JP6086731B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。回転式基板処理装置においては、基板が回転保持部により保持され、回転された状態で種々の処理が行われる。したがって、基板の中心と回転保持部の回転中心とが一致する状態で、基板が回転保持部により保持されることが求められる。

特許文献１に記載された基板位置検出装置においては、載置部に載置される基板の上方に、開口部を有する光散乱性のパネルが設けられる。パネルの下面に対して光が照射された状態で、ウエハおよびその周辺部がパネルの開口部を通してカメラにより上方から撮影される。この場合、カメラにより得られる画像において、基板の端部（エッジ）を含む領域は、パネルからの光に照らされることにより一様に光って見える。一方、載置部の領域は、パネルからの光に照らされても黒く見える。基板の領域と載置部の領域との間に大きなコントラストが生じることにより、基板の端部が明瞭に認識される。

特開２０１０−１５３７６９号公報

上記のように、特許文献１の基板位置検出装置によれば、基板の端部を認識することができるので、基板の端部に基づいて基板の中心を推定することができる。

しかしながら、基板の平坦な主面と基板の最外周部との間には、主面から傾斜または湾曲したベベル部が形成されている。基板のベベル部の表面の形状には、個体差が存在する。そのため、基板の画像において、ベベル部が現われる場合およびベベル部が現われない場合が生じる。また、画像におけるベベル部のコントラストは、基板によって異なる。そのため、基板の主面の端部の位置を正確に決定することができない。その結果、基板の中心を正確に決定することができない。

本発明の目的は、基板の主面の端部の位置を正確に決定することが可能な基板処理装置を提供することである。

（１）第１の発明に係る基板処理装置は、少なくとも一部が円形の外周部を有するとともに平坦な主面を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜を形成する膜形成ユニットと、基板の主面上の膜の少なくとも一部および周縁部に光を照射するとともに、基板からの反射光を受光する受光量検出部と、受光量検出部の受光量に対応する受光データを取得し、基板の主面上の周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第１の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定する位置決定部とを備え、位置決定部は、基板の中心から予め定められた所定の距離の位置を基準位置として決定するものである。

この基板処理装置においては、基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜が形成される。基板の主面上の膜の少なくとも一部および周縁部に光が照射され、基板からの反射光が受光される。また、受光量検出部の受光量に対応する受光データが取得される。

ここで、基板の主面は平坦でありかつ主面の周縁部上には膜が形成されていない。そのため、周縁部からの反射光に基づく受光量はほぼ一定となる。一方、基板の主面の端部と基板の最外周部との間のベベル部は基板の主面に対して傾斜しまたは湾曲している。よって、ベベル部からの反射光に基づく受光量は、周縁部からの反射光に基づく受光量とは異なる。それにより、基板からの反射光に基づく受光量が基板の主面の端部を境界として変化する。したがって、基板の主面上の周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第１の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定することができる。

この場合、受光データが変化する位置は、ベベル部の表面の形状および表面の状態の影響を受けない。したがって、基板のベベル部の表面の形状および表面の状態に個体差がある場合でも、基板の主面の端部の位置を正確に決定することができる。その結果、基板の主面上の膜の端部と基板の主面の端部との間の周縁部の幅を正確に測定することが可能になる。また、位置決定部は、基板の中心から予め定められた所定の距離の位置を基準位置として決定する。この場合、基板のサイズに基づいて基準位置が容易に決定される。それにより、基板の主面の端部の位置を正確かつ容易に決定することができる。

（２）第２の発明に係る基板処理装置は、少なくとも一部が円形の外周部を有するとともに平坦な主面を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜を形成する膜形成ユニットと、基板の主面上の膜の少なくとも一部および周縁部に光を照射するとともに、基板からの反射光を受光する受光量検出部と、受光量検出部の受光量に対応する受光データを取得し、基板の主面上の周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第１の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定する位置決定部とを備え、位置決定部は、基準位置に対応する受光データの値を第１の値として取得した後、取得した第１の値に対して第１の関係を有する受光データの値を第２の値として取得し、取得した第２の値に対応する基板の位置を基板の主面の端部の位置として決定するものである。

この基板処理装置においては、基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜が形成される。基板の主面上の膜の少なくとも一部および周縁部に光が照射され、基板からの反射光が受光される。また、受光量検出部の受光量に対応する受光データが取得される。
ここで、基板の主面は平坦でありかつ主面の周縁部上には膜が形成されていない。そのため、周縁部からの反射光に基づく受光量はほぼ一定となる。一方、基板の主面の端部と基板の最外周部との間のベベル部は基板の主面に対して傾斜しまたは湾曲している。よって、ベベル部からの反射光に基づく受光量は、周縁部からの反射光に基づく受光量とは異なる。それにより、基板からの反射光に基づく受光量が基板の主面の端部を境界として変化する。したがって、基板の主面上の周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第１の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定することができる。
この場合、受光データが変化する位置は、ベベル部の表面の形状および表面の状態の影響を受けない。したがって、基板のベベル部の表面の形状および表面の状態に個体差がある場合でも、基板の主面の端部の位置を正確に決定することができる。その結果、基板の主面上の膜の端部と基板の主面の端部との間の周縁部の幅を正確に測定することが可能になる。また、基準位置に対応する第１の値に対して第１の関係を有する第２の値に対応する基板の位置が基板の主面の端部の位置として決定される。それにより、基板の主面の端部の位置をより正確に決定することができる。

（３）第１の関係は、第２の値が第１の値よりも一定割合または一定量小さいことを含んでもよい。この場合、基板の主面の端部の位置を正確かつ容易に決定することができる。

（４）第３の発明に係る基板処理装置は、少なくとも一部が円形の外周部を有するとともに平坦な主面を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜を形成する膜形成ユニットと、基板の主面上の膜の少なくとも一部および周縁部に光を照射するとともに、基板からの反射光を受光する受光量検出部と、受光量検出部の受光量に対応する受光データを取得し、基板の主面上の周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第１の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定する位置決定部とを備え、位置決定部は、基板の外側から基板の中心に向かう第２の方向における受光データの変化に基づいて基準位置を決定するものである。

この基板処理装置においては、基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜が形成される。基板の主面上の膜の少なくとも一部および周縁部に光が照射され、基板からの反射光が受光される。また、受光量検出部の受光量に対応する受光データが取得される。
ここで、基板の主面は平坦でありかつ主面の周縁部上には膜が形成されていない。そのため、周縁部からの反射光に基づく受光量はほぼ一定となる。一方、基板の主面の端部と基板の最外周部との間のベベル部は基板の主面に対して傾斜しまたは湾曲している。よって、ベベル部からの反射光に基づく受光量は、周縁部からの反射光に基づく受光量とは異なる。それにより、基板からの反射光に基づく受光量が基板の主面の端部を境界として変化する。したがって、基板の主面上の周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第１の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定することができる。
この場合、受光データが変化する位置は、ベベル部の表面の形状および表面の状態の影響を受けない。したがって、基板のベベル部の表面の形状および表面の状態に個体差がある場合でも、基板の主面の端部の位置を正確に決定することができる。その結果、基板の主面上の膜の端部と基板の主面の端部との間の周縁部の幅を正確に測定することが可能になる。また、受光データの変化に基づいて基準位置が容易に決定される。それにより、基板の主面の端部の位置を正確かつ容易に決定することができる。

（５）位置決定部は、基板の外側に対応する受光データの値を第３の値として取得した後、取得した第３の値に対して第２の関係を有する受光データの値を第４の値として取得し、取得した第４の値に対応する基板の位置から第２の方向において予め定められた距離離れた位置を基準位置として決定してもよい。

この場合、基板の外側に対応する第３の値に対して第２の関係を有する第４の値に対応する基板の位置から第２の方向において予め定められた距離離れた位置が基準位置として容易に決定される。それにより、基板の主面の端部の位置を正確かつ容易に決定することができる。

（６）第２の関係は、第４の値が第３の値よりも一定割合または一定量大きいことを含んでもよい。

この場合、基準位置がより正確かつ容易に決定される。それにより、基板の主面の端部の位置をより正確かつ容易に決定することができる。

（８）第４の発明に係る基板処理装置は、少なくとも一部が円形の外周部を有するとともに平坦な主面を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜を形成する膜形成ユニットと、基板の主面上の膜の少なくとも一部および周縁部に光を照射するとともに、基板からの反射光を受光する受光量検出部と、受光量検出部の受光量に対応する受光データを取得し、基板の主面上の周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第１の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定する位置決定部とを備え、位置決定部は、基板の複数の位置からの反射光に基づく受光量検出部の受光量に対応する受光データを取得し、取得した受光データの値が予め定められたしきい値よりも大きい基板の位置を基準位置として決定してもよい。

この基板処理装置においては、基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜が形成される。基板の主面上の膜の少なくとも一部および周縁部に光が照射され、基板からの反射光が受光される。また、受光量検出部の受光量に対応する受光データが取得される。
ここで、基板の主面は平坦でありかつ主面の周縁部上には膜が形成されていない。そのため、周縁部からの反射光に基づく受光量はほぼ一定となる。一方、基板の主面の端部と基板の最外周部との間のベベル部は基板の主面に対して傾斜しまたは湾曲している。よって、ベベル部からの反射光に基づく受光量は、周縁部からの反射光に基づく受光量とは異なる。それにより、基板からの反射光に基づく受光量が基板の主面の端部を境界として変化する。したがって、基板の主面上の周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第１の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定することができる。
この場合、受光データが変化する位置は、ベベル部の表面の形状および表面の状態の影響を受けない。したがって、基板のベベル部の表面の形状および表面の状態に個体差がある場合でも、基板の主面の端部の位置を正確に決定することができる。その結果、基板の主面上の膜の端部と基板の主面の端部との間の周縁部の幅を正確に測定することが可能になる。また、受光データの値が予め定められたしきい値よりも大きい基板の位置が基準位置として容易に決定される。それにより、基板の主面の端部の位置を正確かつ容易に決定することができる。

