TWI813033B - 基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題在於減少進行基板處理之裝置、系統以及方法中所使用的資料量。基板處理裝置係具備有：一個以上的處理單元，係分別對基板進行處理；以及一個以上的運算處理部。一個以上的運算處理部係組合用以分別規定與在一個以上的處理單元中對基板施予的處理有關的處理的條件之複數個處理處方中的兩個以上的處理處方，藉此作成用以規定針對基板的一連串的處理的流程之流程處方。複數個處理處方係包含有：複數個液體處理處方，係分別規定使用處理液對基板施予之處理的條件。

Description

基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法
本發明係有關於一種基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法。成為處理對象之基板係例如包括半導體基板、液晶顯示裝置用基板、有機EL(Electroluminescence；電致發光)顯示裝置等平板顯示器(flat panel display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。
有一種具有複數個處理單元之基板處理裝置，複數個處理單元係能使用藥液等處理液並實施基板的洗淨以及蝕刻等各種處理。
此外，有一種基板處理系統(參照例如專利文獻1等)，係具有：複數個基板處理裝置；以及群組控制器，係作為管理用的電腦，並經由通訊線路連接至複數個基板處理裝置。在群組控制器中，例如將在各個基板處理裝置的控制中所使用之處方(recipe)以及參數等之與基板的處理有關連之資訊(亦稱為製程關連資訊)記憶至記憶部，並進行複數個製程關連資訊的比較、手動的編輯以及朝基板處理裝置發送製程關連資訊。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2018-67626號公報。
然而，例如在管理用的電腦中，將基板處理裝置中的基板作為對象之處理的條件愈增加，則需要預先準備更多包含有流程處方(flow recipe)的資訊，流程處方係用以規定在基板處理裝置中所執行且將基板作為對象之一連串的處理。因此，例如管理用的電腦所記憶以及管理之資料量會增大，且從管理用的電腦發送至基板處理裝置之資料量會增大。如此，例如會需要增大管理用的電腦中的記憶部的記憶容量且需要提升對於基板處理裝置的通訊速度等。
因此，基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法係在刪減所使用的資料量之方面存在改善的餘地。
本發明有鑑於上述課題而研創，目的在於提供一種可刪減所使用的資料量之基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法。
為了解決上述課題，第一態樣的基板處理裝置係具備有：一個以上的處理單元，係分別對基板進行處理；以及一個以上的運算處理部。一個以上的前述運算處理部係組合複數個處理處方(processing recipe)中的兩個以上的處理處方，藉此作成用以規定針對基板的一連串的處理的流程之流程處方，複數個前述處理處方係用以分別規定與在一個以上的前述處理單元中對基板施予的處理有關的處理的條件。複數個前述處理處方係包含有：複數個液體處理處方，係分別規定使用處理液對基板施予之處理的條件。
第二態樣的基板處理裝置係如第一態樣所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：一個以上的感測器部，係分別取得針對一個以上的前述處理單元中的基板處理的狀況之指標的訊號。複數個前述處理處方係包含有：複數個計測處理處方，係分別規定用以取得前述指標的訊號 之一個以上的前述感測器部的計測處理的條件。一個以上的前述運算處理部係組合複數個前述液體處理處方中的一個以上的液體處理處方與複數個前述計測處理處方中的一個以上的計測處理處方，藉此作成前述流程處方。
第三態樣的基板處理裝置係如第二態樣所記載之基板處理裝置，其中一個以上的前述運算處理部係將複數個修正式中的至少一個修正式組合至兩個以上的前述處理處方中的至少一個處理處方，藉此作成前述流程處方，複數個前述修正式係用以依據一個以上的前述感測器部所取得的前述指標的訊號修正複數個前述處理處方的至少一部分的條件。一個以上的前述運算處理部係因應一個以上的前述感測器部所取得的前述指標的訊號從至少一個前述修正式算出一個以上的修正係數，並使用一個以上的前述修正係數修正至少一個前述處理處方所規定的條件。
第四態樣的基板處理裝置係如第二態樣或者第三態樣所記載之基板處理裝置，其中一個以上的前述感測器部係取得用以顯示基板的狀態之一種類以上的指標的訊號。複數個前述處理處方係包含有第一處理處方以及第二處理處方。複數個前述計測處理處方係包含有：第一計測處理處方，係規定用以取得一種類以上的前述指標的訊號之一個以上的前述感測器部的計測處理的條件。一個以上的前述運算處理部係組合前述第一計測處理處方與用以使處理的流程分別分歧之複數個分歧處理處方中的用以規定分歧處理的條件之一個分歧處理處方，將前述第一處理處方作為第一分歧後處理流程的處理處方組合至一個前述分歧處理處方，將前述第二處理處方作為第二分歧後處理流程的處理處方組合至一個前述分歧處理處方，藉此作成前述流程處方；前述分歧處理係在一種類以上的前述指標滿足第一條件時執行前述第一分歧後處理流程，在一種類以上的前述指標滿足第二條件時執行前述第二分歧後處理流程。
第五態樣的基板處理裝置係如第一態樣至第四態樣中任一態樣所記載之基板處理裝置，其中複數個前述液體處理處方係包含有：一個以上的構造化液體處理處方，係分別規定下述處理的流程以及條件：在對基板施予使用了第一處理液的處理時若處於第一狀態，則在對前述基板施予使用了前述第一處理液的處理後再施予使用了第二處理液的處理，且響應在對基板施予使用了前述第一處理液的處理時變成第二狀態的情形而對前述基板施予使用了第三處理液的處理。
第六態樣為一種基板處理系統，係具備有：複數個基板處理裝置；以及管理用裝置，係以可發送資料以及接收資料之方式連接至複數個前述基板處理裝置。前述管理用裝置係具有：第一通訊部，係在與複數個前述基板處理裝置各者之間發送資訊以及接收資訊。複數個前述基板處理裝置係分別具有：一個以上的處理單元，係分別對基板進行處理；第二通訊部，係在前述基板處理裝置與前述管理用裝置之間發送資訊以及接收資訊；以及一個以上的運算處理部，係作成用以規定針對基板的一連串的處理的流程之流程處方。複數個前述基板處理裝置以及前述管理用裝置中的至少一部分係具有：一個以上的記憶部，係記憶複數個處理處方，複數個前述處理處方係分別規定與在一個以上的前述處理單元中對基板施予的處理有關的處理的條件。複數個前述處理處方係包含有：複數個液體處理處方，係分別規定使用處理液對基板施予之處理的條件。前述第一通訊部係分別對複數個前述基板處理裝置發送用以分別特定兩個以上的處理處方之兩個以上的識別資訊。前述第二通訊部係接收兩個以上的前述識別資訊。一個以上的前述運算處理部係依據兩個以上的識別資訊組合複數個前述處理處方中的兩個以上的前述處理處方，藉此作成前述流程處方。
第七態樣的基板處理系統係如第六態樣所記載之基板處理 系統，其中複數個前述基板處理裝置係分別具有：一個以上的感測器部，係分別取得針對一個以上的前述處理單元中的基板處理的狀況之指標的訊號。複數個前述處理處方係包含有：複數個計測處理處方，係分別規定用以取得前述指標的訊號之一個以上的前述感測器部的計測處理的條件。一個以上的前述記憶部係記憶：複數個修正式，係用以依據一個以上的前述感測器部所取得的前述指標的訊號修正複數個前述處理處方的至少一部分的條件。一個以上的前述運算處理部係組合包含有複數個前述液體處理處方中的一個以上的液體處理處方以及複數個前述計測處理處方中的一個以上的計測處理處方之兩個以上的前述處理處方，並將複數個前述修正式中的至少一個修正式組合至兩個以上的前述處理處方中的至少一個處理處方，藉此作成前述流程處方。一個以上的前述處理單元係依循前述流程處方對基板施予處理。一個以上的前述感測器部係取得用以顯示基板的狀態之一種類以上的指標的訊號。一個以上的前述運算處理部係在藉由一個以上的前述處理單元依循前述流程處方對基板施予處理時，在一個以上的前述感測器部所取得的前述一種類以上的指標的訊號滿足預定的條件之情形中，藉由前述第二通訊部將用以顯示前述流程處方中的至少一個前述處理處方與至少一個前述修正式的組合之資訊發送至前述管理用裝置。
第八態樣為一種基板處理方法，係使用了具備有用以分別對基板進行處理之一個以上的處理單元以及一個以上的運算處理部之基板處理裝置，並具有步驟(a)、步驟(b)以及步驟(c)。在前述步驟(a)中，一個以上的記憶部係記憶：複數個處理處方，係分別規定與在一個以上的前述處理單元中對基板施予的處理有關的處理的條件。在前述步驟(b)中，一個以上的前述運算處理部係組合在前述步驟(a)中記憶於一個以上的前述記憶部之複數個前述處理處方中的兩個以上的處理處方，藉此作成用以規定針對 基板的一連串的處理的流程之流程處方。在前述步驟(c)中，一個以上的前述處理單元係依循在前述步驟(b)中所作成的前述流程處方執行處理。複數個前述處理處方係包含有：複數個液體處理處方，係分別規定使用處理液對基板施予之處理的條件。
依據第一態樣的基板處理裝置，例如即使針對基板的一連串的處理的條件增加，亦能組合預先準備的複數個處理處方中的兩個以上的處理處方並作成流程處方，而無需增加事前準備的流程處方的數量。藉此，例如能刪減在基板處理裝置等中預先準備的資料量。結果，例如能刪減在基板處理裝置中所使用的資料量。
依據第二態樣的基板處理裝置，例如不僅包含有使用了處理液的處理，亦包含用以進行計測之處理，能組合複數個處理處方中的兩個以上的處理處方並作成流程處方。藉此，例如即使針對包含有計測處理之基板的一連串的處理的條件增加，亦能組合預先準備的複數個處理處方中的兩個以上的處理處方並作成流程處方，而無需增加事前準備的流程處方的數量。結果，例如能刪減在基板處理裝置中所使用的資料量。
依據第三態樣的基板處理裝置，例如能將修正式組合至處理處方並作成流程處方。藉此，例如即使針對亦包含有處理的修正之基板的一連串的處理的條件增加，亦能組合預先準備的複數個處理處方中的兩個以上的處理處方並將預先準備的複數個修正式中的至少一個修正式組合至至少一個處理處方來作成流程處方，而無需增加事前準備的流程處方的數量。結果，例如能刪減在基板處理裝置中所使用的資料量。
依據第四態樣的基板處理裝置，例如組合第一計測處理處方、分歧處理處方、第一分歧後處理流程的第一處理處方以及第二分歧後 處理流程的第二處理處方，藉此能作成能實施已因應基板的狀態的一連串的處理之流程處方。藉此，例如即使以處理的流程因應基板的狀態而分歧之方式增加針對基板的一連串的處理的條件，亦能組合預先準備的複數個計測處理處方中的第一計測處理處方、預先準備的複數個分歧處理處方中的一個分歧處理處方、預先準備的複數個液體處理處方中的第一液體處理處方以及第二液體處理處方來作成已規定了用以使基板的狀態接近期望的狀態之針對基板的一連串的處理之流程處方，而無需增加事前準備的流程處方的數量。結果，例如能刪減在基板處理裝置等中預先準備的資料量，並能刪減在基板處理裝置中所使用的資料量。此外，與從基板處理裝置搬出基板後為了使基板接近期望的狀態而在基板處理裝置中再次對基板施予處理之情形相比，能容易地提高對基板施予的處理的效率。
依據第五態樣的基板處理裝置，例如在依序對基板施予使用了第一處理液的處理與使用了第二處理液的處理之情形中，若在對基板施予使用了第一處理液的處理時變成特定的狀態，則能結束使用了第一處理液的處理並對基板施予使用了第三處理液的處理。藉此，例如能因應對基板施予使用了第一處理液的處理時的狀況進行適當的處理。
依據第六態樣的基板處理系統，例如即使針對基板的一連串的處理的條件增加，基板處理裝置亦能組合預先準備的複數個處理處方中之與來自管理用裝置的兩個以上的識別資訊對應之兩個以上的處理處方來作成流程處方，而無需增加事前準備的流程處方的數量。藉此，例如能刪減在基板處理系統中預先準備的資料量。結果，例如能刪減在基板處理系統中所使用的資料量。
依據第七態樣的基板處理系統，例如在依據組合有修正式之處理處方產生良好的結果之情形中，將用以顯示處理處方與修正式的組合 之資訊發送至管理用裝置。藉此，例如其他的基板處理裝置亦能利用已獲得良好的結果的處理處方與修正式之組合。
依據第八態樣的基板處理方法，例如即使針對基板的一連串的處理的條件增加，亦能組合預先準備的複數個處理處方中之兩個以上的處理處方來作成流程處方，而無需增加事前準備的流程處方的數量。藉此，例如能刪減預先準備的資料量。結果，例如能刪減進行基板處理時所使用的資料量。
1:基板處理系統
5,L0c,L0d:通訊線路
10:管理用裝置
11,P01,P11,P21,P31:通訊部
12,P02:輸入部
13,P03:輸出部
14,P04,P14,P24,P34:記憶部
14dt,Dt0,Dt1,Dt2,Dt3:各種資訊
14pc:處理計畫資訊
14pg,pg0,Pg1,Pg2,Pg3:程式
15,P05,P15,P25,P35:控制部
15a,P05a,P15a,P25a,P35a:運算處理部
