JP7392258B2 - 伸縮性配線基板およびウェアラブルデバイス - Google Patents

Description

本発明は、伸縮性配線基板およびウェアラブルデバイスに関する。

近年、伸縮性配線基板を構成する配線に用いる材料について様々な開発がなされている。この種の技術としては、例えば、特許文献１に記載の技術が知られている。特許文献１には、エラストマーからなるウェアラブル筐体と、このウェアラブル筐体の主面上に配設された配線層と、を有する弾性ウェアラブルフレキシブル基板が記載されている。

特開２０１６－０７６５３１号公報

しかしながら、本発明者が検討したところ、上記特許文献１に記載の伸縮性配線基板において、伸長時特性およびウェアラブル適合性の点で改善の余地を有していることが判明した。

本発明者はさらに検討したところ、伸縮性配線基板の伸長時特性およびウェアラブル適合性について、基板硬度×（基板厚み／配線厚み）で表される剛性パラメータを指針とすることにより適切に制御できることを見出した。このような知見に基づきさらに鋭意研究したところ、剛性パラメータを所定の数値範囲内とすることにより、伸縮性配線基板の伸長時特性およびウェアラブル適合性が改善されることを見出し、本発明を完成するに至った。

本発明によれば、
エラストマーを含有する基板と、
前記基板の一面上に接置されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
未伸長時の前記基板の厚みをＴ１（μｍ）とし、未伸長時の前記基板のＪＩＳ Ｋ６２５３（１９９７）に準拠した２５℃におけるタイプＡデュロメータ硬さをＨ１とし、未伸長時の前記配線の厚みをＴ２（μｍ）としたとき、
Ｈ１、Ｔ１、およびＴ２が、以下の式（Ｉ）を満たす剛性構造を有する、伸縮性配線基板が提供される。
２０≦Ｈ１×（Ｔ１／Ｔ２）≦１０００ ・・（Ｉ）

また本発明によれば、
上記伸縮性配線基板を備えるウェアラブルデバイスが提供される。

本発明によれば、伸長時特性およびウェアラブル適合性に優れた伸縮性配線基板および、それを用いたウェアラブルデバイスが提供される。

本実施形態における電子装置の概略を示す断面図である。 本実施形態における電子装置の製造工程の概略を示す断面図である。 基板厚み、配線厚みの測定方法を説明するための図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、本明細書中において、「～」は特に断りがなければ以上から以下を表す。

本実施形態の伸縮性配線基板は、エラストマーを含有する基板と、基板の一面上に接置されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有するものである。
未伸長時の基板の厚みをＴ１（μｍ）とし、
未伸長時の基板のＪＩＳ Ｋ６２５３（１９９７）に準拠した２５℃におけるタイプＡデュロメータ硬さをＨ１とし、
未伸長時の配線の厚みをＴ２（μｍ）としたとき、
当該伸縮性配線基板は、Ｈ１、Ｔ１、およびＴ２が、以下の式（Ｉ）を満たす剛性構造を有するものである。
２０≦Ｈ１×（Ｔ１／Ｔ２）≦１０００ ・・（Ｉ）

本発明者の知見によれば、基板硬度、および基板と配線の厚み比の両方の要素を適切に制御することで、身体への追従性を維持しつつも、伸長時に配線への応力が低下して配線ダメージを抑制できることが判明した。
このような知見に基づいて鋭意検討した結果、２つの要素を組み合わせて、基板硬度×（基板厚み／配線厚み）で表される剛性パラメータを指針とすることにより、伸縮性配線基板の伸長時特性およびウェアラブル適合性を適切に制御できること、そして、剛性パラメータを所定の数値範囲内とすることにより、剛性パラメータで規定される剛性構造を有する伸縮性配線基板の伸長時特性およびウェアラブル適合性が改善されることが見出された。

詳細なメカニズムは定かでないが、適当な剛性パラメータで規定される剛性構造により、配線への応力が低下し、繰り返し伸長後の配線ダメージや配線抵抗値上昇が抑制されるとともに、身体への追従性を高められる、と考えられる。

本実施形態の伸縮性配線基板は、各種用途に用いることができるが、例えば、ウェアラブルデバイスに好適に用いることができる。

また、本実施形態の伸縮性配線基板は、繰り返し伸長後における配線ダメージが抑制されるため、優れた接続信頼性、すなわち、高耐久性を実現することができる。

以下、本実施形態の伸縮性配線基板の各構成について説明する。

本実施形態の伸縮性配線基板は、少なくともエラストマーを含有する基板とエラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線とを有するものである。基板は絶縁性であり、一方の配線は導電性である。このような伸縮性配線基板は、適度な伸縮性を発現させ、伸縮電気特性を高めることができる。

配線は、導電ペーストを使用して作製されていてもよい。導電性ペーストは、エラストマー組成物と、導電性フィラーと、溶剤と、を含むことができる。導電性ペーストを使用して形成された配線において、適度な伸縮性を発現することができる。

基板は、絶縁ペーストを使用して作製されていてもよい。絶縁性ペーストは、エラストマー組成物と溶剤を含むものである。このような絶縁ペーストを使用して作製された基板は、機械的強度および絶縁性に優れている。

（エラストマー）
上記基板や配線に含まれるエラストマーとしては、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンゴムからなる群から選択される一種以上を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
この中でも、エラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴムからなる群から選択される一種以上の熱硬化性エラストマーを含むことができる。また、エラストマーは、化学的に安定であり、また、機械的強度にも優れる観点からシリコーンゴムを含むことができる。

上記熱硬化性エラストマーは、熱硬化性エラストマー組成物の硬化物で構成することができる。例えば、上記シリコーンゴムは、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成することができる。なお熱可塑性エラストマーは、熱可塑性エラストマー組成物の乾燥物で構成することができる。

本明細書中、エラストマー組成物は、上記基板や配線に含まれるエラストマーを構成するために用いるものであり、例えば、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴムからなる群から選択される一種以上の熱硬化性エラストマーを形成するために用いる熱硬化性エラストマー組成物を含むことができ、好ましくは、シリコーンゴム系硬化性組成物を含むことができる。

以下、本実施形態に係る配線が、シリコーンゴム系硬化性組成物を含む導電性ペーストを用いて形成された一例について説明する。その後、基板が、シリコーンゴム系硬化性組成物を含む絶縁性ペーストを用いて形成された一例について説明する。

本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を含むことができる。ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物の主成分となる重合物である。

上記ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、直鎖構造を有するビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を含むことができる。

上記ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）は、直鎖構造を有し、かつ、ビニル基を含有しており、かかるビニル基が硬化時の架橋点となる。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）のビニル基の含有量は、特に限定されないが、例えば、分子内に２個以上のビニル基を有し、かつ１５モル％以下であるのが好ましく、０．０１～１２モル％であるのがより好ましい。これにより、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）中におけるビニル基の量が最適化され、後述する各成分とのネットワークの形成を確実に行うことができる。本実施形態において、「～」は、その両端の数値を含むことを意味する。

なお、本明細書中において、ビニル基含有量とは、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を構成する全ユニットを１００モル％としたときのビニル基含有シロキサンユニットのモル％である。ただし、ビニル基含有シロキサンユニット１つに対して、ビニル基１つであると考える。

また、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の重合度は、特に限定されないが、例えば、好ましくは１０００～１００００程度、より好ましくは２０００～５０００程度の範囲内である。なお、重合度は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）におけるポリスチレン換算の数平均重合度（又は数平均分子量）等として求めることができる。

さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の比重は、特に限定されないが、０．９～１．１程度の範囲であるのが好ましい。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）として、上記のような範囲内の重合度および比重を有するものを用いることにより、得られるシリコーンゴムの耐熱性、難燃性、化学的安定性等の向上を図ることができる。

ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）としては、特に、下記式（１）で表される構造を有するものであるが好ましい。

式（１）中、Ｒ^１は炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられ、中でも、ビニル基が好ましい。炭素数１～１０のアリール基としては、例えば、フェニル基等が挙げられる。

また、Ｒ^２は炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基が挙げられる。炭素数１～１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

また、Ｒ^３は炭素数１～８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１～８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

さらに、式（１）中のＲ^１およびＲ^２の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、Ｒ^３の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。

なお、式（１）中、複数のＲ^１は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。さらに、Ｒ^２、およびＲ^３についても同様である。

さらに、ｍ、ｎは、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは０～２０００の整数、ｎは１０００～１００００の整数である。ｍは、好ましくは０～１０００であり、ｎは、好ましくは２０００～５０００である。

また、式（１）で表されるビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）の具体的構造としては、例えば下記式（１－１）で表されるものが挙げられる。