この場合、受光データが変化する位置は、ベベル部の表面の形状および表面の状態の影響を受けない。したがって、基板のベベル部の表面の形状および表面の状態に個体差がある場合でも、基板の主面の端部の位置を正確に決定することができる。その結果、基板の主面上の膜の端部と基板の主面の端部との間の周縁部の幅を正確に測定することが可能になる。

本発明によれば、基板の主面の端部の位置を正確に決定することができる。

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。 図１の塗布処理部、現像処理部および洗浄乾燥処理部を＋Ｙ方向側から見た図である。 図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部を−Ｙ方向側から見た図である。 搬送部を−Ｙ方向側から見た図である。 塗布処理ユニットを＋Ｚ方向側から見た図である。 図２の塗布処理ユニットへの基板の搬入時における図４の搬送機構のハンドの動作を説明するための図である。 基板の主面上への反射防止膜およびレジスト膜の形成手順と各膜の除去範囲とを示す図である。 基板の主面上への反射防止膜およびレジスト膜の形成手順と各膜の除去範囲とを示す図である。 基板の端部を説明するための概略的模式図である。 反射防止膜およびレジスト膜が形成された基板の平面図である。 エッジ露光部の一側面を模式的に示す図である。 エッジ露光部の他の側面を模式的に示す図である。 状態検出処理ユニットの模式的側面図である。 状態検出処理ユニットの模式的平面図である。 周縁部画像データの作成方法について説明するための図である。 基板の周縁部画像およびその周縁部画像の階調値の変化を示す図である。 基板の主面の端部の位置の決定手順を説明するための図である。 図１のメインコントローラによる基板の主面の端部の位置の決定処理を示すフローチャートである。 基板処理装置の制御系の構成を示すブロック図である。 周縁部画像データに基づいて表示される周縁部画像の明るさの分布を示す図である。 図１９のメインコントローラによる基板の周縁部の状態検出処理を示すフローチャートである。 図１９のメインコントローラによる基板の周縁部の状態検出処理を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板またはフォトマスク用基板等をいう。

本実施の形態で用いられる基板は、少なくとも一部が円形の外周部を有する。例えば、位置決め用の切り欠き（オリエンテーションフラットまたはノッチ）を除く外周部が円形を有する。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。図１以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。

図１に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａ、搬入搬出ブロック１４Ｂおよびホストコンピュータ８０を備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。

インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。

搬送部１１２には、メインコントローラ１１４および搬送機構１１５が設けられる。メインコントローラ１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。また、メインコントローラ１１４は、有線通信または無線通信によりホストコンピュータ８０に接続されている。メインコントローラ１１４とホストコンピュータ８０との間で種々のデータの送受信が行われる。

搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。

搬送部１１２の側面には、メインパネルＰＮが設けられる。メインパネルＰＮは、メインコントローラ１１４に接続されている。ユーザは、基板処理装置１００における基板Ｗの処理状況等をメインパネルＰＮで確認することができる。

メインパネルＰＮの近傍には、例えばキーボードからなる操作部９０（後述の図１９参照）が設けられている。ユーザは、操作部９０を操作することにより、基板処理装置１００の動作設定等を行うことができる。

第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図４参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図４参照）が設けられる。

第２の処理ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図４参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図４参照）が設けられる。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。

搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。

また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。

搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。

（２）塗布処理部および現像処理部の構成
図２は、図１の塗布処理部１２１、現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を＋Ｙ方向側から見た図である。

図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１〜３４には、現像処理ユニット１３９が設けられる。

図２に示すように、塗布処理ユニット１２９は、複数のスピンチャック２５および複数のカップ２７を備える。また、図１に示すように、塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数の処理液ノズル２８およびそれらの処理液ノズル２８を移動させるノズル搬送機構２９を備える。塗布処理ユニット１２９の詳細については後述する。

現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、複数のスピンチャック３５および複数のカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つの現像ノズル３８およびそれらの現像ノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。

現像処理ユニット１３９においては、まず、一方の現像ノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。その後、他方の現像ノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。なお、現像ノズル３８から基板Ｗに現像液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。

本実施の形態では、現像処理ユニット１３９において基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つの現像ノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。

洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの排液および排気等に関する流体関連機器が収納される。流体関連機器は、導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプおよび温度調節器等を含む。

（３）熱処理部および洗浄乾燥処理部の構成
図３は、図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を−Ｙ方向側から見た図である。

図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。熱処理部１２３の最上部にはローカルコントローラＬＣ１が設けられる。

ローカルコントローラＬＣ１は、熱処理部１２３における熱処理ユニットＰＨＰ、密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度制御を行う。また、ローカルコントローラＬＣ１は、後述する図５の塗布処理ユニット１２９におけるノズル搬送機構２９の動作、スピンチャック２５の動作、各処理液ノズル２８への処理液の供給およびエッジリンスノズル３０へのリンス液の供給等を制御する。さらに、ローカルコントローラＬＣ１は、図１の搬送機構１２７の動作を制御する。

熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。

熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。熱処理部１３３の最上部には、ローカルコントローラＬＣ２が設けられる。

ローカルコントローラＬＣ２は、熱処理部１３３における熱処理ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度制御を行う。また、ローカルコントローラＬＣ２は、図１の搬送機構１３７の動作を制御するとともに、移動機構３９の動作、スピンチャック３５の動作、各現像ノズル３８への現像液の供給等を制御する。ローカルコントローラＬＣ１，ＬＣ２の詳細については後述する。

洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。

（４）エッジ露光部の状態検出処理ユニット
本例においては、後述するように、エッジ露光部ＥＥＷに図１１の状態検出処理ユニット５８０が設けられる。状態検出処理ユニット５８０により、基板Ｗの周縁部の状態が検出される。その検出結果に基づいて、塗布処理ユニット１２９（図２）においてスピンチャック２５の軸心に基板Ｗの幾何学的中心（以下、基板Ｗの中心と呼ぶ。）が一致するように基板Ｗがスピンチャック２５に載置されたか否か、ならびにエッジリンスノズル３０（図５）から基板Ｗの周縁部へ吐出されたリンス液の流量およびリンス液の吐出位置が適正であるか否かが判定される。スピンチャック２５の軸心は基板Ｗの回転中心に相当する。

以下、スピンチャック２５の軸心に対する基板Ｗの中心の位置ずれの量を基板Ｗの偏心量と呼ぶ。基板Ｗの偏心量が予め設定された許容上限値を超える場合、または基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量もしくはリンス液の吐出位置が適正ではない場合には、後述する処理が行われる。

その後、エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。

このように、エッジ露光部ＥＥＷが基板Ｗの周縁部の状態を検出する機能を有するとともに、基板Ｗ上のエッジ露光処理する機能を有することにより、基板処理装置１００の大型化およびフットプリントの増加を防止することができる。

（５）搬送部の構成
図４は、搬送部１２２，１３２，１６３を−Ｙ方向側から見た図である。

図４に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８は、それぞれハンドＨ１，Ｈ２を有する。

搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。

上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。

載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。

本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、第１の処理ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。

また、基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、第１の処理ブロック１２から第２の処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、第２の処理ブロック１３から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。

また、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、第２の処理ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置され、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。

（６）基板処理装置の動作
図１〜図４を参照しながら基板処理装置１００の動作を説明する。インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１（図１）には、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、キャリア１１３から基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図４）に未処理の基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ４（図４）に載置された処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。

第１の処理ブロック１２において、搬送機構１２７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ１（図４）に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２２（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２１（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に順に搬送する。

この場合、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板Ｗに密着強化処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、反射防止膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２２において、塗布処理ユニット１２９（図２）により基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。続いて、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われた後、冷却ユニットＣＰにおいて、レジスト膜の形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。次に、塗布処理室２１において、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

また、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図４）に搬送する。

搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ３（図４）に載置された基板Ｗを密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２４（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、冷却ユニットＣＰ（図３）、塗布処理室２３（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ７（図４）に順に搬送する。また、搬送機構１２８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に載置された現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ４（図４）に搬送する。塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）における基板Ｗの処理内容は、上記の塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）における基板Ｗの処理内容と同様である。

第２の処理ブロック１３において、搬送機構１３７（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ５（図４）に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図４）に順に搬送する。

この場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗのエッジ露光処理および基板Ｗの周縁部の状態検出処理が行われ、その基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置される。

また、搬送機構１３７（図４）は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３１または現像処理室３２（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ６（図４）に順に搬送する。

この場合、冷却ユニットＣＰにおいて、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却された後、現像処理室３１または現像処理室３２において、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。その後、熱処理ユニットＰＨＰにおいて、基板Ｗの熱処理が行われ、その基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。

搬送機構１３８（図４）は、基板載置部ＰＡＳＳ７（図４）に載置されたレジスト膜形成後の基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰ（図３）、エッジ露光部ＥＥＷ（図３）および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図４）に順に搬送する。また、搬送機構１３８（図４）は、裏面洗浄処理ブロック１４に隣接する熱処理ユニットＰＨＰ（図３）から露光処理後でかつ熱処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを冷却ユニットＣＰ（図３）、現像処理室３３または現像処理室３４（図２）、熱処理ユニットＰＨＰ（図３）および基板載置部ＰＡＳＳ８（図４）に順に搬送する。現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０４における基板Ｗの処理内容は、上記の現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０３における基板Ｗの処理内容と同様である。

洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図１）は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図４）に載置された基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１（図２）および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に順に搬送する。この場合、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１において、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われた後、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、露光装置１５（図１〜図３）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。

搬送機構１４２（図１）は、基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２（図３）に搬送し、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）または下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図３）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。