15b,P05b,P15b,P25b,P35b:記憶體
16,P06:驅動器
20:基板處理裝置
20a:第一基板處理裝置
20b:第二基板處理裝置
20c:第三基板處理裝置
21:處理單元
21sb:拍攝部
22a:氣體供給部分
22s,23s,214:感測器部
23:液體儲留單元
23h:加熱部
23ha:第一加熱部
23hb:第二加熱部
23hc:第三加熱部
23sa:第一感測器部
23sb:第二感測器部
23sc:第三感測器部
23t:儲留槽
23ta:第一儲留槽
23tb:第二儲留槽
23tc:第三儲留槽
24:搬運單元
30:搬運裝置
40:承載器置放場所
201:路徑
211:保持部
211u,Us1:上表面
212:旋轉機構
212s:旋轉支軸
212m:旋轉驅動部
213:處理液供給系統
213a:第一處理液供給部
213b:第二處理液供給部
213c:第三處理液供給部
Am1:臂部
At0:可動部
At1,At2:可動配管部
Ax1:旋轉軸
Bs1:下表面
Bu0,Bu1,Bu2,Bu3,Bu10:匯流排線
C:承載器
C4:分歧處理處方
C4a:第一分歧處理處方
C4b:第二分歧處理處方
C4c:第三分歧處理處方
C4d:第四分歧處理處方
C4e:第五分歧處理處方
C4f:第六分歧處理處方
C31:第一修正式
C31a:第一A修正式
C31b:第一B修正式
C31c:第一C修正式
C31d:第一D修正式
C31e:第一E修正式
C31f:第一F修正式
C32:第二修正式
C32a:第二A修正式
C32b:第二B修正式
C32c:第二C修正式
C32d:第二D修正式
C32e:第二E修正式
C32f:第二F修正式
CR:中心機器人
DG1,Db0:資料群組
DR1:第一方向
DR2:第二方向
F01,F22,F31:資訊取得部
F02:作成部
F03,F24,F152:記憶控制部
F04:指示部
F05:輸出控制部
F06,F13,F26,F34,F151:發送控制部
F11:取得部
F12:設定部
F21:處方取得部
F23:處方修正部
F25,F32:單元控制部
F33:液體管理部
FL1:流程處方
Fm0:膜厚計
Gp1:液體處理處方群組
Gp2:計測處理處方群組
Gp3:修正式群組
Gp31:第一修正式群組
Gp32:第二修正式群組
Gp4:分歧處理處方群組
H:手部
HR:加熱部
IR:索引機器人
L1:處理液
L11:第一處理液
L12:第二處理液
L13:第三處理液
LP:裝載埠
LP1至LP4:第一裝載埠
LP2:第二裝載埠
LP3:第三裝載埠
LP4:第四裝載埠
NA1:資料儲存體
Nz1,Nz2,Nz3:噴嘴
PC0:本體控制單元
PC1:預定管理用控制單元
PC2:部分控制單元
PC3:液體管理控制單元
Pp1,Pp2,Pp3:配管部
R1:液體處理處方
R1a:第一液體處理處方
R1b:第二液體處理處方
R1c:第三液體處理處方
R1d:第四液體處理處方
R1e:第五液體處理處方
R1f:第六液體處理處方
R2:計測處理處方
R2a:第一計測處理處方
R2b:第二計測處理處方
R2c:第三計測處理處方
R2d:第四計測處理處方
R2e:第五計測處理處方
R2f:第六計測處理處方
RM10:記憶媒體
Sc0:內部空間
Su1,Su2,Su3:液體輸送供給部
Vv1,Vv2,Vv3:噴出閥
W:基板
圖1係顯示第一實施形態的基板處理系統的概略構成的一例之圖。
圖2係顯示管理用裝置的電性的構成例之一以及功能性的構成例之一之方塊圖。
圖3係顯示基板處理裝置的概略性的構成的一例之示意性的俯視圖。
圖4係示意性地顯示處理單元的構成例之一之圖。
圖5係顯示基板處理裝置中的各個構成的連接態樣之方塊圖。
圖6係顯示本體控制單元的電性的構成例之一以及功能性的構成例之一之方塊圖。
圖7係顯示資料群組的內容的一例之圖。
圖8係顯示流程處方的一例之圖。
圖9係顯示流程處方的另一例之圖。
圖10係顯示流程處方的其他另一例之圖。
圖11係顯示預定管理用控制單元的電性的構成例之一以及功能性的構成例之一之方塊圖。
圖12係顯示部分控制單元的電性的構成例之一以及功能性的構成例之 一之方塊圖。
圖13係顯示液體管理控制單元的電性的構成例之一以及功能性的構成例之一之方塊圖。
圖14係顯示記憶於資料儲存體(data storage)之資料群組的內容的一例之圖。
圖15係顯示流程處方的作成的動作流程的一例之流程圖。
圖16係顯示處理處方的修正的動作流程的一例之流程圖。
圖17係顯示第二實施形態的資料群組所含有的分歧處理處方群組的一例之圖。
圖18係顯示第二實施形態的流程處方的一例之圖。
圖19係顯示第三實施形態之已構造化的液體處理處方的一例之圖。
圖20係顯示其他的流程處方的一例之圖。
以下，依據圖式說明本發明的各個實施形態以及各個變化例。在圖式中，針對具有相同的構成以及功能之部分附上相同的元件符號，並在以下中省略重複說明。此外，圖式係示意性地顯示。
(1)第一實施形態
(1-1)基板處理系統的概略構成
圖1係顯示第一實施形態的基板處理系統1的概略構成的一例之圖。如圖1所示，基板處理系統1係例如具備有管理用裝置10、複數個基板處理裝置20以及搬運裝置30。複數個基板處理裝置20係例如包含有第一基板處理裝置20a、第二基板處理裝置20b以及第三基板處理裝置20c。在此，管理用裝置10、複數個基板處理裝置20、搬運裝置30係經由通訊線路5而可以發送資料以及接收資料之方式連接。通訊線路5亦可例如為有線線路以及無線線路中的任 一種。
(1-2)管理用裝置
管理用裝置10係例如能總括地管理複數個基板處理裝置20。圖2中的(a)係顯示管理用裝置10的電性的構成的一例之方塊圖。如圖2中的(a)所示，管理用裝置10係由例如電腦等所實現，並具有與匯流排線Bu10連接之通訊部11、輸入部12、輸出部13、記憶部14、控制部15以及驅動器(drive)16。
通訊部11係例如具有作為發送部的功能以及作為接收部的功能，發送部係可經由通訊線路5對各個基板處理裝置20以及搬運裝置30發送訊號，接收部係可經由通訊線路5接收來自各個基板處理裝置20以及搬運裝置30的訊號。換言之，通訊部11係例如具有作為用以在複數個基板處理裝置20各者之間發送資訊以及接收資訊之部分(亦稱為第一通訊部)的功能。
輸入部12係例如能輸入已因應使用管理用裝置10之使用者的動作等之訊號。輸入部12係例如能包含有操作部、麥克風以及各種感測器等。操作部係例如能輸入已因應使用者的操作之訊號。操作部係例如能包含有滑鼠以及鍵盤等。麥克風係能輸入已因應使用者的聲音之訊號。各種感測器係能輸入已因應使用者的動作之訊號。
輸出部13係例如能輸出各種資訊。輸出部13係例如能包含有顯示部以及揚聲器等。顯示部係例如能以使用者可辨識的態樣可視性地輸出各種資訊。顯示部亦可例如具有已與輸入部12的至少一部分一體化之觸控面板的形態。揚聲器係例如能以使用者可辨識的態樣可聽性地輸出各種資訊。
記憶部14係例如能記憶資訊。記憶部14係例如能由硬碟或者快閃記憶體等非揮發性的記憶媒體所構成。在記憶部14中，亦可採用例如具有一個記憶媒體之構成、一體性地具有兩個以上的記憶媒體之構成以及將兩個以上的記憶媒體區分成兩個以上的部分之構成中的任一種構成。記憶部14係 例如能記憶程式14pg、處理計畫資訊14pc以及各種資訊14dt等。記憶部14亦可例如包含有後述的記憶體15b。
處理計畫資訊14pc係顯示時序等，該時序係針對各個基板處理裝置20執行後述的N台(N為自然數)的處理單元21(參照圖3等)中的複數個基板群組中的複數個連續的基板處理。一個基板群組係例如由構成一個批量(lot)之複數片基板W(參照圖3等)所構成。換言之，一個基板群組係包含有一群基板W。
各種資訊14dt係例如針對一群基板W的每個基板W包含有各個基板W的資訊、工作以及基板處理裝置20中的複數個處理的複數個識別資訊等。各個基板W的資訊係例如能包含有用以顯示在承載器(carrier)C中保持有基板W之插槽(slot)的號碼、基板W的形態以及已對基板W施予的處理之資訊(亦稱為已處理資訊)。用以顯示基板W的形態之資訊係例如能包含有基板W中的膜的厚度(亦稱為膜厚)以及膜厚的分布等。膜厚係例如能由各種膜厚計所測定而獲得，且可為膜厚的平均值、最小值、最大值中的任一種。基板處理裝置20中的複數個處理係例如包含有用以使用處理液對基板W所施予之處理(亦稱為液體處理)、用以計測與對基板W施予的處理有關連的各種狀態之處理(亦稱為計測處理)以及用以修正液體處理或者計測處理的條件之處理(亦稱為修正處理)。
複數個識別資訊係例如為用以分別特定基板處理裝置20中的複數個處理之資訊。在此，複數個識別資訊係例如包含有：用以針對每個處理處方特定複數個處理處方之識別資訊(亦稱為處方識別資訊)以及用以針對每個修正式特定修正用的計算式(亦稱為修正式)之識別資訊(亦稱為修正式識別資訊)，該複數個處理處方係分別規定與對基板W施予的處理有關的各種處理的條件，該修正用的計算式係規定各種修正處理。複數個處理處方係包含 有用以分別規定使用處理液對基板W施予處理的條件之複數個處方(亦稱為液體處理處方)以及用以分別規定計測處理的條件之複數個處方(亦稱為計測處理處方)。處方識別資訊以及修正式識別資訊係分別應用例如對各個處理處方以及各個修正式所賦予的數字、數字列、文字列、或者數字與文字的組合等。
控制部15係例如包含有作為處理器而發揮作用之運算處理部15a以及用以暫時性地記憶資訊之記憶體15b等。運算處理部15a係例如能應用中央運算部(亦即CPU(Central Processing Unit；中央處理器))等電性電路。記憶體15b係例如能應用隨機存取記憶體(RAM；Random Access Memory)等。運算處理部15a係例如能藉由讀入並執行記憶於記憶部14的程式14pg來實現管理用裝置10的功能。藉由控制部15中的各種資訊處理而暫時性地獲得之各種資訊亦能適當地記憶於記憶體15b等。
驅動器16係例如為可將可搬性的記憶媒體RM10裝卸之部分。驅動器16係例如能在安裝有記憶媒體RM10的狀態下進行記憶媒體RM10與控制部15之間的資料的授受。在此，例如亦可將記憶有程式14pg的記憶媒體RM10安裝至驅動器16，並從記憶媒體RM10將程式14pg讀入並記憶至記憶部14內。
圖2中的(b)係顯示藉由運算處理部15a所實現之功能性的構成的一例之方塊圖。如圖2中的(b)所示，運算處理部15a係例如具有發送控制部F151以及記憶控制部F152作為所實現的功能性的構成。作為在各部中的處理時的工作空間，例如使用記憶體15b。在此，例如藉由運算處理部15a所實現之功能的至少一部分亦可藉由專用的電性電路來實現。
發送控制部F151係例如能藉由通訊部11對複數個基板處理裝置20各者發送針對一群基板W各者之各個基板W的資訊、工作以及複數個識 別資訊。在此，所發送的複數個識別資訊係包含有用以分別特定兩個以上的處理處方之兩個以上的處方識別資訊。兩個以上的處方識別資訊亦可例如藉由記述順序等規定處理的順序號碼。此外，在此，所發送的複數個識別資訊亦可例如包含有至少一個修正式識別資訊。至少一個修正式識別資訊係例如能與兩個以上的處方識別資訊的至少一個處方識別資訊賦予關連。在此，與至少一個處方識別資訊賦予關連之至少一個修正式識別資訊係例如能因應作為處理的對象物之一群基板W的事前的狀態的資訊(已處理資訊、材質以及膜厚等)來決定。
記憶控制部F152係例如能使藉由通訊部11從複數個基板處理裝置20分別接收的資訊記憶至記憶部14。
(1-3)基板處理裝置
圖3係顯示基板處理裝置20的概略性的構成的一例之示意性的俯視圖。基板處理裝置20係例如為能對基板W的表面供給處理液藉此進行各種處理之葉片式的裝置。在此，能使用半導體基板(晶圓)作為基板W的一例。各種處理係例如包含有用以藉由藥液等施予蝕刻之藥液處理、用以藉由液體去除異物或者去除對象物之洗淨處理、用以藉由水沖洗之清洗(rinse)處理以及用以塗布阻劑(resist)等之塗布處理等。
基板處理裝置20係包含有複數個裝載埠(load port)LP、搬運單元24、液體儲留單元23以及複數個處理單元21。此外，基板處理裝置20係例如包含有本體控制單元PC0、預定管理用控制單元PC1、複數個部分控制單元PC2、液體管理控制單元PC3以及資料儲存體NA1。
(1-3-1)裝載埠
複數個裝載埠LP係分別為能保持作為收容器之承載器(亦稱為FOUP(Front Opening Unified Pod；前開式晶圓傳送盒))C之機構(亦稱為收容 器保持機構)。在圖3的例子中，存在有第一裝載埠LP1、第二裝載埠LP2、第三裝載埠LP3以及第四裝載埠LP4作為複數個裝載埠LP。第一裝載埠LP1至第四裝載埠LP4係具有作為用以在基板處理裝置20與基板處理裝置20的外部之間搬入複數個基板群組以及搬出複數個基板群組之部分(亦稱為搬出搬入部)的功能。在圖3的例子中，第一裝載埠LP1至第四裝載埠LP4與各個處理單元21係隔著間隔配置於水平方向。此外，第一裝載埠LP1至第四裝載埠LP4係於俯視觀看時沿著水平的第一方向DR1排列。