式（１－１）中、Ｒ^１およびＲ^２は、それぞれ独立して、メチル基またはビニル基であり、少なくとも一方がビニル基である。

さらに、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）としては、ビニル基含有量が分子内に２個以上のビニル基を有し、かつ０．４モル％以下である第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）と、ビニル基含有量が０．５～１５モル％である第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）とを含有するものであるのが好ましい。シリコーンゴムの原料である生ゴムとして、一般的なビニル基含有量を有する第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）と、ビニル基含有量が高い第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）とを組み合わせることで、ビニル基を偏在化させることができ、シリコーンゴムの架橋ネットワーク中に、より効果的に架橋密度の疎密を形成することができる。その結果、より効果的にシリコーンゴムの引裂強度を高めることができる。

具体的には、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）として、例えば、上記式（１－１）において、Ｒ^１がビニル基である単位および／またはＲ^２がビニル基である単位を、分子内に２個以上有し、かつ０．４モル％以下を含む第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）と、Ｒ^１がビニル基である単位および／またはＲ^２がビニル基である単位を、０．５～１５モル％含む第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）とを用いるのが好ましい。

また、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）は、ビニル基含有量が０．０１～０．２モル％であるのが好ましく、０．０２～０．１５モル％がより好ましい。また、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）は、ビニル基含有量が、０．５～１２モル％が好ましく、０．８～８モル％がより好ましい。

さらに、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）と第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）とを組み合わせて配合する場合、（Ａ１－１）と（Ａ１－２）の比率は特に限定されないが、例えば、重量比で（Ａ１－１）：（Ａ１－２）が５０：５０～９５：５、好ましくは６０：４０～９２：８、より好ましくは８０：２０～９０：１０である。

なお、第１および第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）および（Ａ１－２）は、それぞれ１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）は、分岐構造を有するビニル基含有分岐状オルガノポリシロキサン（Ａ２）を含んでもよい。

＜＜オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）を含むことができる。
オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）は、直鎖構造を有する直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐構造を有する分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）とに分類され、これらのうちのいずれか一方または双方を含むことができる。

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、直鎖構造を有し、かつ、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ－Ｈ）を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分が有するビニル基とヒドロシリル化反応し、これらの成分を架橋する重合体である。

直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の分子量は特に限定されないが、例えば、重量平均分子量が２００００以下であるのが好ましく、１０００以上、１００００以下であることがより好ましい。

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の重量平均分子量は、例えばクロロホルムを展開溶媒としたＧＰＣ（ゲル透過クロマトグラフィー）におけるポリスチレン換算により測定することができる。

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。

以上のような直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）としては、例えば、下記式（２）で表される構造を有するものが好ましく用いられる。

式（２）中、Ｒ^４は炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１～１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

また、Ｒ^５は炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、アルケニル基、アリール基、これらを組み合わせた炭化水素基、またはヒドリド基である。炭素数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～１０のアルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、ブテニル基等が挙げられる。炭素数１～１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

なお、式（２）中、複数のＲ^４は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。Ｒ^５についても同様である。ただし、複数のＲ^４およびＲ^５のうち、少なくとも２つ以上がヒドリド基である。

また、Ｒ^６は炭素数１～８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１～８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。複数のＲ^６は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。

なお、式（２）中のＲ^４，Ｒ^５，Ｒ^６の置換基としては、例えば、メチル基、ビニル基等が挙げられ、分子内の架橋反応を防止する観点から、メチル基が好ましい。

さらに、ｍ、ｎは、式（２）で表される直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）を構成する繰り返し単位の数であり、ｍは２～１５０整数、ｎは２～１５０の整数である。好ましくは、ｍは２～１００の整数、ｎは２～１００の整数である。

なお、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、分岐構造を有するため、架橋密度が高い領域を形成し、シリコーンゴムの系中の架橋密度の疎密構造形成に大きく寄与する成分である。また、上記直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）同様、Ｓｉに水素が直接結合した構造（≡Ｓｉ－Ｈ）を有し、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）のビニル基の他、シリコーンゴム系硬化性組成物に配合される成分のビニル基とヒドロシリル化反応し、これら成分を架橋する重合体である。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の比重は、０．９～０．９５の範囲である。

さらに、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、通常、ビニル基を有しないものであるのが好ましい。これにより、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の分子内において架橋反応が進行するのを的確に防止することができる。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）としては、下記平均組成式（ｃ）で示されるものが好ましい。

平均組成式（ｃ）
（Ｈ_ａ（Ｒ^７）_３－ａＳｉＯ_１／２）_ｍ（ＳｉＯ_４／２）_ｎ
（式（ｃ）において、Ｒ^７は一価の有機基、ａは１～３の範囲の整数、ｍはＨ_ａ（Ｒ^７）_３－ａＳｉＯ_１／２単位の数、ｎはＳｉＯ_４／２単位の数である）

式（ｃ）において、Ｒ^７は一価の有機基であり、好ましくは、炭素数１～１０の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基である。炭素数１～１０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～１０のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。

式（ｃ）において、ａは、ヒドリド基（Ｓｉに直接結合する水素原子）の数であり、１～３の範囲の整数、好ましくは１である。

また、式（ｃ）において、ｍはＨ_ａ（Ｒ^７）_３－ａＳｉＯ_１／２単位の数、ｎはＳｉＯ_４／２単位の数である。

分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は分岐状構造を有する。直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、その構造が直鎖状か分岐状かという点で異なり、Ｓｉの数を１とした時のＳｉに結合するアルキル基Ｒの数（Ｒ／Ｓｉ）が、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）では１．８～２．１、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）では０．８～１．７の範囲となる。

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、分岐構造を有しているため、例えば、窒素雰囲気下、１０００℃まで昇温速度１０℃／分で加熱した際の残渣量が５％以上となる。これに対して、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）は、直鎖状であるため、上記条件で加熱した後の残渣量はほぼゼロとなる。

また、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の具体例としては、下記式（３）で表される構造を有するものが挙げられる。

式（３）中、Ｒ^７は炭素数１～８の置換または非置換のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基、もしくは水素原子である。炭素数１～８のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられ、中でも、メチル基が好ましい。炭素数１～８のアリール基としては、例えば、フェニル基が挙げられる。Ｒ^７の置換基としては、例えば、メチル基等が挙げられる。

なお、式（３）中、複数のＲ^７は互いに独立したものであり、互いに異なっていてもよいし、同じであってもよい。

また、式（３）中、「－Ｏ－Ｓｉ≡」は、Ｓｉが三次元に広がる分岐構造を有することを表している。

なお、分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）において、Ｓｉに直接結合する水素原子（ヒドリド基）の量は、それぞれ、特に限定されない。ただし、シリコーンゴム系硬化性組成物において、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）中のビニル基１モルに対し、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）と分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）の合計のヒドリド基量が、０．５～５モルとなる量が好ましく、１～３．５モルとなる量がより好ましい。これにより、直鎖状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ１）および分岐状オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ２）と、ビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１）との間で、架橋ネットワークを確実に形成させることができる。

本実施形態において、導電性ペースト中におけるシリコーンゴム系硬化性組成物の含有量は、導電性ペースト全体に対して、１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましく、５質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中におけるシリコーンゴム系硬化性組成物の含有量は、導電性ペースト全体に対して、２５質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましく、１５質量％以下であることがさらに好ましい。
シリコーンゴム系硬化性組成物の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを用いて形成された配線が適度な柔軟性を持つことができる。また、シリコーンゴム系硬化性組成物の含有量を上記上限値以下とすることにより配線の機械的強度の向上を図ることができる。

＜＜シリカ粒子（Ｃ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、必要に応じ、シリカ粒子（Ｃ）を含むことができる。これにより、シリコーンゴム系硬化性組成物から形成されるエラストマーの硬さや機械的強度の向上を図ることができる。

本実施形態の導電性ペーストは、導電性フィラーに加えてシリカ粒子（Ｃ）を含有することにより、当該導電性ペーストの硬化物等で構成されるエラストマーの機械的強度や耐久性を向上させることができる。このような導電性ペーストを使用して、伸縮性配線基板を構成する配線などの導電性樹脂膜を作製することによって、その導電性樹脂膜の機械的強度や耐久性を向上させることができる。これにより、本実施形態の導電性ペーストで形成された配線を備える伸縮性配線基板の伸縮電気特性を高めることができる。

シリカ粒子（Ｃ）としては、特に限定されないが、例えば、ヒュームドシリカ、焼成シリカ、沈降シリカ等が用いられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

シリカ粒子（Ｃ）は、例えば、ＢＥＴ法による比表面積が例えば５０～４００ｍ^２／ｇであるのが好ましく、１００～４００ｍ^２／ｇであるのがより好ましい。また、シリカ粒子（Ｃ）の平均一次粒径は、例えば１～１００ｎｍであるのが好ましく、５～２０ｎｍ程度であるのがより好ましい。

シリカ粒子（Ｃ）として、かかる比表面積および平均粒径の範囲内であるものを用いることにより、形成されるシリコーンゴムの硬さや機械的強度の向上、特に引張強度の向上をさせることができる。