インターフェイスブロック１５において、搬送機構１４６（図１）は、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図４）に載置された露光処理前の基板Ｗを露光装置１５の基板搬入部１５ａ（図１）に搬送する。また、搬送機構１４６（図１）は、露光装置１５の基板搬出部１５ｂ（図１）から露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図４）に搬送する。

なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理前の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、露光処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。

本実施の形態においては、上段に設けられた塗布処理室２１，２２、現像処理室３１，３２および上段熱処理部３０１，３０３における基板Ｗの処理と、下段に設けられた塗布処理室２３，２４、現像処理室３３，３４および下段熱処理部３０２，３０４における基板Ｗの処理を並行して行うことができる。それにより、フットプリントを増加させることなく、スループットを向上させることができる。

（７）塗布処理ユニットの構成
図５は、塗布処理ユニット１２９を＋Ｚ方向側から見た図である。図５に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、複数のスピンチャック２５、複数のカップ２７、複数の処理液ノズル２８、複数のエッジリンスノズル３０および複数の待機部２８０を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５、カップ２７およびエッジリンスノズル３０は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。

各スピンチャック２５は、基板Ｗを保持した状態で、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。カップ２７はスピンチャック２５の周囲を取り囲むように設けられる。待機時には、各処理液ノズル２８は待機部２８０に挿入される。各処理液ノズル２８には、図示しない処理液貯留部から処理液配管を通して後述する種々の処理液（塗布液）が供給される。各処理液ノズル２８には、上方に突出する把持部２８ａが設けられている。

塗布処理ユニット１２９は、エッジリンスノズル駆動部３０ａおよびリンス液供給系３０ｂを有する。スピンチャック２５の上方には、エッジリンスノズル３０が移動可能に設けられている。エッジリンスノズル駆動部３０ａは、エッジリンスノズル３０を移動させる。リンス液供給系３０ｂは、エッジリンスノズル３０にリンス液（例えば処理液の溶剤）を供給する。また、リンス液供給系３０ｂは、エッジリンスノズル３０に供給されるリンス液の流量を測定する流量センサを含む。エッジリンスノズル３０は、スピンチャック２５により保持される基板Ｗの周縁部にリンス液を吐出する。エッジリンスノズル３０から基板Ｗに吐出されるリンス液の流量は、リンス液供給系３０ｂにより調整される。

塗布処理ユニット１２９は、処理液ノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。ノズル搬送機構２９は、ノズル把持部２９１ａおよび長尺状の把持部移動機構２９１，２９２，２９３を備える。把持部移動機構２９２は、Ｙ方向に延びるように図２の搬送部１１２側に固定される。把持部移動機構２９３は、Ｙ方向に延びるように図２の第２の処理ブロック１３側に固定される。把持部移動機構２９２には、Ｙ方向に延びるボールねじ２９２ａおよびガイド２９２ｂが設けられる。同様に、把持部移動機構２９３には、Ｙ方向に延びるボールねじ２９３ａおよびガイド２９３ｂが設けられる。

把持部移動機構２９２と把持部移動機構２９３との間には、Ｘ方向に延びるように把持部移動機構２９１が設けられる。把持部移動機構２９１の両端は、それぞれ把持部移動機構２９２，２９３のガイド２９２ｂ，２９３ｂにＹ方向に移動可能に取り付けられる。把持部移動機構２９１の一端は、把持部移動機構２９２のボールねじ２９２ａに係合している。また、把持部移動機構２９１の他端は、把持部移動機構２９３のボールねじ２９３ａに係合している。ボールねじ２９２ａ，２９３ａは図示しないモータにより回動される。それにより、把持部移動機構２９１がガイド２９２ｂ，２９３ｂに沿ってＹ方向に水平移動する。

把持部移動機構２９１にノズル把持部２９１ａがＸ方向に移動可能に取り付けられる。ノズル把持部２９１ａは、各処理液ノズル２８の把持部２８ａを挟持する一対の挟持アーム２９１ｂを有する。一対の挟持アーム２９１ｂは、図示しない駆動機構によって互いに近接する方向または互いに離間する方向に移動する。

塗布処理ユニット１２９においては、複数の処理液ノズル２８のうちのいずれかの処理液ノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。スピンチャック２５が回転しつつ処理液ノズル２８から処理液が吐出されることにより、回転する基板Ｗ上に処理液が塗布される。また、エッジリンスノズル３０が所定の待機位置から基板Ｗの周縁部の近傍に移動される。そして、スピンチャック２５が回転しつつエッジリンスノズル３０から回転する基板Ｗの周縁部に向けてリンス液が吐出されることにより、基板Ｗに塗布された処理液の周縁部が溶解される。それにより、基板Ｗの周縁部の処理液が除去される。

本実施の形態においては、図２の塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９において、反射防止膜用の処理液（反射防止液）が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９において、レジスト膜用の処理液（レジスト液）が処理液ノズル２８から基板Ｗに供給される。

（８）反射防止膜およびレジスト膜の形成
図６は、図２の塗布処理ユニット１２９への基板Ｗの搬入時における図４の搬送機構１２７のハンドＨ１，Ｈ２の動作を説明するための図である。なお、図６では、搬送機構１２７および塗布処理ユニット１２９の構成の一部が上面図で示されている。また、搬送機構１２７のハンドＨ２の動作はハンドＨ１の動作と同様である。さらに、図４の搬送機構１２８，１３７，１３８のハンドＨ１，Ｈ２の動作は、搬送機構１２７のハンドＨ１，Ｈ２の動作と同様である。

図６（ａ）において、矢印で示されるように、ハンドＨ１により保持された基板Ｗが塗布処理ユニット１２９内に搬入される。ハンドＨ１とスピンチャック２５との位置関係は予め設定されている。次に、図６（ｂ）に示すように、塗布処理ユニット１２９に搬入される基板Ｗは、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２５の軸心Ｐ１と一致するようにスピンチャック２５上に載置される。その後、図６（ｃ）に示すように、ハンドＨ１が塗布処理ユニット１２９から搬出される。

塗布処理室２２，２４（図２）の塗布処理ユニット１２９においては、基板Ｗの主面上に反射防止液が塗布される。塗布処理室２１，２３（図２）の塗布処理ユニット１２９においては、基板Ｗ上に形成された反射防止膜上にレジスト液が塗布される。

図７および図８は、基板Ｗの主面上への反射防止膜およびレジスト膜の形成手順と各膜の除去範囲とを示す図である。

まず、塗布処理室２２（または塗布処理室２４）の塗布処理ユニット１２９において、基板Ｗが回転されつつ基板Ｗの主面上に反射防止液が塗布されるとともに、エッジリンスノズル３０から基板Ｗの周縁部に向けてリンス液が吐出される。これにより、図７（ａ）に示すように、基板Ｗの周縁部に付着する反射防止液が溶解される。

このようにして、基板Ｗの主面上の周縁部の環状領域における反射防止液が除去される。その後、熱処理部１２３により基板Ｗに所定の熱処理が行われることにより、図７（ｂ）に示すように、周縁部を除く基板Ｗの主面上に反射防止膜Ｆ１が形成される。基板Ｗの主面の端部と反射防止膜Ｆ１の外周部との間の幅をエッジカット幅Ｄ１と呼ぶ。

次に、塗布処理室２１（または塗布処理室２３）の塗布処理ユニット１２９において、基板Ｗが回転されつつ基板Ｗの主面上にレジスト液が塗布されるとともに、エッジリンスノズル３０から基板Ｗの周縁部に向けてリンス液が吐出される。これにより、図８（ａ）に示すように、基板Ｗの周縁部に付着するレジスト液が溶解される。

このようにして、基板Ｗの周縁部の環状領域におけるレジスト液が除去される。その後、熱処理部１２３により基板Ｗに所定の熱処理が行われることにより、図８（ｂ）に示すように、周縁部を除く基板Ｗ上に反射防止膜Ｆ１上を覆うようにレジスト膜Ｆ２が形成される。基板Ｗの主面の端部とレジスト膜Ｆ２の外周部との間の幅をエッジカット幅Ｄ２と呼ぶ。

ここで、基板Ｗの端部の定義について次の図面を参照しながら説明する。図９は、基板Ｗの端部を説明するための概略的模式図である。図９（ａ），（ｂ）に示すように、基板Ｗは主面および裏面にそれぞれ端部Ｅを有する。基板Ｗの主面および裏面はそれぞれ平坦に形成される。基板Ｗの主面とは基板処理が行われる面をいい、基板Ｗの裏面とは主面と反対側の面をいう。本例では、基板Ｗの主面は、反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２が形成される面である。

図９（ａ）に示すように、基板Ｗは、主面の端部（edge）Ｅからから最外周部（outermost periphery）ＯＭに向かって下方に傾斜する傾斜面を有するとともに、裏面の端部Ｅから最外周部ＯＭに向かって上方に傾斜する傾斜面を有する。これらの傾斜面を、一般的にベベル部Ｂと呼ぶ。あるいは、図９（ｂ）に示すように、基板Ｗは、主面の端部Ｅから最外周部ＯＭを経由して裏面の端部Ｅに向かって湾曲する湾曲面を有する。この湾曲面を、一般的にベベル部Ｂと呼ぶ。また、基板Ｗの主面の端部Ｅから内側へ所定の距離ｄまでの領域を、一般的に周縁部Ｐと呼ぶ。なお、距離ｄは、例えば２〜３ｍｍである。

図１０は、反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２が形成された基板Ｗの平面図である。塗布処理ユニット１２９（図６）において、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２５（図６）の軸心Ｐ１と一致するようにスピンチャック２５上に載置される。この状態で、エッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量およびリンス液の吐出位置が適正である場合、図１０（ａ）に示すように、基板Ｗの全周縁部上に渡ってエッジカット幅Ｄ１，Ｄ２が均一な設定値となるように反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２が形成される。

