KR101257536B1 - 도포ㆍ현상 장치 및 도포ㆍ현상 방법 및 기억 매체 - Google Patents
도포ㆍ현상 장치 및 도포ㆍ현상 방법 및 기억 매체 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101257536B1 KR101257536B1 KR1020080077205A KR20080077205A KR101257536B1 KR 101257536 B1 KR101257536 B1 KR 101257536B1 KR 1020080077205 A KR1020080077205 A KR 1020080077205A KR 20080077205 A KR20080077205 A KR 20080077205A KR 101257536 B1 KR101257536 B1 KR 101257536B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- time
- substrate
- exposure apparatus
- board
- module
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67276—Production flow monitoring, e.g. for increasing throughput
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
- G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Atmospheric Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
본 발명은 노광 후의 기판을 가열하는 가열 모듈이 가열 처리를 위해 준비가 갖추어지는 시점에 맞추어, 대기 모듈로부터 효율적으로 노광 전의 기판을 불출하고, 대기 모듈에서 불필요하게 기판이 대기하는 것을 억제하는 것이다.
체재 시간의 계산의 대상으로 되어 있는 기판보다도 앞의 기판군에 대해, 노광 장치 내에 반입출의 각 시점으로부터 계산된 노광 장치 내의 체재 시간 t3을 기초로 하여, t1 : 대기 시간 계산의 대상으로 되는 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점으로부터, 당해 기판(B1)에 사용되는 가열 모듈이 당해 기판(B1)의 가열 처리를 위해 준비가 갖추어지는 시점까지의 시간과, t2 : 상기 타이밍의 계산의 대상으로 되는 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출된 시점으로부터 당해 기판(B1)에 사용되는 가열 모듈에 도달하기까지의 시점까지의 시간을 계산하고, t1 - t2에 의해 그 대기 모듈에서의 대기 시간의 계산을 행한다.
버퍼 모듈, 웨이퍼, 캐리어, 처리 블록, 노광 후 가열 처리 유닛
Description
본 발명은, 예를 들어 반도체 웨이퍼나 LCD 기판(액정 디스플레이용 유리 기판) 등의 기판에 대해 레지스트액의 도포 처리 및 노광 후의 현상 처리를 행하는 도포ㆍ현상 장치, 도포ㆍ현상 방법 및 기억 매체에 관한 것이다.
반도체 디바이스나 LCD 기판 등의 기판에 대해 레지스트액을 도포하고, 포토마스크를 이용하여 그 레지스트막을 노광하고, 그것을 현상함으로써 소망의 레지스트 패턴을 기판 상에 제작하는 일련의 처리는 레지스트액의 도포나 현상을 행하는 도포ㆍ현상 장치에 노광 장치를 접속한 시스템을 이용하여 행해진다.
도포ㆍ현상 장치는 웨이퍼의 캐리어가 적재되고, 이 캐리어와의 사이에서 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 함)의 전달을 행하는 전달 아암을 구비한 캐리어 블록과, 웨이퍼에 대해 레지스트의 도포나 현상 처리를 행하는 처리 블록과, 노광 장치에 접속되는 인터페이스 블록을 일렬로 배열하여 구성되어 있다.
레지스트 도포 후, 노광 장치에 반입되기 전에 웨이퍼는, 웨이퍼의 온도를 조정하는 고정밀도 냉각 모듈(ICPL) → 노광 장치의 순서로 반송되고, 노광 장치에 서 노광 처리를 받은 웨이퍼는, 예를 들어 전달 스테이지(TRS)를 통해 도포ㆍ현상 장치에 복수 설치되는 동안의 하나의 노광 후 가열 처리 유닛(PEB)으로 반송되고, 거기서 가열 처리를 받은 후, 현상 유닛에서 현상 처리를 받는다.
그런데 각 캐리어에는 서로 로트가 다른 웨이퍼가 수용되어 있고, 캐리어가 차례로 도포ㆍ현상 장치로 반송되고, 선두 로트의 웨이퍼가 상기와 같이 PEB에서 가열 처리를 끝낸 후, 그 PEB에 있어서의 웨이퍼를 가열 처리하는 열판의 온도를 변경하여 후속 로트의 웨이퍼를 처리해야만 하는 경우가 있고, 따라서 상기 ICPL의 전 단계에는 복수의 웨이퍼를 수용할 수 있는 버퍼 모듈이 설치되어 있고, 그것에 일시적으로 후속 로트의 웨이퍼를 체류시킬 수 있도록 되어 있다.
이와 같은 버퍼 모듈을 설치하는 경우, PEB의 열판의 온도 변경이 종료되면 그것과 동시에, 당해 PEB에 후속 로트의 가장 선두의 웨이퍼가 반송되도록 하면, 버퍼 모듈에서의 상기 웨이퍼의 대기 시간이 적어지기 때문에, 스루풋(throughput)을 높이는 관점에서 유리하다. 또한 PEB의 열판의 온도 조정이 종료하는 것보다도 이전에 웨이퍼를 TRS로 반송하고, 거기서 대기시키는 것도 생각되나, TRS에서의 체류 시간이 길면 후속의 웨이퍼가 당해 TRS로 반송할 수 없게 되어, 후속의 웨이퍼의 반송을 정지해야만 하기 때문에 득책은 아니다.
따라서 본 발명자는, 상기한 타이밍에서 후속 로트의 가장 선두의 웨이퍼가 PEB로 반송되도록, 버퍼 모듈에 있어서 선두 로트의 웨이퍼가 존재하지 않고, 또한 버퍼 모듈로부터 그 후속 로트의 상기 PEB로 반송되는 가장 선두의 웨이퍼를 취출하여 노광 장치측으로 반송하는 반송 수단이 그 웨이퍼를 반송할 수 있는 상태가 되는 시점(P)으로부터 실제로 그 웨이퍼가 버퍼 모듈로부터 불출되는 시점까지의 시간인 대기 시간 t를 계산하고, 그 대기 시간 t에 따라서 버퍼 모듈로부터의 불출을 행하는 것을 검토하고 있다.
이 대기 시간 t의 계산에 대해 상세하게는 발명의 실시 형태에서 서술하나, 여기서도 간단히 설명한다. 우선 상기 시점(P)으로부터, 그 대기 시간의 계산 대상으로 되는 웨이퍼가 반입되는 PEB에서 선두 로트의 웨이퍼의 처리가 종료되고, 그 열판이 계산 대상의 웨이퍼를 처리하는 처리 온도가 되도록 정정되기까지의 시간 t1과, 버퍼 모듈로부터 웨이퍼가 불출 후, PEB에 도달하기까지의 시간 t2가 계산된다. 계속해서 (t1 - t2)가 계산되고, 이 계산값이 상기 대기 시간 t로서 설정된다.
상기 t1은 상기 시점(P)으로부터 이미 노광 장치에 반입된 선두 로트의 소정의 PEB로 반송되는 마지막의 웨이퍼가 당해 노광 장치로부터 반출되기까지의 잔류 시간과, 그 웨이퍼가 노광 장치로부터 상기 PEB까지 반송되는 시간과, 그 PEB에서의 가열 처리 시간 및 그 PEB의 상기 정정 시간을 가산한 것이 되고, 상기 t2는 상기 대기 시간의 계산 대상의 후속 로트의 웨이퍼가 버퍼 모듈로부터 노광 장치로 반송되기까지의 시간과, 그 웨이퍼의 노광 장치 내의 체재 시간과, 노광 장치로부터 PEB까지 반송되는 시간을 가산한 것이 된다.
그런데 통상, 노광 장치는 상기와 같은 선두 로트의 노광 장치의 잔류 시간 및 후속 로트의 노광 장치의 체재 시간 등의 정보를 도포ㆍ현상 장치로 전달하지 않고, 따라서 본 발명자는, 상기한 상기 t1 및 t2를 계산하는데 있어서, 노광 장치 에 있어서의 상기 선두 로트의 잔류 시간 및 후속 로트의 체재 시간을 0초로 각각 설정하고, 그것을 기초로 하여 대기 시간 t를 결정하고, 도10의 (a)와 같이 PEB의 온도 정정 종료의 타이밍과 후속 로트의 그 PEB로 반송되는 선두의 웨이퍼의 반송의 타이밍을 맞추어 넣는 것을 검토했다.
그러나 실제로는 노광 장치에 있어서의 상기 선두 로트의 잔류 시간 및 후속 로트의 체재 시간은 0초가 아니기 때문에, 실제로 반송을 행하면, 도10의 (b)에 도시한 바와 같이, PEB 온도 정정 종료의 타이밍과, 다음 로트의 웨이퍼가 당해 PEB에 도착하는 타이밍이 어긋나 버려, 필요 이상으로 긴 시간, 웨이퍼가 버퍼 모듈에 체류하여, 스루풋의 저하의 요인으로 되어 버릴 우려가 있다. 또한 PEB에서 보면, 도11에 도시한 바와 같이 온도 정정 종료 후로부터 웨이퍼가 반송되기까지의 시간이 길어져, 그 시간에 있어서는 웨이퍼를 가열하기 위한 전력 등이 불필요하게 소비되게 되어 버린다.
본 발명은 이와 같은 사정하에 이루어진 것으로, 그 목적은 노광 장치에 접속된 기판에 대해 레지스트액의 도포나 현상을 행하는 도포ㆍ현상 장치에 있어서, 노광 후의 기판을 가열하는 가열 모듈이 가열 처리를 위해 준비가 갖추어지는 시점에 맞추어, 레지스트 도포 후, 노광 전의 기판이 대기하는 대기 모듈로부터 효율적으로 기판을 불출하고, 대기 모듈에서 불필요하게 기판이 대기하는 것을 억제할 수 있는 도포ㆍ현상 장치, 도포ㆍ현상 방법 및 기억 매체를 제공하는 것이다.