在此，例如藉由搬運裝置30從承載器置放場所40內將承載器C搬運並載置於第一裝載埠LP1至第四裝載埠LP4。承載器C係例如能收容作為一群基板W之複數片(在第一實施形態為二十五片)基板W。搬運裝置30的動作係能藉由例如管理用裝置10進行控制。在此，例如搬運裝置30亦可在複數個基板處理裝置20之間搬運承載器C。在圖3的例子中，搬運裝置30係可沿著第一方向DR1以及與第一方向DR1正交之水平的第二方向DR2移動。因此，例如能從承載器置放場所40內將用以分別收容構成一個基板群組的複數片基板W之承載器C搬運並載置於第一裝載埠LP1至第四裝載埠LP4中的任一者。並且，複數個承載器C係能在第一裝載埠LP1至第四裝載埠LP4中沿著第一方向DR1排列。
(1-3-2)搬運單元
搬運單元24係例如能將收容於被裝載埠LP的承載器C之一群基板W中的複數片基板W朝著複數個處理單元21依序搬運。在第一實施形態中，搬運單元24係包含有索引機器人(indexer robot)IR以及中心機器人(center robot)CR。索引機器人IR係例如能在第一裝載埠LP1至第四裝載埠LP4與中心機器人CR之間搬運基板W。中心機器人CR係例如能在索引機器人IR與各個處理單元21之間搬運基板W。
具體而言，索引機器人IR係例如能從承載器C將複數片基板W逐片地搬運至中心機器人CR，並能從中心機器人CR將複數片基板W逐片地搬運至承載器C。同樣地，中心機器人CR係例如能從索引機器人IR將複數片基板W逐片地搬入至各個處理單元21，並能從各個處理單元21將複數片基板W逐片地搬送至索引機器人IR。此外，例如中心機器人CR係能因應需要在複數個處理單元21之間搬運基板W。
在圖3的例子中，索引機器人IR係具有俯視觀看呈U字狀的兩個手部H。兩個手部H係配置於不同的高度。各個手部H係能以水平的姿勢支撐基板W。索引機器人IR係能使手部H沿著水平方向以及鉛直方向移動。再者，索引機器人IR係能藉由將沿著鉛直方向的軸作為中心旋轉(自轉)而變更手部H的方向。索引機器人IR係在通過授受位置(在圖3中描繪有索引機器人IR的位置)之路徑201中沿著第一方向DR1移動。授受位置係俯視觀看時索引機器人IR與中心機器人CR在與第一方向DR1正交的方向中對向之位置。索引機器人IR係能分別使手部H與任意的承載器C以及中心機器人CR對向。在此，例如索引機器人IR係使手部H移動，藉此能進行用以將基板W搬入至承載器C之搬入動作以及用以將基板W從承載器C搬出之搬出動作。此外，例如索引機器人IR係能與中心機器人CR協同動作並在授受位置進行授受動作，該授受動作係使基板W從索引機器人IR以及中心機器人CR中的一者移動至另一者。
與索引機器人IR同樣地，在圖3的例子中，中心機器人CR係具有俯視觀看呈U字狀的兩個手部H。兩個手部H係配置於不同的高度。各個手部H係能以水平的姿勢支撐基板W。中心機器人CR係能使各個手部H沿著水平方向以及鉛直方向移動。再者，中心機器人CR係能藉由將沿著鉛直方向的軸作為中心旋轉(自轉)而變更手部H的方向。中心機器人CR係在俯視觀看時被複數台處理單元21圍繞。中心機器人CR係能使手部H與任意的處理單元21 以及索引機器人IR中的任一者對向。在此，例如中心機器人CR係使手部H移動，藉此能進行用以將基板W搬入至各個處理單元21之搬入動作以及用以將基板W從各個處理單元21搬出之搬出動作。在此，各個處理單元21係具有用以遮蔽處理單元21與中心機器人CR之間之開閉式的擋門。該擋門係在中心機器人CR將基板W朝處理單元21搬入以及從處理單元21將基板W搬出時開放。此外，例如中心機器人CR係能與索引機器人IR協同動作並進行授受動作，該授受動作係使基板W從索引機器人IR以及中心機器人CR中的一者移動至另一者。
此外，於複數個處理單元21以及中心機器人CR所位於的箱室(box)的內部空間Sc0設置有用以對內部空間Sc0供給氣體(例如空氣)之部分(亦稱為氣體供給部分)22a以及用以偵測用以顯示內部空間Sc0的環境的狀態之指標(例如溫度等)之部分(亦稱為感測器部)22s。感測器部22s亦可檢測氣體供給部分22a朝內部空間Sc0供給氣體的供給量作為用以顯示內部空間Sc0的環境的狀態之一個指標。在此，內部空間Sc0的環境的狀態係影響複數個處理單元21中的基板處理。因此，感測器部22s係能取得針對複數個處理單元21中的基板處理的狀況之一種類以上的指標的訊號。
(1-3-3)液體儲留單元
液體儲留單元23係例如能儲留在複數個處理單元21中所使用的處理液L1(參照圖4等)。液體儲留單元23係例如包含有可儲留處理液L1之一個以上的儲留槽23t。在圖3的例子中，於液體儲留單元23存在有包含有第一儲留槽23ta、第二儲留槽23tb以及第三儲留槽23tc之三個儲留槽23t。於各個儲留槽23t設置有例如感測器部23s以及加熱部23h。感測器部23s係用以測定用以顯示儲留槽23t內的處理液L1的狀態(例如濃度、氫離子指數(pH(power of hydrogen；酸鹼值))以及溫度等)的物理量之部分。處理液L1係使用於處理單 元21中的基板W的處理。而且，處理液L1係例如有可能會因應時間的經過以及使用的程度而劣化。因此，處理液L1的狀態係影響處理單元21中的基板處理。亦即，感測器部23s係能取得針對複數個處理單元21中的基板處理的狀況之指標的訊號。加熱部23h係包含有發熱體之部分，發熱體係用以調整儲留槽23t內的處理液L1的溫度。發熱體的加熱方式係例如採用鹵素燈的放射加熱方式、不直接接觸液體之間接加熱方式、或者近紅外線光線的放射加熱方式等。在圖3的例子中，第一感測器部23sa與第一加熱部23ha係位於第一儲留槽23ta，第二感測器部23sb與第二加熱部23hb係位於第二儲留槽23tb，第三感測器部23sc與第三加熱部23hc係位於第三儲留槽23tc。在此，例如用以攪拌處理液L1之機構亦可存在於各個儲留槽23t。此外，例如一個以上的儲留槽23t係以可供給處理液L1的狀態連接至各個處理單元21。在此，各個儲留槽23t係可連接至複數個處理單元21中的全部的處理單元21，亦可連接至複數個處理單元21中的一部分的處理單元21。此外，在此，三個儲留槽23t係可儲留相同種類的處理液L1，亦可儲留不同種類的處理液L1。換言之，在第一儲留槽23ta、第二儲留槽23tb以及第三儲留槽23tc之間係可儲留同一種類的處理液L1，亦可儲留相互不同種類的處理液L1。
(1-3-4)處理單元
複數個處理單元21各者係能對基板W進行處理。在圖3的例子中，以平面性地配置之四台處理單元21分別所構成的三組處理單元21係以層疊之方式位於上下方向。藉此，存在有合計共十二台的處理單元21。複數個處理單元21係例如包含有能對基板W施予同種類的基板處理之兩個以上的處理單元21。藉此，在複數個處理單元21中，能對基板W並行地施予同種類的基板處理。
圖4係示意性地顯示處理單元21的構成例之一之圖。處理單元 21係能使用處理液L1對基板W施予處理。在處理單元21中，例如能將處理液L1供給至正在平面內旋轉的基板W的一個主表面(亦稱為上表面)Us1上，藉此對基板W的上表面Us1施予各種處理。處理液L1係例如應用黏度較低之水或者藥液等一般具有流動性且使用於基板的處理之液體。藥液係應用蝕刻液或者洗淨用藥液。更具體而言，藥液係能採用包含有硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氫氟酸、氫氟硝酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH(tetramethyl ammonium hydroxide；氫氧化四甲銨)等)、異丙醇(IPA；isopropyl alcohol))、界面活性劑以及防腐蝕劑中的一種以上之液體。
如圖4所示，處理單元21係例如具有保持部211、旋轉機構212、處理液供給系統213以及感測器部214。
保持部211係例如能以略水平姿勢保持基板W並使基板W旋轉。保持部211係例如應用真空夾具或者夾持式的夾具等，該真空夾具係具有可真空吸附基板W的上表面Us1的相反的另一個主表面(亦稱為下表面)Bs1之上表面211u，該夾持式的夾具係具有可夾持基板W的周緣部之複數個夾具銷(chuck pin)。
旋轉機構212係例如能使保持部211旋轉。旋轉機構212的構成係例如應用具有旋轉支軸212s以及旋轉驅動部212m之構成。旋轉支軸212s係例如上端部連結有保持部211，並沿著鉛直方向延伸。旋轉驅動部212m係例如具有馬達等，馬達係可使旋轉支軸212s以沿著鉛直方向的假想的旋轉軸Ax1作為中心旋轉。在此，例如旋轉驅動部212m係使旋轉支軸212s以旋轉軸Ax1作為中心旋轉，藉此保持部211在保持沿著水平面的姿勢之狀態下旋轉。藉此，例如被保持於保持部211上的基板W係以旋轉軸Ax1作為中心旋轉。在此，例如當基板W的上表面Us1以及下表面Bs1為略圓形時，旋轉軸Ax1係通過基板W的上表面Us1以及下表面Bs1的中心。
處理液供給系統213係例如能將一種類以上的處理液L1朝基板W噴出。在圖4的例子中，處理液供給系統213係具有第一處理液供給部213a、第二處理液供給部213b以及第三處理液供給部213c。
第一處理液供給部213a係例如具有噴嘴Nz1、配管部Pp1、可動配管部At1、噴出閥Vv1以及液體輸送供給部Su1。噴嘴Nz1係例如能將屬於處理液L1的一種之第一處理液L11朝被保持部211保持的基板W噴出。配管部Pp1係連繫液體輸送供給部Su1與噴嘴Nz1，並形成第一處理液L11流動之路徑。此外，可動配管部At1係位於配管部Pp1的中途，並以可將沿著鉛直方向的軸作為中心轉動之方式支撐配管部Pp1中的噴嘴Nz1側的部分。而且，例如能藉由馬達等驅動部的驅動力切換噴嘴Nz1位於基板W上之狀態(亦稱為可噴出液體狀態)與噴嘴Nz1未位於基板W上之狀態(亦稱為退避狀態)。在圖4的例子中，第一處理液供給部213a係處於可噴出液體狀態，噴嘴Nz1係能從基板W的正上方朝基板W的上表面Us1噴出第一處理液L11。噴出閥Vv1係例如配置於配管部Pp1的中途，並能因應來自部分控制單元PC2的訊號進行開閉。在此，例如開放噴出閥Vv1，藉此變成液體輸送供給部Su1與噴嘴Nz1連通的狀態。此外，例如閉鎖噴出閥Vv1，藉此變成液體輸送供給部Su1與噴嘴Nz1未連通的狀態。液體輸送供給部Su1係例如能因應來自本體控制單元PC0或者部分控制單元PC2等的訊號從例如液體儲留單元23(在此為第一儲留槽23ta)朝配管部Pp1輸送供給第一處理液L11。液體輸送供給部Su1係例如應用泵。
第二處理液供給部213b係具有與第一處理液供給部213a類似的構成。具體而言，第二處理液供給部213b係例如具有噴嘴Nz2、配管部Pp2、可動配管部At2、噴出閥Vv2以及液體輸送供給部Su2。噴嘴Nz2係例如能將屬於處理液L1的一種之第二處理液L12朝被保持部211保持的基板W噴出。配管部Pp2係連繫液體輸送供給部Su2與噴嘴Nz2，並形成第二處理液L12流動之路 徑。此外，可動配管部At2係位於配管部Pp2的中途，並以可將沿著鉛直方向的軸作為中心轉動之方式支撐配管部Pp2中的噴嘴Nz2側的部分。而且，例如能藉由馬達等驅動部的驅動力切換噴嘴Nz2位於基板W上之狀態(可噴出液體狀態)與噴嘴Nz2未位於基板W上之狀態(退避狀態)。在圖4的例子中，第二處理液供給部213b係處於可噴出液體狀態，噴嘴Nz2係能從基板W的正上方朝基板W的上表面Us1噴出第二處理液L12。噴出閥Vv2係例如配置於配管部Pp2的中途，並能因應來自部分控制單元PC2的訊號進行開閉。在此，例如開放噴出閥Vv2，藉此變成液體輸送供給部Su2與噴嘴Nz2連通的狀態。此外，例如閉鎖噴出閥Vv2，藉此變成液體輸送供給部Su2與噴嘴Nz2未連通的狀態。液體輸送供給部Su2係例如能因應來自本體控制單元PC0或者部分控制單元PC2等的訊號從例如液體儲留單元23(在此為第二儲留槽23tb)朝配管部Pp2輸送供給第二處理液L12。液體輸送供給部Su2係例如應用泵。
雖然於圖4描繪有第一處理液供給部213a以及第二處理液供給部213b雙方處於可噴出液體的狀態之情形，但實際上從第一處理液供給部213a以及第二處理液供給部213b雙方處於退避狀態之狀態切換成第一處理液供給部213a以及第二處理液供給部213b中的一者擇一地可噴出液體狀態。此外，在圖4中，雖然第一處理液供給部213a以及第二處理液供給部213b具有以彼此不干擾之方式上下地錯開之關係，但只要第一處理液供給部213a以及第二處理液供給部213b的退避狀態與可噴出液體狀態之間的切換動作適當地同步，則即使第一處理液供給部213a以及第二處理液供給部213b未具有上下地錯開之關係，彼此亦不會干擾。
第三處理液供給部213c係例如具有噴嘴Nz3、配管部Pp3、噴出閥Vv3以及液體輸送供給部Su3。噴嘴Nz3係例如能將屬於處理液L1的一種之第三處理液L13朝被保持部211保持的基板W噴出。在圖4的例子中，噴嘴 Nz3係能從基板W的斜上方朝基板W的上表面Us1噴出第三處理液L13。配管部Pp3係連繫液體輸送供給部Su3與噴嘴Nz3，並形成第三處理液L13流動之路徑。噴出閥Vv3係例如配置於配管部Pp3的中途，並能因應來自部分控制單元PC2的訊號進行開閉。在此，例如開放噴出閥Vv3，藉此變成液體輸送供給部Su3與噴嘴Nz3連通的狀態。此外，例如閉鎖噴出閥Vv3，藉此變成液體輸送供給部Su3與噴嘴Nz3未連通的狀態。液體輸送供給部Su3係例如能因應來自本體控制單元PC0或者部分控制單元PC2等的訊號從例如液體儲留單元23(在此為第三儲留槽23tc)朝配管部Pp3輸送供給第三處理液L13。液體輸送供給部Su3係例如應用泵。