一方、塗布処理ユニット１２９において、基板Ｗの中心Ｗ１がスピンチャック２５の軸心Ｐ１に対して偏心するようにスピンチャック２５上に載置された場合、図１０（ｂ）に示すように、エッジカット幅Ｄ１，Ｄ２が不均一になるように基板Ｗ上に反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２が形成される。

また、エッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量が適正な値よりも小さい場合、リンス液が設定位置の内側までしみ込むため、図１０（ｃ）の点線で示すように、エッジカット幅Ｄ２が設定値よりも大きくなるようにレジスト膜Ｆ２が形成される。エッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量が適正な値よりも大きい場合、リンス液の液幅が狭くなるため、図１０（ｃ）の一点鎖線で示すように、エッジカット幅Ｄ２が設定値よりも小さくなるようにレジスト膜Ｆ２が形成される。なお、図１０（ｃ）においては、反射防止膜Ｆ１およびエッジカット幅Ｄ１の図示は省略している。上記の場合、エッジカット幅Ｄ１も設定値と異なる。

さらに、エッジリンスノズル３０から基板Ｗへのリンス液の吐出位置が適正でない場合においても、エッジカット幅Ｄ１，Ｄ２が設定値と異なるように反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２が形成される。

このように、基板Ｗのエッジカット幅Ｄ１，Ｄ２を検出することにより、塗布処理ユニット１２９における基板Ｗの偏心量が許容上限値以下であるか否か、ならびにエッジリンス液の流量および吐出位置が適正であるか否かを判定することができる。

（９）エッジ露光部の詳細
次に、エッジ露光部ＥＥＷの詳細について説明する。図１１は、エッジ露光部ＥＥＷの一側面を模式的に示す図である。図１２は、エッジ露光部ＥＥＷの他の側面を模式的に示す図である。図１１および図１２に示すように、エッジ露光部ＥＥＷは、投光部５１０、投光部保持ユニット５２０、基板回転ユニット５４０および状態検出処理ユニット５８０を備える。

投光部５１０は、光ファイバケーブル等からなるライトガイドを介して図示しない後述の露光用光源と接続されている。これにより、投光部５１０はライトガイドを介して露光用光源より送られる光を基板Ｗの周縁部Ｐに照射する。以下、基板Ｗ上のレジスト膜を露光するために投光部５１０により基板Ｗに照射される光を露光用光と呼ぶ。

投光部保持ユニット５２０は、Ｘ方向駆動モータ５２１、Ｘ方向ボールネジ５２２、投光部保持ガイド５２３、支柱５２４、Ｙ方向駆動モータ５３１、支柱保持ガイド５３２およびＹ方向ボールネジ５３３を備える。

投光部保持ガイド５２３は、投光部５１０をＸ方向に移動可能に保持する。また、Ｘ方向ボールネジ５２２は、投光部５１０に設けられた図示しない連結部に螺合されている。

Ｘ方向ボールネジ５２２は、Ｘ方向に延びるように設けられており、Ｘ方向駆動モータ５２１の動作に伴って矢印Ｒ１の方向に回転する。Ｘ方向ボールネジ５２２が回転することにより、投光部５１０がＸ方向に移動する。

Ｘ方向駆動モータ５２１および投光部保持ガイド５２３は、支柱５２４により所定の高さに支持されている。支柱５２４の下端部は支柱保持ガイド５３２により保持されている。支柱保持ガイド５３２は、支柱５２４をＹ方向に移動可能に保持する。また、Ｙ方向ボールネジ５３３は、支柱５２４に設けられた図示しない連結部に螺合されている。

Ｙ方向ボールネジ５３３は、Ｙ方向に延びるように設けられており、Ｙ方向駆動モータ５３１の動作に伴って矢印Ｒ３の方向に回転する。Ｙ方向ボールネジ５３３が回転することにより、支柱５２４がＹ方向に移動する。

このように、投光部保持ユニット５２０の各部の動作により、投光部５１０がＸ方向およびＹ方向に移動する。

基板回転ユニット５４０は、基板回転モータ５４１、基板回転軸５４２およびスピンチャック５４３を備える。基板回転軸５４２は、基板回転モータ５４１から上方に突出する。スピンチャック５４３は、基板回転軸５４２の上端に接続されている。エッジ露光処理時には、スピンチャック５４３上に基板Ｗが載置される。スピンチャック５４３は、載置された基板Ｗを吸着保持する。

基板回転モータ５４１は、基板回転軸５４２を矢印Ｒ２の方向に回転させる。それにより、スピンチャック５４３が回転し、スピンチャック５４３により吸着保持された基板Ｗが回転する。

図１３は、状態検出処理ユニット５８０の模式的側面図である。図１４は、状態検出処理ユニット５８０の模式的平面図である。

図１３および図１４に示すように、状態検出処理ユニット５８０は、照明部５８１、反射ミラー５８２およびＣＣＤ（電荷結合素子）ラインセンサ５８３を備える。照明部５８１は、例えばＬＥＤ（発光ダイオード）光源を含む。状態検出処理ユニット５８０は、後述する図１９の状態検出コントローラＭＣに接続される。

照明部５８１はＹ方向に沿うように図１３の基板Ｗの周縁部Ｐおよびベベル部Ｂの上方に配置される。反射ミラー５８２は、照明部５８１と対向するように基板Ｗの上方に配置される。反射ミラー５８２の上方にＣＣＤラインセンサ５８３が配置される。ＣＣＤラインセンサ５８３は、画素の配列方向がＹ方向に沿うように配置される。

照明部５８１から基板Ｗの主面の状態を検出するための帯状の光（以下、照明光と呼ぶ。）が発生される。照明光は、基板Ｗの周縁部Ｐおよびベベル部Ｂに照射される。基板Ｗの周縁部Ｐに照射された照明光は、基板Ｗ上で反射され、さらに反射ミラー５８２上で反射され、ＣＣＤラインセンサ５８３に入射する。ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布は、基板Ｗの主面での反射光のうちＣＣＤラインセンサ５８３に入射する反射光の明るさの分布に対応する。以下、ＣＣＤラインセンサ５８３に入射する反射光の明るさ分布を反射光の明るさ分布と略記する。

ここで、反射光の明るさの分布は、基板Ｗの主面の状態によって異なる。具体的には、図１３に示すように、基板Ｗ上に反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２が形成されている場合、反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２の形成領域に応じて基板Ｗの主面での反射光の明るさの分布が異なる。

一方、基板Ｗのベベル部Ｂは、周縁部Ｐに対して傾斜または湾曲している。したがって、基板Ｗのベベル部Ｂに照射された照明光は、基板Ｗ上で側方に反射され、ＣＣＤラインセンサ５８３にほとんど入射しない。そのため、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布において、基板Ｗのベベル部Ｂでの反射光に基づく受光量は、基板Ｗの周縁部Ｐでの反射光に基づく受光量よりも小さい。本実施の形態では、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、後述の基板Ｗの主面の端部Ｅの位置の決定処理および基板Ｗの周縁部Ｐの状態検出処理が行われる。

（１０）基板の主面の端部の位置の決定処理
基板Ｗが所定の角度分だけ回転する期間に、基板Ｗの周縁部Ｐおよびベベル部Ｂを含む領域に照明光が照射されるとともに、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布が連続的にメインコントローラ１１４に与えられる。なお、基板Ｗは１回転されてもよいし、１回転未満の角度（例えば９０度）だけ回転されてもよい。

メインコントローラ１１４は、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、基板Ｗの周縁部Ｐおよびベベル部Ｂを含む領域での反射光の明るさの分布を示す周縁部画像データを作成する。周縁部画像データの値（階調値）は、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量に対応する。

図１５は、周縁部画像データの作成方法について説明するための図である。図１５（ａ），（ｂ），（ｃ）には、基板Ｗ上における照明光の照射状態が順に示され、図１５（ｄ），（ｅ），（ｆ）には、図１５（ａ），（ｂ），（ｃ）の状態で作成される周縁部画像がそれぞれ示される。なお、図１５（ａ）〜（ｃ）において、照明光が照射された基板Ｗ上の領域にハッチングが付される。また、図１５（ｄ）〜（ｆ）においては、理解を容易にするために、周縁部画像データが周縁部画像データに基づく画像の形態で表示される。以下、周縁部画像データに基づく画像を周縁部画像と呼ぶ。

図１５（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板Ｗ上の周縁部Ｐおよびベベル部Ｂを含む領域Ｔ１に継続的に照明光が照射されつつ基板Ｗが回転する。それにより、基板Ｗの周方向に連続的に照明光が照射される。なお、基板Ｗが１回転する場合には、基板Ｗの周縁部Ｐおよびベベル部Ｂを含む環状の領域Ｔ１の全体に照明光が照射される。基板Ｗが所定の角度だけ回転する期間に連続的に得られるＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、図１５（ｄ）〜（ｆ）に示すように、矩形の周縁部画像データｄ１が作成される。

周縁部画像データｄ１の縦方向の位置は、ＣＣＤラインセンサ５８３の各画素の位置（基板Ｗの半径方向の位置）に対応し、周縁部画像データｄ１の横方向の位置は、基板Ｗの回転角度に対応する。したがって、周縁部画像データｄ１の縦方向の変化は、基板Ｗの周縁部Ｐおよびベベル部Ｂを含む領域Ｔ１での基板Ｗの半径方向における反射光の明るさの分布を表わす。また、周縁部画像データｄ１の横方向の変化は、基板Ｗの周方向における基板Ｗの周縁部Ｐの領域Ｔ１での反射光の明るさの分布を表わす。