본 발명의 도포ㆍ현상 장치는 캐리어 블록에 반입된 캐리어로부터 취출된 기판에 대해 레지스트의 도포 및, 노광 후의 기판에 대해 현상을 행하기 위한 도포ㆍ현상 장치에 있어서,
레지스트가 도포되고, 노광 전의 기판이 대기하는 대기 모듈과,
이 대기 모듈에 배치된 기판을 노광 장치의 반입 포트로 반송하는 동시에 노광 후의 기판을 상기 노광 장치의 반출 포트로부터 수취하여, 복수의 가열 모듈 중에서 선택된 가열 모듈로 반송하는 반송 수단과,
상기 복수의 가열 모듈 중, 후속 로트에 사용되는 복수의 가열 모듈의 각각에 반입되는 당해 후속 로트의 가장 선두의 기판을 상기 대기 모듈로부터 반출하는 타이밍을 계산하는 계산 수단과,
이 계산 수단에 의해 계산된 타이밍에서 상기 대기 모듈로부터 기판을 반출 하도록 상기 반송 수단을 제어하는 수단을 구비하고,
상기 계산 수단은,
t1 : 상기 타이밍의 계산의 대상으로 되는 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점으로부터, 당해 기판(B1)에 사용되는 가열 모듈이 당해 기판(B1)의 가열 처리를 위해 준비가 갖추어지는 시점까지의 시간
t2 : 상기 타이밍의 계산의 대상으로 되는 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출된 시점으로부터 당해 기판(B1)에 사용되는 가열 모듈에 도달하는 시점까지의 시간
t : 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점으로부터 당해 기판(B1)을 반출하는 시점까지의 대기 시간
이라 하면, t = t1 - t2의 계산을 행하고,
t1은, 상기 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점에 있어서, 당해 기판(B1)에 사용되는 가열 모듈에서 처리되는 선두 로트의 기판 중 마지막에 처리되는 기판(A1)이 당해 시점으로부터 노광 장치의 반출 포트로 반출되기까지의 노광 장치 내의 잔류 예측 시간 t11과, 상기 기판(A1)이 상기 반출 포트로부터 상기 가열 모듈로 반송되고 또한 가열 처리가 행해지고, 당해 가열 처리에 계속해서 당해 가열 모듈이 후속 로트의 상기 기판(B1)을 위해 정정되기까지의 시간 t12와의 합계 시간이고,
t2는, 기판(B1)이 대기 모듈로부터 노광 장치의 반입 포트로 반입되기까지의 시간 t21과, 노광 장치 내의 체재 시간 t3과, 노광 장치로부터 반출된 기판(B1)이 상기 가열 모듈로 반송되기까지의 시간 t23과의 합계 시간이고,
노광 장치 내의 체재 시간 t3은, 체재 시간의 계산의 대상으로 되어 있는 기판보다도 앞의 기판군에 대해, 노광 장치 내에 반입된 시점으로부터 노광 장치로부터 반출된 시점까지의 시간을 기초로 하여 계산된 시간이고,
기판(A1)에 있어서의 노광 장치 내의 잔류 예측 시간 t11은, 기판(A1)이 노광 장치 내에 반입된 시점으로부터, 상기 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점까지의 시간을, 기판(A1)에 대한 노광 장치 내의 체재 시간 t3으로부터 뺀 나머지 시간인 것을 특징으로 한다.
예를 들어 상기 노광 장치 내의 체재 시간 t3은, 체재 시간의 계산의 대상으로 되어 있는 기판보다도 앞의 기판군의 각 기판의 노광 장치 내의 체재 시간을 적산하고, 그 적산값을 적산에 이용한 기판의 매수로 나눈 값이며, 기판이 노광 장치로부터 반출될 때마다 갱신되고, 이상 기판 및 노광 장치 내의 체재 시간이 상한 시간보다도 긴 기판에 대해서는, 예를 들어 상기 적산의 대상으로부터 제외해도 좋다.
예를 들어 상기 대기 모듈로부터 노광 장치의 반입 포트에 이르기까지의 기판의 반송 경로의 도중에는 기판을 노광 장치 내의 온도로 조정하기 위한 온도 조절 모듈이 개재되어 있고, 또한 상기 노광 장치의 반출 포트로부터 상기 가열 모듈에 이르기까지의 기판의 반송 경로의 도중에는 기판의 전달을 행하기 위한 전달 모듈이 개재되어 있어도 좋다. 또한 상기 복수의 가열 모듈 중에는 선두 로트에 사용되지 않은 미사용 가열 모듈이 포함되고,
상기 계산 수단은,
상기 타이밍의 계산의 대상으로 되는 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점으로부터, 상기 미사용 가열 모듈이 당해 기판(B1)의 가열 처리를 위해 준비가 갖추어지는 시점까지의 시간 t1'을 계산하고,
이 계산된 시간 t1'과, 상기 t11과 t12의 합계 시간이 짧은 쪽의 시간을 t1로 하여 대기 시간 t를 계산하도록 구성되어 있어도 좋다.
본 발명의 도포ㆍ현상 방법은 레지스트가 도포되고, 노광 전의 기판이 대기하는 대기 모듈과, 이 대기 모듈에 배치된 기판을 노광 장치의 반입 포트로 반송하는 동시에 노광 후의 기판을 상기 노광 장치의 반출 포트로부터 수취하여, 복수의 가열 모듈 중에서 선택된 복수의 가열 모듈로 반송하는 반송 수단과, 상기 가열 모듈에서 가열된 기판에 대해 현상 처리를 행하는 현상 모듈을 구비한 도포ㆍ현상 장치를 운전하는 방법에 있어서,
상기 복수의 가열 모듈 중, 후속 로트에 사용되는 복수의 가열 모듈의 각각에 반입되는 당해 후속 로트의 가장 선두의 기판을 상기 대기 모듈로부터 반출하는 타이밍을 계산하는 계산 공정과,
이 계산 공정에 의해 계산된 타이밍에서 상기 대기 모듈로부터 기판을 반출하는 공정을 구비하고,
상기 계산 공정은,
t1 : 상기 타이밍의 계산의 대상으로 되는 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점으로부터, 당해 기판(B1)에 사용되는 가열 모듈이 당해 기판(B1)의 가열 처리를 위해 준비가 갖추어지는 시점까지의 시간
t2 : 상기 타이밍의 계산의 대상으로 되는 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출된 시점으로부터 당해 기판(B1)에 사용되는 가열 모듈에 도달하는 시점까지의 시간
t : 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점으로부터 당해 기판(B1)을 반출하는 시점까지의 대기 시간
이라 하면, t = t1 - t2의 계산을 행하고,
t1은, 상기 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점에 있어서, 당해 기판(B1)에 사용되는 가열 모듈에서 처리되는 선두 로트의 기판 중 마지막에 처리되는 기판(A1)이 당해 시점으로부터 노광 장치의 반출 포트로 반출되기까지의 노광 장치 내의 잔류 예측 시간 t11과, 상기 기판(A1)이 상기 반출 포트로부터 상기 가열 모듈로 반송되고 또한 가열 처리가 행해지고, 당해 가열 처리에 계속해서 당해 가열 모듈이 후속 로트의 상기 기판(B1)을 위해 정정되기까지의 시간 t12와의 합계 시간이고,
t2는, 기판(B1)이 대기 모듈로부터 노광 장치의 반입 포트로 반입되기까지의 시간 t21과, 노광 장치 내의 체재 시간 t3과, 노광 장치로부터 반출된 기판(B1)이 상기 가열 모듈로 반송되기까지의 시간 t23과의 합계 시간이고,
노광 장치 내의 체재 시간 t3은, 체재 시간의 계산의 대상으로 되어 있는 기판보다도 앞의 기판군에 대해, 노광 장치 내에 반입된 시점으로부터 노광 장치로부터 반출된 시점까지의 시간을 기초로 하여 계산된 시간이고,
기판(A1)에 있어서의 노광 장치 내의 잔류 예측 시간 t11은, 기판(A1)이 노광 장치 내에 반입된 시점으로부터, 상기 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점까지의 시간을, 기판(A1)에 대한 노광 장치 내의 체재 시간 t3으로부터 뺀 나머지 시간인 것을 특징으로 한다.
예를 들어 상기 노광 장치 내의 체재 시간 t3은, 체재 시간의 계산의 대상으로 되어 있는 기판보다도 앞의 기판군의 각 기판의 노광 장치 내의 체재 시간을 적산하고, 그 적산값을 적산에 이용한 기판의 매수로 나눈 값이며, 기판이 노광 장치로부터 반출될 때마다 갱신되고, 이상 기판 및 노광 장치 내의 체재 시간이 상한 시간보다도 긴 기판에 대해서는, 상기 적산의 대상으로부터 제외해도 좋고, 상기 대기 모듈로부터 노광 장치의 반입 포트에 이르기까지의 기판의 반송 경로의 도중에는, 예를 들어 기판을 노광 장치 내의 온도로 조정하기 위한 온도 조절 모듈이 개재되어 있다. 또한 상기 복수의 가열 모듈 중에는 선두 로트에 사용되지 않은 미사용 가열 모듈이 포함되고,
상기 계산 공정은,
상기 타이밍의 계산의 대상으로 되는 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점으로부터, 상기 미사용 가열 모듈이 당해 기판(B1)의 가열 처리를 위해 준비가 갖추어지는 시점까지의 시간 t1'을 계산하고,
이 계산된 시간 t1'과, 상기 t11과 t12의 합계 시간이 짧은 쪽의 시간을 t1로 하여 대기 시간 t를 계산하도록 구성되어 있어도 좋다.
본 발명의 기억 매체는 캐리어 블록에 반입된 캐리어로부터 취출된 기판에 대해 레지스트의 도포 및, 노광 후의 기판에 대해 현상을 행하기 위한 도포ㆍ현상 장치에 이용되는 컴퓨터상에서 동작하는 프로그램을 저장한 기억 매체이며,
상기 프로그램은 상술한 도포ㆍ현상 방법에 이용되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서는 기판의 노광 장치 내의 체재 시간 t3을 대기 모듈에 있어서의 대기 시간의 계산 대상으로 되어 있는 후속 로트의 가장 선두의 기판보다도 앞의 기판군의 노광 장치의 반입, 반출 시간을 기초로 하여 계산하고 있다. 그리고 상기 체재 시간 t3을 기초로 하여, 상기 기판에 사용되는 가열 모듈로 반송되는 선두 로트의 기판의 노광 장치 내의 잔류 예측 시간 t11을 계산하고, 또한 그 잔류 예측 시간 t11을 기초로 하여 상기 반송 가능 시점으로부터의 상기 가열 모듈의 가열 처리 준비가 갖추어질 때까지의 시간 t1을 계산하는 한편, 체재 시간 t3으로부터 상기 대기 시간의 계산 대상으로 되어 있는 기판이 상기 가열 모듈에 도달하기까지의 시간 t2를 계산하고, 계속해서 t1 - t2에 의해 상기 대기 모듈의 체재 시간 t를 계산하고 있다. 이와 같이 계산된 체재 시간 t를 기초로 하여 대기 모듈로부터의 기판의 반송을 행함으로써 상기 가열 처리 준비가 갖추어질 때까지의 시간과, 상기 계산 대상인 기판이 가열 모듈에 도달하기까지의 시간과의 어긋남이 억제되고, 대기 모듈에서 불필요하게 상기 기판이 체류하는 시간이 억제됨으로써 스루풋의 저하를 억제할 수 있다.
계속해서 본 발명의 제1 실시 형태인 도포ㆍ현상 장치(1)에 대해 도1 및 도2를 참조하면서 설명한다. 도면 중 부호 11은 기판인 웨이퍼(W)가 예를 들어 25매 밀폐 수납된 캐리어[C(C1, C2)]를 반입출하기 위한 캐리어 블록이며, 캐리어(C)를 복수개 적재 가능한 적재부(14)를 구비한 캐리어 스테이션(12)과, 이 캐리어 스테이션(12)에서 보아 전방의 벽면에 설치되는 개폐부(13)와, 개폐부(13)를 통해 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하기 위한 전달 수단(1A)이 설치되어 있다. 각 캐리어(C)에는 각각 다른 로트의 웨이퍼(W)가 수납되어 있다.