本実施形態において、導電性ペースト中におけるシリカ粒子（Ｃ）の含有量は、導電性ペーストの全体に対して、１質量％以上であることが好ましく、２質量％以上であることがより好ましく、３質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中におけるシリカ粒子（Ｃ）の含有量は、導電性ペーストの全体に対して、例えば、２０量％以下、１５質量％以下であることが好ましく、１２質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることがさらに好ましい。
シリカ粒子（Ｃ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを使用して作製された配線のエラストマーが適度な機械的強度を持つことができる。また、シリカ粒子（Ｃ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、導電性ペーストを使用して作製された配線が適度な導電特性を持つことができる。

＜＜シランカップリング剤（Ｄ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、シランカップリング剤（Ｄ）を含むことができる。
シランカップリング剤（Ｄ）は、加水分解性基を有することができる。加水分解基が水により加水分解されて水酸基になり、この水酸基がシリカ粒子（Ｃ）表面の水酸基と脱水縮合反応することで、シリカ粒子（Ｃ）の表面改質を行うことができる。

また、このシランカップリング剤（Ｄ）は、疎水性基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子（Ｃ）の表面にこの疎水性基が付与されるため、シリコーンゴム系硬化性組成物中ひいてはシリコーンゴム中において、シリカ粒子（Ｃ）の凝集力が低下（シラノール基による水素結合による凝集が少なくなる）し、その結果、シリコーンゴム系硬化性組成物中のシリカ粒子の分散性が向上すると推測される。これにより、シリカ粒子とゴムマトリックスとの界面が増加し、シリカ粒子の補強効果が増大する。さらに、ゴムのマトリックス変形の際、マトリックス内でのシリカ粒子の滑り性が向上すると推測される。そして、シリカ粒子（Ｃ）の分散性の向上及び滑り性の向上によって、シリカ粒子（Ｃ）によるシリコーンゴムの機械的強度（例えば、引張強度や引裂強度など）が向上する。

さらに、シランカップリング剤（Ｄ）は、ビニル基を有するシランカップリング剤を含むことができる。これにより、シリカ粒子（Ｃ）の表面にビニル基が導入される。そのため、シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化の際、すなわち、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）が有するビニル基と、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）が有するヒドリド基とがヒドロシリル化反応して、これらによるネットワーク（架橋構造）が形成される際に、シリカ粒子（Ｃ）が有するビニル基も、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）が有するヒドリド基とのヒドロシリル化反応に関与するため、ネットワーク中にシリカ粒子（Ｃ）も取り込まれるようになる。これにより、形成されるシリコーンゴムの低硬度化および高モジュラス化を図ることができる。

シランカップリング剤（Ｄ）としては、疎水性基を有するシランカップリング剤およびビニル基を有するシランカップリング剤を併用することができる。

シランカップリング剤（Ｄ）としては、例えば、下記式（４）で表わされるものが挙げられる。

Ｙ_ｎ－Ｓｉ－（Ｘ）_４－ｎ・・・（４）
上記式（４）中、ｎは１～３の整数を表わす。Ｙは、疎水性基、親水性基またはビニル基を有するもののうちのいずれかの官能基を表わし、ｎが１の時は疎水性基であり、ｎが２または３の時はその少なくとも１つが疎水性基である。Ｘは、加水分解性基を表わす。

疎水性基は、炭素数１～６のアルキル基、アリール基、またはこれらを組み合わせた炭化水素基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、フェニル基等が挙げられ、中でも、特に、メチル基が好ましい。

また、親水性基は、例えば、水酸基、スルホン酸基、カルボキシル基またはカルボニル基等が挙げられ、中でも、特に、水酸基が好ましい。なお、親水性基は、官能基として含まれていてもよいが、シランカップリング剤（Ｄ）に疎水性を付与するという観点からは含まれていないのが好ましい。

さらに、加水分解性基は、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、クロロ基またはシラザン基等が挙げられ、中でも、シリカ粒子（Ｃ）との反応性が高いことから、シラザン基が好ましい。なお、加水分解性基としてシラザン基を有するものは、その構造上の特性から、上記式（４）中の（Ｙ_ｎ－Ｓｉ－）の構造を２つ有するものとなる。

上記式（４）で表されるシランカップリング剤（Ｄ）の具体例は、次の通りである。
上記官能基として疎水性基を有するものとして、例えば、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｎ－プロピルトリメトキシシラン、ｎ－プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシランのようなアルコキシシラン；メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、フェニルトリクロロシランのようなクロロシラン；ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。この中でも、ヘキサメチルジシラザン、トリメチルクロロシラン、トリメチルメトキシシラン、及びトリメチルエトキシシランからなる群から選択される一種以上を含むトリメチルシリル基を有するシランカップリング剤が好ましい。

上記官能基としてビニル基を有するものとして、例えば、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシランのようなアルコキシシラン；ビニルトリクロロシラン、ビニルメチルジクロロシランのようなクロロシラン；ジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられる。この中でも、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、ジビニルテトラメチルジシラザン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、及びビニルメチルジメトキシシランからなる群から選択される一種以上を含むビニル基含有オルガノシリル基を有するシランカップリング剤が好ましい。

本実施形態において、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量の下限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対して、１質量％以上であることが好ましく、３質量％以上であることがより好ましく、５質量％以上であることがさらに好ましい。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量上限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対して、１００質量％以下であることが好ましく、８０質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以下であることがさらに好ましい。
シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、導電性ペーストを用いて形成された配線とエラストマーを含有する基板との適度な密着性を持ち、また、シリカ粒子（Ｃ）を用いる場合においては、配線と基板全体としての機械的強度の向上に資することができる。また、シランカップリング剤（Ｄ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、導電性樹脂膜が適度な機械特性を持つことができる。

またシランカップリング剤（Ｄ）がトリメチルシリル基を有するシランカップリング剤およびビニル基含有オルガノシリル基を有するシランカップリング剤の２種を含む場合、疎水性基を有するものとしてはヘキサメチルジシラザン、ビニル基を有するものとしてはジビニルテトラメチルジシラザンを含むことが好ましい。

トリメチルシリル基を有するシランカップリング剤（Ｄ１）およびビニル基含有オルガノシリル基を有するシランカップリング剤（Ｄ２）を併用する場合、（Ｄ１）と（Ｄ２）の比率は、特に限定されないが、例えば、重量比で（Ｄ１）：（Ｄ２）が、１：０．００１～１：０．３５、好ましくは１：０．０１～１：０．２０、より好ましくは１：０．０３～１：０．１５である。このような数値範囲とすることにより、所望のシリコーンゴムの物性を得ることができる。具体的には、ゴム中におけるシリカの分散性およびゴムの架橋性のバランスを図ることができる。

＜＜白金または白金化合物（Ｅ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、白金または白金化合物（Ｅ）を含むことができる。
白金または白金化合物（Ｅ）は、硬化の際の触媒として作用する触媒成分である。白金または白金化合物（Ｅ）の添加量は触媒量である。

白金または白金化合物（Ｅ）としては、公知のものを使用することができ、例えば、白金黒、白金をシリカやカーボンブラック等に担持させたもの、塩化白金酸または塩化白金酸のアルコール溶液、塩化白金酸とオレフィンの錯塩、塩化白金酸とビニルシロキサンとの錯塩等が挙げられる。

なお、白金または白金化合物（Ｅ）は、１種のみを単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中における白金または白金化合物（Ｅ）の含有量は、触媒量を意味し、適宜設定することができるが、具体的にはビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シリカ粒子（Ｃ）、シランカップリング剤（Ｄ）の合計量１００重量部に対して、白金族金属が重量単位で０．０１～１０００ｐｐｍとなる量であり、好ましくは、０．１～５００ｐｐｍとなる量である。
白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、シリコーンゴム系硬化性組成物が適切な速度で硬化することが可能となる。また、白金または白金化合物（Ｅ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、製造コストの削減に資することができる。

＜＜水（Ｆ）＞＞
また、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物には、上記成分（Ａ）～（Ｅ）以外に、水（Ｆ）が含まれていてもよい。

水（Ｆ）は、シリコーンゴム系硬化性組成物に含まれる各成分を分散させる分散媒として機能するとともに、シリカ粒子（Ｃ）とシランカップリング剤（Ｄ）との反応に寄与する成分である。そのため、シリコーンゴム中において、シリカ粒子（Ｃ）とシランカップリング剤（Ｄ）とを、より確実に互いに連結したものとすることができ、全体として均一な特性を発揮することができる。

さらに、水（Ｆ）を含有する場合、その含有量は、適宜設定することができるが、具体的には、シランカップリング剤（Ｄ）１００重量部に対して、例えば、１０～１００重量部の範囲であるのが好ましく、３０～７０重量部の範囲であるのがより好ましい。これにより、シランカップリング剤（Ｄ）とシリカ粒子（Ｃ）との反応をより確実に進行させることができる。