なお、反射防止膜Ｆ１の透過率とレジスト膜Ｆ２の透過率とは異なる。そのため、上記のように、レジスト膜Ｆ２のみが形成されている基板Ｗの部分と反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２が重ねて形成されている基板Ｗの部分との反射光の明るさの分布は異なる。それにより、レジスト膜Ｆ２のみが形成されている基板Ｗの部分と反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２が重ねて形成されている基板Ｗの部分とを識別することが可能である。

基板Ｗが所定の角度だけ回転した時点で、基板Ｗの周縁部Ｐおよびベベル部Ｂを含む領域Ｔ１での反射光の明るさの分布が１つの矩形の周縁部画像データｄ１として得られる。周縁部画像データｄ１に基づいて基板Ｗの周縁部Ｐおよびベベル部Ｂを含む領域Ｔ１の周縁部画像が表示される。

図１６は、基板Ｗの周縁部画像およびその周縁部画像の階調値の変化を示す図である。図１６（ａ）は一の基板Ｗの周縁部画像を示し、図１６（ｂ）は他の基板Ｗの周縁部画像を示す。図１６（ａ），（ｂ）の横軸は基板Ｗの半径方向の画素位置を示し、縦軸は基板Ｗの周方向の画素位置を示す。周縁部画像の階調値はＣＣＤラインセンサ５８３の受光量に対応する。

図１６（ａ），（ｂ）の周縁部画像において、高い階調値を有する領域（明るい領域）にはパターンが付されず、低い階調値を有する領域（暗い領域）にはハッチングパターンが付され、中間の階調値を有する領域（中間の明るさを有する領域）にはドットパターンが付されている。高い階調値を有する領域が基板Ｗの周縁部Ｐに対応し、中間の階調値を有する領域が基板Ｗのベベル部Ｂに対応し、低い階調値を有する領域が基板Ｗの外側に対応する。

図１６（ｃ）は、図１６（ａ）の基板Ｗの半径方向における周縁部画像の階調値の変化を示す。図１６（ｄ）は、図１６（ｂ）の基板Ｗの半径方向における周縁部画像の階調値の変化を示す。図１６（ｃ），（ｄ）の横軸は基板Ｗの半径方向の画素位置を示し、縦軸は周縁部画像の階調値を示す。

周縁部画像データｄ１に基づいて、周縁部画像における基板Ｗの外側から基板Ｗの中心に向かう方向に一画素ごとの階調値が順次取得される。各画素の階調値が直前に取得された一定個数分の画素の階調値の代表値（例えば平均値）ｏｇと比較される。その画素の階調値が直前に取得された一定個数分の画素の階調値の代表値ｏｇに対して特定の関係を有する場合、その画素に対応する基板Ｗの位置が暫定端部位置ＢＰとして決定される。本例においては、代表値ｏｇに対して一定割合または一定量大きい階調値ｂｇを有する画素に対応する基板Ｗの位置が暫定端部位置ＢＰとして決定される。

図１６（ａ）の周縁部画像には、ベベル部Ｂが現われない。この場合、図１６（ｃ）に示すように、暫定端部位置ＢＰを基板Ｗの主面の端部Ｅの位置とみなすことができる。これにより、周縁部画像における設定された基板Ｗの暫定端部位置ＢＰからの距離に基づいて、エッジカット幅Ｄ１，Ｄ２を正確に算出することができる。

一方、図１６（ｂ）の周縁部画像には、ベベル部Ｂが現われる。この場合、図１６（ｄ）に示すように、暫定端部位置ＢＰを基板Ｗの主面の端部Ｅの位置とみなすことができない。また、基板Ｗのベベル部Ｂの表面の形状および表面の状態（例えば付着物の有無）には個体差がある。そのため、上記の暫定端部位置ＢＰの決定手順においては、周縁部画像にベベル部Ｂが現われる場合、暫定端部位置ＢＰに基づいて基板Ｗの主面の端部Ｅの位置を決定することができない。そこで、本実施の形態においては、以下の手順により基板Ｗの主面の端部Ｅが決定される。

図１７は、基板Ｗの主面の端部Ｅの位置の決定手順を説明するための図である。図１８は、図１のメインコントローラ１１４による基板Ｗの主面の端部Ｅの位置の決定処理を示すフローチャートである。図１７（ａ）は一の基板Ｗの周縁部画像を示し、図１７（ｂ）は他の基板Ｗの周縁部画像を示す。図１７（ａ），（ｂ）の横軸は基板Ｗの半径方向の画素位置を示し、縦軸は基板Ｗの周方向の画素位置を示す。

図１７（ａ），（ｂ）の周縁部画像において、高い階調値を有する領域にはパターンが付されず、低い階調値を有する領域にはハッチングパターンが付され、中間の階調値を有する領域にはドットパターンが付されている。高い階調値を有する領域が基板Ｗの周縁部Ｐに対応し、中間の階調値を有する領域が基板Ｗのベベル部Ｂに対応し、低い階調値を有する領域が基板Ｗの外側に対応する。図１７（ｂ）の周縁部画像にはベベル部Ｂが現われ、図１７（ａ）の周縁部画像には周縁部画像が現われない。

図１７（ｃ）は、図１７（ａ）の基板Ｗの半径方向における周縁部画像の階調値の変化を示す。図１７（ｄ）は、図１７（ｂ）の基板Ｗの半径方向における周縁部画像の階調値の変化を示す。図１７（ｃ），（ｄ）の横軸は基板Ｗの半径方向の画素位置を示し、縦軸は周縁部画像の階調値を示す。

メインコントローラ１１４は、周縁部画像において、上記の図１６の方法で暫定端部位置ＢＰを決定する（ステップＳ１）。次に、メインコントローラ１１４は、基板Ｗの主面における反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２が形成されていない周縁部内の位置を基準位置として決定する（ステップＳ２）。この場合、メインコントローラ１１４は、決定した暫定端部位置ＢＰから一定個数分の画素だけ内側の位置を基準位置ＳＰとして決定する。

次に、メインコントローラ１１４は、決定された基準位置ＳＰの画素の階調値を基準階調値ｓｇとして取得する（ステップＳ３）。本例においては、メインコントローラ１１４は、図１７（ａ），（ｂ）に示すように、基板Ｗの周方向に一定長さ（例えば基板Ｗの１／４回転に相当する長さ）延びかつ基準位置ＳＰを含む帯状領域Ｒ内の複数の画素の階調値の代表値（例えば平均値）を基準階調値ｓｇとして取得する。

続いて、メインコントローラ１１４は、周縁部画像における基準位置ＳＰから基板Ｗの外側に向かう方向において各画素の階調値をそれぞれ現在階調値として順次取得する。まず、一の画素の外側に隣接する画素（以下、対象画素と呼ぶ）の階調値を対象階調値として取得する（ステップＳ４）。ここで、最初の一の画素は基準位置ＳＰの画素である。次に、メインコントローラ１１４は、基準階調値ｓｇと対象階調値との差を算出する（ステップＳ５）。

ここで、メインコントローラ１１４は、算出した差が基準階調値ｓｇの所定の割合ΔＧ（例えば２０％）に達したか否かを判定する（ステップＳ６）。すなわち、メインコントローラ１１４は、対象階調値が基準階調値から所定の割合ΔＧだけ低下したか否かを判定する。ステップＳ６において、算出した差が所定の割合ΔＧに達していない場合、メインコントローラ１１４はステップＳ４の処理に戻って次の対象画素の階調値を対象階調値として取得する。

メインコントローラ１１４は、現在階調値が基準階調値から所定の割合ΔＧだけ低下するまで、ステップＳ４〜Ｓ６の処理を繰り返す。それにより、対象画素が基準位置ＳＰから基板Ｗの外側に向かう方向に順次移動する。

ステップＳ６において、算出した差が所定の割合ΔＧに達した場合、すなわち対象階調値が図１７（ｃ），（ｄ）の階調値ｅｇに達した場合、メインコントローラ１１４は、図１７（ｃ），（ｄ）に示すように、対象画素の位置を本端部位置ＥＰとして決定する（ステップＳ７）。本端部位置ＥＰに対応する基板Ｗの位置が基板Ｗの主面の端部Ｅの位置である。これにより、基板Ｗの主面の端部Ｅの位置の決定処理を終了する。この処理によれば、周縁部画像にベベル部Ｂが現われるか否かにかかわらず、基板Ｗの主面の端部Ｅの位置を正確に決定することができる。

なお、ステップＳ６において、算出した差が所定の割合ΔＧに達したか否かを判定する代わりに、算出した差が所定の量に達したか否かを判定してもよい。このように、対象画素の階調値が基準階調値ｓｇに対して特定の関係を有する場合、その対象画素に対応する基板Ｗの位置が基板Ｗの主面の端部Ｅの位置として決定される。例えば、基準階調値ｓｇに対して一定割合または一定量小さい階調値ｅｇを有する画素に対応する基板Ｗの位置が基板Ｗの主面の端部Ｅの位置として決定される。

（１１）基板処理装置の制御系の構成
図１９は、基板処理装置１００の制御系の構成を示すブロック図である。図１９に示すように、ホストコンピュータ８０は、メインコントローラ１１４に接続される。メインコントローラ１１４には、メインパネルＰＮおよび操作部９０が接続される。また、メインコントローラ１１４には、ローカルコントローラＬＣ１，ＬＣ２および状態検出コントローラＭＣが接続される。ユーザによる操作部９０の操作情報がメインコントローラ１１４に与えられる。

ローカルコントローラＬＣ１は、熱処理制御部Ｃ１１、搬送制御部Ｃ１２および塗布処理制御部Ｃ１３を有する。熱処理制御部Ｃ１１は、図３の熱処理部１２３における熱処理ユニットＰＨＰ、密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御する。搬送制御部Ｃ１２は、図４の搬送部１２２の搬送機構１２７，１２８の動作を制御する。