具有上述構成之處理單元21係例如能依序進行從第一處理液供給部213a的噴嘴Nz1朝基板W噴出第一處理液L11、從第二處理液供給部213b的噴嘴Nz2朝基板W噴出第二處理液L12、從第三處理液供給部213c的噴嘴Nz3朝基板W噴出第三處理液L13。
在此，從各個噴嘴Nz1至Nz3朝基板W噴出的處理液L1係例如被從基板W的側方朝下方設置的罩(cup)等回收並返回至液體儲留單元23所對應的儲留槽23t。換言之，儲留於液體儲留單元23之處理液L1係以循環之方式反復地使用於基板處理。此時，例如處理液L1係呈現出因應使用次數而緩緩地劣化之傾向。在此，在處理液L1從處理單元21返回至液體儲留單元23時，亦可藉由過濾器等淨化處理液L1。
此外，在此，例如亦可於處理單元21存在有一個、兩個或者四個以上的處理液供給部。
感測器部214係例如能取得針對處理單元21中的基板處理的狀況之指標的訊號。在圖4的例子中，感測器部214係具有用以取得顯示基板W的狀態的一種類以上的指標的訊號之膜厚計Fm0以及拍攝部21sb。膜厚計Fm0 係例如能應用利用了光線的干擾之反射分光膜厚計等。反射分光膜厚計係例如能進行使用了稜鏡等的分光，並使用轉換式從光線的干擾的強度高之波長的光線算出膜厚。在此，在反射分光膜厚計中，例如只要針對每個材質因應取決於溫度之折射率來修正用以算出膜厚之轉換式，即能提升膜厚的計測精度。拍攝部21sb係例如應用平面性地排列有受光元件之區域感測器等利用了拍攝元件的物品。
膜厚計Fm0係例如固定於臂部Am1，臂部Am1係被可動部At0以可將沿著鉛直方向的軸作為中心旋轉之方式支撐。而且，例如藉由馬達等驅動部的驅動力轉動臂部Am1，藉此能切換膜厚計Fm0位於基板W上之狀態(可測定狀態)與膜厚計Fm0未位於基板W上之狀態(退避狀態)。膜厚計Fm0係例如亦可在退避狀態中被用以保護不被處理液L1附著之遮蔽構件(shield)保護。在此，一邊藉由旋轉機構212使基板W適當地旋轉一邊使臂部Am1轉動，藉此膜厚計Fm0能計測位於基板W上的廣範圍的各種膜的厚度(膜厚)。在此，膜厚亦可為例如複數個地方中的膜厚的平均值、最小值以及最大值中的任一種。在此，作為位於基板W上的膜，例如能採用氧化膜、單晶矽(silicon single crystal)層、多晶矽(polycrystal silicon)層、非晶矽(amorphous silicon)層、阻劑膜等各種膜。膜厚計Fm0係例如能在處理單元21中藉由處理液L1進行基板W的處理的前後測定基板W上的膜的膜厚。藉此，能取得作為針對處理單元21中的基板處理的狀況之一個指標的膜厚的訊號。膜厚計Fm0係例如將所獲得的訊號送出至部分控制單元PC2。在圖4中，雖然以在可測定狀態中基板W的上表面Us1與膜厚計Fm0之間的距離離開之方式簡單地描繪，但實際上膜厚計Fm0係在接近基板W的上表面Us1之狀態下進行膜厚的測定。
拍攝部21sb係例如在處理單元21中藉由處理液L1進行基板W的處理的前後拍攝基板W上的狀況，藉此能取得作為針對處理單元21中的基 板處理的狀況之一個指標的基板W的上表面Us1的狀態的影像訊號。拍攝部21sb係例如將所獲得的影像訊號送出至部分控制單元PC2。
感測器部214係例如亦可包含有下述構件等：流量計，係檢測從各個噴嘴Nz1至Nz3所噴出的處理液L1的噴出量；以及感測器(例如角度感測器等)，係檢測各個噴嘴Nz1、Nz2噴出處理液L1的位置(亦稱為噴出位置)。
(1-3-5)本體控制單元
本體控制單元PC0係例如能進行本體控制單元PC0與管理用裝置10之間的資料發送與資料接收以及基板處理裝置20中的各部的動作的控制等。
圖5係顯示基板處理裝置20中的控制系統以及資料發送接收系統的連接態樣之方塊圖。在此，本體控制單元PC0、預定管理用控制單元PC1、複數個部分控制單元PC2以及液體管理控制單元PC3係以可經由控制用的通訊線路L0c相互地發送以及接收各種控制用的訊號之方式連接。此外，本體控制單元PC0、預定管理用控制單元PC1、複數個部分控制單元PC2、液體管理控制單元PC3以及資料儲存體NA1係以可經由資料用的通訊線路L0d相互地發送以及接收各種資料之方式連接。控制用的通訊線路L0c以及資料用的通訊線路L0d亦可分別為有線線路以及無線線路中的任一者。
圖6中的(a)係顯示本體控制單元PC0的電性的構成的一例之方塊圖。如圖6中的(a)所示，本體控制單元PC0係例如由電腦等所實現，並具有經由匯流排線Bu0所連接的通訊部P01、輸入部P02、輸出部P03、記憶部P04、控制部P05以及驅動器P06。
通訊部P01係例如具有作為發送部以及接收部的功能，可經由控制用的通訊線路L0c進行預定管理用控制單元PC1、複數個部分控制單元PC2以及液體管理控制單元PC3之間的訊號發送以及接收、經由資料用的通訊線路L0d進行預定管理用控制單元PC1、複數個部分控制單元PC2以及液體管 理控制單元PC3等之間的資料的發送以及接收。此外，通訊部P01係例如具有經由通訊線路5對管理用裝置10發送資訊以及接收資訊的功能。換言之，通訊部P01係例如具有作為用以在通訊部P01與管理用裝置10之間發送資訊以及接收資訊之部分(亦稱為第二通訊部)的功能。在此情形中，通訊部P01係例如能接收從管理用裝置10所發送之針對一群基板W的各個基板W的資訊、工作以及兩個以上的識別資訊。
輸入部P02係例如能輸入已因應使用基板處理裝置20之使用者的動作等之訊號。在此，與上述輸入部12同樣地，輸入部P02係例如能包含有操作部、麥克風以及各種感測器等。輸入部P02係例如亦能輸入用以指示針對處方的資訊之手動的修正之訊號。
輸出部P03係例如能輸出各種資訊。與上述輸出部13同樣地，輸出部P03係例如能包含有顯示部以及揚聲器等。顯示部亦可具有與輸入部P02的至少一部分一體化的觸控面板的形態。
記憶部P04係例如能記憶資訊。記憶部P04係例如能由硬碟或者快閃記憶體等非揮發性的記憶媒體所構成。在記憶部P04中，亦可採用例如具有一個記憶媒體之構成、一體性地具有兩個以上的記憶媒體之構成以及將兩個以上的記憶媒體區分成兩個以上的部分之構成中的任一種構成。記憶部P04係例如能記憶程式pg0、各種資訊Dt0以及資料群組Db0等。記憶部P04亦可例如包含有後述的記憶體P05b。
各種資訊Dt0係例如包含有從管理用裝置10發送而來的針對一群基板W的各個基板W的資訊、工作以及複數個識別資訊等。
圖7係顯示資料群組Db0的內容的一例之圖。如圖7所示，資料群組Db0係例如包含有液體處理處方群組Gp1、計測處理處方群組Gp2以及修正式群組Gp3等。
液體處理處方群組Gp1係例如包含有複數個液體處理處方R1。在圖7的例子中，複數個液體處理處方R1係包含有第一液體處理處方R1a、第二液體處理處方R1b、第三液體處理處方R1c、第四液體處理處方R1d、第五液體處理處方R1e以及第六液體處理處方R1f。具體而言，複數個液體處理處方R1係例如能應用用以規定藉由藥液等施予蝕刻的藥液處理的條件之處方、用以規定藉由液體去除異物或者去除對象物的洗淨處理的條件之處方、用以規定藉由水沖洗的清洗處理的條件之處方以及用以規定塗布阻劑等的塗布處理的條件之處方等。此外，例如藥液處理係在由使用了第一處理液L11之處理、使用了第二處理液L12之處理、使用了第三處理液L13之處理以及乾燥處理等所構成之情形中，複數個液體處理處方R1亦可個別地應用用以規定使用了第一處理液L11之處理的條件之處方、用以規定使用了第二處理液L2之處理的條件之處方、用以規定使用了第三處理液L13之處理的條件之處方以及用以規定乾燥處理的條件之處方等。在此，例如第一處理液L11係例如能應用作為蝕刻液之混合了氫氟酸與硝酸之氫氟硝酸。第二處理液L12係例如能應用作為洗淨液之混合了氨水與過氧化氫水之混合液(SC1(Standard clean-1；第一標準清洗液，亦即氨水過氧化氫混和液(ammonia-hydrogen peroxide)液體)。第三處理液L13係例如能應用作為清洗液之純水。此外，例如由使用了第一處理液L11之處理、使用了第二處理液L12之處理、使用了第三處理液L13之處理以及乾燥處理等所構成之藥液處理的條件係可被一個液體處理處方R1規定，亦可被兩個以上的任意的數量的液體處理處方R1規定。
計測處理處方群組Gp2係例如包含有複數個計測處理處方R2。在圖7的例子中，複數個計測處理處方R2係包含有第一計測處理處方R2a、第二計測處理處方R2b、第三計測處理處方R2c、第四計測處理處方R2d、第五計測處理處方R2e以及第六計測處理處方R2f。計測處理處方R2係例如規 定感測器部214的計測處理的條件，該感測器部214係用以取得針對處理單元21中的基板處理的狀況之指標的訊號。例如，考量計測處理處方R2為規定使用膜厚計Fm0計測基板W上的膜的厚度之條件的態樣。再者，複數個計測處理處方R2係例如能包含有用以分別規定藉由膜厚計Fm0計測膜厚之位置以及計測次數彼此不同的計測的條件之處方。此外，計測處理處方群組Gp2亦可例如包含有一個以上的計測處理處方R2，亦可包含有兩個以上的任意的數量的計測處理處方R2。
如此，資料群組Db0係包含有複數個處理處方，該複數個處理處方係包含有複數個液體處理處方R1以及一個以上的計測處理處方R2。
修正式群組Gp3係例如包含有第一修正式群組Gp31以及第二修正式群組Gp32。第一修正式群組Gp31係例如包含有用以修正液體處理處方R1的至少一部分的條件之一個以上的第一修正式C31。在圖7的例子中，一個以上的第一修正式C31係包含有第一A修正式C31a、第一B修正式C31b、第一C修正式C31c、第一D修正式C31d、第一E修正式C31e以及第一F修正式C31f。各個第一修正式C31係例如應用用以依據感測器部22s、23s、214所取得的指標的訊號修正液體處理處方R1的至少一部分的條件之修正式。
例如，考量下述態樣：在液體處理處方R1係規定使用處理液進行基板W的膜的蝕刻之時間(亦稱為蝕刻時間)等條件之情形中，第一修正式C31係使用於下述修正處理：因應處理液的濃度、溫度以及蝕刻率(etching rate)等指標，變更液體處理處方R1所規定之條件的一部分之屬於修正對象的數值之蝕刻時間等。蝕刻時間係例如應用對基板W供給蝕刻液的供給時間等。在此情形中，考量下述修正式：例如將指標應用於變數，藉此算出用以乘上屬於修正對象的條件的一部分的數值(例如蝕刻時間)來修正該數值之係數(亦稱為修正係數)。例如修正式係可為對包含有一個變數之部分附加係數 之修正式，亦可為對包含有兩個以上的變數之部分分別附加係數之修正式。例如考量下述修正式：將第二值乘上第一值，藉此算出修正係數，該第一值係將第一係數乘上包含有第一變數之部分而獲得，該第二值係將第二係數乘上包含有第二變數之部分而獲得。再者，例如修正式亦可為在將修正係數(亦稱為第一修正係數)乘上修正對象的數值後再加上第三值(亦稱為第二修正係數)之修正式，該第三值係將第三係數乘上包含有第三變數之部分而獲得。
在此，例如將修正係數的初始值設定為1。此外，例如包含有第一變數之部分係可相對於第一指標的變化階段性地變化，包含有第二變數之部分係可相對於第二指標的變化階段性地變化。在此，例如設想下述情形：第一指標係藉由一個處理單元21剛對基板W施予的蝕刻處理中的蝕刻率(亦稱為第一蝕刻率)，第二指標係藉由另一個處理單元21剛對基板W施予的蝕刻處理中的蝕刻率(亦稱為第二蝕刻率)，第三指標係用以顯示儲留槽23t中的處理液L1從剛液體交換後起的使用次數之數值。在此情形中，例如第一係數至第三係數係作為對第一指標至第三指標加上權重之係數而發揮作用。在此，例如將第一係數設定成0至1的任意的數字(例如為0.8等)，將第二係數設定成(1-(第一係數)等)，將第三係數設定成任意的數字(例如0.1等)。而且，考量例如下述態樣：當以作為第一指標的第一蝕刻率除以第一蝕刻率的基準值所得之值為0.95至1.05時，則包含有第一變數之部分係設定成1；當以作為第一指標的第一蝕刻率除以基準的蝕刻率所得之值為1.05至1.15時，則包含有第一變數之部分係設定成1.1。此外，考量例如下述態樣：當以作為第二指標的第二蝕刻率除以第二蝕刻率的基準值所得之值為0.95至1.05時，則包含有第二變數之部分係設定成1；當以作為第二指標的第二蝕刻率除以第二蝕刻率的基準值所得之值為1.05至1.15時，則包含有第二變數之部分係設定成1.1。包含有第二變數之部分例如亦可設定成與包含有第一變數之部分相同的值。此外， 針對包含有第三變數之部分，例如在新的處理液L1之情形中，用以顯示使用次數之數值為0；因應處理液L1的使用，用以顯示使用次數之數值係變成1以上的自然數。在此，考量下述態樣：例如處理液L1隨著使用次數而降低處理能力，在使用次數為一次之情形中蝕刻時間延長為0.1小時，在使用次數為兩次之情形中蝕刻時間延長為0.2小時。
第二修正式群組Gp32係例如包含有用以修正計測處理處方R2的至少一部分的條件之一個以上的第二修正式C32。在圖7的例子中，一個以上的第二修正式C32係包含有第二A修正式C32a、第二B修正式C32b、第二C修正式C32c、第二D修正式C32d、第二E修正式C32e以及第二F修正式C32f。於各個第二修正式C32例如應用下述修正式：依據藉由感測器部22s、23s、214等所取得的指標的訊號來修正計測處理處方R2的至少一部分的條件。在此，例如考量下述態樣：在計測處理處方R2規定用以使用膜厚計Fm0計測基板W的膜的厚度(膜厚)之條件之情形中，第二修正式C32係使用於下述修正處理：因應處理單元21的溫度等指標，變更用以算出計測處理處方R2所規定的條件的一部分的膜厚之變換式。在此種態樣中，第二修正式C32係例如能針對每個膜的材質設定。