캐리어 블록(11)의 안쪽에는 하우징(22)으로 주위가 둘러싸이는 처리 블록(21)이 접속되어 있고, 이 처리 블록(21)에는 전방측으로부터 차례로 가열ㆍ냉각계의 유닛을 다단화한 선반 유닛(U1, U2, U3)과, 후술하는 도포ㆍ현상 유닛을 포함하는 각 처리 유닛 사이의 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 주 반송 수단(2A, 3A)이 교대로 배열하여 설치되어 있다. 즉, 선반 유닛(U1, U2, U3) 및 주 반송 수단(2A, 3A)은 캐리어 블록(11)측에서 보아 전후 일렬로 배열되는 동시에, 각각의 접속 부위에는 도시하지 않는 웨이퍼 반송용의 개구부가 형성되어 있고, 웨이퍼(W)는 처리 블록(21) 내를 일단측의 선반 유닛(U1)으로부터 타단측의 선반 유닛(U3)까지 자유롭게 이동할 수 있도록 되어 있다. 또한, 주 반송 수단(2A, 3A)은 캐리어 블록(11)으로부터 보아 전후 방향으로 배치되는 선반 유닛(U1, U2, U3)측의 일면부와, 후술하는 예를 들어 우측의 액 처리 유닛(U4, U5)측의 일면부와, 좌측의 일면을 이루는 배면부로 구성되는 구획벽(23)에 의해 둘러싸이는 공간 내에 배치되어 있고, 미리 설정된 일련의 모듈 사이를 순서대로 사이클로 이동하는 사이클 반송을 행하고, 이에 의해 웨이퍼가 순서대로 이동해 가게 된다. 또한 도면 중 부호 24, 25는 각 유닛에서 이용되는 처리액의 온도 조절 장치나 온습도 조절용의 덕트 등을 구비한 온습도 조절 유닛이다.
액 처리 유닛(U4, U5)은, 예를 들어 도2에 도시한 바와 같이 도포액(레지스트액)이나 현상액 등의 약액 공급용의 공간을 이루는 수납부(26) 상에 도포 유닛(COT), 현상 유닛(DEV) 및 반사 방지막 형성 유닛(BARC) 등을 복수단 예를 들어 5단으로 적층한 구성으로 되어 있다. 또한 상술한 선반 유닛(U1, U2, U3)은 액 처리 유닛(U4, U5)에서 행해지는 처리의 전처리 및 후처리를 행하기 위한 각종 유닛을 복수단 예를 들어 10단으로 적층한 구성으로 되어 있고, 웨이퍼(W)를 가열(베이크)하는 가열 유닛, 웨이퍼(W)를 냉각하는 냉각 유닛 등을 포함하고 있다. 또한 선반 유닛(U1)에는, 캐리어 블록(11)과 처리 블록(21) 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하기 위한 전달 유닛이, 선반 유닛(U3)에는 처리 블록(21)과 인터페이스 블록(31) 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전달 유닛(27) 및 노광 후의 웨이퍼(W)를 가열하는 노광 후 가열 처리 유닛(PEB1 내지 PEB4)이 각각 복수 포함되어 있다(도3 참조). PEB1 내지 PEB4는 온도 변경 가능한 열판을 구비하고 있다.
선반 유닛(U3)의 안쪽에는, 예를 들어 제1 반송실(32) 및 제2 반송실(33)로 이루어지는 인터페이스 블록(31)을 통해 노광 장치(4)가 접속되어 있다. 도3을 이용하여 인터페이스 블록(31)에 대해 설명한다. 제1 반송실(32)은 예를 들어 복수의 전달 스테이지(TRS) 및 웨이퍼(W)를 노광 장치(4) 내의 온도로 조정하기 위한 고정밀도 냉각 모듈(ICPL3)이 적층되어 이루어지는 선반 유닛(U6)과, 복수의 웨이퍼(W)를 일시 체류시키기 위한 대기 모듈인 버퍼 모듈(BM)과, 전달 수단(4A)을 구비하고 있고, 제2 반송실(33)은 전달 수단(5A)을 구비하고 있다.
전달 수단(4A)은 선반 유닛(U6) 및 선반 유닛(U3)의 각 모듈(웨이퍼가 적재 되는 장소를 이와 같이 부름)과, 버퍼 모듈(BM)에 액세스할 수 있도록 구성되어 있다. 전달 수단(5A)은 선반 유닛(U6)의 각 모듈에 액세스할 수 있고, 또한 노광 장치(4)에 설치되는 반입 포트(41)에 노광 전의 웨이퍼(W)를 반송하고, 마찬가지로 노광 장치(4)에 설치되는 반출 포트(42)로부터 노광 종료된 웨이퍼(W)를 반출할 수 있도록 구성되어 있다. 또한 노광 장치(4)는 처리하는 기판이 이상이라 판정한 경우에는 그것에 대응하는 신호를 제어부(100)에 출력하도록 구성되어 있다.
각 전달 모듈, 전달 스테이지, 가열 유닛 등의 처리 유닛 등을 모듈이라 부르는 것으로 하면, 이들 모듈에 대해서는, 웨이퍼(W)가 전달되었을 때, 혹은 불출되었을 때에 그 모듈에 대한 각각 반출 가능 상태, 반입 가능 상태로 된다. 즉 임의의 모듈에 대해 반입 가능 상태로 되었을 때라 함은 전단의 모듈로부터 웨이퍼(W)의 수용이 가능한 것을 나타내고, 반출 가능 상태로 되었을 때라 함은 그 모듈에서의 처리가 종료되고, 웨이퍼(W)를 반출 가능한 것을 나타낸다. 또한 노광 장치(4)에 대해서도 웨이퍼(W)가 반출 포트(42)에 적재되었을 때에 그 웨이퍼(W)가 노광 장치(4)로부터 반출 가능 상태이며, 웨이퍼(W)가 반입 포트(41)로 반송 가능하게 되었을 때에 노광 장치(4)에 반입 가능 상태로 된다. 이와 같이 각 모듈 및 노광 장치(4)에 있어서 웨이퍼(W)가 반입 가능 상태, 반출 가능 상태가 되면 예를 들어 각각 제어부(100)에 아웃 레디 신호, 인 레디 신호가 출력되고, 이들 레디 신호를 기초로 하여, 제어부(100)가 지금 어느 모듈로부터 어느 모듈로의 반송이 가능한지를 판단할 수 있게 된다.
계속해서 제어부(100)에 대해 설명한다. 제어부(100)는, 예를 들어 컴퓨터 로 이루어지고, 도시하지 않은 프로그램 저장부를 갖고 있다. 이 프로그램 저장부에는, 후술하는 작용에서 설명하는 현상 처리가 행해지도록 명령이 짜여진, 예를 들어 소프트웨어로 이루어지는 프로그램이 저장되고, 이 프로그램이 제어부(100)에 판독됨으로써 제어부(100)는 후술하는 바와 같이 웨이퍼의 반송을 행하기 위해 각 반송 수단의 동작 등을 제어한다. 이 프로그램은, 예를 들어 하드 디스크, 콤팩트 디스크, 마그네트 옵티컬 디스크 또는 메모리 카드 등의 기억 매체에 수납된 상태로 프로그램 저장부에 저장된다.
또한 제어부(100)에는 도시하지 않은 입력 화면이 설치되고, 후술하는 바와 같이 제어부(100)가 노광 장치(4)에 있어서의 체재 시간을 결정하기 위해 사용하는 상한 시간을 오퍼레이터가 이 입력 화면으로부터 입력함으로써 설정할 수 있도록 되어 있다.
도포ㆍ현상 장치(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 반송 경로에 대해 일례를 나타낸다. 우선 외부로부터 웨이퍼(W)가 수납된 캐리어(C)가 적재부(14)에 적재되면, 개폐부(13)와 함께 캐리어(C)의 덮개체가 벗겨져 전달 수단(1A)에 의해 웨이퍼(W)가 취출된다. 그리고 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U1)의 일단을 이루는 전달 유닛(도시하지 않음)을 통해 주 반송 수단(2A)으로 전달되고, 선반 유닛(U1 내지 U3) 내의 하나의 선반에서, 레지스트 도포 처리의 전처리로서 예를 들어 소수화 처리, 냉각 처리가 행해지고, 그런 후 도포 유닛(COT)에서 레지스트액이 도포된다.
계속해서 웨이퍼(W)는 선반 유닛(U1 내지 U3)의 하나의 선반을 이루는 가열 유닛(PAB)에서 가열(베이크 처리)되고, 또한 냉각된 후, 선반 유닛(U3)의 전달 유 닛(27)을 경유하여 인터페이스 블록(31)으로 반송되고, 예를 들어 노광 장치(4)가 웨이퍼(W)를 수용 가능 상태에 있고 또한 버퍼 모듈(BM)에 다른 웨이퍼(W)가 없는 경우에는, 웨이퍼(W)는 전달 수단(4A)을 통해 ICPL3으로 반송된다. 한편 그 이외의 경우는 전달 유닛(27)으로부터 전달 수단(4A)을 통해 버퍼 모듈(BM)로 반송되고, 거기서 일단 체류된 후, 전달 수단(4A)에 의해 ICPL3으로 반송된다. 그런 후 웨이퍼(W)는 ICPL3 → 전달 수단(5A) 등의 경로에서 노광 장치(4)의 반입 포트(41)로 반송되고, 그 후 반입 포트(41)로부터 노광 장치(4) 내의 소정의 위치로 반송되고, 노광 처리를 받는다.
노광 후, 웨이퍼(W)는 반출 포트(42)로 불출되고, 전달 수단(5A) → 선반 유닛(U6)의 TRS → 선반 유닛(U3)의 PEB1 내지 PEB4 중 어느 하나의 PEB → 주 반송 수단(3A)의 순서로 반송되고, 주 반송 수단(3A)에 의해 현상 유닛(DEV)에서 현상됨으로써 레지스트 패턴을 구비한 레지스트 마스크가 형성된다. 그런 후 웨이퍼(W)는 주 반송 수단(3A) → 선반 유닛(U2)의 전달 유닛 → 주 반송 수단(2A) → 선반 유닛(U1)의 전달 유닛 → 전달 수단(1A)의 순서로 반송되고, 전달 수단(1A)에 의해 적재대(14) 상의 본래의 캐리어(C)로 복귀된다. 이 반송으로 캐리어(C) 내의 어느 웨이퍼가 어느 PEB에 의해 가열 처리되는지는 예를 들어 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)가 취출될 때까지 제어부(100)에 의해 결정된다.
계속해서 버퍼 모듈(BM)에서의 대기 시간 t가 결정되는 프로세스에 대해 설명한다. 도4에 도시한 바와 같이 이 대기 시간 t의 결정은, PEB1 내지 PEB4에 대해 각각 선두의 로트에서 마지막에 반입된 웨이퍼를 가열 처리한 후 후속의 로트를 처리하기 위해 온도 정정을 행하고, 온도 정정이 종료되는 타이밍과 대략 동시에 PEB1 내지 PEB4에 후속의 로트의 선두의 웨이퍼를 반송할 수 있도록 행하는 것이다. 또한 도5는 상기 대기 시간 t의 계산에 이용되는 웨이퍼의 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)이 계산되는 스텝을 나타낸 흐름도이고, 도6은 그 대기 시간 t가 계산되는 스텝을 나타낸 흐름도이다. 또한 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)은 특허 청구 범위에서 말하는 노광 장치 내의 체재 시간 t3에 상당한다.