塗布処理制御部Ｃ１３は、図２の塗布処理部１２１のノズル搬送機構２９（図１）の動作、スピンチャック２５の動作および各処理液ノズル２８への処理液の供給を制御する。また、塗布処理制御部Ｃ１３は、図５のリンス液供給系３０ｂを制御することにより、エッジリンスノズル３０へのリンス液の供給を制御するとともに、エッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量を調整する。さらに、塗布処理制御部Ｃ１３は、図５のエッジリンスノズル駆動部３０ａを制御することにより、エッジリンスノズル３０の移動を制御するとともに、エッジリンスノズル３０から基板Ｗへのリンス液の吐出位置を制御する。

ローカルコントローラＬＣ２は、熱処理制御部Ｃ２１、搬送制御部Ｃ２２、現像処理制御部Ｃ２３およびエッジ露光制御部Ｃ２４を有する。熱処理制御部Ｃ２１は、図３の熱処理部１３３における熱処理ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰの温度を制御する。搬送制御部Ｃ２２は、図４の搬送部１３２の搬送機構１３７，１３８の動作を制御する。

現像処理制御部Ｃ２３は、図２の現像処理部１３１の移動機構３９の動作、スピンチャック３５の動作および各現像ノズル３８への現像液の供給を制御する。エッジ露光制御部Ｃ２４は、Ｘ方向駆動モータ５２１（図１１）の動作、Ｙ方向駆動モータ５３１（図１１）の動作、基板回転モータ５４１の動作（図１１）および露光用光源（図示せず）の動作を制御する。

状態検出コントローラＭＣは、照明制御部Ｃ３１およびＣＣＤラインセンサ制御部Ｃ３２を有する。照明制御部Ｃ３１は、図１１の照明部５８１の動作を制御する。ＣＣＤラインセンサ制御部Ｃ３２は、図１１のＣＣＤラインセンサ５８３の動作を制御する。

（１２）基板の周縁部の状態検出処理
基板Ｗの周縁部Ｐの状態検出処理について説明する。状態検出処理では、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布が状態検出コントローラＭＣを介してメインコントローラ１１４に与えられる。ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、基板Ｗの周縁部Ｐの状態（本端部位置ＥＰからのエッジカット幅Ｄ１，Ｄ２）の検査が行われる。

図２０は、周縁部画像データｄ１に基づいて表示される周縁部画像の明るさの分布を示す図である。図２０（ａ）の例では、基板Ｗの全周縁部Ｐ上に渡って本端部位置ＥＰからのエッジカット幅Ｄ１，Ｄ２がほぼ一定で許容範囲内にある。この場合、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が許容上限値以下であり、かつエッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量およびリンス液の吐出位置が適正であったと判定される。

図２０（ｂ）の例では、基板Ｗの全周縁部Ｐ上に渡って本端部位置ＥＰからのエッジカット幅Ｄ１，Ｄ２の平均値は許容範囲内にあるが、エッジカット幅Ｄ１，Ｄ２が大きく変化している。この場合、エッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量およびリンス液の吐出位置は適正であったが、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が許容上限値を超えていたと判定される。

図２０（ｃ）の例では、基板Ｗの全周縁部Ｐ上に渡って本端部位置ＥＰからのエッジカット幅Ｄ１，Ｄ２がほぼ一定であるが、許容範囲の下限値よりも小さい。この場合、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量は許容上限値以下であるが、エッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量またはリンス液の吐出位置が適正でなかったと判定される。

図２０（ｄ）の例では、基板Ｗの全周縁部Ｐ上に渡って本端部位置ＥＰからのエッジカット幅Ｄ１，Ｄ２が大きく変化し、かつエッジカット幅Ｄ１，Ｄ２の平均値は許容範囲の下限値よりも小さい。この場合、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が許容上限値を超え、かつエッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されるリンス液の流量またはリンス液の吐出位置が適正でなかったと判定される。

図２１および図２２は、図１９のメインコントローラ１１４による基板Ｗの周縁部Ｐの状態検出処理を示すフローチャートである。以下の説明では、エッジカット幅Ｄ１についての基板の周縁部Ｐの状態検出処理を説明するが、エッジカット幅Ｄ２についての基板の周縁部Ｐの状態検出処理もエッジカット幅Ｄ１についての基板の周縁部Ｐの状態検出処理と同様である。

まず、メインコントローラ１１４は、ローカルコントローラＬＣ２および搬送制御部Ｃ２２を通して図４の搬送機構１３７を制御することにより、図１１のエッジ露光部ＥＥＷのスピンチャック５４３上に基板Ｗを載置させる。また、メインコントローラ１１４は、ローカルコントローラＬＣ２およびエッジ露光制御部Ｃ２４を通して図１１のスピンチャック５４３を制御することにより、スピンチャック５４３上に基板Ｗを吸着保持させる（ステップＳ１１）。

次に、メインコントローラ１１４は、ローカルコントローラＬＣ２およびエッジ露光制御部Ｃ２４を通してスピンチャック５４３を制御することにより、スピンチャック５４３に保持された基板Ｗを所定の角度分だけ回転させる（ステップＳ１２）。基板Ｗが回転する期間に、メインコントローラ１１４は、図１１のＣＣＤラインセンサ５８３の受光量分布に基づいて、周縁部画像データｄ１を作成する（ステップＳ１３）。

次に、メインコントローラ１１４は、作成した周縁部画像データｄ１を図１９のホストコンピュータ８０に送信する（ステップＳ１４）。ホストコンピュータ８０は、メインコントローラ１１４からの周縁部画像データｄ１を記憶する。ユーザは、ホストコンピュータ８０またはそのホストコンピュータ８０に接続された端末装置により、必要に応じて周縁部画像データｄ１を確認することができる。

なお、メインコントローラ１１４が周縁部画像データｄ１を記憶してもよい。その場合、ユーザが必要に応じて図１のメインパネルＰＮにより周縁部画像データｄ１を確認することができる。また、任意のタイミングでメインコントローラ１１４からホストコンピュータ８０に周縁部画像データｄ１を送信することができる。

次に、メインコントローラ１１４は、図１８の基板Ｗの主面の端部Ｅの位置の決定処理を実行する（ステップＳ１５）。続いて、メインコントローラ１１４は、本端部位置ＥＰおよび作成した周縁部画像データｄ１に基づいて、エッジカット幅Ｄ１の平均値を算出する（ステップＳ１６）。また、メインコントローラ１１４は、本端部位置ＥＰおよび作成した周縁部画像データｄ１に基づいて、エッジカット幅Ｄ１の最大値と最小値との差を算出する（ステップＳ１７）。エッジカット幅Ｄ１の最大値と最小値との差は、エッジカット幅Ｄ１のばらつき（変化量）に相当する。

次に、メインコントローラ１１４は、基板ＷのステップＳ１６で算出されたエッジカット幅Ｄ１の平均値が予め設定された許容範囲内であるか否かを判定する（ステップＳ１８）。エッジカット幅Ｄ１の平均値が許容範囲内である場合、メインコントローラ１１４は、図２の塗布処理室２２（または塗布処理室２４）のエッジリンスノズル３０から基板Ｗへ吐出されたリンス液の流量およびリンス液の吐出位置が適正であったと判定する。

さらに、メインコントローラ１１４は、ステップＳ１７で算出されたエッジカット幅Ｄ１の差が予め設定されたしきい値以下であるか否かを判定する（ステップＳ１９）。エッジカット幅Ｄ１の差がしきい以下である場合、メインコントローラ１１４は、図２の塗布処理室２２（または塗布処理室２４）において、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が許容上限値以下であったと判定する。このときの基板Ｗの周縁部画像データｄ１に基づく周縁部画像は、図２０（ａ）のようになる。その後、メインコントローラ１１４は、基板Ｗの周縁部Ｐの状態検出処理を終了する。

ステップＳ１９において、エッジカット幅Ｄ１の差がしきい値を超える場合、メインコントローラ１１４は、塗布処理室２２（または塗布処理室２４）において、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が許容上限値を超えていたと判定する。このときの基板Ｗの周縁部画像データｄ１に基づく周縁部画像は、図２０（ｂ）のようになる。

この場合、メインコントローラ１１４は、塗布処理室２２（または塗布処理室２４）のスピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が小さくなるように、ローカルコントローラＬＣ１および搬送制御部Ｃ１２を通して搬送機構１２７（または搬送機構１２８）の動作を補正する（ステップＳ２０）。その後、メインコントローラ１１４は、基板Ｗの周縁部Ｐの状態検出処理を終了する。

ステップＳ１８において、エッジカット幅Ｄ１の平均値が許容範囲外である場合、メインコントローラ１１４は、図２の塗布処理室２２（または塗布処理室２４）のエッジリンスノズル３０から基板Ｗへのリンス液の流量またはリンス液の吐出位置が適正でなかったと判定する。

この場合、メインコントローラ１１４は、ステップＳ１７で算出されたエッジカット幅Ｄ１の差がしきい値以下であるか否かを判定する（ステップＳ２１）。エッジカット幅Ｄ１の差がしきい以下である場合、メインコントローラ１１４は、図２の塗布処理室２２（または塗布処理室２４）において、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が許容上限値以下であったと判定する。このときの基板Ｗの周縁部画像データｄ１に基づく周縁部画像は、図２０（ｃ）のようになる。

その後、メインコントローラ１１４は、図５のリンス液供給系３０ｂにおける流量センサにより測定されるリンス液の流量が設定値に等しいか否かを判定する（ステップＳ２２）。リンス液の流量が設定値とは異なる場合、メインコントローラ１１４は、警報を出力する（ステップＳ２３）。警報の出力としては、例えばブザー等による警報音の発生、またはランプ等による警報表示が行われる。その後、メインコントローラ１１４は、基板Ｗの周縁部Ｐの状態検出処理を終了する。