＜＜有機過酸化物（Ｈ）＞＞
本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、有機過酸化物（Ｈ）を含むことができる。有機過酸化物（Ｈ）は、触媒として作用する成分である。有機過酸化物（Ｈ）は、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）および白金または白金化合物（Ｅ）に代えて、またはオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）および白金または白金化合物（Ｅ）と有機過酸化物（Ｈ）を併用して使用することができる。

有機過酸化物（Ｈ）としては、例えば、ケトンパーオキサイド類、ジアシルパーオキサイド類、ハイドロパーオキサイド類、ジアルキルパーオキサイド類、パーオキシケタール類、アルキルパーエステル類、パーオキシエステル類およびパーオキシジカーボネート類が挙げられ、具体的には、例えばベンゾイルパーオキサイド、２，４－ジクロロベンゾイルパーオキサイド、ｐ－メチルベンゾイルパーオキサイド、ｏ－メチルベンゾイルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、２，５－ジメチル－ビス（２，５－ｔ－ブチルパーオキシ）ヘキサン、ジ－ｔ－ブチルパーオキサイド、ｔ－ブチルパーベンゾエート、１，６－ヘキサンジオール－ビス－ｔ－ブチルパーオキシカーボネート等が挙げられる。

本実施形態において、シリコーンゴム系硬化性組成物中における有機過酸化物（Ｈ）の含有量は、具体的にはビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シリカ粒子（Ｃ）、シランカップリング剤（Ｄ）の合計量１００重量部に対して０．００１～１０質量％、特に０．００２～８質量％が好ましい。有機過酸化物（Ｈ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、架橋反応を十分に進行させることができ、高いゴム強度、また低い圧縮永久歪等の物性を担保することが可能となる。また、有機過酸化物（Ｈ）の含有量を上記上限値以下にすることにより、触媒の分解物を抑制することができる、また、圧縮永久歪を抑制し、得られたシートの変色を抑制することができる。

（その他の成分）
さらに、本実施形態のシリコーンゴム系硬化性組成物は、上記（Ａ）～（Ｆ）成分以外に、他の成分をさらに含むことができる。この他の成分としては、例えば、珪藻土、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸亜鉛、ガラスウール、マイカ等のシリカ粒子（Ｃ）以外の無機充填材、反応阻害剤、分散剤、顔料、染料、帯電防止剤、酸化防止剤、難燃剤、熱伝導性向上剤等の添加剤が挙げられる。

（導電性フィラー）
本実施形態の導電性ペーストは、導電性フィラーを含むものである。この導電性フィラーとしては、公知の導電材料を用いることができる。
例えば、配線を構成するエラストマーは、例えば、導電性フィラーとして、金属、カーボンまたは導電性ポリマーを含むことができる。導電性フィラーは、粉粒状、繊維状、ワイヤー状のいずれであってもよい。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記導電性フィラーは、金属粉（Ｇ）を含むことができる。
上記金属粉（Ｇ）を構成する金属は特に限定はされないが、例えば、銅、銀、金、ニッケル、錫、鉛、亜鉛、ビスマス、アンチモン、或いはこれらを合金化した金属粉のうち少なくとも一種類、あるいは、これらのうちの二種以上を含むことができる。
これらのうち、金属粉（Ｇ）としては、導電性の高さや入手容易性の高さから、銀または銅を含むこと、すなわち、銀粉または銅粉を含むことが好ましい。
なお、これらの金属粉（Ｇ）は他種金属でコートしたものも使用できる。

上記金属粉（Ｇ）としては、形状にとくに制限はないが、鱗片状、樹枝状、球状等が用いられる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。この中でも、伸縮時の接続信頼性の観点から、鱗片状を用いることが好ましい。

上記カーボンとしては、公知の導電性カーボンであれば特に限定されないが、例えば、カーボンブラック、アセチレンブラック、グラファイト、炭素繊維、カーボンナノチューブ等が挙げられる。

上記導電性ポリマーとしては、公知のものを使用することができ、例えば、導電性ポリマー単体、導電性ポリマー被覆繊維等を用いることができる。

本実施形態において、導電性ペースト中における導電性フィラーの含有量の下限値は、導電性ペーストの全体に対して、３０質量％以上であることが好ましく、４０質量％以上であることがより好ましく、５０質量％以上であることがさらに好ましい。また、導電性ペースト中における導電性フィラーの含有量の上限値は、導電性ペーストの全体に対して、例えば、９０質量％以下、８５質量％以下であることが好ましく、７５質量％以下であることがより好ましく、６５質量％以下であることがさらに好ましい。

また、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線中の導電性フィラーの含有量の下限値は、配線全体に対して、３０質量％以上であることが好ましく、４０質量％以上であることがより好ましく、５０質量％以上であることがさらに好ましい。また、上記配線中の導電性フィラーの含有量の上限値は、配線全体に対して、例えば、９５質量％以下、９０質量％以下であることが好ましく、８７質量％以下であることがより好ましく、８５質量％以下であることがさらに好ましい。

導電性フィラーの含有量を上記下限値以上とすることにより、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線が適度な導電特性を持つことができる。また、導電性フィラーの含有量を上記上限値以下とすることにより、配線が適度な柔軟性を持つことができる。

上記金属粉（Ｇ）の含有量としては、導電性フィラー１００質量％に対して、たとえば、９０質量％以上であり、好ましくは９５質量％以上であり、より好ましくは９９質量％以上であり、一方で、１００質量％以下としてもよい。

また、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線中のシリカ粒子（Ｃ）の含有量の下限値は、シリカ粒子（Ｃ）および導電性フィラーの合計量１００質量％に対して、例えば、１質量％以上であり、好ましくは３質量％以上であり、より好ましくは５質量％以上とすることができる。これにより、配線の機械的強度を向上させることができる。一方で、上記配線中のシリカ粒子（Ｃ）の含有量の上限値は、シリカ粒子（Ｃ）および導電性フィラーの合計量１００質量％に対して、例えば、２０質量％以下であり、好ましくは１５質量％以下であり、より好ましくは１０質量％以下である。これにより、配線の伸縮電気特性と機械的強度のバランスを図ることができる。

（溶剤）
本実施形態の導電性ペーストは、溶剤を含むものである。この溶剤としては、公知の各種溶剤を用いることができるが、例えば、高沸点溶剤を含むことができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

上記高沸点溶剤の沸点の下限値は、例えば、１００℃以上であり、好ましくは１３０℃以上であり、より好ましくは１５０℃以上である。これにより、スクリーン印刷などの印刷安定性を向上させることができる。一方で、上記高沸点溶剤の沸点の上限値は、特に限定されないが、例えば、３００℃以下でもよく、２９０℃以下でもよく、２８０℃以下でもよい。これにより、配線形成時においての過度の熱履歴を抑制できるので、下地基板へのダメージや、導電性ペーストで形成された配線の形状を良好に維持することができる。

また、本実施形態の溶剤としては、エラストマー組成物の溶解性や沸点の観点から適切に選択できるが、例えば、炭素数５以上２０以下の脂肪族炭化水素、好ましくは炭素数８以上１８以下の脂肪族炭化水素、より好ましくは炭素数１０以上１５以下の脂肪族炭化水素を含むことができる。

また、本実施形態の溶剤の一例としては、例えば、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカンなどの脂肪族炭化水素類；ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン、トリフルオロメチルベンゼン、ベンゾトリフルオリドなどの芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、シクロペンチルエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，４－ジオキサン、１，３－ジオキサン、テトラヒドロフランなどのエーテル類；ジクロロメタン、クロロホルム、１，１－ジクロロエタン、１，２－ジクロロエタン、１，１，１－トリクロロエタン、１，１，２－トリクロロエタンなどのハロアルカン類；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミドなどのカルボン酸アミド類；ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシドなどのスルホキシド類などを例示することができる。これらを単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。
ここで用いられる溶媒は、上記の導電性ペースト中の組成成分を均一に溶解ないし分散させることのできる溶媒の中から適宜選択すればよい。

室温２５℃においてせん断速度２０〔１／ｓ〕で測定した時の導電性ペーストの粘度の下限値は、例えば、１Ｐａ・ｓ以上であり、好ましくは５Ｐａ・ｓ以上であり、より好ましくは１０Ｐａ・ｓ以上である。これにより、成膜性を向上させることができる。また、厚膜形成時においても形状保持性を高めることができる。一方で、室温２５℃における導電性ペーストの粘度の上限値は、例えば、１００Ｐａ・ｓ以下であり、好ましくは９０Ｐａ・ｓ以下であり、より好ましくは８０Ｐａ・ｓ以下である。これにより、導電性ペーストにおける印刷性を向上させることができる。