여기서는 설명의 편의상, 도포ㆍ현상 장치의 기동 후, 처음에 당해 장치에 반입되는 캐리어를 C1, 그 캐리어(C1) 다음에 장치로 반송되는 캐리어를 C2로 각각 표기하고, 또한 캐리어(C1) 내의 25매의 웨이퍼를 장치 내로 반송되는 순서로 A1 내지 A25, 캐리어(C2) 내의 25매의 웨이퍼를 장치 내로 반송되는 순서로 B1 내지 B25로 각각 표기한다. 또한 이 도포ㆍ현상 장치(1) 및 노광 장치(4)에서는 웨이퍼의 추월은 없고, 즉 웨이퍼(A1 내지 A25), 웨이퍼(B1 내지 B25)는 이 번호순으로 노광 장치(4)로 반송되고, 또한 노광 장치(4)로부터 불출되는 것으로 한다. 또한 PEB4에 처음의 웨이퍼(A1)가 반입된 후에는 PEB1 내지 PEB4에 이 반복으로 차례로 후속의 웨이퍼(A), 웨이퍼(B)가 반입되어, 도7에 도시한 바와 같이 PEB1에는 A22 및 B1, PEB2에는 A23 및 B2, PEB3에는 A24 및 B3, PEB4에는 A25 및 B4가 각각 반송된다. 이 도7에 있어서는 주 반송 수단(2A, 3A)이 그 반송로를 1주하는 시간을 1사이클로서 도시하고 있다.
그리고 PEB1 내지 PEB4는 예를 들어 웨이퍼(A)를 130 ℃에서 가열 처리하고, 각각 웨이퍼(A22 내지 A25)의 처리를 종료하면, 웨이퍼(B1) 이후의 웨이퍼를 처리 하기 위해, 그 열판의 온도를 예를 들어 90 ℃로 정정한다. 이 온도 정정에 필요한 시간 및 PEB1 내지 PEB4 및 ICPL3에서의 처리 시간은, 예를 들어 미리 오퍼레이터가 입력 화면으로부터 입력함으로써 제어부(100)에 기억되어 있고, 또한 버퍼 모듈(BM) → ICPL3, ICPL3 → 노광 장치(4)의 반입 포트(41), 노광 장치(4)의 반출 포트(42) → TRS, TRS → 각 PEB로의 반송 시간은, 예를 들어 웨이퍼(A)의 반송을 기초로 하여 대기 시간 t의 계산을 행할 때까지 제어부(100)가 취득하고, 기억하는 것으로 한다.
우선 도포ㆍ현상 장치(1)에 전원이 투입되어, 장치(1)가 기동하고, 오퍼레이터가 웨이퍼의 노광 장치 내에 있어서의 체재 시간의 상한 시간을 설정한 후, 캐리어(C1)가 장치로 반송되면, 상기한 경로에서 웨이퍼(A1)가 캐리어 블록(11)측으로부터 노광 장치(4)로 반송된다. 노광 장치(4)는 웨이퍼 반입 가능 상태로 되어 있고, 웨이퍼(A1)가 노광 장치(4)의 반입 포트(41)에 반입되면, 제어부(100)가 그 반입 시각을 기억한다. 웨이퍼(A1)는 반입 포트(41)로부터 노광 장치(4) 내의 소정의 위치로 반송되고, 계속해서 웨이퍼(A2)가 상기한 경로에서 반입 포트(41)에 반입되면, 제어부(100)가 그 반입 시각을 기억하고, 웨이퍼(A2)는 노광 장치(4) 내의 소정의 위치로 이동한다. 계속해서 웨이퍼(A3, A4)도 차례로 반입 포트(41)에 반입되고, 웨이퍼(A4)가 반입 포트(41)에 반입되면, 노광 장치(4)에는 이것 이상의 웨이퍼를 반입할 수 없는 상태로 되고, 제어부(100)는 웨이퍼(A3, A4)에 대해서도 A1과 마찬가지로 그 반입 시각을 각각 기억한다(도5, 스텝 S1). 반입 포트(41)에 반입된 웨이퍼(A3, A4)는 노광 장치(4) 내의 소정의 위치로 이동한다.
계속해서 후속의 웨이퍼가 예를 들어 소정의 간격으로 순차 상기한 경로에서 캐리어 블록(11)으로부터 버퍼 모듈(BM)로 반송되고, 당해 버퍼 모듈(BM)에서 대기한다. 한편 웨이퍼(A1)의 노광 처리가 종료되고, 웨이퍼(A1)가 반출 스테이지(42)에 적재되면, 노광 장치(4)로부터 웨이퍼(A1)를 반출 가능한 상태로 되고, 그 상태가 되면 제어부(100)는, 이 웨이퍼(A1)에 대한 반입 포트(41)로의 반입 시각이 취득되어 있는지 판정하고(스텝 S2), 취득되지 않았다고 판정한 경우는 그 웨이퍼(A1)를, 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)을 계산하기 위해 이용하지 않는 적산 대상 외 웨이퍼로서 기억하고, 웨이퍼(A1)에 대해서는 이하의 스텝 S3 내지 S8을 행하지 않는다.
한편 반입 시각이 취득되어 있다고 판정한 경우, 계속해서 제어부(100)는, 노광 장치(4)로부터 그 웨이퍼(A1)가 이상인 웨이퍼인 것을 나타내는 신호가 출력되어 있지 않은지를 판정하고(스텝 S3), 그 신호가 출력되어 있다고 판정한 경우는 그 웨이퍼(A1)에 대해 적산 대상 외의 웨이퍼로서 기억하고, 이하의 스텝 S4 내지 S8을 행하지 않는다. 한편, 상기 신호가 출력되지 않았다고 판정한 경우, 당해 제어부(100)는 웨이퍼(A1)가 반입 스테이지(41)에 반입된 시각으로부터 반출 가능 상태가 되기까지의 시간(아웃 레디 신호가 출력되기까지의 시간), 즉 그 웨이퍼(A1)에 대한 노광 장치 내의 체재 시간을 계산하여 그 시간을 기억하고(스텝 S4), 계속해서 그 계산된 시간이 미리 설정된 상한 시간 이하인지를 판정한다(스텝 S5).
계산 시간이 상한 시간을 초과하고 있다고 판정한 경우, 제어부(100)는 웨이퍼(A1)를 체재 시간 t의 적산 대상 외의 웨이퍼로서 기억하고, 이하의 스텝 S6 및 S7을 행하지 않는다. 한편, 계산 시간이 상한 시간 이하인 경우에는, 제어부(100)는 웨이퍼(A1)를, 상기 체재 시간 t를 계산하기 위해 이용하는 적산 대상의 웨이퍼로서 기억하고(스텝 S6), 계속해서 지금까지 취득된 각 적산 대상의 웨이퍼에 있어서의 노광 장치 내의 체재 시간을 적산하고(스텝 S7), 그 적산값을 적산 대상 웨이퍼의 합계의 매수로 나누고, 그 나눈 시간을 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)으로서 기억한다(스텝 S8). 이 경우에 있어서는, 아직 웨이퍼(A1)에 대해서만 노광 장치 내의 체재 시간이 계산되어 있으므로, 이 웨이퍼(A1)에 대한 체재 시간이 웨이퍼의 매수 1로 나누는, 즉 웨이퍼(A1)에 대한 노광 장치 내의 체재 시간이 그대로 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)으로서 기억된다.
반출 포트(42)에 적재된 웨이퍼(A1)가, 전달 수단(5A)에 의해 노광 장치(4)로부터 취출되면, 노광 장치(4)는 웨이퍼 반입 가능 상태로 된다. 웨이퍼(A1)가 상기 경로에서 PEB4로 반송되어 가열된 후, 캐리어(C1)에 복귀되는 한편 전달 수단(4A)에 의해 버퍼 모듈(BM)로부터 웨이퍼(A5)가 취출되고, ICPL3을 통해 반입 포트(41)로 반송된다. 제어부(100)는 웨이퍼(A1 내지 A4)의 경우와 마찬가지로 웨이퍼(A5)가 반입 포트(41)에 반입되면, 그 반입 시각을 기억한다.
계속해서 웨이퍼(A2)의 노광 처리가 종료되고, 웨이퍼(A2)가 반출 포트(42)에 적재되면, 제어부(100)는 상기한 스텝 S2 내지 스텝 S5를 실시하고, 웨이퍼(A2)를 적산 대상의 웨이퍼로서 기억한 경우(스텝 S6), 그 웨이퍼(A2)의 노광 장치 내의 체재 시간과, 거기까지 취득된 적산 대상의 웨이퍼의 노광 장치 내의 체재 시간이 적산되고, 이 적산값을 측정 대상 웨이퍼의 합계 매수로 나누고(스텝 S7), 그 나눈 값을 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)으로서 갱신한다(스텝 S8). 이 시점에서는 웨이퍼(A1, A2)에 대해 적산 대상 웨이퍼인지 여부가 판정되므로, 웨이퍼(A1, A2)가 모두 적산 대상 웨이퍼이면 각 체재 시간이 합계되고, 그 합계 시간이 적산에 이용된 웨이퍼의 매수인 2로 나누어지고, 그 나눈 값이 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)의 값으로서 갱신된다. 또한 웨이퍼(A2)만이 적산 대상의 웨이퍼이면 그 웨이퍼(A2)의 노광 장치 내의 체재 시간이 1로 나누어지므로, 웨이퍼(A2)의 노광 장치 내의 체재 시간이 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)으로 된다. 한편, 웨이퍼(A2)가 적산 대상의 웨이퍼가 아니라고 판정된 경우에는, 거기까지 계산된 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)이 갱신되지 않고 유지된다.
반출 포트(42)에 적재된 웨이퍼(A2)가, 전달 수단(5A)에 의해 노광 장치(4)로부터 취출되면, 노광 장치(4)는 웨이퍼 반입 가능 상태로 되고, 웨이퍼(A2)가 상기 경로에서 PEB1로 반송되고, 가열된 후, 캐리어(C1)로 복귀되는 한편, 전달 수단(4A)이 버퍼 모듈(BM)로부터 웨이퍼(A6)를 취출하고, 웨이퍼(A6)는 상기 경로에서 반입 포트(41)에 반입되고, 그 반입 시각이 기억된다.
계속해서 웨이퍼(A3)가 반출 포트(42)에 적재되고, 노광 장치(4)로부터 당해 웨이퍼(A3)가 반출 가능 상태가 되면, 상기 스텝 S2 내지 S5가 실시되고, 웨이퍼(A3)가 적산 대상의 웨이퍼로서 기억된 경우에는(스텝 S6), 이 웨이퍼(A3)를 포함하여 거기까지 적산 대상의 웨이퍼라고 판정된 각 웨이퍼(A)에 대한 노광 장치 내의 체재 시간이 적산되고(스텝 S7), 그 적산값을 적산 대상이라 판정된 웨이퍼의 매수로 나누고(스텝 S8), 그 나눈 값이 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)으로서 갱 신된다. 한편 웨이퍼(A3)가 적산 대상의 웨이퍼라고 판정되지 않은 경우에는 거기까지 계산된 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)이 갱신되지 않고 유지된다.