ステップＳ２２において、リンス液の流量が設定値に等しい場合、メインコントローラ１１４は、エッジリンスノズル３０からのリンス液の吐出位置が適正でなかったと判定する。この場合、メインコントローラ１１４は、ローカルコントローラＬＣ１および塗布処理制御部Ｃ１３を通して図５のエッジリンスノズル駆動部３０ａを制御することにより、エッジリンスノズル３０からのリンス液の吐出位置を調整する（ステップＳ２４）。

例えば、ステップＳ１６において算出されたエッジカット幅Ｄ１の平均値が許容範囲の下限値よりも小さい場合には、メインコントローラ１１４は、エッジリンスノズル３０を基板Ｗの中心に近づく方向に一定量移動させる。逆に、ステップＳ１６において算出されたエッジカット幅Ｄ１の平均値が許容範囲の上限値よりも大きい場合には、メインコントローラ１１４は、エッジリンスノズル３０を基板Ｗの中心から遠ざかる方向に一定量移動させる。その後、メインコントローラ１１４は、基板Ｗの周縁部Ｐの状態検出処理を終了する。

ステップＳ２１において、エッジカット幅Ｄ１の差がしきい値を超える場合、メインコントローラ１１４は、塗布処理室２２（または塗布処理室２４）において、スピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が許容上限値を超えていたと判定する。このときの基板Ｗの周縁部画像データｄ１に基づく周縁部画像は、図２０（ｄ）のようになる。この場合、メインコントローラ１１４は、塗布処理室２２（または塗布処理室２４）のスピンチャック２５上の基板Ｗの偏心量が小さくなるように、ローカルコントローラＬＣ１および搬送制御部Ｃ１２を通して搬送機構１２７（または搬送機構１２８）の動作を補正する（ステップＳ２５）。

その後、メインコントローラ１１４は、図５のリンス液供給系３０ｂにおける流量センサにより測定されるリンス液の流量が設定値に等しいか否かを判定する（ステップＳ２６）。リンス液の流量が設定値とは異なる場合、メインコントローラ１１４は、警報を出力する（ステップＳ２７）。その後、メインコントローラ１１４は、基板Ｗの周縁部Ｐの状態検出処理を終了する。

ステップＳ２６において、リンス液の流量が設定値に等しい場合、メインコントローラ１１４は、ローカルコントローラＬＣ１および塗布処理制御部Ｃ１３を通して図５のエッジリンスノズル駆動部３０ａを制御することにより、エッジリンスノズル３０からのリンス液の吐出位置を調整する（ステップＳ２８）。その後、メインコントローラ１１４は、基板Ｗの周縁部Ｐの状態検出処理を終了する。

（１３）効果
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、基板Ｗの最外周部ＯＭの内側における基板Ｗの主面上のそれぞれ所定幅の周縁部を除いて基板Ｗの主面上に反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２が形成される。基板Ｗの主面上の反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２の少なくとも一部および周縁部に光が照明部５８１により照射され、基板Ｗからの反射光がＣＣＤラインセンサ５８３により受光される。また、ＣＣＤラインセンサ５８３の受光量に対応する周縁部画像データｄ１が取得される。

ここで、基板Ｗの主面は平坦でありかつ主面の周縁部上には反射防止膜Ｆ１およびレジスト膜Ｆ２が形成されていない。そのため、周縁部からの反射光に基づく受光量はほぼ一定となる。一方、基板Ｗの主面の端部Ｅと基板Ｗの最外周部ＯＭとの間のベベル部Ｂは基板Ｗの主面に対して傾斜しまたは湾曲している。

よって、ベベル部Ｂからの反射光に基づく受光量は、周縁部からの反射光に基づく受光量とは異なる。それにより、基板Ｗからの反射光に基づく受光量が基板Ｗの主面の端部Ｅを境界として変化する。したがって、基板Ｗの主面上の周縁部内の基準位置ＳＰから基板Ｗの最外周部ＯＭに向かう方向における周縁部画像データｄ１の値（階調値）の変化に基づいて基板Ｗの主面の端部Ｅの位置を決定することができる。

この場合、周縁部画像データｄ１の値（階調値）が変化する位置は、ベベル部Ｂの表面の形状および表面の状態の影響を受けない。したがって、基板Ｗのベベル部Ｂの表面の形状および表面の状態に個体差がある場合でも、基板Ｗの主面の端部Ｅの位置を正確に決定することができる。その結果、基板Ｗの主面上のエッジカット幅Ｄ１，Ｄ２を正確に測定することが可能になる。

（１４）他の実施の形態
上記実施の形態において、暫定端部位置ＢＰから一定個数分の画素だけ内側の位置が基準位置ＳＰとして決定されるがこれに限定されない。他の手法により基準位置ＳＰが決定されてもよい。例えば、基板Ｗの中心から予め定められた所定の距離の位置が基準位置ＳＰとして決定されてもよい。この場合、基板Ｗのサイズに基づいて基準位置ＳＰを容易に決定することができる。また、暫定端部位置ＢＰを決定することなく基準位置ＳＰを決定することができるので、図１８のステップＳ１の処理を省略してもよい。

また、周縁部画像の階調値の変化に基づいて基準位置ＳＰが決定されてもよい。例えば、基板Ｗの複数の位置からの反射光に基づくＣＣＤラインセンサ５８３の受光量に対応する階調値が取得され、取得されたた階調値があらかじめ定められたしきい値よりも大きい基板Ｗの位置が基準位置ＳＰとして決定されてもよい。この場合でも、暫定端部位置ＢＰを決定することなく基準位置ＳＰを決定することができるので、図１８のステップＳ１の処理を省略してもよい。

あるいは、暫定端部位置ＢＰから基板Ｗの中心に向かう方向において一画素ごとに階調値が取得され、連続する一定個数分の画素の階調値の平均値が算出される。一定個数分の画素が移動されながら一定個数分の画素の平均値が順次算出される。今回算出された一定個数分の画素の平均値と前回算出された一定個数分の画素の平均値との差が予め定められたしきい値よりも小さい場合に、今回の一定個数分の画素の範囲内の位置が基準位置ＳＰとして決定されてもよい。

あるいは、暫定端部位置ＢＰから基板Ｗの中心に向かう方向において一画素ごとに階調値が取得され、最大の階調値を有する画素の位置が基準位置ＳＰとして決定されてもよい。

（１５）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記の実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、最外周部ＯＭが最外周部の例であり、周縁部Ｐが周縁部の例であり、反射防止膜Ｆ１またはレジスト膜Ｆ２が処理液の膜の例である。第１の処理ブロック１２が膜形成ユニットの例であり、状態検出処理ユニット５８０が受光量検出部の例であり、周縁部画像データｄ１が受光データの例であり、基準位置ＳＰが基準位置の例であり、端部Ｅが端部の例である。メインコントローラ１１４が位置決定部の例であり、基準階調値ｓｇが第１の値の例であり、階調値ｅｇが第２の値の例であり、代表値ｏｇが第３の値の例であり、階調値ｂｇが第４の値の例である。

