配線基板を備えるウェアラブルデバイス。
(A1-1):第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン:ビニル基含有量は0.13モル%、Mn=227,734、Mw=573,903、IV値(dl/g)=0.89)、下記の合成スキーム1により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン(上記式(1-1)で表わされる構造)
(A1-2):第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン:ビニル基含有量は0.92モル%、下記の合成スキーム2により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン(上記式(1-1)で表わされる構造でR1およびR2がビニル基である構造)
(B):オルガノハイドロジェンポリシロキサン:モメンティブ社製、「TC-25D」
(C):シリカ微粒子(粒径7nm、比表面積300m2/g)、日本アエロジル社製、「AEROSIL300」
(D-1):ヘキサメチルジシラザン(HMDZ)、Gelest社製、「HEXAMETHYLDISILAZANE(SIH6110.1)」
(D-2):ジビニルテトラメチルジシラザン、Gelest社製、「1,3-DIVINYLTETRAMETHYLDISILAZANE(SID4612.0)」
(E):白金または白金化合物:モメンティブ社製、「TC-25A」
(F):純水
(G1):銀粉、徳力化学研究所社製、商品名「TC-101」、メジアン径d50:8.0μm、アスペクト比16.4、平均長径4.6μm
[合成スキーム1:第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-1)の合成]
下記式(5)にしたがって、第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-1)を合成した。
すなわち、Arガス置換した、冷却管および攪拌翼を有する300mLセパラブルフラスコに、オクタメチルシクロテトラシロキサン74.7g(252mmol)、カリウムシリコネート0.1gを入れ、昇温し、120℃で30分間攪拌した。なお、この際、粘度の上昇が確認できた。
その後、155℃まで昇温し、3時間攪拌を続けた。そして、3時間後、1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン0.1g(0.6mmol)を添加し、さらに、155℃で4時間攪拌した。
さらに、4時間後、トルエン250mLで希釈した後、水で3回洗浄した。洗浄後の有機層をメタノール1.5Lで数回洗浄することで、再沈精製し、オリゴマーとポリマーを分離した。得られたポリマーを60℃で一晩減圧乾燥し、第1のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-1)を得た(Mw=573,903、Mn=227,734)。また、H-NMRスペクトル測定により算出したビニル基含有量は0.13モル%であった。
上記(A1-1)の合成工程において、オクタメチルシクロテトラシロキサン74.7g(252mmol)に加えて2,4,6,8-テトラメチル2,4,6,8-テトラビニルシクロテトラシロキサン0.86g(2.5mmol)を用いたこと以外は、(A1-1)の合成工程と同様にすることで、下記式(6)のように、第2のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン(A1-2)を合成した。また、H-NMRスペクトル測定により算出したビニル基含有量は0.92モル%であった。
次のようにしてシリコーンゴム系硬化性組成物1を調整した。
まず、下記の表1に示す割合で、90%のビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)、シランカップリング剤(D)および水(F)の混合物を予め混練し、その後、混合物にシリカ粒子(C)を加えてさらに混練し、混練物(シリコーンゴムコンパウンド)を得た。
ここで、シリカ粒子(C)添加後の混練は、カップリング反応のために窒素雰囲気下、60~90℃の条件下で1時間混練する第1ステップと、副生成物(アンモニア)の除去のために減圧雰囲気下、160~180℃の条件下で2時間混練する第2ステップとを経ることで行い、その後、冷却し、残り10%のビニル基含有オルガノポリシロキサン(A)を2回に分けて添加し、20分間混練した。
続いて、下記の表1に示す割合で、得られた混練物(シリコーンゴムコンパウンド)100重量部に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン(B)、白金または白金化合物(E)を加えて、ロールで混練し、シリコーンゴム系硬化性組成物A~E(エラストマー組成物)を得た。
得られた13.7重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物Eを、31.8重量部のテトラデカン(溶剤)に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、54.5重量部の金属粉(G1)を加えた後に三本ロールで混練することで、液状の導電性ペーストを得た。
(実施例1~7、11、比較例2)
得られたシリコーンゴム系硬化性組成物Bを170℃、10MPaで10分間プレスし、表2に示す厚みのシート状に成形すると共に、1次硬化した。続いて、200℃、4時間で二次硬化して、シート状シリコーンゴム(シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物)を得た。それを幅:2cm×長さ:5cmに切り出し、エラストマー製「基板」を作製した。
続いて、得られた導電性ペーストを用いて、この「基板」上に、配線パターンを描き、これを180℃120分の条件で硬化し、表2に示す厚み×幅:500μm×長さ:30mmの「配線」を有する試験片1~7、11、13(伸縮性配線基板)を作製した。
<基板厚みT1>
配線基板50の厚みについて、定圧厚さ測定器を用いて、図3(a)中の点線で囲まれた5点を測定した。5点は、配線10に近傍しており、隣接した点間距離が等間隔となるように選択した。5点の厚みの平均値を、基板厚みT1とした。
<配線厚みT2>