이와 같이 웨이퍼(A)에 대해 반입 시간이 취득되는 한편, 웨이퍼(A)가 순차 노광 장치(4)의 반출 포트(42)에 적재될 때마다, 그 웨이퍼(A)가 적산 대상의 웨이퍼로 되는지 여부가 판정되고, 웨이퍼(A)가 적산 대상의 웨이퍼라고 판정된 경우에는, 그 웨이퍼를 포함하여 거기까지 적산 대상의 웨이퍼로서 판정된 각 웨이퍼(A)에 대한 노광 장치 내에 있어서의 체재 시간이 적산되고, 그 적산값이 적산에 이용한 웨이퍼의 매수로 나누어지고, 그 나누어진 값이 웨이퍼의 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)으로서 갱신된다. 반출 포트(42)에 적재된 웨이퍼(A)가 적산 대상 외의 웨이퍼로서 판정된 경우에는, 거기까지 계산된 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)이 갱신되지 않고 유지된다.
그리고 차례로 웨이퍼(A)의 반송이 계속되고, 웨이퍼(A22) 내지 웨이퍼(A25)가 순차 버퍼 모듈(BM)로부터 반입 포트(41)로 반송되고, 그 반입 시각이 제어부(100)에 기억되는 동시에 버퍼 모듈(BM)에는 웨이퍼(B1 내지 B4)가 순차 반입된다. 계속해서 제어부(100)가, 전달 수단(4A)에 의해 버퍼 모듈(BM)로부터 웨이퍼(B1)를 반송 가능한 상태라고 판단하면(도6, 스텝 R1), 제어부(100)는 웨이퍼(A22)의 반입 포트(41)로의 반입 시각으로부터 상기 웨이퍼(B1)가 버퍼 모듈로부터 반송 가능한 상태가 된 시점(P1)까지의 반입 후 경과 시간 t4를 산정하고(스텝 R2), 그 경과 시간 t4를 그 시점(P1)에 있어서 산정되어 있는 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)으로부터 빼고, 그 AT - t4를 웨이퍼(A22)의 노광 장치(4)에 있어서 의 잔류 예측 시간 t11로서 결정한다(스텝 R3).
계속해서 제어부(100)는, 그 잔류 예측 시간 t11과, 웨이퍼(A22)가 반출 포트(41)로부터 반출된 후 PEB1로 반송된 후 PEB1에 의해 가열되고, 그 가열 처리 후에 웨이퍼(B1)를 가열 처리하기 위해 열판의 온도를 정정 종료할 때까지 필요한 시간 t12를 합계하고, 이 합계 시간을 상기 시점(P1)으로부터 PEB1이 웨이퍼(B1)의 가열 처리를 위해 준비가 갖추어지는 시점까지의 시간 t1로서 결정한다(스텝 R4). 또한 제어부(100)는 웨이퍼(B1)가 버퍼 모듈(BM)로부터 불출된 시점으로부터 반입 포트(41)로 반송될 때까지 필요한 시간 t21과, 상기 시점(P1)에 있어서 계산되어 있는 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)과, 반출 포트(42)로부터 반출된 웨이퍼(B1)가 상기 PEB1로 반송되기까지의 시간 t23을 합계하고, 웨이퍼(B1)가 버퍼 모듈(BM)로부터 PEB1에 도달하기까지의 시간 t2를 결정한다(스텝 R5). 그런 후 제어부(100)는 t1 - t2를 계산하고, 그 계산값을 시점(P)으로부터의 웨이퍼(B1)의 버퍼 모듈(BM) 내 대기 시간 t로서 결정한다(스텝 R6).
구체적으로 도8에 도시한 바와 같이 버퍼 모듈(BM) → ICPL3, ICPL3 → 노광 장치(4)의 반입 포트(41), 노광 장치(4)의 반출 포트(42) → TRS, TRS → PEB1에 있어서의 반송 시간이 각각 7초, 7초, 7초, 5초이고, ICPL3, PEB1에 있어서의 처리 시간이 각각 10초, 120초이고, 또한 TRS에 있어서의 체재 시간이 0초이고, PEB1이 온도 정정에 필요한 시간이 90초인 것으로 한다. 여기서 버퍼 모듈(BM)로부터 웨이퍼(B1)가 반송 가능해진 시점(P1)에 있어서 산정되어 있는 평균 노광 장치(4) 내 체재 시간(AT)이 100초이고, 웨이퍼(A22)가 반입 포트(41)에 반입된 후 시점(P1)까 지의 경과 시간 t4가 60초이면, 제어부(100)는 100초 - 60초 = 40초를 웨이퍼(A22)의 노광 장치(4)의 잔류 예측 시간 t11로서 결정한다.
계속해서 제어부(100)는, 상기 잔류 예측 시간 t11 + 반출 포트(42) → TRS의 반송 시간 + TRS에서의 체재 시간 + TRS → PEB1의 반송 시간 + PEB1에서의 가열 처리 시간 + PEB에서의 온도 정정 시간 = 40초 + 7초 + 0초 + 5초 + 120초 + 90초를 계산하고, 이 계산값인 262초를 상기 시점(P1)으로부터 PEB1이 웨이퍼(B1)의 가열 처리를 위해 준비가 갖추어지는 시점까지의 시간 t1로서 결정한다.
또한 제어부(100)는, 버퍼 모듈(BM) → ICPL3의 반송 시간 + ICPL에서의 처리 시간 + ICPL3 → 노광 장치(4)의 반입 포트(41)로의 반송 시간 + 노광 장치(4) 내의 체재 시간 t3 + 반출 포트(42) → TRS의 반송 시간 + TRS에서의 체재 시간 + TRS → PEB1의 반송 시간 = 7초 + 10초 + 7초 + 100초 + 7초 + 0초 + 5초를 계산하고, 이 계산값인 136초를 웨이퍼(B1)가 버퍼 모듈(BM)로부터 반출된 시점으로부터 PEB1에 도달하기까지의 시간 t2로서 결정한다. 그리고 제어부(100)는 t1 - t2 = 262초 - 136초 = 126초를 시점(P1)으로부터의 대기 시간 t로서 결정한다. 그런데 버퍼 모듈(BM) → ICPL3의 반송 시간 + ICPL3에서의 처리 시간 + ICPL3 → 노광 장치(4)의 반입 포트(41)로의 반송 시간이 상기 시간 t21에 상당하고, 또한 반출 포트(42) → TRS의 반송 시간 + TRS에서의 체재 시간 + TRS → PEB1의 반송 시간이 상기 시간 t23에 상당한다.
이와 같이 대기 시간 t의 계산이 행해진 웨이퍼(B1)에 대해서는 노광 장치(4)가 웨이퍼 반입 가능 상태로 되어도 시점(P1)으로부터 당해 대기 시간 t가 경 과할 때까지는 버퍼 모듈(BM)로부터 반송되지 않고, 대기 시간 t가 경과하면 전달 수단(4A)이 버퍼 모듈(BM)로부터 ICPL3로 웨이퍼(B1)를 반송하고, 그런 후 각 웨이퍼(A)와 마찬가지로 웨이퍼(B1)는 반입 포트(41)로 반송되고, 노광 처리를 받은 후, 상기 경로에 따라서 TRS로 반송된다. 이와 같이 웨이퍼(B1)가 TRS로 반송된 시점에서 제어부(100)가, TRS로부터 PEB1에 웨이퍼(B1)를 반송하는 동시에 혹은 반송할 때까지 PEB1의 온도 정정이 종료되는지 여부를 판정하고, 종료한다고 판정한 경우에는 그대로 PEB1로 반송한다. 한편, 종료하지 않는다고 판정한 경우에는TRS에 웨이퍼(B1)는 체류되고, PEB1의 온도 정정이 종료되고, 웨이퍼 반입 가능 상태로 되면 TRS로부터 PEB1로 반송한다. PEB1에서 가열 처리된 웨이퍼(B1)는 상술한 경로에서 캐리어(C2)로 복귀된다.
또한, 전달 수단(4A)이 웨이퍼(B2)를 버퍼 모듈(BM)로부터 반송 가능한 상태인 시점(P2)이 되면, 웨이퍼(B1)의 경우와 마찬가지로 제어부(100)는, 상기 스텝 R1 내지 R6에 따라서 시점(P2)으로부터 PEB2가 웨이퍼(B2)의 가열 처리를 위해 준비가 갖추어지는 시점까지의 시간 t1 및 웨이퍼(B2)가 버퍼 모듈(BM)로부터 불출된 후 PEB2에 도달하기까지의 시간 t2를 계산하고, 그런 후 웨이퍼(B2)에 대한 대기 시간 t를 결정한다. 웨이퍼(B3), 웨이퍼(B4)에 대해서도 마찬가지로 전달 수단(4A)이 버퍼 모듈(BM) 내의 웨이퍼(B3, B4)를 각각 반송 가능해진 시점(P3, P4)으로부터 버퍼 모듈(BM)에 대기되는 대기 시간 t가 결정되고, 그 대기 시간 t에 따라서 버퍼 모듈(BM)로부터 불출된다. 후속의 웨이퍼(B5) 이후의 웨이퍼에 대해서는 노광 장치(4)가 웨이퍼 반입 가능 상태가 되면(인 레디 신호가 출력되면) 버퍼 모듈(BM)로부터 반송된다.
또한, 웨이퍼(B)에 대해서도 제어부(100)는, 그 반입 포트(41)로의 반송 시각을 기억하고, 이들 웨이퍼(B2 내지 B4)가 버퍼 모듈(BM)에서 대기하고 있는 동안에도 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)의 값은 갱신되고, 이들 각 웨이퍼(B2 내지 B4)의 대기 시간 t의 계산은 그 갱신된 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)을 기초로 하여 행해진다.