控制部P05係例如包含有作為處理器而發揮作用之運算處理部P05a以及用以暫時性地記憶資訊之記憶體P05b等。運算處理部P05a係例如能應用CPU等電性電路。記憶體P05b係例如能應用RAM等。運算處理部P05a係例如能藉由讀入並執行記憶於記憶部P04的程式Pg0來實現本發明的本體控制單元PC0的功能。藉由控制部P05中的各種資訊處理而暫時性地獲得之各種資訊亦能適當地記憶於記憶體P05b等。
驅動器P06係例如為可將可搬性的記憶媒體RM0裝卸之部分。驅動器P06係例如能在安裝有記憶媒體RM0的狀態下進行記憶媒體RM0與控 制部P05之間的資料的授受。在此，例如在將記憶有程式Pg0的記憶媒體RM0安裝至驅動器P06的狀態下，驅動器P06亦可從記憶媒體RM0將程式Pg0讀入並記憶至記憶部P04內。
圖6中的(b)係顯示藉由運算處理部P05a所實現之功能性的構成的一例之方塊圖。如圖6中的(b)所示，運算處理部P05a係例如具有資訊取得部F01、作成部F02、記憶控制部F03、指示部F04、輸出控制部F05以及發送控制部F06作為所實現的功能性的構成。作為在各部中的處理時的工作空間，例如使用記憶體P05b。在此，例如藉由運算處理部P05a所實現之功能的至少一部分亦可藉由專用的電性電路來實現。
資訊取得部F01係例如能取得從管理用裝置10所發送之針對一群基板W的各個基板W的資訊、工作以及兩個以上的識別資訊。各個基板W的資訊係例如能包含有在承載器C中保持有基板W之插槽的號碼、基板W的形態(膜厚以及膜厚的分部等)以及已處理資訊。兩個以上的識別資訊係例如包含有兩個以上的處方識別資訊以及與這兩個以上的處方識別資訊的至少一個處方識別資訊賦予關連的至少一個修正式識別資訊。
作成部F02係例如能作成用以規定針對基板W的一連串的處理的流程之處方(亦稱為流程處方)FL1。例如，作成部F02係組合記憶部P04所記憶之用以分別規定處理的條件之複數個處理處方中的兩個以上的處理處方，藉此能作成用以規定針對基板W的一連串的處理的流程之流程處方FL1。在第一實施形態中，作成部F02係例如依據資訊取得部F01所取得的兩個以上的識別資訊組合記憶部P04所記憶的複數個處理處方中的兩個以上的處理處方，藉此能作成流程處方FL1。在此，例如能因應兩個以上的識別資訊的記述順序等設定兩個以上的處理處方的組合順序。如此，例如能針對收容於一個承載器C的二十五片基板W等一群基板W作成一個流程處方FL1。
而且，只要採用此種構成，例如即使針對基板W的一連串的處理的條件增加，亦能組合預先準備的複數個處理處方中的兩個以上的處理處方並作成流程處方FL1，而無需增加事前準備的流程處方FL1的數量。藉此，例如能刪減在基板處理系統1、管理用裝置10以及基板處理裝置20等中預先準備的資料量。結果，例如能刪減在基板處理系統1、管理用裝置10以及基板處理裝置20中所使用的資料量。
在此，考量下述態樣：用以構成流程處方FL1之兩個以上的處理處方係例如包含有兩個以上的液體處理處方R1。圖8係顯示流程處方FL1的一例之圖。圖8所示的流程處方FL1係例如能藉由依序組合記憶部P04所記憶的複數個液體處理處方R1中的第四液體處理處方R1d、第一液體處理處方R1a、第五液體處理處方R1e來作成。在此，例如第四液體處理處方R1d係規定使用了氫氟硝酸等第一處理液L11之處理(蝕刻處理等)的條件；第一液體處理處方R1a係例如規定使用了SC1液體等第二處理液L12之處理(洗淨處理等)的條件；第五液體處理處方R1e係例如規定使用了純水等第三處理液L13之處理(清洗處理等)的條件。在此情形中，作成部F02係例如組合記憶部P04所記憶的複數個液體處理處方R1中的兩個以上的液體處理處方R1，藉此作成流程處方FL1。只要採用此種構成，例如即使針對基板W的一連串的處理的條件增加，亦能組合預先準備的複數個處理處方中的兩個以上的液體處理處方並作成流程處方FL1，而無需增加事前準備的流程處方FL1的數量。結果，例如能刪減在基板處理系統1、管理用裝置10以及基板處理裝置20等中所使用的資料量。
此外，在此，考量下述態樣：用以構成流程處方FL1之兩個以上的處理處方係例如包含有一個以上的液體處理處方R1以及一個以上的計測處理處方R2。圖9係顯示流程處方FL1的另一例之圖。圖9所示的流程處方 FL1係例如能藉由依序組合記憶部P04所記憶的複數個液體處理處方R1以及複數個計測處理處方R2中的第二計測處理處方R2d、第四液體處理處方R1d、第一液體處理處方R1a、第五液體處理處方R1e以及第二計測處理處方R2d來作成。在此，例如考量下述態樣：第二計測處理處方R2b係規定用以計測基板W中的薄膜的膜厚之條件。在此情形中，作成部F02係例如組合記憶部P04所記憶的複數個液體處理處方R1中的一個以上的液體處理處方R1以及記憶部P04所記憶的複數個計測處理處方R2中的一個以上的計測處理處方R2，藉此作成流程處方FL1。只要採用此種構成，例如不僅能包含有液體處理亦包含有計測處理，並能組合複數個處理處方中的兩個以上的處理處方來作成流程處方FL1。藉此，例如即使針對包含有計測之基板W的一連串的處理的條件增加，亦能組合預先準備的複數個處理處方中的兩個以上的處理處方並作成流程處方FL1，而無需增加事前準備的流程處方FL1的數量。結果，例如能刪減在基板處理系統1、管理用裝置10以及基板處理裝置20等中所使用的資料量。
此外，在此，用以構成流程處方FL1之兩個以上的處理處方中的至少一個處理處方亦可組合有至少一個修正式。圖10係顯示流程處方FL1的其他另一例之圖。圖10所示的流程處方FL1係例如能藉由下述方式作成：依序組合有記憶部P04所記憶的複數個處理處方中的第二計測處理處方R2b、第四液體處理處方R1d、第一液體處理處方R1a、第五液體處理處方R1e、第二計測處理處方R2b，且各個處理處方組合有第一修正式C31或者第二修正式C32。具體而言，在此，例如於第二計測處理處方R2b組合有第二A修正式C32a，於第四液體處理處方R1d組合有第一E修正式C31e，於第一液體處理處方R1a組合有第一C修正式C31c，於第五液體處理處方R1e組合有第一F修正式C31f，於第二計測處理處方R2b組合有第二A修正式C32a。在此情形中，作成 部F02係例如於兩個以上的處理處方中的至少一個處理處方組合至少一個修正式，藉此作成流程處方FL1。藉此，例如即使亦包含有處理的修正之處理的條件增加，亦能組合預先準備的複數個處理處方中的兩個以上的處理處方並將預先準備的複數個修正式中的至少一個修正式組合至至少一個處理處方來作成流程處方FL1，而無需增加事前準備的流程處方FL1的數量。結果，例如能刪減在基板處理系統1、管理用裝置10以及基板處理裝置20等中所使用的資料量。
記憶控制部F03係例如能使記憶部P04記憶資訊取得部F01所獲得的資訊以及作成部F02所作成的流程處方FL1等。此外，記憶控制部F03係能使記憶部P04記憶從管理用裝置10或者記憶媒體RM0輸入的資料群組Db0的資訊。
指示部F04係例如能對預定管理用控制單元PC1、複數個部分控制單元PC2以及液體管理控制單元PC3進行各種指示。指示部F04係例如：能對預定管理用控制單元PC1進行指示以設定針對基板處理裝置20中的一群基板W的搬運以及處理之時間排程(time schedule)；能對複數個部分控制單元PC2進行指示以進行依循流程處方FL1以及時間排程的動作；能對液體管理控制單元PC3進行指示以進行處理液L1的溫度調節、交換以及監控等。時間排程係例如規定搬運單元24對於基板W的搬運時序以及複數個處理單元21對於基板W的處理時序等。藉此，例如複數個處理單元21係能因應用以規定對基板W施予之處理的條件之流程處方FL1對基板W施予處理。在第一實施形態中，例如能在複數個處理單元21中的兩個以上的處理單元21中因應同樣的處方對基板W並行地施予相同的處理。在此，相同的處理係指在處理單元21內使用相同的一種類以上的處理液L1以及感測器部214以相同的順序進行之處理。而且，例如即使藉由液體處理處方R1的修正使使用了處理液L1的液體處 理的時間增減，或者即使藉由計測處理處方R2的修正使使用了感測器部214等的計測處理的時間等增減，只要在處理單元21內使用相同的一種類以上的處理液L1以及感測器部214以相同的順序進行處理，則能視為相同的處理。
輸出控制部F05係例如能使輸出部P03可視性或者可聽性地輸出針對基板處理裝置20的狀態之資訊。
發送控制部F06係例如能使通訊部P01執行對管理用裝置10發送各種資訊。在此，各種資訊係例如能包含有對於基板處理裝置20中的各個承載器C的一群基板W的處理的結果之資訊。此外，發送控制部F06係例如能使通訊部P01執行對預定管理用控制單元PC1以及複數個部分控制單元PC2發送流程處方FL1的資訊。
(1-3-6)預定管理用控制單元
預定管理用控制單元PC1係例如能因應來自本體控制單元PC0的指示針對收容於承載器C的一群基板W進行已與流程處方FL1相應的時間排程的設定。時間排程係例如規定藉由搬運單元24將構成收容於承載器C的一群基板W之複數個基板W依序地搬運至複數個處理單元21之時序以及對複數個基板W施予處理之時序。
圖11中的(a)係顯示預定管理用控制單元PC1的電性的構成的一例之方塊圖。如圖11中的(a)所示，預定管理用控制單元PC1係例如由電腦等所實現，並具有經由匯流排線Bu1連接的通訊部P11、記憶部P14以及控制部P15。
通訊部P11係例如具有作為發送部以及接收部的功能，可經由控制用的通訊線路L0c進行通訊部P11與本體控制單元PC0等之間的信號的發送以及訊號的接收，並能經由資料用的通訊線路L0d進行通訊部P11與本體控制單元PC0等之間的資料的發送以及資料的接收。
記憶部P14係例如能記憶資訊。記憶部P14係例如能由硬碟或者快閃記憶體等非揮發性的記憶媒體所構成。在記憶部P14中，亦可採用例如具有一個記憶媒體之構成、一體性地具有兩個以上的記憶媒體之構成以及將兩個以上的記憶媒體區分成兩個以上的部分之構成中的任一種構成。記憶部P14係例如能記憶程式Pg1以及各種資訊Dt1。記憶部P14亦可例如包含有後述的記憶體P15b。
控制部P15係例如包含有作為處理器而發揮作用之運算處理部P15a以及用以暫時性地記憶資訊之記憶體P15b等。運算處理部P15a係例如能應用CPU等電性電路，記憶體P15b係例如能應用RAM等。運算處理部P15a係例如能藉由讀入並執行記憶於記憶部P14的程式Pg1來實現預定管理用控制單元PC1的功能。藉由控制部P15中的各種資訊處理而暫時性地獲得之各種資訊亦能適當地記憶於記憶體P15b等。
圖11中的(b)係顯示由運算處理部P15a所實現的功能性的構成的一例之方塊圖。如圖11中的(b)所示，運算處理部P15a係具有例如取得部F11、設定部F12以及發送控制部F13作為所實現的功能性的構成。作為各部的處理中的工作空間，例如使用記憶體P15b。在此，例如由運算處理部P15a所實現的功能的至少一部分亦可由專用的電性電路所實現。
取得部F11係能取得由本體控制單元PC0所作成的流程處方FL1的資訊。
設定部F12係例如能因應取得部F11所取得的流程處方FL1來進行時間排程的設定。
在此，發送控制部F13係例如能使通訊部P11執行對於本體控制單元PC0發送各種資訊。在此，各種資訊係例如能包含有設定部F12所設定的時間排程的資訊等。
(1-3-7)部分控制單元
複數個部分控制單元PC2係例如能因應來自本體控制單元PC0的指示控制複數個處理單元21以及搬運單元24的動作。在第一實施形態中，於每個處理單元21設置有專用的部分控制單元PC2，於搬運單元24亦設置有專用的部分控制單元PC2。處理單元21的部分控制單元PC2係例如能一邊適當地監控處理單元21的各部的動作以及狀態一邊控制處理單元21的各部的動作。搬運單元24的部分控制單元PC2係例如能一邊適當地監控搬運單元24的各部的動作以及狀態一邊控制搬運單元24的各部的動作。此外，在此，例如亦可於兩個以上的處理單元21設置有一個部分控制單元PC2，搬運單元24的動作亦可被本體控制單元PC0控制。
圖12中的(a)係顯示部分控制單元PC2的電性的構成的一例之方塊圖。如圖12中的(a)所示，部分控制單元PC2係例如由電腦等所實現，並具有經由匯流排線Bu2連接之通訊部P21、記憶部P24以及控制部P25。
通訊部P21係例如具有作為發送部以及接收部的功能，可經由控制用的通訊線路L0c進行通訊部P21與本體控制單元PC0等之間的信號的發送以及訊號的接收，並能經由資料用的通訊線路L0d進行通訊部P21與本體控制單元PC0以及資料儲存體NA1等之間的資料的發送以及資料的接收。
記憶部P24係例如能記憶資訊。記憶部P24係例如能由硬碟或者快閃記憶體等非揮發性的記憶媒體所構成。在記憶部P24中，亦可採用例如具有一個記憶媒體之構成、一體性地具有兩個以上的記憶媒體之構成以及將兩個以上的記憶媒體區分成兩個以上的部分之構成中的任一種構成。記憶部P24係例如能記憶程式Pg2以及各種資訊Dt2。記憶部P24亦可例如包含有後述的記憶體P25b。