配線10の幅方向(X方向)の中心を、イオンビームを用いて研磨し、切断面を得た。得られた切断面について、視野領域:600μm×480μm、視野数:1視野、倍率:200倍の条件で、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いて観察像を得た。図3(b)に示すように、配線10の中央部近傍における厚みを、得られた観察像に基づいて計測し、配線厚みT2とした。
シリコーンゴム系硬化性組成物Dを用いた以外は、実施例1と同様にして、表2に示す厚みの「基板」、表2に示す厚みの「配線」を有する試験片8(伸縮性配線基板)を作製した。
シリコーンゴム系硬化性組成物Cを用いた以外は、実施例1と同様にして、表2に示す厚みの「基板」、表2に示す厚みの「配線」を有する試験片9(伸縮性配線基板)を作製した。
シリコーンゴム系硬化性組成物Aを用いた以外は、実施例1と同様にして、表2に示す厚みの「基板」、表2に示す厚みの「配線」を有する試験片10、12(伸縮性配線基板)を作製した。
厚みが1mmであること以外は、[伸縮性配線基板の作製]と同様に各実施例、各比較例のシート状シリコーンゴム(シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物)を得た。得られた厚さ1mmのシートを6枚積層し、6mmの試験片を作製した。得られた試験片を用いて、JIS K6253(1997)に準拠して、25℃におけるタイプAデュロメータ硬さを測定した。
硬度については、2つのサンプルを用いて、各サンプルでn=5で測定を行い、計10個の測定の平均値を測定値とした。結果を表2に示す。
厚みが1mmであること以外は、[伸縮性配線基板の作製]と同様に各実施例、各比較例のシート状シリコーンゴム(シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物)を得た。得られた厚さ1mmのエラストマー層を用いて、JIS K6251(2004)に準拠して、ダンベル状3号形試験片を作製し、得られた試験片の25℃における引張強度および破断伸びを測定した。引張強度の単位は、MPaである。破断伸びは、[チャック間移動距離(mm)]÷[初期チャック間距離(60mm)]×100で計算した。単位は%である。結果を表3に示す。
<引裂強度>
厚みが1mmであること以外は、[伸縮性配線基板の作製]と同様に各実施例、各比較例のシート状シリコーンゴム(シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物)を得た。得られた厚さ1mmのシートを用いて、JIS K6252(2001)に準拠して、クレセント形試験片を作製し、得られたクレセント形試験片の25℃における引裂強度を測定した。単位は、N/mmである。結果を表3に示す。
得られた伸縮性配線基板の試験片1~13について、以下の評価項目に従い評価を行った。
得られた試験片1~13(伸縮性配線基板)について、(株)エーディーシー製直流電圧・電流源/モニタ(6241A)を用い、抵抗を測定しながら長さ方向に3秒で50%伸長させ、10秒間保持し、3秒で当該伸長を解放し、10秒間保持する試験を100回行った。この抵抗値(Ω)の変化は常にモニタリングを行い、この試験中における抵抗値変化についての解析を行った(50%伸長時の抵抗値測定)
・100回目の50%伸長の終了時までの抵抗値の最大値(50%RMAX)
以上の抵抗値について、3つのサンプルで行い、3つの平均値を測定値とした。
なお、断線とは、サンプルの測定値が10000Ω以上11000Ω以下の値のことをいう。
得られた試験片1~13(伸縮性配線基板)を用いて、次のような屈曲・伸び試験および耐久試験を行った。
屈曲・伸び試験:板状部材の両端を両手で持った状態で、90度に曲げる試験を実施し、曲げ開始から曲げ終わりまでの板状部材の曲げやすさによって、板状部材の変形容易性を判断した。板状部材を曲げる試験中、板状部材を曲げる時に負荷を感じない板状部材を○、板状部材を曲げる時に負荷を感じる板状部材を×とした。
20 基板
30 カバー材
50 配線基板
60 電子部品
100 電子装置
110 作業台
120 支持体
130 絶縁性ペースト
132 絶縁層
140 スキージ
150 導電性ペースト
152 導電層
160 マスク
170 絶縁性ペースト
172 絶縁層
Claims (6)
- エラストマーを含有する基板と、
前記基板の一面上に接置されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
前記導電性フィラーが、鱗片状の金属粉(G)を含み、
前記配線中の前記導電性フィラーの含有量が50質量%以上95質量%以下であり、かつ鱗片状の前記金属粉(G)の含有量が、前記導電性フィラーの含有量100質量%中、90質量%以上100質量%以下であり、
当該伸縮性配線基板を、3秒で50%伸長させ、10秒間保持し、3秒でその伸長を解放した後、前記配線が断線しないものであり、
未伸長時の前記基板の厚みをT1(μm)とし、未伸長時の前記基板のJIS K6253(1997)に準拠した25℃におけるタイプAデュロメータ硬さをH1とし、未伸長時の前記配線の厚みをT2(μm)としたとき、
H1、T1、およびT2が、以下の式(I)を満たす剛性構造を有する、伸縮性配線基板。
20≦H1×(T1/T2)≦1000 ・・(I) - 請求項1に記載の伸縮性配線基板であって、
上記式(I)中のH1は、20以上80以下である、伸縮性配線基板。 - 請求項1または2に記載の伸縮性配線基板であって、
前記基板および前記配線に含まれるエラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンゴムからなる群から選択される一種以上を含む、伸縮性配線基板。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の伸縮性配線基板であって、
前記基板は、シリカ粒子(C)を含む、伸縮性配線基板。 - 請求項1から4のいずれか1項に記載の伸縮性配線基板であって、
前記導電性フィラーは、金属、カーボンまたは導電性ポリマーを含む、伸縮性配線基板。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の伸縮性配線基板を備えるウェアラブルデバイス。
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