이 도포ㆍ현상 장치(1)에 따르면, 선행하여 반송되는 로트의 각 웨이퍼(A)가 노광 장치(4)의 반입 포트(41)에 반입된 후 반출 포트(42)에 적재되기까지의 시간을 계산함으로써 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)을 결정하고 있다. 그리고 버퍼 모듈(BM)에 있어서의 대기 시간 t를 구하는 계산의 대상으로 되어 있는 웨이퍼(B1 내지 B4)가 각각 반송 가능해지는 시점(P1 내지 P4)으로부터, 그 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)을 기초로 하여 선두 로트의 웨이퍼(A22 내지 A25)의 노광 장치(4)에 있어서의 잔류 예측 시간 t11을 계산하고, 또한 그 잔류 예측 시간 t11을 이용하여 상기 시점(P1 내지 P4)으로부터 PEB1 내지 PEB4가 온도 정정을 종료하여, 웨이퍼(B1 내지 B4)를 가열 처리하기까지의 각 시간 t1을 계산하는 한편, 상기 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)을 기초로 하여 각 웨이퍼(B1 내지 B4)가 버퍼 모듈(BM)로부터 노광 장치(4)로 반송되고, 노광 처리를 받아 PEB1 내지 PEB4로 반송되기까지의 각 시간 t2를 계산하고, 그것에 계속해서 t1 - t2를 계산함으로써 각 웨이퍼(B1 내지 B4)의 버퍼 모듈(BM)의 체재 시간 t를 결정하고 있다. 이 계산된 체재 시간 t를 기초로 하여 버퍼 모듈(BM)로부터의 각 웨이퍼(B1 내지 B4)의 반송 을 행함으로써 PEB1 내지 PEB4에 있어서 온도 정정이 종료되기까지의 시간과, 상기 각 웨이퍼(B1 내지 B4)가 PEB1 내지 PEB4에 각각 도달하기까지의 시간과의 어긋남이 억제되도록 대기 모듈로부터 웨이퍼(B1 내지 B4)가 불출되기 때문에, 버퍼 모듈(BM)에서 불필요하게 상기 이들 웨이퍼(B1 내지 B4)가 체류하는 시간이 억제되어 스루풋의 저하를 억제할 수 있다. 또한 각 PEB1 내지 PEB4에서 온도 정정 후, 웨이퍼(B1 내지 B4)가 반송되기까지의 시간이 억제됨으로써 웨이퍼의 가열에 필요한 전력 등의 소비를 억제할 수 있다.
또한 본 실시 형태에 있어서 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)은 새로운 웨이퍼가 반입 포트(41)에 적재될 때마다 갱신되고, 또한 이상이 있는 웨이퍼 및 체재 시간이 설정한 상한 시간을 초과한 웨이퍼에 대해서는 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)의 계산의 대상 외로 하고 있으므로, 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)이 정밀도 높게 요구되고, 따라서 웨이퍼(B1 내지 B4)의 버퍼 모듈(BM)의 대기 시간 t를 정밀도 높게 계산할 수 있다.
여기서 배경 기술의 란에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(A22)의 노광 장치(4)의 잔류 예측 시간 t11 및 평균 노광 장치 내 체재 시간을 0초로 하고, 각 모듈간의 반송 시간 및 각 모듈에서의 처리 시간은 상기한 값을 이용하여 버퍼 모듈(BM)의 웨이퍼(B1)의 대기 시간 t를 계산한다. 상기 시점(P1)으로부터 PEB1이 웨이퍼(B1)의 가열 처리를 위해 준비가 갖추어지는 시점까지의 시간 t1 = 상기 잔류 예측 시간 t11 + 반출 포트(42) → TRS의 반송 시간 + TRS에서의 체재 시간 + TRS → PEB1의 반송 시간 + PEB1에서의 가열 처리 시간 + PEB에서의 온도 정정 시간 = 0초 + 7 초 + 0초 + 5초 + 120초 + 90초 = 222초로 되고, 웨이퍼(B1)가 버퍼 모듈(BM)로부터 불출된 후 PEB1에 도달하기까지의 시간 t2 = 버퍼 모듈(BM) → ICPL3로의 반송 시간 + ICPL3의 처리 시간 + ICPL3 → 노광 장치(4)의 반입 포트(41)로의 반송 시간 + 노광 장치(4)에서의 체재 시간 + 반출 포트(42) → TRS로의 반송 시간 + TRS에 있어서의 체재 시간 + TRS → PEB1의 반송 시간 = 7초 + 10초 + 7초 + 0초 + 7초 + 0초 + 5초 = 36초로 된다. 따라서 버퍼 모듈(BM)에서의 대기 시간 t = t1 - t2 = 222초 - 36초 = 186초이다. 상기와 같이 본 실시 형태에 따르면 대기 시간 126초이기 때문에, 186초 - 126초 = 60초 대기 시간이 단축되게 되어, 본 발명의 계산 방법이 스루풋 향상을 위해 유효한 것을 알 수 있다.
계속해서 제2 실시 형태로서 상기한 도포ㆍ현상 장치(1)에 있어서의 다른 반송 방법의 예에 대해 상기한 반송 방법과의 차이점을 중심으로 설명한다. 이 도포ㆍ현상 장치(1)에서는 선반 유닛(U3)에는 합계 6개의 PEB1 내지 PEB6이 설치되어 있는 것으로 한다. 제어부(100)는, 후술하는 바와 같이 각 PEB의 열판이 대기 상태로부터 승온하고, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 소정의 온도가 되기까지의 시간을 계산하고, 결정할 수 있도록 되어 있고, 웨이퍼(B1)에 대해서는 PEB1이나 PEB5, 웨이퍼(B2)에 대해서는 PEB2나 PEB6으로 반송처가 결정되는 것으로 한다.
예를 들어 도포ㆍ현상 장치의 전원 투입 후, PEB1 내지 PEB4에 있어서는, 그들 열판이 웨이퍼(A)를 가열 처리하기 위해 예를 들어 130 ℃로 승온되어 가열 처리 준비가 갖추어지는 한편, PEB5, PEB6은 그들 열판이 50 ℃ 정도로 승온된 대기 상태로 된다. 상기와 같이 웨이퍼(A1 내지 A25)가 캐리어(C1)로부터 노광 장치(4) 로 반송되고, 그런 후 버퍼 모듈(BM)로부터 웨이퍼(B1)를 반송 가능한 상태가 되는 시점(P1)에 있어서, 제어부(100)는 PEB5의 열판을, 웨이퍼(B1)를 처리하기 위한 온도인 예를 들어 90 ℃로 승온하기까지의 시간 t1'을 계산하고, 이 t1'에 대해 웨이퍼(A22)의 노광 장치 내의 잔류 예측 시간 t11과 웨이퍼(A22)가 PEB1에서 가열 처리를 종료되고, PEB1의 온도 정정이 종료되기까지의 시간 t12와의 합계 시간이 긴지 짧은지를 판정한다.
제어부(100)가 t1'의 쪽이 t11 + t12보다도 길다고 판정한 경우에는, 웨이퍼(B1)에 대해 제1 실시 형태와 마찬가지로 대기 시간 t가 결정되어, PEB1이 온도 정정되고, 당해 PEB1에 웨이퍼(B1)가 반송된다. 한편 제어부(100)가 t1'의 쪽이t11 + t12보다도 짧다고 판정한 경우에는, 제어부(100)는 웨이퍼(B1)를 가열 처리하기 위해 PEB5의 열판을 승온시키는 동시에 그 t1'을 상술한 시점(P1)으로부터 PEB5가 웨이퍼(B1)의 가열 처리를 위해 준비가 갖추어지는 시점까지의 시간 t1로 하는 한편, 버퍼 모듈(BM)로부터 웨이퍼(B1)를 불출하는 시점으로부터 당해 웨이퍼(B1)가 PEB5에 도달하기까지의 시간을 t2로 한다. 계속해서 상기와 같이 t1 - t2를 계산하고, 이 계산값을 웨이퍼(B1)의 버퍼 모듈(BM)에서의 대기 시간 t로서 결정한다. 그리고 대기 시간 t 경과 후에는, 웨이퍼(B1)를 상술한 실시 형태와 마찬가지로 노광 장치(4)에 반입 후, TRS를 통해 PEB5로 반송하고, 가열 처리한다.
그런 후 버퍼 모듈(BM)로부터 웨이퍼(B2)의 불출이 가능한 시점(P2)이 되면, 제어부(100)는 PEB6의 열판을 90 ℃로 승온하기까지의 시간 t1'을 계산하고, 이t1'에 대해 웨이퍼(A23)의 노광 장치 내의 잔류 예측 시간 t11과 웨이퍼(A23)가 PEB2 에서 가열 처리를 종료되고, PEB1의 온도 정정이 종료되기까지의 시간 t12와의 합계 시간이 긴지 짧은지를 판정하고, t1' 보다도 t11 + t12의 쪽이 짧다고 판정한 경우에는 상술한 실시 형태와 마찬가지로 PEB2가 온도 정정되고, 당해 PEB2에 웨이퍼(B2)가 반송된다. 한편 PEBt1'보다도 t11 + t12의 쪽이 길다고 판정한 경우에는PEB6의 열판이 승온되고, 웨이퍼(B2)는 PEB6으로 반송된다.
계속해서 버퍼 모듈(BM)로부터 웨이퍼(B3)를 반송 가능한 상태가 되는 시점(P3)이 되면, 제어부(100)는 선두 로트의 웨이퍼(A)를 처리하고 있는 PEB 중에서 가장 빠르게 웨이퍼가 반출되는 PEB를 웨이퍼(B3)의 반송처로 결정하고, 그 결정한 PEB에 대해 제1 실시 형태와 마찬가지로 t1, t2를 계산한다. 즉, 예를 들어 웨이퍼(B1, B2)가 각각 PEB5, PEB6으로 반송되는 것으로 되어 있으면 웨이퍼(B3)는 도9에 나타낸 바와 같이 PEB1 내지 PEB4 중에서 웨이퍼(A)에 대해 가장 빠르게 가열 처리가 종료되는 PEB1로 반송되도록 결정되고, 그 PEB1로 반송할 수 있도록 대기 시간 t가 계산된다. 또한 웨이퍼(B1, B2)가 PEB1, PEB2로 반송되는 것으로 되어 있으면, 상기 제1 실시 형태와 마찬가지로 웨이퍼(B3)는 PEB3으로 반송되는 것이 결정되고, 이 PEB3으로 반송할 수 있도록 대기 시간 t가 계산된다.
웨이퍼(B4)에 대해서는 웨이퍼(B3)와 마찬가지로 PEB1 내지 PEB4 중에서 웨이퍼(B3)가 반송되도록 결정된 PEB를 제외하고, 가장 빠르게 웨이퍼(A)의 반출을 종료할 수 있는 PEB로 반송되도록 결정되는 동시에 그 PEB로 반송할 수 있도록 대기 시간 t가 결정된다. 즉 예를 들어 도9와 같이 웨이퍼(B3)가 PEB1로 반송되는 것이 결정되어 있으면, 다음으로 빠르게 웨이퍼(A)가 반출되는 PEB2로 반송되도록 결정된다. 그 후의 웨이퍼(B5) 이후의 웨이퍼에 대해서는 웨이퍼(B1 내지 B4)를 처리하는 PEB로 순차 반입되고, 그리고 웨이퍼(B)가 들어가지 않는 PEB에 대해서는 대기 상태로 유지된다. 예를 들어 상기와 같이 웨이퍼(B1, B2)가 각각 PEB5, PEB6으로 반송되는 경우에는, PEB3 및 PEB4는 선두 로트의 웨이퍼(A24, A25)를 처리한 후, 대기 상태로 되고, 웨이퍼(B1, B2)가 각각 PEB1, PEB2로 반송되는 경우에는, PEB5 및 PEB6은 계속해서 대기 상태로 유지된다.