控制部P25係例如包含有作為處理器而發揮作用之運算處理部 P25a以及用以暫時性地記憶資訊之記憶體P25b等。運算處理部P25a係例如能應用CPU等電性電路，記憶體P25b係例如能應用RAM等。運算處理部P25a係例如能藉由讀入並執行記憶於記憶部P24的程式Pg2來實現部分控制單元PC2的功能。藉由控制部P25中的各種資訊處理而暫時性地獲得之各種資訊亦能適當地記憶於記憶體P25b等。
圖12中的(b)係顯示由運算處理部P25a所實現的功能性的構成的一例之方塊圖。如圖12中的(b)所示，運算處理部P25a係具有例如處方取得部F21、資訊取得部F22、處方修正部F23、記憶控制部F24、單元控制部F25以及發送控制部F26作為所實現的功能性的構成。作為各部的處理中的工作空間，例如使用記憶體P25b。在此，例如由運算處理部P25a所實現的功能的至少一部分亦可由專用的電性電路所實現。
處方取得部F21係例如能從本體控制單元PC0取得流程處方FL1。
資訊取得部22係例如能獲得針對儲存於資料儲存體NA1的資料群組DG1之複數個處理單元21各者中的基板處理的狀況的一種類以上的指標的資料。資訊取得部F22係例如亦可從資料儲存體NA1的資料群組DG1選擇性地獲得在處方修正部F23中所使用的一種類以上的指標的資料。在處方修正部F23中所使用的一種類以上的指標的資料係例如能藉由參照在流程處方FL1中與處理處方賦予關連的至少一個修正式而辨識。
處方修正部F23係例如能使用與處理處方賦予關連的至少一個修正式修正流程處方FL1中的處理處方。在此，例如處方修正部F23係因應感測器部22s、23s、214所取得的指標的訊號從流程處方FL1中的至少一個修正式算出一個以上的修正係數，並使用所算出的一個以上的修正係數修正流程處方FL1中與至少一個修正式賦予關連的至少一個處理處方所規定的一部分 的條件。在此，如上所述，一個以上的修正係數係可為一個亦可為兩個以上。而且，例如考量下述態樣：在一個處理單元21處理一群基板W中的一片基板W之前的預定的時序中，處方修正部F23係針對一片基板W的處理修正處理處方。作為預定的時序，考量在使用用以對一片基板W施予處理之一個處理單元21之前結束對另一片基板W的處理之時序。在此情形中，響應結束對使用一個處理單元21的一片基板W的處理，處方修正部F23係修正針對下一片基板W的處理處方。
記憶控制部F24係例如能將處方取得部F21所取得的流程處方FL1、處方修正部F23修正後的處理處方(亦稱為修正後的處理處方)以及處方修正部F23所算出的一個以上的修正係數記憶至記憶部P24。藉此，記憶部P24的各種資訊Dt2係例如能包含有流程處方FL1、修正後的處理處方以及一個以上的修正係數。
單元控制部F25係例如能依據流程處方FL1藉由處理單元21執行對於基板W的處理。在此，例如藉由處方修正部F23修正處理處方時，單元控制部F25係依據包含有修正後的處理處方之流程處方FL1藉由處理單元21執行對於基板W的處理。此外，處理單元21的單元控制部F25係例如能控制感測器部214的動作。此外，搬運單元24的單元控制部F25係例如能控制感測器部22s的動作。感測器部214以及感測器部22s的動作的條件係例如由計測處理處方所規定。藉此，感測器部214以及感測器部22s係能取得針對處理單元21中的基板處理的狀況之一種類以上的指標的訊號。在此情形中，單元控制部F25係例如能從感測器部214以及感測器部22s取得一種類以上的指標的訊號。在此，單元控制部F25係例如亦可從處理前後的膜厚以及處理時間算出蝕刻率作為依據一種類以上的指標的訊號之數值。處理前的膜厚例如係可為感測器部214所獲得的基板W的膜厚，亦可為本體控制單元PC0從管理用裝置10 所獲得的基板W的膜厚。此外，例如部分控制單元PC2亦可對從感測器部214所獲得的影像訊號施予影像處理，藉此算出用以顯示基板W的表面的不均程度等之數值作為依據一種類以上的指標的訊號之數值。
發送控制部F26係例如能使通訊部P21執行對本體控制單元PC0以及資料儲存體NA1發送各種資訊。在此，發送至本體控制單元PC0的各種資訊係例如能包含有已結束基板處理之意旨的資訊、實際上對基板W施予的處理的歷程(程序紀錄(process log))、處方修正部F23所修正的修正後的處方的資訊以及使用感測器部22s、214所取得的一種類以上的指標的資料等。此外，對資料儲存體NA1發送的各種資訊係例如能包含有使用感測器部22s、214所取得的一種類以上的指標的資料等。
(1-3-8)液體管理控制單元
液體管理控制單元PC3係例如控制液體儲留單元23所含有的各部的動作，藉此能管理液體儲留單元23內的處理液L1的狀態。
圖13中的(a)係顯示液體管理控制單元PC3的電性的構成的一例之方塊圖。如圖13中的(a)所示，液體管理控制單元PC3係例如由電腦等所實現，並具有經由匯流排線Bu3所連接之通訊部P31、記憶部P34以及控制部P35。
通訊部P31係例如具有作為發送部以及接收部的功能，可經由控制用的通訊線路L0c進行通訊部P31與本體控制單元PC0等之間的信號的發送以及訊號的接收，並能經由資料用的通訊線路L0d進行通訊部P31與本體控制單元PC0以及資料儲存體NA1之間的資料的發送以及資料的接收。
記憶部P34係例如能記憶資訊。記憶部P34係例如能由硬碟或者快閃記憶體等非揮發性的記憶媒體所構成。在記憶部P34中，亦可採用例如具有一個記憶媒體之構成、一體性地具有兩個以上的記憶媒體之構成以及將兩 個以上的記憶媒體區分成兩個以上的部分之構成中的任一種構成。記憶部P34係例如能記憶程式Pg3以及各種資訊Dt3等。記憶部P34亦可例如包含有後述的記憶體P35b。
控制部P35係例如包含有作為處理器而發揮作用之運算處理部P35a以及用以暫時性地記憶資訊之記憶體P35b等。運算處理部P35a係例如能應用CPU等電性電路，記憶體P35b係例如能應用RAM等。運算處理部P35a係例如能藉由讀入並執行記憶於記憶部P34的程式Pg3來實現液體管理控制單元PC3的功能。藉由控制部P35中的各種資訊處理而暫時性地獲得之各種資訊亦能適當地記憶於記憶體P35b等。
圖13中的(b)係顯示由運算處理部P35a所實現的功能性的構成的一例之方塊圖。如圖13中的(b)所示，運算處理部P35a係具有例如資訊取得部F31、單元控制部F32、液體管理部F33以及發送控制部F34作為所實現的功能性的構成。作為各部的處理中的工作空間，例如使用記憶體P35b。在此，例如由運算處理部P35a所實現的功能的至少一部分亦可由專用的電性電路所實現。
資訊取得部F31係例如能取得來自本體控制單元PC0的各種指示。各種指示係例如包含有用以進行處理液L1的溫度調整、交換以及監視等。
單元控制部F32係例如能控制液體儲留單元23中的動作。單元控制部F32係例如能使各個儲留槽23t的感測器部23s取得用以顯示處理液L1的狀態之物理量的訊號。藉此，感測器部23s係能取得針對處理單元21中的基板處理的狀況之一種類以上的指標的訊號。此外，單元控制部F32係例如能使加熱部HR加熱各個儲留槽23t內的處理液L1。此外，例如在各個儲留槽23t具有用以自動地交換處理液L1之液體交換部之情形中，單元控制部F32係能藉由液體交換部交換各個儲留槽23t內的處理液L1。
液體管理部F33係例如能管理從各個儲留槽23t中的處理液L1的液體交換起的經過時間以及處理液L1的使用次數。經過時間係例如能將最近交換處理液L1之時刻作為基準並藉由時鐘的功能予以辨識並管理。處理液L1的使用次數係例如能依據儲留於各個儲留槽23t的處理液L1的量以及從各個儲留槽23t朝複數個處理單元21供給處理液L1的供給量予以辨識並管理。
發送控制部F34係例如能使通訊部P31執行對本體控制單元PC0以及資料儲存體NA1發送各種資訊。在此，發送至本體控制單元PC0的各種資訊係例如能包含有從各個儲留槽23t中的處理液L1的液體交換起的經過時間以及處理液L1的使用次數的資訊等。此外，對資料儲存體NA1發送的各種資訊係例如能包含有使用感測器部23s所取得的一種類以上的指標的資訊以及從各個儲留槽23t中的處理液L1的液體交換起的經過時間以及處理液L1的使用次數的資訊等。
(1-3-9)資料儲存體
資料儲存體NA1係例如能依據各個感測器部22s、23s、214等所取得的訊號記憶針對複數個處理單元21各者中的基板處理的狀況之一種類以上的指標的資料群組DG1。資料群組DG1係例如亦可包含有從液體管理控制單元PC3發送之從各個儲留槽23t中的處理液L1的液體交換起的經過時間以及處理液L1的使用次數的資訊作為針對複數個處理單元21各者中的基板處理的狀況之一種類以上的指標的資料。資料儲存體NA1係例如可應用硬碟或者快閃記憶體等非揮發性的記憶媒體，亦可應用RAM等揮發性的記憶媒體。
圖14係顯示記憶於資料儲存體NA1之資料群組DG1的內容的一例之圖。如圖14所示，資料群組DG1係例如能包含有用以顯示內部空間Sc0中的環境的狀態之指標的數值(例如環境的溫度、氣體的供給量等)、用以顯示處理液L1的狀態之指標的數值(例如濃度、pH、溫度、從液體交換 起的經過時間、處理液L1的使用次數等)、基板W的狀態的指標的數值(例如處理前後的膜厚、蝕刻速度、基板表面的不均的程度)等。此外，資料群組DG1例如亦可包含有用以顯示處理液L1的噴出狀態之指標的數值(噴出量、噴出位置等)。在此，在資料儲存體NA1中，例如資料群組DG1所含有的各種資料被覆寫，藉此設定成最新的指標的資料。此外，資料群組DG1所含有的各種資料亦可例如包含有用以顯示是被哪一個部分(處理單元21或者儲留槽23t等)的哪一個感測器部22s、23s、214所取得的意旨之資料。
(1-4)流程處方作成動作
圖15係顯示流程處方FL1的作成的動作流程的一例之流程圖。在此，例如藉由本體控制單元PC0的運算處理部P05a執行程式Pg0並藉由預定管理用控制單元PC1的運算處理部P15a執行程式Pg1，藉此本體控制單元PC0與預定管理用控制單元PC1協同動作，實現圖15所示的流程處方FL1的作成的動作流程。
首先，在圖15的步驟Sp1中，本體控制單元PC0的記憶控制部F03係使記憶部P04記憶用以分別規定與對複數個處理單元21中的基板W施予的處理有關的處理的條件之複數個處理處方以及修正式。藉此，於記憶部P04記憶有資料群組Db0。在此，複數個處理處方係例如包含有用以分別規定使用處理液L1對基板W施予處理的條件之複數個液體處理處方R1。
在步驟Sp2中，本體控制單元PC0的資訊取得部F01係判定是否已從管理用裝置10取得工作。在此，例如資訊取得部F01係響應收容有一群基板W的承載器C被載置於裝載埠LP之情形，反復步驟Sp2的判定直至從管理用裝置10獲得針對承載器C所收容的一群基板W之工作為止。接著，只要資訊取得部F01獲得工作則進入至步驟Sp3。
在步驟Sp3中，本體控制單元PC0的資訊取得部F01係從管理用 裝置10取得已與在步驟Sp2所獲得的工作對應之兩個以上的識別資訊以及針對包含有各個基板W的資訊之一群基板W的資訊。兩個以上的識別資訊係能包含有：處方識別資訊，係用以分別特定液體處理的液體處理處方以及計測處理的計測處理處方；以及修正式識別資訊，係用以特定修正處理的修正式。
在步驟Sp4中，本體控制單元PC0的作成部F02係作成流程處方FL1。在此，例如組合在步驟Sp1中記憶於記憶部P04的複數個處理處方中的兩個以上的處理處方，藉此作成流程處方FL1。兩個以上的處理處方係例如與儲存於記憶部P04的資料群組Db0中之在步驟Sp3中所取得的兩個以上的識別資訊對應。在此，若於在步驟Sp3所取得的兩個以上的識別資訊包含有修正式識別資訊，則亦可將儲存於記憶部P04的資料群組Db0中之與修正式識別資訊對應的修正式組合至處理處方，藉此作成流程處方FL1。
在步驟Sp5中，本體控制單元PC0的記憶控制部F03係將在步驟Sp4中所作成的流程處方FL1記憶至記憶部P04，本體控制單元PC0的發送控制部F06係藉由通訊部P01將在步驟Sp4中所作成的流程處方FL1發送至預定管理用控制單元PC1。
在步驟Sp6中，預定管理用控制單元PC1的設定部F12係因應在步驟Sp4中所作成的流程處方FL1進行時間排程的設定。
在步驟Sp7中，預定管理用控制單元PC1的發送控制部F13係藉由通訊部P11將在步驟Sp6中所設定的時間排程的資訊發送至本體控制單元PC0。
在步驟Sp8中，本體控制單元PC0的指示部F04係對複數個部分控制單元PC2進行指示以進行依循流程處方FL1以及時間排程的動作。此時，複數個處理單元21係依循在步驟Sp4中所作成的流程處方FL1對基板W施予處理。藉此，因應時間排程以及流程處方FL1對一群基板W施予處理。
藉由此種動作流程，例如即使針對基板W的一連串的處理的條件增加，亦能組合預先準備的複數個處理處方中的兩個以上的處理處方並作成流程處方FL1，而無需增加事前準備的流程處方的數量。藉此，例如能刪減在基板處理系統1以及基板處理裝置20等中預先準備的資料量。結果，例如能刪減在基板處理系統1、管理用裝置10以及基板處理裝置20中所使用的資料量。
(1-5)處理處方的修正動作
圖16係顯示處理處方的修正的動作流程的一例之流程圖。在此，例如處理單元21的部分控制單元PC2中的運算處理部P25a係執行程式Pg2，藉此實現處理處方的修正的動作流程。