（導電性ペーストの製造方法）
以下、本実施形態に係る導電性ペーストの製造方法について説明する。

本実施形態の導電性ペーストは、たとえば、以下に示すような工程を経ることにより製造することができる。

まず、シリコーンゴム系硬化性組成物の各成分を、任意の混練装置により、均一に混合してシリコーンゴム系硬化性組成物を調製する。

［１］たとえば、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）と、シリカ粒子（Ｃ）と、シランカップリング剤（Ｄ）とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置により、混練することで、これら各成分（Ａ）、（Ｃ）、（Ｄ）を含有する混練物を得る。

なお、この混練物は、予めビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とシランカップリング剤（Ｄ）とを混練し、その後、シリカ粒子（Ｃ）を混練（混合）して得るのが好ましい。これにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）中におけるシリカ粒子（Ｃ）の分散性がより向上する。

また、この混練物を得る際には、水（Ｆ）を必要に応じて、各成分（Ａ）、（Ｃ）、および（Ｄ）の混練物に添加するようにしてもよい。これにより、シランカップリング剤（Ｄ）とシリカ粒子（Ｃ）との反応をより確実に進行させることができる。

さらに、各成分（Ａ）、（Ｃ）、（Ｄ）の混練は、第１温度で加熱する第１ステップと、第２温度で加熱する第２ステップとを経るようにするのが好ましい。これにより、第１ステップにおいて、シリカ粒子（Ｃ）の表面をカップリング剤（Ｄ）で表面処理することができるとともに、第２ステップにおいて、シリカ粒子（Ｃ）とカップリング剤（Ｄ）との反応で生成した副生成物を混練物中から確実に除去することができる。その後、必要に応じて、得られた混練物に対して、成分（Ａ）を添加し、更に混練してもよい。これにより、混練物の成分のなじみを向上させることができる。

第１温度は、例えば、４０～１２０℃程度であるのが好ましく、例えば、６０～９０℃程度であるのがより好ましい。第２温度は、例えば、１３０～２１０℃程度であるのが好ましく、例えば、１６０～１８０℃程度であるのがより好ましい。

また、第１ステップにおける雰囲気は、窒素雰囲気下のような不活性雰囲気下であるのが好ましく、第２ステップにおける雰囲気は、減圧雰囲気下であるのが好ましい。

さらに、第１ステップの時間は、例えば、０．３～１．５時間程度であるのが好ましく、０．５～１．２時間程度であるのがより好ましい。第２ステップの時間は、例えば、０．７～３．０時間程度であるのが好ましく、１．０～２．０時間程度であるのがより好ましい。

第１ステップおよび第２ステップを、上記のような条件とすることで、前記効果をより顕著に得ることができる。

［２］次に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）と、白金または白金化合物（Ｅ）とを所定量秤量し、その後、任意の混練装置を用いて、上記工程［１］で調製した混練物に、各成分（Ｂ）、（Ｅ）を混練することで、シリコーンゴム系硬化性組成物（エラストマー組成物）を得る。

なお、この各成分（Ｂ）、（Ｅ）の混練の際には、予め上記工程［１］で調製した混練物とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）とを、上記工程［１］で調製した混練物と白金または白金化合物（Ｅ）とを混練し、その後、それぞれの混練物を混練するのが好ましい。これにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）との反応を進行させることなく、各成分（Ａ）～（Ｅ）をシリコーンゴム系硬化性組成物中に確実に分散させることができる。

各成分（Ｂ）、（Ｅ）を混練する際の温度は、ロール設定温度として、例えば、１０～７０℃程度であるのが好ましく、２５～３０℃程度であるのがより好ましい。

さらに、混練する時間は、例えば、５分～１時間程度であるのが好ましく、１０～４０分程度であるのがより好ましい。

上記工程［１］および上記工程［２］において、温度を上記範囲内とすることにより、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）との反応の進行をより的確に防止または抑制することができる。また、上記工程［１］および上記工程［２］において、混練時間を上記範囲内とすることにより、各成分（Ａ）～（Ｅ）をシリコーンゴム系硬化性組成物中により確実に分散させることができる。

なお、各工程［１］、［２］において使用される混練装置としては、特に限定されないが、例えば、ニーダー、２本ロール、バンバリーミキサー（連続ニーダー）、加圧ニーダー等を用いることができる。

また、本工程［２］において、混練物中に１－エチニルシクロヘキサノールのような反応抑制剤を添加するようにしてもよい。これにより、混練物の温度が比較的高い温度に設定されたとしても、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）とオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）との反応の進行をより的確に防止または抑制することができる。

また、本工程［２］において、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）と白金または白金化合物（Ｅ）に代えて、またはオルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）と白金または白金化合物（Ｅ）と併用して、有機過酸化物（Ｈ）を添加してもよい。有機過酸化物（Ｇ）を混練する際の温度、時間等の好ましい条件、使用する装置については、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）と、白金または白金化合物（Ｅ）とを混練する際の条件と同様である。

［３］次に、工程［２］で得られたエラストマー組成物（シリコーンゴム系硬化性組成物）を、溶剤に溶解させ、導電性フィラー（金属粉（Ｇ））を加えることで、導電性ペーストを得ることができる。

［伸縮性配線基板］
以下、伸縮性配線基板（配線基板５０）の一例について、図１を示しながら説明する。図１には、伸縮性配線基板を備えた電子装置１００（ウェアラブルデバイス）の概略を断面図として図示している。

電子装置１００は、図１に示すように、配線基板５０と、電子部品６０と、を備えることができる。

配線基板５０（伸縮性配線基板）は、基板２０上に配線１０を備えることにより構成される。基板２０は、エラストマーを含有し、上記の絶縁性ペーストを硬化させたもので構成され得る。配線基板５０は、配線１０の少なくとも下面と接するもので、配線１０を支持する部材である。

配線１０は、エラストマーおよび導電性フィラーを含有し、上記の導電性ペーストを硬化させたもので構成され得る。配線１０は、上面視において、直線状、矩形状、巻き形状等の各種の配線パターンを有し得る。

本実施形態の電子装置１００を構成する基板２０は、通常、柔軟性を有する材料により構成される。
この材料としては、前述のエラストマーと同様のものを採用することができる。具体的には、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、エチレンプロピレンゴム等を用いることができ、用途等に応じ、この材料を適宜選択することができる。また、基板２０は、上記のシリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物で構成されていてもよい。

また、基板２０は、上述のエラストマー組成物を用いて作製することができる。また、基板２０は、シリカ粒子を含有するエラストマー組成物と溶剤とを含む絶縁性ペーストを用いて構成されていてもよい。この溶剤としては、前述の溶剤と同様の上述の溶剤種を用いることができるが、この中でも上記導電性ペーストや導電性ペーストの硬化物である導電性シートに対して溶解性を示す溶剤を用いることができる。具体的な絶縁性ペーストの溶剤としては、例えば、高沸点溶剤等を用いることができる。
絶縁ペーストは、上記の導電性ペーストの製造方法と同様にして、工程［２］で得られたエラストマー組成物（シリコーンゴム系硬化性組成物）を、溶剤に溶解させて絶縁性ペーストが得られる。

この場合、絶縁性ペースト中におけるエラストマー組成物の含有量は、絶縁性ペースト全体に対して、５質量％以上であることが好ましく、８質量％以上であることがより好ましく、１０質量％以上であることがさらに好ましい。また、絶縁性ペースト中におけるエラストマー組成物の含有量は、絶縁性ペースト全体に対して、５０質量％以下であることが好ましく、４５質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以下であることがさらに好ましい。絶縁ペーストから基板を作製する際は、支持体に絶縁ペーストを塗布後、溶剤を揮発させることで作製することが可能である。必要に応じて、溶剤を揮発させた膜をさらなる加熱によって硬化させてもよい。

また、シリカ粒子（Ｃ）の含有量の上限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対し、例えば、６０重量部以下でもよく、好ましくは５０重量部以下でもよく、さらに好ましくは３５重量部以下でもよい。これにより、硬さや引張強等の機械的強度のバランスを図ることができる。また、シリカ粒子（Ｃ）の含有量の下限値は、ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合計量１００重量部に対し、特に限定されないが、例えば、２０重量部以上でもよい。

また、エラストマーを含有する基板が含むシリカ粒子（Ｃ）の含有量の上限値は、基板全体に対して、例えば、６０質量％以下であることが好ましく、５０質量％以下であることがより好ましく、４０質量％以下であることがさらに好ましい。また、上記基板中のシリカ粒子（Ｃ）の含有量の下限値は、基板全体に対して、例えば、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましく、１５質量％以上であることがさらに好ましい。
基板中のシリカ粒子（Ｃ）の含有量を上記下限値以上とすることにより、基板が適度な機械的強度を持つことができる。一方、基板中のシリカ粒子（Ｃ）の含有量を上記上限値以下とすることにより、基板が適度な伸縮特性を持つことができる。これにより、繰り返し使用時における耐久性を高めることができる。