본 제2 실시 형태에 의해서도 제1 실시 형태와 같은 효과가 얻어지고, 또한 PEB1 내지 PEB4 중에서 선행 로트의 웨이퍼(A)의 처리가 빠르게 종료되고, 온도 정정을 빠르게 개시할 수 있는 PEB에 대해 후속 로트의 웨이퍼(B)의 반송을 행하도록 하고 있기 때문에, 웨이퍼(B)가 버퍼 모듈(BM) 내에 체류되는 것이 더 억제되므로 바람직하다.
상기 각 실시 형태에 있어서는 예를 들어 도포ㆍ현상 장치(1)의 전원을 빼면, 제어부(100)에 기억된 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)은 리셋되고, 재기동 후에는 다시, 전원 투입 후에 반송되는 로트의 웨이퍼로부터 당해 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)이 취득된다. 또한 상기와 같이 취득한 체재 시간(AT)의 데이터는 도포ㆍ현상 장치(1)의 전원 오프(OFF) 전에 예를 들어 캐리어(C)의 도포ㆍ현상 장치로의 반송을 제어하는 호스트 컴퓨터에 퇴피되고, 도포ㆍ현상 장치(1)의 재기동 후, 호스트 컴퓨터로부터 판독되도록 해도 좋다. 그 경우 예를 들어 각 로트의 레지스트 패턴의 선폭 등의 처리 조건마다 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)이 기억되고, 그 후 도포ㆍ현상 장치(1)로 반송된 웨이퍼의 로트의 처리 조건에 따라서, 그것에 대응하는 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)이 제어부(100)에 송신되도록 해도 좋다. 즉, 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)은 통신에 의해 취득할 수 있도록 해도 좋다.
또한, 각 실시 형태에 있어서 상기 버퍼 모듈(BM)로부터 웨이퍼(B1 내지 B4)가 반송 가능해지는 시점(P1 내지 P4)에 있어서 각각 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)이 결정되어 있지 않은 경우에는, 상술한 바와 같이 제어부(100)가 각각 평균 노광 장치 내 체재 시간(AT)을 0초, 선두 로트 웨이퍼(A)의 잔류 예측 시간 t11을 0초로 하여, 상기한 각 계산을 행하고, 웨이퍼(B1)의 대기 시간 t를 결정하도록 해도 좋다.
계속해서 시뮬레이터에 의해, 배경 기술의 란에 나타낸 바와 같이 웨이퍼(A)의 노광 장치(4) 내의 잔류 예측 시간 및 웨이퍼(B)의 평균 노광 장치 내 체재 시간을 0초로 한 경우(케이스 1)와 제1 실시 형태와 같이 노광 장치 체재 시간을 계산하여 반송을 행한 경우(케이스 2)의 웨이퍼의 반송 상황을 비교했다. 이 시뮬레이션에서는 제1 실시 형태와 마찬가지로 반송이 행해지나, 선반 유닛(U3)에는 PEB1 내지 PEB6이 설치되고, 이들 PEB1 내지 PEB6에 차례로 각 로트의 웨이퍼가 반송되는 것으로 한다.
하기의 표1은 시뮬레이션의 결과를 나타낸 것이며, PEB의 란의 괄호 내의 숫자는 그 란의 괄호 내 숫자로부터 각 PEB의 온도 정정 시간의 90초를 뺀 비어 있는 시간이다. 이 표1에 나타낸 바와 같이 케이스 2에 있어서는 케이스 1에 비해 버퍼 모듈(BM)에서의 대기 시간이 82초로 단축되어 있고, 웨이퍼(B)를 다 처리하기까지 의 시간도 84초로 단축되어 있다. 따라서 스루풋이 개선되어 있는 것이 나타내어졌다. 또한 각 PEB1 내지 6의 비어 있는 시간(웨이퍼가 반입되어 있지 않은 시간)도 케이스 2에서는 단축되어 있고, 각 PEB에서의 소비 전력이 억제되는 것이 나타내어졌다.
[표1]
도1은 본 발명의 도포ㆍ현상 장치의 일 실시 형태를 나타내는 평면도.
도2는 상기 도포ㆍ현상 장치를 도시하는 외관 사시도.
도3은 상기 도포ㆍ현상 장치에 설치되는 인터페이스 블록의 사시도.
도4는 본 발명의 실시 형태에 있어서의 후속 로트의 웨이퍼의 반송과 PEB의 온도 정정 종료의 타이밍의 관계를 나타낸 타임 차트.
도5는 노광 장치 체재 시간이 결정되는 프로세스를 나타낸 흐름도.
도6은 버퍼 모듈에서의 대기 시간이 결정되는 프로세스를 나타낸 흐름도.
도7은 각 웨이퍼가 반송되는 PEB를 나타낸 반송표.
도8은 각 모듈의 처리 시간 및 모듈간의 반송 시간을 나타낸 타임 차트.
도9는 다른 실시 형태에서 각 웨이퍼가 반송되는 PEB를 나타낸 반송표.
도10은 PEB의 온도 정정 종료시와 대기 시간의 관계를 나타낸 타임 차트.
도11은 각 PEB에서의 온도 정정과 후속 로트의 웨이퍼 반입의 관계를 나타낸 반송표.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
BM : 버퍼 모듈
W, A, B : 웨이퍼
C1, C2 : 캐리어
PEB : 노광 후 가열 처리 유닛
TRS : 전달 스테이지
1 : 도포ㆍ현상 장치
4A : 전달 수단
21 : 처리 블록
ICPL3 : 고정밀도 냉각 모듈
41 : 반입 포트
42 : 반출 포트
100 : 제어부
Claims (12)
- 캐리어 블록에 반입된 캐리어로부터 취출된 기판에 대해 레지스트의 도포 및, 노광 후의 기판에 대해 현상을 행하기 위한 도포ㆍ현상 장치에 있어서,레지스트가 도포되고, 노광 전의 기판이 대기하는 대기 모듈과,이 대기 모듈에 배치된 기판을 노광 장치의 반입 포트로 반송하는 동시에 노광 후의 기판을 상기 노광 장치의 반출 포트로부터 수취하여, 복수의 가열 모듈 중에서 선택된 가열 모듈로 반송하는 반송 수단과,상기 복수의 가열 모듈 중, 후속 로트에 사용되는 복수의 가열 모듈의 각각에 반입되는 당해 후속 로트의 가장 선두의 기판을 상기 대기 모듈로부터 반출하는 타이밍을 계산하는 계산 수단과,이 계산 수단에 의해 계산된 타이밍에서 상기 대기 모듈로부터 기판을 반출하도록 상기 반송 수단을 제어하는 수단을 구비하고,상기 계산 수단은,t1 : 상기 타이밍의 계산의 대상으로 되는 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점으로부터, 당해 기판(B1)에 사용되는 가열 모듈이 당해 기판(B1)의 가열 처리를 위해 준비가 갖추어지는 시점까지의 시간t2 : 상기 타이밍의 계산의 대상으로 되는 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출된 시점으로부터 당해 기판(B1)에 사용되는 가열 모듈에 도달하는 시점까지의 시간t : 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점으로부터, 당해 기판(B1)을 반출하는 시점까지의 대기 시간이라 하면, t = t1 - t2의 계산을 행하고,t1은, 상기 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점에 있어서, 당해 기판(B1)에 사용되는 가열 모듈에서 처리되는 선두 로트의 기판 중 마지막에 처리되는 기판(A1)이 당해 시점으로부터 노광 장치의 반출 포트로 반출되기까지의 노광 장치 내의 잔류 예측 시간 t11과, 상기 기판(A1)이 상기 반출 포트로부터 상기 가열 모듈로 반송되고 또한 가열 처리가 행해지고, 당해 가열 처리에 계속해서 당해 가열 모듈이 후속 로트의 상기 기판(B1)을 위해 정정되기까지의 시간 t12와의 합계 시간이고,t2는, 기판(B1)이 대기 모듈로부터 노광 장치의 반입 포트로 반입되기까지의 시간 t21과, 노광 장치 내의 체재 시간 t3과, 노광 장치로부터 반출된 기판(B1)이 상기 가열 모듈로 반송되기까지의 시간 t23과의 합계 시간이고,노광 장치 내의 체재 시간 t3은, 체재 시간의 계산의 대상으로 되어 있는 기판보다도 앞의 기판군에 대해, 노광 장치 내에 반입된 시점으로부터 노광 장치로부터 반출된 시점까지의 시간을 기초로 하여 계산된 시간이고,기판(A1)에 있어서의 노광 장치 내의 잔류 예측 시간 t11은, 기판(A1)이 노광 장치 내에 반입된 시점으로부터, 상기 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점까지의 시간을, 기판(A1)에 대한 노광 장치 내의 체재 시간 t3으로부터 뺀 나머지 시간인 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 노광 장치 내의 체재 시간 t3은, 체재 시간의 계산의 대상으로 되어 있는 기판보다도 앞의 기판군의 각 기판의 노광 장치 내의 체재 시간을 적산하고, 그 적산값을 적산에 이용한 기판의 매수로 나눈 값이며, 기판이 노광 장치로부터 반출될 때마다 갱신되는 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 장치.
- 제2항에 있어서, 이상 기판 및 노광 장치 내의 체재 시간이 상한 시간보다도 긴 기판에 대해서는 상기 적산의 대상으로부터 제외하는 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 장치.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 대기 모듈로부터 노광 장치의 반입 포트에 이르기까지의 기판의 반송 경로의 도중에는, 기판을 노광 장치 내의 온도로 조정하기 위한 온도 조절 모듈이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 장치.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 노광 장치의 반출 포트로부터 상기 가열 모듈에 이르기까지의 기판의 반송 경로의 도중에는, 기판의 전달을 행하기 위한 전달 모듈이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 장치.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 가열 모듈 중에는 선두 로트에 사용되지 않은 미사용 가열 모듈이 포함되고,상기 계산 수단은,상기 타이밍의 계산의 대상으로 되는 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점으로부터, 상기 미사용 가열 모듈이 당해 기판(B1)의 가열 처리를 위해 준비가 갖추어지는 시점까지의 시간 t1'을 계산하고,이 계산된 시간 t1'과, 상기 t11과 t12의 합계 시간이 짧은 쪽의 시간을 t1로 하여 대기 시간 t를 계산하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 장치.