首先，在圖16的步驟Sp11中，部分控制單元PC2的單元控制部F25係判定是否已結束處理單元21中的一片基板W的處理。在此，單元控制部F25係反復步驟Sp11的判定直至結束處理單元21中依循流程處方FL1的一片基板W的處理為止。接著，只要單元控制部F25結束處理單元21中依循流程處方FL1的一片基板W的處理，則進入至步驟Sp12。
在步驟Sp12中，部分控制單元PC2的資訊取得部F22係從資料儲存體NA1獲得針對複數個處理單元21各者中的基板處理的狀況之一種類以上的指標的資料。在此，例如能因應與流程處方FL1的處理處方賦予關連的修正式從資料儲存體NA1取得處理處方的修正所需的一種類以上的指標的資料。
在步驟Sp13中，部分控制單元PC2的處方修正部F23係針對在步驟Sp11中結束處理單元21中的處理的一片基板W的下一個在該處理單元21中處理的一片基板W修正流程處方FL1所含有的一個以上的處理處方。在此，處方修正部F23係例如依據與一個以上的處理處方賦予關連的修正式以及 在步驟Sp12中所獲得的一種類以上的指標的資料修正流程處方FL1所含有的一個以上的處理處方。藉此，例如能在複數個處理單元21對一群基板W依序施予處理時針對每個基板W以接近即時的狀態修正處理處方。
在步驟Sp14中，處理單元21中的部分控制單元PC2的單元控制部F25係使處理單元21執行已與流程處方FL1相應的動作。在此，例如針對如圖10所示的流程處方FL1，當在步驟Sp13中修正處理處方時，單元控制部F25係使處理單元21執行已與包含有在步驟Sp13中所修正的一個以上的處理處方之流程處方FL1相應的動作。
此外，在此，在藉由處理單元21依循流程處方FL1對基板W施予處理時，在例如用以顯示感測器部214所取得的基板W的狀態之一種類以上的指標的訊號滿足預定的條件之情形中，部分控制單元PC2中的運算處理部P25a的發送控制部F26亦可藉由通訊部P21將用以顯示流程處方FL1中的處理處方與修正式的組合之資訊(亦稱為組合資訊)發送至本體控制單元PC0。接著，例如本體控制單元PC0中的運算處理部P05a的發送控制部F06係藉由作為第二通訊部的通訊部P01將該組合資訊發送至管理用裝置10。
在此，預定的條件係例如應用下述條件：藉由處理單元21依循流程處方FL1對基板W施予處理，藉此欲在用以顯示基板W的狀態之一種類以上的指標中實現。具體而言，例如在對基板W施予依循了流程處方FL1的處理從而藉由蝕刻處理欲將基板W的膜厚設定成未滿預定的目標值之情形中，採用用以顯示基板W的狀態之一種類的指標的膜厚為未滿預定的目標值之條件作為預定的條件。並且，例如在處理單元21中依循了圖10所示般的流程處方FL1對基板W施予處理之情形中，當藉由最後的第二計測處理處方R2b的計測處理所獲得的基板W的膜厚未滿預定的目標值時，用以顯示藉由感測器部214所取得的基板W的狀態之一種類以上的指標的訊號係滿足預定的條件。
當採用此種構成時，例如在依據組合有修正式的處理處方之處理產生良好的結果之情形中，將用以顯示處理處方與修正式的組合之組合資訊發送至管理用裝置10，藉此即使是其他的基板處理裝置20亦能利用該良好的處理處方與修正式的組合。
(1-6)第一實施形態的彙整
如上所述，第一實施形態的基板處理系統1以及基板處理裝置20係例如組合包含有複數個液體處理之複數個處理處方中的兩個以上的處理處方，藉此作成流程處方FL1。因此，例如即使針對基板W的一連串的處理的條件增加，亦能組合預先準備的複數個處理處方中的兩個以上的處理處方並作成流程處方FL1，而無需增加事前準備的流程處方的數量。此時，例如作成部F02係能組合與來自管理用裝置10的兩個以上的識別資訊對應之兩個以上的處理處方並作成流程處方FL1。藉此，例如能刪減在基板處理系統1、管理用裝置10以及基板處理裝置20等中預先準備的資料量。結果，例如能刪減在基板處理系統1、管理用裝置10以及基板處理裝置20等中所使用的資料量。
(1-7)其他實施形態
本發明並未限定於上述第一實施形態，可在未逸離本發明的精神範圍中進行各種變更以及改良等。
(1-7-1)第二實施形態
在上述第一實施形態中，例如亦可在處理單元21中之依循了流程處方FL1之針對一片基板W的處理中，因應該一片基板W的狀態作成處理的流程分歧之流程處方FL1。
在此情形中，例如感測器部214係能取得用以顯示基板W的狀態之一種類以上的指標的訊號。該一種類以上的指標係例如能包含有基板W 的膜厚。此外，計測處理處方群組Gp2的複數個計測處理處方R2係例如包含有第一計測處理處方R2a，第一計測處理處方R2a係規定感測器部214的計測處理的條件，感測器部214係用以取得用以顯示基板W的狀態之一種類以上的指標的訊號。資料組群Db0係例如包含有分歧處理處方群組Gp4。
圖17係顯示第二實施形態的資料群組Db0所含有的分歧處理處方群組Gp4的一例之圖。分歧處理處方群組Gp4係例如包含有用以使處理的流程分歧之複數個分歧處理處方C4。在圖17的例子中，複數個分歧處理處方C4係包含有第一分歧處理處方C4a、第二分歧處理處方C4b、第三分歧處理處方C4c、第四分歧處理處方C4d、第五分歧處理處方C4e以及第六分歧處理處方C4f。具體而言，複數個分歧處理處方C4係例如應用用以規定下述處理(亦稱為分歧處理)的條件之處方：當用以顯示基板W的狀態之一種類以上的指標滿足第一條件時，執行第一處理的流程(亦稱為第一分歧後處理流程)；當用以顯示基板W的狀態之一種類以上的指標滿足第二條件時，執行第二處理的流程(亦稱為第二分歧後處理流程)。在此，例如設想用以顯示基板W的狀態之一種類以上的指標為基板W的膜厚之情形。在此情形中，考量第一條件為膜厚處於未滿T1μm(微米)之條件且第二條件為膜厚處於T1μm以上之條件的態樣。再者，分歧處理處方C4亦可例如當用以顯示基板W的狀態之一種類以上的指標滿足第三條件時，執行第三處理的流程(亦稱為第三分歧後處理流程)。在此，考量第一條件為膜厚處於未滿T1μm之條件、第二條件為膜厚處於T1μm以上至未滿T2μm之條件、第三條件為膜厚處於T2μm以上至未滿T3μm之條件的態樣。
而且，作成部F02係例如組合複數個計測處理處方R2中的第一計測處理處方R2a與複數個分歧處理處方C4中之規定有當一種類以上的指標滿足第一條件時執行第一分歧後處理流程而當一種類以上的指標滿足第二條 件時執行第二分歧後處理流程之分歧處理的條件之分歧處理處方C4，並將第一處理處方作為第一分歧後處理流程的處理處方組合至該分歧處理處方C4且將與第一處理處方不同的第二處理處方作為第二分歧後處理流程的處理處方組合至該分歧處理處方C4，藉此能作成流程處方FL1。
圖18係顯示第二實施形態的流程處方FL1的一例之圖。圖18所示的流程處方FL1係例如將圖10所示的流程處方FL1作為基礎，於第四液體處理處方R1d與第一液體處理處方R1a之間依序***組合有第二C修正式C32c之第一計測處理處方R2a與第二分歧處理處方C4b；第二分歧處理處方C4b係在用以顯示「作為依循第一計測處理處方R2a之感測器部214的計測處理的結果之基板W的狀態」之一種類以上的指標滿足作為第一條件的條件a時執行第一分歧後處理流程，在用以顯示「作為依循第一計測處理處方R2a之感測器部214的計測處理的結果之基板W的狀態」之一種類以上的指標滿足作為第二條件的條件b時執行第二分歧後處理流程。
在圖18的例子中，第一分歧後處理流程係依序組合有：第一液體處理處方R1a，係組合有第一C修正式C31c；第五液體處理處方R1e，係組合有第一F修正式C31f；以及第二計測處理處方R2b，係組合有第二A修正式C32a。換言之，於第二分歧處理處方C4b組合有作為第一處理處方的第一液體處理處方R1a來作為第一分歧後處理流程的處理處方。此外，第二分歧後處理流程係以下述方式組合而成：在執行依循組合有第一A修正式C31a的第二液體處理處方R1b之液體處理後，再次執行依循第一計測處理處方R2a的計測處理。換言之，於第二分歧處理處方C4b組合有作為第二處理處方的第二液體處理處方R1b來作為第二分歧後處理流程的處理處方。依據包含有此種分歧處理處方C4的流程處方FL1之處理，例如反復執行第二分歧後處理流程直至用以顯示基板W的狀態之一種類以上的指標滿足作為第一條件的條件a 為止，當用以顯示基板W的狀態之一種類以上的指標滿足作為第一條件的條件a時則執行第一分歧後處理流程。
在此，例如用以顯示基板W的狀態之一種類以上的指標係作為蝕刻處理的對象之基板W上的膜的膜厚；當作為第一條件的條件a滿足膜厚未滿T1μm之條件時，反復執行第二分歧後處理流程直至用以顯示基板W的狀態之一種類以上的指標滿足條件a為止，以對基板W進行蝕刻處理。在此，例如考量下述態樣：第二液體處理處方R1b係規定針對基板W的膜的蝕刻量相對於第四液體處理處方R1d相對性地變少之處理的條件。具體而言，例如考量下述態樣：第二液體處理處方R1b係規定至少作為處理液L1的蝕刻液的濃度相對於第四液體處理處方R1d相對性地薄或者蝕刻處理的時間相對於第四液體處理處方R1d相對性地短之處理的條件。只要採用此種構成，例如在基板處理裝置20中不易於基板W的處理產生不足，且處理不足的基板W藉由承載器C暫時被搬出至基板處理裝置20外面後會解決基板W的處理不足，因此與藉由基板處理裝置20等對基板W施予處理之態樣相比，能提升基板W的處理的效率。
如此，在第二實施形態的基板處理系統1以及基板處理裝置20中，例如作成部F02係組合有第一計測處理處方R2a、第二分歧處理處方C4b、第一分歧後處理流程的第一處理處方以及第二分歧後處理流程的第二處理處方，藉此能作成能對基板W施予因應了基板W的狀態的處理之流程處方FL1。藉此，例如即使以處理的流程因應基板W的狀態而分歧之方式增加針對基板W的一連串的處理的條件，亦能組合預先準備的複數個計測處理處方R2中的第一計測處理處方R2a、預先準備的複數個分歧處理處方C4中的一個分歧處理處方C4、預先準備的複數個液體處理處方R1中的第一液體處理處方R1a以及第二液體處理處方R1b來作成已規定了用以使基板W的狀態接 近期望的狀態之針對基板W的一連串的處理之流程處方FL1，而無需增加事前準備的流程處方FL1的數量。結果，例如能刪減在基板處理系統1以及基板處理裝置20等中預先準備的資料量，並能刪減在基板處理系統1、管理用裝置10以及基板處理裝置20等中所使用的資料量。此外，與從基板處理裝置20搬出基板W後為了使基板W接近期望的狀態而在基板處理裝置20中再次對基板W施予處理之情形相比，能容易地提高對基板W施予的處理的效率。
此外，在第二實施形態中，亦可為：在藉由處理單元21依循流程處方FL1對基板W施予處理時，例如在依循預先設定的次數(例如一次)以下的第二分歧處理處方C4b之分歧處理中，當用以顯示「作為依循第一計測處理處方R2a之感測器部214的計測處理的結果之基板W的狀態」之一種類以上的指標滿足作為第一條件的條件a時，用以顯示感測器部214所取得的基板W的狀態之一種類以上的指標的訊號係滿足預定的條件。在此情形中，亦可為：部分控制單元PC2中的運算處理部P25a的發送控制部F26係藉由通訊部P21將組合資訊發送至本體控制單元PC0，該組合資訊係顯示作為流程處方FL1中的處理處方之第四液體處理處方R1d與組合於該第四液體處理處方R1d的第一E修正式C31e之組合。而且，本體控制單元PC0中的運算處理部P05a的發送控制部F06亦可藉由作為第二通訊部的通訊部P01將該組合資訊發送至管理用裝置10。當採用此種構成時，例如在依據組合有修正式之處理處方產生良好的結果之情形中，將用以顯示處理處方與修正式的組合之組合資訊發送至管理用裝置10，藉此其他的基板處理裝置20亦能利用該良好的結果的處理處方與修正式之組合。
(1-7-2)第三實施形態
在上述各個實施形態中，例如亦可為：一個液體處理處方R1係規定使用 了兩種類以上的處理液L1之液體處理的條件，並規定下述條件：處方流程以因應處理單元21中的基板W的處理相關的狀態在之後所執行的一個以上的液體處理的內容不同之方式分歧。
具體而言，例如資料群組Db0所含有的複數個液體處理處方R1亦可包含有一個以上的液體處理處方(亦稱為構造化液體處理處方)，該一個以上的液體處理處方係分別規定下述處理的流程以及條件：在對基板W施予使用了第一處理液L11的處理(亦稱為第一液體處理)時若為第一狀態，則在對基板W施予第一液體處理後再施予使用了第二處理液L12的處理(亦稱為第二液體處理)；響應在對基板W施予第一液體處理時變成第二狀態之情形而對基板W施予使用了第三處理液L13的處理(亦稱為第三液體處理)。當採用此種構成時，例如在依序對基板W施予使用了第一處理液L11的第一液體處理以及使用了第二處理液L12的第二液體處理之情形中，在對基板W施予第一液體處理時若變成特定的第二狀態，則能結束對基板W施予第一液體處理，並對基板W施予第三液體處理。藉此，例如可因應對基板W施予第一液體處理時的狀況進行適當的處理。
圖19係顯示以使第三實施形態的複數個液體處理構造化之方式所規定且作為構造化液體處理處方之液體處理處方R1的一例之圖。圖19所示的液體處理處方R1係規定下述處理的條件：當開始對基板W的第一液體處理並在維持第一狀態之狀態下經過預定的處理時間時，在結束第一液體處理後依序對基板W施予第二液體處理與第三液體處理；另一方面，當在對基板W施予第一液體處理的途中從第一狀態變成第二狀態時，對基板W施予第三液體處理。在此，例如第一狀態係應用於儲留槽23t儲留有第一處理液L11之狀態，第二狀態係應用無法從儲留槽23t對處理單元21供給第一處理液L11之狀態(亦稱為無法供給狀態)。無法供給狀態係例如包含有儲留於儲留槽23t的 第一處理液L11已用盡的狀態(枯竭的狀態)等。在此情形中，例如考量感測器部23s檢測儲留槽23t中的第一處理液L11的量之構成。