本実施形態において、伸縮性配線基板（配線基板５０）は、Ｈ１、Ｔ１、およびＴ２が、以下の式（Ｉ）を満たす剛性構造を有するものである。かかる剛性構造は、伸縮性配線基板の少なくとも一部に形成されていればよく、配線が形成された領域全体亘って構成されていてもよい。また、配線基板５０の積層構造中、配線１０と配線１０の下面に接した配線１０とが、上記剛性構造を満たすものであればよい。

２０≦Ｈ１×（Ｔ１／Ｔ２）≦１０００ ・・（Ｉ）
上記式（Ｉ）中、基板厚みＴ１は、未伸長時の基板２０の厚み（μｍ）とし、Ｈ１は、未伸長時の基板２０のＪＩＳ Ｋ６２５３（１９９７）に準拠した２５℃におけるタイプＡデュロメータ硬さとし、Ｔ２は、未伸長時の配線１０の厚み（μｍ）とする。

上記式（Ｉ）中のＨ１×（Ｔ１／Ｔ２）の下限値は、２０以上、好ましくは３０以上、より好ましくは４０以上である。これにより、伸長時特性を高めることができる。一方、Ｈ１×（Ｔ１／Ｔ２）の上限値は、１０００以下、好ましくは９６０以下、より好ましくは９３０以下である。これにより、ウェアラブルデバイス適合性を高めることができる。

上記式（Ｉ）中のＨ１（基板硬度）は、例えば、２０～８０、好ましくは２５～７５、より好ましくは３０～７０である。このような数値範囲内とすることにより、伸長時特性をより一層高めることができる。
なお、基板２０の厚みが所定厚みに満たない場合、例えば、基板２０の一部を切り出した切出片を複数枚積層して、所定厚みのサンプルを作成し、このサンプルの硬度を「Ｈ１」としてもよい。

基板厚みＴ１、配線厚みＴ２は、次のようにして測定できる。図３を用いて説明する。図３は、厚みの測定方法を説明するための配線基板５０の概略を示す。図３（ａ）中、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、３次元空間において互いに直交する。Ｚ軸方向は、基板や配線の厚み方向、Ｘ軸方向は、上面視形状が矩形形状の配線の短手方向（幅方向）、Ｙ軸方向は、上面視形状が矩形形状の配線の長手方向（延在方向）を意味する。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ－Ａ矢視における断面図である。

＜基板厚みＴ１＞
配線基板５０の厚みについて、定圧厚さ測定器を用いて、図３（ａ）中の点線で囲まれた５点を測定する。５点は、配線１０の近傍のものであればよく、隣接した点間距離が等間隔となるように選択する。５点の厚みの平均値を、基板厚みＴ１とする。

＜配線厚みＴ２＞
配線１０の幅方向（Ｘ方向）の中心を、イオンビームを用いて研磨し、切断面を得る。得られた切断面について、視野領域：６００μｍ×４８０μｍ、視野数：１視野、倍率：２００倍の条件で、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察像を得る。図３（ｂ）に示すように、配線１０の中央部近傍における厚みを、観察像に基づいて計測し、配線厚みＴ２とする。
なお、配線１０が上面視形状が四角形状の電極パッドの場合、切断面は電極パッドの中央近傍を通過すればよい。

上記基板厚みＴ１は、例えば、５μｍ～５ｍｍ、好ましくは１０μｍ～３ｍｍ、より好ましくは１５μｍ～１．５ｍｍである。基板厚みＴ１を上記下限値以上とすることで、基板の絶縁性を向上させることや、伸縮性配線基板の機械的強度を向上させることができる。基板厚みＴ１を上記上限値以下とすることで、伸縮性配線基板の柔軟性を向上させることができる。また製造コストを押させることができる。

上記配線厚みＴ２は、例えば、３μｍ～３００μｍ、好ましくは５μｍ～２００μｍ、より好ましくは１０μｍ～１００μｍである。配線厚みＴ２を上記下限値以上とすることで、配線の導通性を向上させ、伸縮性配線基板の伸長時接続性を向上させることができる。配線厚みＴ２を上記上限値以下とすることで、伸縮性配線基板の柔軟性を向上させることができる。また製造コストを押させることができる。

また、本実施形態において、基板厚みＴ１／配線厚みＴ２は、例えば、１．０～３０．０、好ましくは１．５～２５．０、より好ましくは２．０～２２．０である。このような数値範囲とすることにより、５０％伸長時の接続信頼性とともにウェアラブル適合性のバランスを図ることができる。

基板の、ＪＩＳ Ｋ６２５２（２００１）に準拠して測定される引裂強度の下限値としては、例えば、２５Ｎ／ｍｍ以上であり、好ましくは３０Ｎ／ｍｍ以上であり、より好ましくは３３Ｎ／ｍｍ以上であり、さらに好ましくは３５Ｎ／ｍｍ以上である。これにより、耐傷付き性や機械的強度を向上させることができる。また、基板の繰り返し使用時における耐久性を向上させることができる。一方で、基板の引裂強度の上限値としては、特に限定されないが、例えば、７０Ｎ／ｍｍ以下としてもよく、６０Ｎ／ｍｍ以下としてもよい。これにより、基板の硬化物の諸特性のバランスをとることができる。

基板の、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して測定される引張強度の下限値としては、例えば、５．０ＭＰａ以上であり、好ましくは６．０ＭＰａ以上であり、より好ましくは７．０ＭＰａ以上である。これにより、基板の機械的強度を向上させることができる。一方で、基板の引張強度の上限値としては、特に限定されないが、例えば、１５ＭＰａ以下としてもよく、１３ＭＰａ以下としてもよい。これにより、基板の操作性を良好なものとすることができる。

基板の、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して測定される破断伸びの下限値としては、例えば、５００％以上であり、好ましくは７００％以上であり、より好ましくは８００％以上である。これにより、基板の高伸縮性および耐久性を向上させることができる。一方で、基板の破断伸びの上限値としては、特に限定されないが、例えば、２０００％以下としてもよく、１５００％以下としてもよく、１１００％以下としてもよい。これにより、基板の機械的強度を向上させることができる。

本実施形態では、たとえば基板や配線中に含まれる各成分の種類や配合量、基板や配線を形成するための組成物の調製方法や樹脂製可動部材の製造方法等を適切に選択することにより、上記Ｈ１×（Ｔ１／Ｔ２）、引張強度、引裂強度および破断伸びを制御することが可能である。これらの中でも、たとえば、基板や配線のエラストマーを構成する樹脂の種類や配合比率、樹脂の架橋密度や架橋構造等を適切に制御したり、無機充填材の配合比率や無機充填材の分散性を向上させること等が、上記Ｈ１×（Ｔ１／Ｔ２）、引張強度、引裂強度および破断伸びを所望の数値範囲とするための要素として挙げられる。

配線基板５０は、機械的強度を高めつつも、繰り返し伸縮したときの伸縮電気特性を維持することができるため、接続信頼性や耐久性に優れた電子装置１００の構造を実現することができる。
本実施形態の電子装置１００は、たとえばウェアラブルデバイスとして用いられるものであり、各方向に繰り返し伸縮される装置に好適に用いることができる。

電子部品６０は、このような伸縮性配線基板（配線基板５０）を構成する配線１０に電気的に接続するように構成されていてもよい。
また、上記電子部品６０は、用途に応じ、公知の部品の中から適宜選択すればよい。
具体的には、半導体素子、及び半導体素子以外の抵抗やコンデンサ等を挙げることができる。半導体素子としては、たとえば、トランジスタや、ダイオード、ＬＥＤ、コンデンサ等を挙げることができる。本実施形態の電子装置１００において、この電子部品６０は配線１０により導通が図られている。

また、本実施形態の電子装置１００は、必要に応じ、カバー材３０が備えられていてもよい。このカバー材３０を備えることにより、配線１０、電子部品６０が損傷されることを防ぐことができる。カバー材３０は、電子部品６０や、基板２０上の配線１０を覆うように構成されていてもよい。
また、このカバー材３０は、基板２０と同様の材料により構成することができる。このようなカバー材３０が基板２０や配線１０の伸縮に追従することから、電子装置１００全体として、偏りなく伸縮することができ、この電子装置１００の長寿命化にも資することができる。

次に、本実施形態の電子装置１００の製造工程の一例について図２を用いて説明する。
図２は、本実施形態における電子装置１００の製造工程の概略を示す断面図である。

まず図２（ａ）に示すように、作業台１１０上に支持体１２０を設置し、その支持体１２０上に絶縁性ペースト１３０を塗工する。塗工方法としては、各種の方法を用いることができるが、例えば、スキージ１４０を用いたスキージ方法などの印刷法を用いることができる。続いて、塗膜状の絶縁性ペースト１３０を乾燥させて、支持体１２０上に絶縁層１３２（乾燥した絶縁性シート）を形成することができる。乾燥条件は、絶縁性ペースト１３０中の溶剤の種類や量に応じて適宜設定することができるが、例えば、乾燥温度を１５０℃～１８０℃、乾燥時間を１分～３０分等とすることができる。