請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
（１６）参考形態
（１）第１の参考形態に係る基板処理装置は、少なくとも一部が円形の外周部を有するとともに平坦な主面を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜を形成する膜形成ユニットと、基板の主面上の膜の少なくとも一部および周縁部に光を照射するとともに、基板からの反射光を受光する受光量検出部と、受光量検出部の受光量に対応する受光データを取得し、基板の主面上の周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第１の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定する位置決定部とを備えるものである。
この基板処理装置においては、基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜が形成される。基板の主面上の膜の少なくとも一部および周縁部に光が照射され、基板からの反射光が受光される。また、受光量検出部の受光量に対応する受光データが取得される。
ここで、基板の主面は平坦でありかつ主面の周縁部上には膜が形成されていない。そのため、周縁部からの反射光に基づく受光量はほぼ一定となる。一方、基板の主面の端部と基板の最外周部との間のベベル部は基板の主面に対して傾斜しまたは湾曲している。よって、ベベル部からの反射光に基づく受光量は、周縁部からの反射光に基づく受光量とは異なる。それにより、基板からの反射光に基づく受光量が基板の主面の端部を境界として変化する。したがって、基板の主面上の周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第１の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定することができる。
この場合、受光データが変化する位置は、ベベル部の表面の形状および表面の状態の影響を受けない。したがって、基板のベベル部の表面の形状および表面の状態に個体差がある場合でも、基板の主面の端部の位置を正確に決定することができる。その結果、基板の主面上の膜の端部と基板の主面の端部との間の周縁部の幅を正確に測定することが可能になる。
（２）位置決定部は、基準位置に対応する受光データの値を第１の値として取得した後、取得した第１の値に対して第１の関係を有する受光データの値を第２の値として取得し、取得した第２の値に対応する基板の位置を基板の主面の端部の位置として決定してもよい。
この場合、基準位置に対応する第１の値に対して第１の関係を有する第２の値に対応する基板の位置が基板の主面の端部の位置として決定される。それにより、基板の主面の端部の位置をより正確に決定することができる。
（３）第１の関係は、第２の値が第１の値よりも一定割合または一定量小さいことを含んでもよい。この場合、基板の主面の端部の位置を正確かつ容易に決定することができる。
（４）位置決定部は、基板の外側から基板の中心に向かう第２の方向における受光データの変化に基づいて基準位置を決定してもよい。
この場合、受光データの変化に基づいて基準位置が容易に決定される。それにより、基板の主面の端部の位置を正確かつ容易に決定することができる。
（５）位置決定部は、基板の外側に対応する受光データの値を第３の値として取得した後、取得した第３の値に対して第２の関係を有する受光データの値を第４の値として取得し、取得した第４の値に対応する基板の位置から第２の方向において予め定められた距離離れた位置を基準位置として決定してもよい。
この場合、基板の外側に対応する第３の値に対して第２の関係を有する第４の値に対応する基板の位置から第２の方向において予め定められた距離離れた位置が基準位置として容易に決定される。それにより、基板の主面の端部の位置を正確かつ容易に決定することができる。
（６）第２の関係は、第４の値が第３の値よりも一定割合または一定量大きいことを含んでもよい。
この場合、基準位置がより正確かつ容易に決定される。それにより、基板の主面の端部の位置をより正確かつ容易に決定することができる。
（７）位置決定部は、基板の中心から予め定められた所定の距離の位置を基準位置として決定してもよい。
この場合、基板のサイズに基づいて基準位置が容易に決定される。それにより、基板の主面の端部の位置を正確かつ容易に決定することができる。
（８）位置決定部は、基板の複数の位置からの反射光に基づく受光量検出部の受光量に対応する受光データを取得し、取得した受光データの値が予め定められたしきい値よりも大きい基板の位置を基準位置として決定してもよい。
この場合、受光データの値が予め定められたしきい値よりも大きい基板の位置が基準位置として容易に決定される。それにより、基板の主面の端部の位置を正確かつ容易に決定することができる。
（９）第２の参考形態に係る基板処理方法は、少なくとも一部が円形の外周部を有するとともに平坦な主面を有する基板に処理を行う基板処理方法であって、基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜を形成するステップと、基板の主面上の膜の少なくとも一部および周縁部に光を照射するとともに、基板からの反射光を受光するステップと、反射光の受光量に対応する受光データを取得し、基板の主面上の周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第１の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定するステップとを備えてもよい。
この基板処理方法においては、基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜が形成される。基板の主面上の膜の少なくとも一部および周縁部に光が照射され、基板からの反射光が受光される。また、受光量検出部の受光量に対応する受光データが取得される。
ここで、基板の主面は平坦でありかつ主面の周縁部上には膜が形成されていない。そのため、周縁部からの反射光に基づく受光量はほぼ一定となる。一方、基板の主面の端部と基板の最外周部との間のベベル部は基板の主面に対して傾斜しまたは湾曲している。そのため、ベベル部からの反射光に基づく受光量は、周縁部からの反射光に基づく受光量とは異なる。それにより、基板からの反射光に基づく受光量が基板の主面の端部を境界として変化する。したがって、基板の主面上の周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第１の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定することができる。
この場合、受光データが変化する位置は、ベベル部の表面の形状および表面の状態の影響を受けない。したがって、基板のベベル部の表面の形状および表面の状態に個体差がある場合でも、基板の主面の端部の位置を正確に決定することができる。その結果、基板の主面上の膜の端部と基板の主面の端部との間の周縁部の幅を正確に測定することが可能になる。

本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。

１１ インデクサブロック
１２ 第１の処理ブロック
１３ 第２の処理ブロック
１４ インターフェイスブロック
１４Ａ 洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ 搬入搬出ブロック
１５ 露光装置
１５ａ 基板搬入部
１５ｂ 基板搬出部
２１〜２４ 塗布処理室
２５，３５ スピンチャック
２７，３７ カップ
２８ 処理液ノズル
２８ａ 把持部
２９ ノズル搬送機構
３０ エッジリンスノズル
３０ａ エッジリンスノズル駆動部
３０ｂ リンス液供給系
３１〜３４ 現像処理室
３８ 現像ノズル
３９ 移動機構
５０，６０ 流体ボックス部
８０ ホストコンピュータ
９０ 操作部
１００ 基板処理装置
１１１ キャリア載置部
１１２，１２２，１３２，１６３ 搬送部
１１３ キャリア
１１４ メインコントローラ
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６ 搬送機構
１１６，Ｈ１，Ｈ２ ハンド
１２１ 塗布処理部
１２３，１３３ 熱処理部
１２５，１３５ 上段搬送室
１２６，１３６ 下段搬送室
１２９ 塗布処理ユニット
１３１ 現像処理部
１３９ 現像処理ユニット
１６１，１６２ 洗浄乾燥処理部
２８０ 待機部
２９１〜２９３ 把持部移動機構
２９１ａ ノズル把持部
２９１ｂ 挟持アーム
２９２ａ，２９３ａ ボールねじ
２９２ｂ，２９３ｂ ガイド
３０１，３０３ 上段熱処理部
３０２，３０４ 下段熱処理部
５１０ 投光部
５２０ 投光部保持ユニット
５２１ Ｘ方向駆動モータ
５２２ Ｘ方向ボールネジ
５２３ 投光部保持ガイド
５２４ 支柱
５３１ Ｙ方向駆動モータ
５３２ 支柱保持ガイド
５３３ Ｙ方向ボールネジ
５４０ 基板回転ユニット
５４１ 基板回転モータ
５４２ 基板回転軸
５４３ スピンチャック
５８０ 状態検出処理ユニット
５８１ 照明部
５８２ 反射ミラー
５８３ ＣＣＤラインセンサ
ｂｇ，ｅｇ 階調値
Ｂ ベベル部
ＢＰ 暫定端部位置
Ｃ１１，Ｃ２１ 熱処理制御部
Ｃ１２，Ｃ２２ 搬送制御部
Ｃ１３ 塗布処理制御部
Ｃ２３ 現像処理制御部
Ｃ２４ エッジ露光制御部
Ｃ３１ 照明制御部
Ｃ３２ ＣＣＤラインセンサ制御部
ＣＰ 冷却ユニット
ｄ１ 周縁部画像データ
Ｄ１，Ｄ２ エッジカット幅
Ｅ 端部
ＥＥＷ エッジ露光部
ＥＰ 本端部位置
Ｆ１ 反射防止膜
Ｆ２ レジスト膜
ＬＣ１，ＬＣ２ ローカルコントローラ
ＭＣ 状態検出コントローラ
ｏｇ 代表値
ＯＭ 最外周部
Ｐ 周縁部
Ｐ１ 軸心
ＰＡＨＰ 密着強化処理ユニット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９ 基板載置部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２ 載置兼バッファ部
Ｐ−ＣＰ 載置兼冷却部
ＰＨＰ 熱処理ユニット
ＰＮ メインパネル
Ｒ 帯状領域
ＳＤ１，ＳＤ２ 洗浄乾燥処理ユニット
ｓｇ 基準階調値
ＳＰ 基準位置
Ｔ１ 領域
Ｗ 基板
Ｗ１ 中心

Claims (7)

1. 少なくとも一部が円形の外周部を有するとともに平坦な主面を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、
   基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜を形成する膜形成ユニットと、
   基板の主面上の膜の少なくとも一部および前記周縁部に光を照射するとともに、基板からの反射光を受光する受光量検出部と、
   前記受光量検出部の受光量に対応する受光データを取得し、基板の主面上の前記周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第１の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定する位置決定部とを備え、
   前記位置決定部は、基板の中心から予め定められた所定の距離の位置を前記基準位置として決定する、基板処理装置。
2. 少なくとも一部が円形の外周部を有するとともに平坦な主面を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、
   基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜を形成する膜形成ユニットと、
   基板の主面上の膜の少なくとも一部および前記周縁部に光を照射するとともに、基板からの反射光を受光する受光量検出部と、
   前記受光量検出部の受光量に対応する受光データを取得し、基板の主面上の前記周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第１の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定する位置決定部とを備え、
   前記位置決定部は、前記基準位置に対応する受光データの値を第１の値として取得した後、取得した第１の値に対して第１の関係を有する受光データの値を第２の値として取得し、取得した第２の値に対応する基板の位置を基板の主面の端部の位置として決定する、基板処理装置。
3. 前記第１の関係は、前記第２の値が前記第１の値よりも一定割合または一定量小さいことを含む、請求項２記載の基板処理装置。
4. 少なくとも一部が円形の外周部を有するとともに平坦な主面を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、
   基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜を形成する膜形成ユニットと、
   基板の主面上の膜の少なくとも一部および前記周縁部に光を照射するとともに、基板からの反射光を受光する受光量検出部と、
   前記受光量検出部の受光量に対応する受光データを取得し、基板の主面上の前記周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第１の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定する位置決定部とを備え、
   前記位置決定部は、基板の外側から基板の中心に向かう第２の方向における受光データの変化に基づいて前記基準位置を決定する、基板処理装置。
5. 前記位置決定部は、基板の外側に対応する受光データの値を第３の値として取得した後、取得した第３の値に対して第２の関係を有する受光データの値を第４の値として取得し、取得した第４の値に対応する基板の位置から前記第２の方向において予め定められた距離離れた位置を前記基準位置として決定する、請求項４記載の基板処理装置。
6. 前記第２の関係は、前記第４の値が前記第３の値よりも一定割合または一定量大きいことを含む、請求項５記載の基板処理装置。
7. 少なくとも一部が円形の外周部を有するとともに平坦な主面を有する基板に処理を行う基板処理装置であって、
   基板の最外周部の内側における基板の主面上の所定幅の周縁部を除いて基板の主面上に処理液の膜を形成する膜形成ユニットと、
   基板の主面上の膜の少なくとも一部および前記周縁部に光を照射するとともに、基板からの反射光を受光する受光量検出部と、
   前記受光量検出部の受光量に対応する受光データを取得し、基板の主面上の前記周縁部内の基準位置から基板の最外周部に向かう第１の方向における受光データの変化に基づいて基板の主面の端部の位置を決定する位置決定部とを備え、
   前記位置決定部は、基板の複数の位置からの反射光に基づく前記受光量検出部の受光量に対応する受光データを取得し、取得した受光データの値が予め定められたしきい値よりも大きい基板の位置を前記基準位置として決定する、基板処理装置。

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