- 레지스트가 도포되고, 노광 전의 기판이 대기하는 대기 모듈과, 이 대기 모듈에 배치된 기판을 노광 장치의 반입 포트로 반송하는 동시에 노광 후의 기판을 상기 노광 장치의 반출 포트로부터 수취하여, 복수의 가열 모듈 중에서 선택된 복수의 가열 모듈로 반송하는 반송 수단과, 상기 가열 모듈에서 가열된 기판에 대해 현상 처리를 행하는 현상 모듈을 구비한 도포ㆍ현상 장치에 의한 도포ㆍ현상 방법에 있어서,상기 복수의 가열 모듈 중, 후속 로트에 사용되는 복수의 가열 모듈의 각각에 반입되는 당해 후속 로트의 가장 선두의 기판을 상기 대기 모듈로부터 반출하는 타이밍을 계산하는 계산 공정과,이 계산 공정에 의해 계산된 타이밍에서 상기 대기 모듈로부터 기판을 반출하는 공정을 구비하고,상기 계산 공정은,t1 : 상기 타이밍의 계산의 대상으로 되는 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점으로부터, 당해 기판(B1)에 사용되는 가열 모듈이 당해 기판(B1)의 가열 처리를 위해 준비가 갖추어지는 시점까지의 시간t2 : 상기 타이밍의 계산의 대상으로 되는 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출된 시점으로부터 당해 기판(B1)에 사용되는 가열 모듈에 도달하는 시점까지의 시간t : 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점으로부터, 당해 기판(B1)을 반출하는 시점까지의 대기 시간이라 하면, t = t1 - t2의 계산을 행하고,t1은, 상기 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점에 있어서, 당해 기판(B1)에 사용되는 가열 모듈에서 처리되는 선두 로트의 기판 중 마지막에 처리되는 기판(A1)이 당해 시점으로부터 노광 장치의 반출 포트로 반출되기까지의 노광 장치 내의 잔류 예측 시간 t11과, 상기 기판(A1)이 상기 반출 포트로부터 상기 가열 모듈로 반송되고 또한 가열 처리가 행해지고, 당해 가열 처리에 계속해서 당해 가열 모듈이 후속 로트의 상기 기판(B1)을 위해 정정되기까지의 시간 t12와의 합계 시간이고,t2는, 기판(B1)이 대기 모듈로부터 노광 장치의 반입 포트로 반입되기까지의 시간 t21과, 노광 장치 내의 체재 시간 t3과, 노광 장치로부터 반출된 기판(B1)이 상기 가열 모듈로 반송되기까지의 시간 t23과의 합계 시간이고,노광 장치 내의 체재 시간 t3은, 체재 시간의 계산의 대상으로 되어 있는 기판보다도 앞의 기판군에 대해, 노광 장치 내에 반입된 시점으로부터 노광 장치로부터 반출된 시점까지의 시간을 기초로 하여 계산된 시간이고,기판(A1)에 있어서의 노광 장치 내의 잔류 예측 시간 t11은, 기판(A1)이 노광 장치 내에 반입된 시점으로부터, 상기 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점까지의 시간을, 기판(A1)에 대한 노광 장치 내의 체재 시간 t3으로부터 뺀 나머지 시간인 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 노광 장치 내의 체재 시간 t3은, 체재 시간의 계산의 대상으로 되어 있는 기판보다도 앞의 기판군의 각 기판의 노광 장치 내의 체재 시간을 적산하고, 그 적산값을 적산에 이용한 기판의 매수로 나눈 값이며, 기판이 노광 장치로부터 반출될 때마다 갱신되는 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 방법.
- 제8항에 있어서, 이상 기판 및 노광 장치 내의 체재 시간이 상한 시간보다도 긴 기판에 대해서는 상기 적산의 대상으로부터 제외하는 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 방법.
- 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 대기 모듈로부터 노광 장치의 반입 포트에 이르기까지의 기판의 반송 경로의 도중에는, 기판을 노광 장치 내의 온도로 조정하기 위한 온도 조절 모듈이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 방법.
- 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 가열 모듈 중에는 선두 로트에 사용되지 않은 미사용 가열 모듈이 포함되고,상기 계산 공정은,상기 타이밍의 계산의 대상으로 되는 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점으로부터, 상기 미사용 가열 모듈이 당해 기판(B1)의 가열 처리를 위해 준비가 갖추어지는 시점까지의 시간 t1'을 계산하고,이 계산된 시간 t1'과, 상기 t11과 t12의 합계 시간이 짧은 쪽의 시간을 t1로 하여 대기 시간 t를 계산하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 도포ㆍ현상 방법.
- 레지스트가 도포되고, 노광 전의 기판이 대기하는 대기 모듈과, 이 대기 모듈에 배치된 기판을 노광 장치의 반입 포트로 반송하는 동시에 노광 후의 기판을 상기 노광 장치의 반출 포트로부터 수취하여, 복수의 가열 모듈 중에서 선택된 복수의 가열 모듈로 반송하는 반송 수단과, 상기 가열 모듈에서 가열된 기판에 대해 현상 처리를 행하는 현상 모듈을 구비한 도포ㆍ현상 장치에 의해 도포ㆍ현상 방법을 실행하기 위해, 상기 도포ㆍ현상 장치에 이용되는 컴퓨터상에서 동작하는 프로그램을 저장한 기억 매체이며,상기 프로그램은, 상기 복수의 가열 모듈 중, 후속 로트에 사용되는 복수의 가열 모듈의 각각에 반입되는 당해 후속 로트의 가장 선두의 기판을 상기 대기 모듈로부터 반출하는 타이밍을 계산하는 계산 공정과,이 계산 공정에 의해 계산된 타이밍에서 상기 대기 모듈로부터 기판을 반출하는 공정을 행하고,상기 계산 공정은,t1 : 상기 타이밍의 계산의 대상으로 되는 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점으로부터, 당해 기판(B1)에 사용되는 가열 모듈이 당해 기판(B1)의 가열 처리를 위해 준비가 갖추어지는 시점까지의 시간t2 : 상기 타이밍의 계산의 대상으로 되는 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출된 시점으로부터 당해 기판(B1)에 사용되는 가열 모듈에 도달하는 시점까지의 시간t : 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점으로부터, 당해 기판(B1)을 반출하는 시점까지의 대기 시간이라 하면, t = t1 - t2의 계산을 행하고,t1은, 상기 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점에 있어서, 당해 기판(B1)에 사용되는 가열 모듈에서 처리되는 선두 로트의 기판 중 마지막에 처리되는 기판(A1)이 당해 시점으로부터 노광 장치의 반출 포트로 반출되기까지의 노광 장치 내의 잔류 예측 시간 t11과, 상기 기판(A1)이 상기 반출 포트로부터 상기 가열 모듈로 반송되고 또한 가열 처리가 행해지고, 당해 가열 처리에 계속해서 당해 가열 모듈이 후속 로트의 상기 기판(B1)을 위해 정정되기까지의 시간 t12와의 합계 시간이고,t2는, 기판(B1)이 대기 모듈로부터 노광 장치의 반입 포트로 반입되기까지의 시간 t21과, 노광 장치 내의 체재 시간 t3과, 노광 장치로부터 반출된 기판(B1)이 상기 가열 모듈로 반송되기까지의 시간 t23과의 합계 시간이고,노광 장치 내의 체재 시간 t3은, 체재 시간의 계산의 대상으로 되어 있는 기판보다도 앞의 기판군에 대해, 노광 장치 내에 반입된 시점으로부터 노광 장치로부터 반출된 시점까지의 시간을 기초로 하여 계산된 시간이고,기판(A1)에 있어서의 노광 장치 내의 잔류 예측 시간 t11은, 기판(A1)이 노광 장치 내에 반입된 시점으로부터, 상기 기판(B1)이 대기 모듈로부터 반출할 수 있는 상태가 된 시점까지의 시간을, 기판(A1)에 대한 노광 장치 내의 체재 시간 t3으로부터 뺀 나머지 시간인 것을 특징으로 하는 기억 매체.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2007-00207109 | 2007-08-08 | ||
JP2007207109A JP4894674B2 (ja) | 2007-08-08 | 2007-08-08 | 塗布、現像装置及び塗布、現像方法並びに記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090015838A KR20090015838A (ko) | 2009-02-12 |
KR101257536B1 true KR101257536B1 (ko) | 2013-04-23 |
Family
ID=40346801
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080077205A KR101257536B1 (ko) | 2007-08-08 | 2008-08-07 | 도포ㆍ현상 장치 및 도포ㆍ현상 방법 및 기억 매체 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7599042B2 (ko) |
JP (1) | JP4894674B2 (ko) |
KR (1) | KR101257536B1 (ko) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL2010166A (en) * | 2012-02-22 | 2013-08-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method. |
CN105479324B (zh) * | 2014-10-03 | 2020-11-06 | 株式会社荏原制作所 | 研磨装置及处理方法 |
US10884342B2 (en) * | 2015-11-11 | 2021-01-05 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for predicting performance of a metrology system |
US10043693B1 (en) * | 2017-06-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for handling substrates in a processing system having a buffer chamber |
JP7311553B2 (ja) * | 2021-03-29 | 2023-07-19 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1154587A (ja) | 1997-07-29 | 1999-02-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2004193597A (ja) | 2002-11-28 | 2004-07-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム及び塗布、現像装置 |
JP2005101076A (ja) | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005101485A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-27 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP4549959B2 (ja) * | 2005-09-14 | 2010-09-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
-
2007
- 2007-08-08 JP JP2007207109A patent/JP4894674B2/ja active Active
-
2008
- 2008-07-24 US US12/179,014 patent/US7599042B2/en active Active
- 2008-08-07 KR KR1020080077205A patent/KR101257536B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1154587A (ja) | 1997-07-29 | 1999-02-26 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2004193597A (ja) | 2002-11-28 | 2004-07-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム及び塗布、現像装置 |
JP2005101076A (ja) | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4894674B2 (ja) | 2012-03-14 |
US7599042B2 (en) | 2009-10-06 |
JP2009043927A (ja) | 2009-02-26 |
US20090041926A1 (en) | 2009-02-12 |
KR20090015838A (ko) | 2009-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100573328C (zh) | 涂敷、显影装置和涂敷、显影方法 | |
JP5266965B2 (ja) | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 | |
TWI502624B (zh) | Substrate processing system and substrate processing method | |
EP1791166A1 (en) | Method for measuring heating plate temperature, substrate processing equipment, and computer program for measuring heating plate temperature | |
KR101068752B1 (ko) | 도포, 현상 장치 및 도포, 현상 방법 및 컴퓨터 판독가능한 프로그램을 기록한 기록 매체 | |
US20080020315A1 (en) | Substrate Collection Method and Substrate Treatment Apparatus | |
KR101257536B1 (ko) | 도포ㆍ현상 장치 및 도포ㆍ현상 방법 및 기억 매체 | |
US10656524B2 (en) | Substrate processing apparatus including transport device | |
KR20080076713A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR101018525B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP2005294460A (ja) | 塗布、現像装置 | |
KR20200133671A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP4018965B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR20070102949A (ko) | 도포, 현상 장치 및 도포, 현상 장치의 제어 방법 및 기억매체 | |
JP2002043208A (ja) | 塗布現像処理方法 | |
KR101445352B1 (ko) | 도포 현상 장치, 도포 현상 방법 및 기억매체 | |
US8377721B2 (en) | Substrate processing system and method | |
JP3957445B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR20200091354A (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
US11927890B1 (en) | Substrate processing apparatus and method of fabricating semiconductor device using the same | |
KR20100019968A (ko) | 도포, 현상 장치, 그 방법 및 기억 매체 | |
KR20120077880A (ko) | 포토리소그라피 공정을 위한 기판 처리 방법 | |
JP2022029637A (ja) | 基板処理装置及び搬送スケジュール作成方法 | |
JP6195601B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2014135381A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160318 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170322 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180329 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190328 Year of fee payment: 7 |