続いて、図２（ｂ）に示すように、絶縁層１３２上に、所定の開口パターン形状を有するマスク１６０を配置する。そして、図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、マスク１６０を介して、絶縁層１３２上に導電性ペースト１５０を塗工する。塗工方法は、絶縁性ペースト１３０の塗工方法と同様の手法を用いることができ、例えば、スキージ１４０によるスキージ印刷を用いてもよい。ここで、絶縁性ペースト１３０および導電性ペースト１５０がそれぞれ熱硬化性エラストマー組成物を含む場合、乾燥した絶縁層１３２上に、所定のパターン形状を有する導電性塗膜（導電層１５２）を積層した後、これらを一括して硬化処理してもよい。硬化処理としては、熱硬化性エラストマー組成物に応じて適宜設定できるが、例えば、硬化温度を１６０℃～２２０℃、硬化時間を１時間～３時間等とすることができる。硬化処理後または硬化処理前に、図２（ｄ）に示すように、マスク１６０を取り外すことができる。これにより、絶縁層１３２の硬化物で構成される基板上に、所定のパターン形状を有する、導電層１５２の硬化物である配線を形成することができる。

続いて、図２（ｅ）に示すように、絶縁層１３２およびパターン状の導電層１５２の上に、さらに絶縁性ペースト１７０を塗工し、図２（ｆ）に示すように絶縁層１７２を形成することができる。これらの工程を適宜、繰り返してもよい。また、絶縁層１３２から支持体１２０を分離することも可能である。
以上により、図２（ｆ）に示す電子装置１００を得ることができる。

なお、絶縁性ペーストに代えて絶縁性シートを使用する場合、図２（ｂ）に示す工程から開始してもよい。すなわち、支持体１２０上に絶縁性シートを設置し、所定の乾燥を行った後、その絶縁性シート上にマスク１６０を介して導電性ペースト１５０を塗布してもよい。以後の工程は、上述の工程に従って行うことができる。これにより、図２（ｆ）に示す電子装置１００を得ることが可能である。

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
以下、参考形態の例を付記する。
１． エラストマーを含有する基板と、
前記基板の一面上に接置されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
未伸長時の前記基板の厚みをＴ１（μｍ）とし、未伸長時の前記基板のＪＩＳ Ｋ６２５３（１９９７）に準拠した２５℃におけるタイプＡデュロメータ硬さをＨ１とし、未伸長時の前記配線の厚みをＴ２（μｍ）としたとき、
Ｈ１、Ｔ１、およびＴ２が、以下の式（Ｉ）を満たす剛性構造を有する、伸縮性配線基板。
２０≦Ｈ１×（Ｔ１／Ｔ２）≦１０００ ・・（Ｉ）
２． １．に記載の伸縮性配線基板であって、
上記式（Ｉ）中のＨ１は、２０以上８０以下である、伸縮性配線基板。
３． １．または２．に記載の伸縮性配線基板であって、
前記基板および前記配線に含まれるエラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンゴムからなる群から選択される一種以上を含む、伸縮性配線基板。
４． １．から３．のいずれか１つに記載の伸縮性配線基板であって、
前記基板は、シリカ粒子（Ｃ）を含む、伸縮性配線基板。
５． １．から４．のいずれか１つに記載の伸縮性配線基板であって、
前記導電性フィラーは、金属、カーボンまたは導電性ポリマーを含む、伸縮性配線基板。
６． １．から５．のいずれか１つに記載の伸縮性配線基板を備えるウェアラブルデバイス。

以下、本発明を実施例および比較例により説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

実施例および比較例において用いた材料は以下の通りである。

（ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ））
（Ａ１－１）：第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン：ビニル基含有量は０．１３モル％、Ｍｎ＝２２７，７３４、Ｍｗ＝５７３，９０３、ＩＶ値（ｄｌ／ｇ）＝０．８９）、下記の合成スキーム１により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン（上記式（１－１）で表わされる構造）
（Ａ１－２）：第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン：ビニル基含有量は０．９２モル％、下記の合成スキーム２により合成したビニル基含有ジメチルポリシロキサン（上記式（１－１）で表わされる構造でＲ^１およびＲ^２がビニル基である構造）

（オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ））
（Ｂ）：オルガノハイドロジェンポリシロキサン：モメンティブ社製、「ＴＣ－２５Ｄ」

（シリカ粒子（Ｃ））
（Ｃ）：シリカ微粒子（粒径７ｎｍ、比表面積３００ｍ^２／ｇ）、日本アエロジル社製、「ＡＥＲＯＳＩＬ３００」

（シランカップリング剤（Ｄ））
（Ｄ－１）：ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＺ）、Ｇｅｌｅｓｔ社製、「ＨＥＸＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＡＺＡＮＥ（ＳＩＨ６１１０．１）」
（Ｄ－２）：ジビニルテトラメチルジシラザン、Ｇｅｌｅｓｔ社製、「１，３－ＤＩＶＩＮＹＬＴＥＴＲＡＭＥＴＨＹＬＤＩＳＩＬＡＺＡＮＥ（ＳＩＤ４６１２．０）」

（白金または白金化合物（Ｅ））
（Ｅ）：白金または白金化合物：モメンティブ社製、「ＴＣ－２５Ａ」

（水（Ｆ））
（Ｆ）：純水

（金属粉（Ｇ））
（Ｇ１）：銀粉、徳力化学研究所社製、商品名「ＴＣ－１０１」、メジアン径ｄ_５０：８．０μｍ、アスペクト比１６．４、平均長径４．６μｍ

（ビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）の合成）
［合成スキーム１：第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）の合成］
下記式（５）にしたがって、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）を合成した。
すなわち、Ａｒガス置換した、冷却管および攪拌翼を有する３００ｍＬセパラブルフラスコに、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）、カリウムシリコネート０．１ｇを入れ、昇温し、１２０℃で３０分間攪拌した。なお、この際、粘度の上昇が確認できた。
その後、１５５℃まで昇温し、３時間攪拌を続けた。そして、３時間後、１，３－ジビニルテトラメチルジシロキサン０．１ｇ（０．６ｍｍｏｌ）を添加し、さらに、１５５℃で４時間攪拌した。
さらに、４時間後、トルエン２５０ｍＬで希釈した後、水で３回洗浄した。洗浄後の有機層をメタノール１．５Ｌで数回洗浄することで、再沈精製し、オリゴマーとポリマーを分離した。得られたポリマーを６０℃で一晩減圧乾燥し、第１のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－１）を得た（Ｍｗ＝５７３，９０３、Ｍｎ＝２２７，７３４）。また、Ｈ－ＮＭＲスペクトル測定により算出したビニル基含有量は０．１３モル％であった。

［合成スキーム２：第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）の合成］
上記（Ａ１－１）の合成工程において、オクタメチルシクロテトラシロキサン７４．７ｇ（２５２ｍｍｏｌ）に加えて２，４，６，８－テトラメチル２，４，６，８－テトラビニルシクロテトラシロキサン０．８６ｇ（２．５ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、（Ａ１－１）の合成工程と同様にすることで、下記式（６）のように、第２のビニル基含有直鎖状オルガノポリシロキサン（Ａ１－２）を合成した。また、Ｈ－ＮＭＲスペクトル測定により算出したビニル基含有量は０．９２モル％であった。

（シリコーンゴム系硬化性組成物の調製）
次のようにしてシリコーンゴム系硬化性組成物１を調整した。
まず、下記の表１に示す割合で、９０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）、シランカップリング剤（Ｄ）および水（Ｆ）の混合物を予め混練し、その後、混合物にシリカ粒子（Ｃ）を加えてさらに混練し、混練物（シリコーンゴムコンパウンド）を得た。
ここで、シリカ粒子（Ｃ）添加後の混練は、カップリング反応のために窒素雰囲気下、６０～９０℃の条件下で１時間混練する第１ステップと、副生成物（アンモニア）の除去のために減圧雰囲気下、１６０～１８０℃の条件下で２時間混練する第２ステップとを経ることで行い、その後、冷却し、残り１０％のビニル基含有オルガノポリシロキサン（Ａ）を２回に分けて添加し、２０分間混練した。
続いて、下記の表１に示す割合で、得られた混練物（シリコーンゴムコンパウンド）１００重量部に、オルガノハイドロジェンポリシロキサン（Ｂ）、白金または白金化合物（Ｅ）を加えて、ロールで混練し、シリコーンゴム系硬化性組成物Ａ～Ｅ（エラストマー組成物）を得た。