在此，具體而言，例如設想下述情形：第一處理液L11係混合了氫氟酸與硝酸之氫氟硝酸等蝕刻液，第二處理液L12係SC1液體等藥液，第三處理液L13係純水等清洗處理用的液體。在此情形中，例如響應進行第一液體處理液時變成屬於第一處理液L11之氫氟硝酸枯竭的第二狀態之情形，當僅停止第一液體處理並從處理單元21搬出基板W時，基板W有可能會被殘留於基板W上的氫氟硝酸過度地蝕刻。相對於此，例如響應在進行第一液體處理時變成屬於第一處理液L11之氫氟硝酸枯竭的第二狀態之情形，只要藉由純水等屬於清洗處理用的液體之第三處理液L13沖洗殘留於基板W上的氫氟硝酸，則不易產生基板W被殘留於基板W上的氫氟硝酸過度地蝕刻之問題。
(1-7-3)其他實施形態
在上述各個實施形態中，例如圖20所示般，作成部F02亦可組合資料群組Db0所含有的複數個處理處方中之一個以上的液體處理處方R1與兩個以上的計測處理處方R2，藉此作成流程處方FL1。再者，例如作成部F02亦可組合資料群組Db0所含有的複數個處理處方中之一個以上的液體處理處方R1與一個以上的計測處理處方R2，藉此作成流程處方FL1。
在上述各個實施形態中，用以構成記憶於本體控制單元PC0的記憶部P04的資料群組Db0之全部或者一部分的資料例如亦可記憶於基板處理裝置20的記憶部P04、P14、P24、P34中的至少一個記憶部，亦可分散地記憶於基板處理裝置20的記憶部P04、P14、P24、P34中的兩個以上的記憶部。此外，例如用以構成記憶於本體控制單元PC0的記憶部P04的資料群組Db0之全部或者一部分的資料亦可記憶於管理用裝置10的記憶部14。換言之，例如複數個基板處理裝置20以及管理用裝置10中的至少一部分的裝置亦可具有用 以記憶複數個處理處方之一個以上的記憶部，該複數個處理處方係分別規定與對一個以上的處理單元21中的基板W施予的處理有關之處理的條件。
在上述各個實施形態中，例如感測器部214亦可檢測膜厚計Fm0的臂部Am1的角度，藉此能辨識基板W上的膜中之被膜厚計Fm0計測膜厚的位置。在此情形中，例如只要計測處理處方R2規定使用膜厚計Fm0計測基板W的膜的厚度(膜厚)之條件，則被組合至計測處理處方R2之第二修正式C32亦可使用於用以適當地變更基板W上的膜中之被膜厚計Fm0計測膜厚的位置之修正處理。
在上述各個實施形態中，第一修正式C31所為之液體處理處方R1的修正係未限定於蝕刻液的供給時間等蝕刻時間的修正，例如亦可包含有用以使噴嘴Nz1、Nz2已對基板W噴出處理液L1的噴出位置適當地變更以及變化之條件等其他的條件的修正。
在上述各個實施形態中，例如在使用兩個以上的處理單元21依序執行以流程處方FL1規定條件的複數個處理之情形中，亦可對兩個以上的處理單元21各者的部分控制單元PC2發送流程處方FL1中的一部分的處理處方的資訊。
在上述各個實施形態中，依循流程處方FL1中全部的液體處理處方的後面的最後的計測處理處方之計測處理亦可例如為被位於處理單元21的外部之感測器部執行的計測處理。
在上述各個實施形態中，雖然基板處理裝置20係從管理用裝置10取得用以特定處理處方等之兩個以上的識別資訊，但並未限定於此。例如，基板處理裝置20亦可從經由通訊線路5而連接的其他裝置、被驅動器16所保持的記憶媒體RM0以及輸入部P02等之一個以上的部分取得兩個以上的識別資訊。
在上述各個實施形態中，例如記憶於資料儲存體NA1之資料群組DG1亦可記憶於本體控制單元PC0的記憶部P04、預定管體用控制單元的記憶部P14以及部分控制單元PC2的記憶部P24的至少一個記憶部，亦可記憶於管理用裝置10的記憶部14。在此情形中，例如與管理用裝置10獨立且記憶有資料群組Db0以及資料群組DG1的至少一者之伺服器亦可經由通訊線路5以可發送資料以及接收資料之方式與各個基板處理裝置20連接。
在上述各個實施形態中，流程處方FL1的作成例如亦可藉由本體控制單元PC0的運算處理部P05a以及預定管理用控制單元PC1的運算處理部P15a的至少一個運算處理部而進行，亦可藉由本體控制單元PC0的運算處理部P05a以及預定管理用控制單元PC1的運算處理部P15a的協同動作而進行。此外，例如本體控制單元PC0以及預定管理用控制單元PC1的功能亦可藉由一個控制單元而實現。換言之，本體控制單元PC0的運算處理部P05a的功能與預定管理用控制單元PC1的運算處理部P15a的功能亦可適當地分配至一個以上的控制單元中的一個以上的運算處理部。
在上述各個實施形態中，基板處理裝置20係亦可例如具有兩個以上的運算處理部，該兩個以上的運算處理部係包含有：一個控制單元(亦稱為第一控制單元)的運算處理部(亦稱為第一運算處理部)，係作成針對一群基板W的流程處方FL1；以及作為第二控制單元之部分控制單元PC2的作為第二運算處理部之運算處理部P25a，係進行處理處方的修正。當採用此種構成時，例如在複數個處理單元21的數量多，且存在有用以控制基板處理裝置20的廣範圍的構成中的動作之第一控制單元以及用以控制基板處理裝置20中的個別的處理單元21或者一部分的處理單元21這種窄範圍的構成中的動作之第二控制單元之情形中，第一控制單元的第一運算處理部係作成針對一群基板W的流程處方FL1，第二控制單元的第二運算處理部係進行流程處方FL1中的處理 處方的修正，藉此能在基板處理裝置20中容易地實現階層性的動作的控制。結果，例如能效率佳地進行針對一群基板W之流程處方FL1的統括的作成以及針對一群基板W中的一部分的基板W之接近即時的狀態的處理處方的修正。藉此，能效率佳地實施符合狀況的高精度的基板處理。
在上述各個實施形態中，例如亦可藉由一個控制單元中的一個運算處理部進行流程處方FL1的作成以及處理處方的修正。亦即，亦可藉由一個以上的控制單元中的一個以上的運算處理部進行流程處方FL1的作成以及處理處方的修正。在此情形中，例如本體控制單元PC0的運算處理部P05a中的流程處方FL1的作成之功能以及複數個部分控制單元PC2的運算處理部P25a中的處理處方的修正之功能亦可適當地分配至一個以上的控制單元中的一個以上的運算處理部。
在上述各個實施形態中，基板處理裝置20亦可具有一個以上的處理單元21，以取代具有複數個處理單元21。
另外，在未矛盾的範圍內自然可適當地組合用以分別構成上述各個實施形態以及各種變化例之全部或者一部分。
20:基板處理裝置
21:處理單元
22a:氣體供給部分
22s,214:感測器部
23:液體儲留單元
23h:加熱部
23ha:第一加熱部
23hb:第二加熱部
23hc:第三加熱部
23sa:第一感測器部
23sb:第二感測器部
23sc:第三感測器部
23t:儲留槽
23ta:第一儲留槽
23tb:第二儲留槽
23tc:第三儲留槽
24:搬運單元
30:搬運裝置
201:路徑
211:保持部
C:承載器
CR:中心機器人
DR1:第一方向
DR2:第二方向
H:手部
IR:索引機器人
LP:裝載埠
LP1至LP4:第一裝載埠
LP2:第二裝載埠
LP3:第三裝載埠
LP4:第四裝載埠
NA1:資料儲存體
PC0:本體控制單元
PC1:預定管理用控制單元
PC2:部分控制單元
PC3:液體管理控制單元
Sc0:內部空間
W:基板

Claims (7)

  1. 一種基板處理裝置，係具備有：一個以上的處理單元，係分別對基板進行處理；一個以上的記憶部，係記憶複數個處理處方，複數個前述處理處方係用以分別規定與在一個以上的前述處理單元中對基板施予的處理有關的處理的條件；以及一個以上的運算處理部，係依序組合記憶於一個以上的前述記憶部的複數個前述處理處方中的兩個以上的處理處方，藉此作成用以規定針對基板的一連串的處理的流程之流程處方；一個以上的前述運算處理部係具有：資訊取得部，係取得兩個以上的識別資訊；以及作成部，係依序組合記憶於一個以上的前述記憶部之複數個前述處理處方中之與兩個以上的前述識別資訊對應的兩個以上的處理處方，藉此作成前述流程處方；複數個前述處理處方係包含有：複數個液體處理處方，係分別規定使用處理液對基板施予之處理的條件。
  2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中進一步具備有：一個以上的感測器部，係分別取得針對一個以上的前述處理單元中的基板處理的狀況之指標的訊號；複數個前述處理處方係包含有：複數個計測處理處方，係分別規定用以取得前述指標的訊號之一個以上的前述感測器部的計測處理的條件；前述作成部係具有下述功能：組合複數個前述液體處理處方中的一個以上的液體處理處方與複數個前述計測處理處方中的一個以上的計測處理處方，藉此作成前述流程處方。
  3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中前述作成部係具有下述功能：將複數個修正式中的至少一個修正式組合至兩個以上的前述處理處方中的至少一個處理處方，藉此作成前述流程處方，複數個前述修正 式係用以依據一個以上的前述感測器部所取得的前述指標的訊號修正複數個前述處理處方的至少一部分的條件；一個以上的前述運算處理部係具有：處方修正部，係因應一個以上的前述感測器部所取得的前述指標的訊號從至少一個前述修正式算出一個以上的修正係數，並使用一個以上的前述修正係數修正至少一個前述處理處方所規定的條件。
  4. 如請求項2或3所記載之基板處理裝置，其中一個以上的前述感測器部係取得用以顯示基板的狀態之一種類以上的指標的訊號；複數個前述處理處方係包含有第一處理處方以及第二處理處方；複數個前述計測處理處方係包含有：第一計測處理處方，係規定用以取得一種類以上的前述指標的訊號之一個以上的前述感測器部的計測處理的條件；前述作成部係具有下述功能：組合前述第一計測處理處方與用以使處理的流程分別分歧之複數個分歧處理處方中的用以規定分歧處理的條件之一個分歧處理處方，將前述第一處理處方作為第一分歧後處理流程的處理處方組合至一個前述分歧處理處方，將前述第二處理處方作為第二分歧後處理流程的處理處方組合至一個前述分歧處理處方，藉此作成前述流程處方，其中前述分歧處理係在一種類以上的前述指標滿足第一條件時執行前述第一分歧後處理流程，在一種類以上的前述指標滿足第二條件時執行前述第二分歧後處理流程。
  5. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中複數個前述液體處理處方係包含有：一個以上的構造化液體處理處方，係分別規定下述處理的流程以及條件：在對基板施予使用了第一處理液的處理時若處於第一狀態，則在對前述基板施予使用了前述第一處理液的處理後再施予使用了第二處理液的處理，且響應在對前述基板施予使用了前述第一處理液的處理時變成第二狀態的情形而對前述基板施予使用了第三處理液的處理。
  6. 一種基板處理方法，係使用了具備有用以分別對基板進行處理之一個以上的處理單元以及一個以上的運算處理部之基板處理裝置，並具有步驟(a)、步驟(b)以及步驟(c)；在前述步驟(a)中，一個以上的記憶部係記憶：複數個處理處方，係分別規定與在一個以上的前述處理單元中對基板施予的處理有關的處理的條件；在前述步驟(b)中，一個以上的前述運算處理部係依序組合在前述步驟(a)中記憶於一個以上的前述記憶部之複數個前述處理處方中的兩個以上的處理處方，藉此作成用以規定針對基板的一連串的處理的流程之流程處方；在前述步驟(c)中，一個以上的前述處理單元係依循在前述步驟(b)中所作成的前述流程處方執行處理；在前述步驟(b)中，一個以上的前述運算處理部係取得兩個以上的識別資訊，並依序組合記憶於一個以上的前述記憶部之複數個前述處理處方中之與兩個以上的前述識別資訊對應的兩個以上的處理處方，藉此作成前述流程處方；複數個前述處理處方係包含有：複數個液體處理處方，係分別規定使用處理液對基板施予之處理的條件。
  7. 一種基板處理系統，係具備：複數個基板處理裝置，係分別具有一個以上的處理單元，一個以上的前述處理單元係分別對基板進行處理；以及管理用裝置，係以能夠相對於複數個前述基板處理裝置進行資料的發送以及接收之方式連接；前述管理用裝置係具有：一個以上的記憶部，係記憶複數個處理處方，複數個前述處理處方係用以分別規定與在一個以上的前述處理單元中對基板施予的處理有關的處理的條件；以及第一通訊部，係在與複數個前述基板處理裝置各者之間發送資訊以及接收資訊； 複數個前述基板處理裝置係分別具有：第二通訊部，係在前述第一通訊部與前述第二通訊部之間發送資訊以及接收資訊；以及一個以上的運算處理部，係依序組合記憶於一個以上的前述記憶部的複數個處理處方中藉由前述第二通訊部所接收的兩個以上的處理處方，藉此作成用以規定針對基板的一連串的處理的流程之流程處方；一個以上的前述運算處理部係具有：資訊取得部，係取得兩個以上的識別資訊；以及作成部，係依序組合記憶於一個以上的前述記憶部之複數個前述處理處方中之與兩個以上的前述識別資訊對應的兩個以上的處理處方，藉此作成前述流程處方；複數個前述處理處方係包含有：複數個液體處理處方，係分別規定使用處理液對基板施予之處理的條件。
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