［導電性ペーストの作製］
得られた１３．７重量部のシリコーンゴム系硬化性組成物Ｅを、３１．８重量部のテトラデカン（溶剤）に浸漬し、続いて自転・公転ミキサーで撹拌し、５４．５重量部の金属粉（Ｇ１）を加えた後に三本ロールで混練することで、液状の導電性ペーストを得た。

［伸縮性配線基板の作製］
（実施例１～７、１１、比較例２）
得られたシリコーンゴム系硬化性組成物Ｂを１７０℃、１０ＭＰａで１０分間プレスし、表２に示す厚みのシート状に成形すると共に、１次硬化した。続いて、２００℃、４時間で二次硬化して、シート状シリコーンゴム（シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物）を得た。それを幅：２ｃｍ×長さ：５ｃｍに切り出し、エラストマー製「基板」を作製した。
続いて、得られた導電性ペーストを用いて、この「基板」上に、配線パターンを描き、これを１８０℃１２０分の条件で硬化し、表２に示す厚み×幅：５００μｍ×長さ：３０ｍｍの「配線」を有する試験片１～７、１１、１３（伸縮性配線基板）を作製した。

基板厚みＴ１、配線厚みＴ２の測定方法は、以下の通りである。
＜基板厚みＴ１＞
配線基板５０の厚みについて、定圧厚さ測定器を用いて、図３（ａ）中の点線で囲まれた５点を測定した。５点は、配線１０に近傍しており、隣接した点間距離が等間隔となるように選択した。５点の厚みの平均値を、基板厚みＴ１とした。
＜配線厚みＴ２＞
配線１０の幅方向（Ｘ方向）の中心を、イオンビームを用いて研磨し、切断面を得た。得られた切断面について、視野領域：６００μｍ×４８０μｍ、視野数：１視野、倍率：２００倍の条件で、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察像を得た。図３（ｂ）に示すように、配線１０の中央部近傍における厚みを、得られた観察像に基づいて計測し、配線厚みＴ２とした。

（実施例８）
シリコーンゴム系硬化性組成物Ｄを用いた以外は、実施例１と同様にして、表２に示す厚みの「基板」、表２に示す厚みの「配線」を有する試験片８（伸縮性配線基板）を作製した。

（実施例９）
シリコーンゴム系硬化性組成物Ｃを用いた以外は、実施例１と同様にして、表２に示す厚みの「基板」、表２に示す厚みの「配線」を有する試験片９（伸縮性配線基板）を作製した。

（実施例１０、比較例１）
シリコーンゴム系硬化性組成物Ａを用いた以外は、実施例１と同様にして、表２に示す厚みの「基板」、表２に示す厚みの「配線」を有する試験片１０、１２（伸縮性配線基板）を作製した。

＜硬度：デュロメータ硬さＡ＞
厚みが１ｍｍであること以外は、［伸縮性配線基板の作製］と同様に各実施例、各比較例のシート状シリコーンゴム（シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物）を得た。得られた厚さ１ｍｍのシートを６枚積層し、６ｍｍの試験片を作製した。得られた試験片を用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５３（１９９７）に準拠して、２５℃におけるタイプＡデュロメータ硬さを測定した。
硬度については、２つのサンプルを用いて、各サンプルでｎ＝５で測定を行い、計１０個の測定の平均値を測定値とした。結果を表２に示す。

＜引張強度、破断伸び＞
厚みが１ｍｍであること以外は、［伸縮性配線基板の作製］と同様に各実施例、各比較例のシート状シリコーンゴム（シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物）を得た。得られた厚さ１ｍｍのエラストマー層を用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５１（２００４）に準拠して、ダンベル状３号形試験片を作製し、得られた試験片の２５℃における引張強度および破断伸びを測定した。引張強度の単位は、ＭＰａである。破断伸びは、［チャック間移動距離（ｍｍ）］÷［初期チャック間距離（６０ｍｍ）］×１００で計算した。単位は％である。結果を表３に示す。
＜引裂強度＞
厚みが１ｍｍであること以外は、［伸縮性配線基板の作製］と同様に各実施例、各比較例のシート状シリコーンゴム（シリコーンゴム系硬化性組成物の硬化物）を得た。得られた厚さ１ｍｍのシートを用いて、ＪＩＳ Ｋ６２５２（２００１）に準拠して、クレセント形試験片を作製し、得られたクレセント形試験片の２５℃における引裂強度を測定した。単位は、Ｎ／ｍｍである。結果を表３に示す。

破断伸び、引張強度については、３つのサンプルで行い、３つの平均値を測定値とした。引裂強度については、５つのサンプルで行い、５つの平均値を測定値とした。結果を表３に示す。

［伸縮性配線基板の評価］
得られた伸縮性配線基板の試験片１～１３について、以下の評価項目に従い評価を行った。

（伸長時特性：抵抗値測定）
得られた試験片１～１３（伸縮性配線基板）について、（株）エーディーシー製直流電圧・電流源／モニタ（６２４１Ａ）を用い、抵抗を測定しながら長さ方向に３秒で５０％伸長させ、１０秒間保持し、３秒で当該伸長を解放し、１０秒間保持する試験を１００回行った。この抵抗値（Ω）の変化は常にモニタリングを行い、この試験中における抵抗値変化についての解析を行った（５０％伸長時の抵抗値測定）
・１００回目の５０％伸長の終了時までの抵抗値の最大値（５０％Ｒ_ＭＡＸ）
以上の抵抗値について、３つのサンプルで行い、３つの平均値を測定値とした。

得られた５０％Ｒ_ＭＡＸについて、以下の表４に示す評価基準に基づいて評価を実施した。評価結果を表２に示す。
なお、断線とは、サンプルの測定値が１００００Ω以上１１０００Ω以下の値のことをいう。

（ウェアラブル適合性）
得られた試験片１～１３（伸縮性配線基板）を用いて、次のような屈曲・伸び試験および耐久試験を行った。
屈曲・伸び試験：板状部材の両端を両手で持った状態で、９０度に曲げる試験を実施し、曲げ開始から曲げ終わりまでの板状部材の曲げやすさによって、板状部材の変形容易性を判断した。板状部材を曲げる試験中、板状部材を曲げる時に負荷を感じない板状部材を○、板状部材を曲げる時に負荷を感じる板状部材を×とした。

実施例１～１１の伸縮性配線基板は、比較例１と比べて、伸長時接続信頼性に優れており、比較例２と比べてウェアラブル適合性に優れることが分かった。

１０ 配線
２０ 基板
３０ カバー材
５０ 配線基板
６０ 電子部品
１００ 電子装置
１１０ 作業台
１２０ 支持体
１３０ 絶縁性ペースト
１３２ 絶縁層
１４０ スキージ
１５０ 導電性ペースト
１５２ 導電層
１６０ マスク
１７０ 絶縁性ペースト
１７２ 絶縁層

Claims (6)

1. エラストマーを含有する基板と、
   前記基板の一面上に接置されており、エラストマーおよび導電性フィラーを含有する配線と、を有する伸縮性配線基板であって、
   前記導電性フィラーが、鱗片状の金属粉（Ｇ）を含み、
   前記配線中の前記導電性フィラーの含有量が５０質量％以上９５質量％以下であり、かつ鱗片状の前記金属粉（Ｇ）の含有量が、前記導電性フィラーの含有量１００質量％中、９０質量％以上１００質量％以下であり、
   当該伸縮性配線基板を、３秒で５０％伸長させ、１０秒間保持し、３秒でその伸長を解放した後、前記配線が断線しないものであり、
   未伸長時の前記基板の厚みをＴ１（μｍ）とし、未伸長時の前記基板のＪＩＳ Ｋ６２５３（１９９７）に準拠した２５℃におけるタイプＡデュロメータ硬さをＨ１とし、未伸長時の前記配線の厚みをＴ２（μｍ）としたとき、
   Ｈ１、Ｔ１、およびＴ２が、以下の式（Ｉ）を満たす剛性構造を有する、伸縮性配線基板。
   ２０≦Ｈ１×（Ｔ１／Ｔ２）≦１０００ ・・（Ｉ）
2. 請求項１に記載の伸縮性配線基板であって、
   上記式（Ｉ）中のＨ１は、２０以上８０以下である、伸縮性配線基板。
3. 請求項１または２に記載の伸縮性配線基板であって、
   前記基板および前記配線に含まれるエラストマーは、シリコーンゴム、ウレタンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴム、アクリルゴム、スチレンゴム、クロロプレンゴム、およびエチレンプロピレンゴムからなる群から選択される一種以上を含む、伸縮性配線基板。
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載の伸縮性配線基板であって、
   前記基板は、シリカ粒子（Ｃ）を含む、伸縮性配線基板。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の伸縮性配線基板であって、
   前記導電性フィラーは、金属、カーボンまたは導電性ポリマーを含む、伸縮性配線基板。
6. 請求項１から５のいずれか１項に記載の伸縮性配線基板を備えるウェアラブルデバイス。

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