KR102550531B1 - 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

기판 처리를 행하는 장치, 시스템 및 방법에서 사용하는 데이터량을 삭감하는 것을 목적으로 한다. 이 목적을 달성하기 위해서, 기판 처리 장치는, 기판에 대해서 처리를 각각 행하는 1개 이상의 처리 유닛과, 1개 이상의 연산 처리부를 구비한다. 1개 이상의 연산 처리부는, 1개 이상의 처리 유닛에 있어서 기판에 실시하는 처리에 관한 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 처리 레시피를 조합함으로써, 기판에 대한 일련의 처리의 흐름을 규정하는 플로 레시피를 작성한다. 복수의 처리 레시피는, 처리액을 이용하여 기판에 실시하는 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 액 처리 레시피를 포함한다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
본 발명은, 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판은, 예를 들면, 반도체 기판, 액정 표시 장치용 기판, 유기 EL(Electroluminescence) 표시 장치 등의 플랫 패널 디스플레이용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양전지용 기판 등을 포함한다.
약액 등의 처리액을 이용하여 기판의 세정 및 에칭 등의 각종 처리를 실시할 수 있는 복수의 처리 유닛을 갖는 기판 처리 장치가 있다.
또, 복수의 기판 처리 장치와, 이 복수의 기판 처리 장치에 통신 회선을 경유하여 접속된 관리용의 컴퓨터로서의 군 콘트롤러를 갖는 기판 처리 시스템이 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 등을 참조). 이 군 콘트롤러에서는, 예를 들면, 각 기판 처리 장치의 제어에서 사용하는 레시피 및 파라미터 등의 기판의 처리에 관련되는 정보(프로세스 관련 정보라고도 한다)를 기억부에 기억하고, 복수의 프로세스 관련 정보의 비교 및 수동에 의한 편집 및 기판 처리 장치로의 프로세스 관련 정보의 송신을 행한다.
일본국 특허공개 2018-67626호 공보
그런데, 예를 들면, 관리용의 컴퓨터에서는, 기판 처리 장치에 있어서의 기판을 대상으로 한 처리의 조건이 증가하는 만큼, 기판 처리 장치에서 실행하는 기판을 대상으로 한 일련의 처리를 규정하는 플로 레시피를 포함하는 더 많은 정보를 준비해 둘 필요가 있다. 이 때문에, 예를 들면, 관리용의 컴퓨터에서 기억 및 관리하는 데이터량 및 관리용의 컴퓨터로부터 기판 처리 장치로 송신되는 데이터량이 증대될 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 관리용의 컴퓨터에 있어서의 기억부의 기억 용량의 증대 및 기판 처리 장치에 대한 통신 속도의 향상 등이 필요해질 수 있다.
따라서, 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법에 대해서는, 사용하는 데이터량을 삭감하는 점에서 개선의 여지가 있다.
본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 사용하는 데이터량을 삭감 가능한 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 제1의 양태에 따른 기판 처리 장치는, 기판에 대해서 각각 처리를 행하는 1개 이상의 처리 유닛과, 1개 이상의 연산 처리부를 구비한다. 상기 1개 이상의 연산 처리부는, 상기 1개 이상의 처리 유닛에 있어서 기판에 실시하는 처리에 관한 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 처리 레시피를 조합함으로써, 기판에 대한 일련의 처리의 흐름을 규정하는 플로 레시피를 작성한다. 상기 복수의 처리 레시피는, 처리액을 이용하여 기판에 실시하는 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 액 처리 레시피를 포함한다.
제2의 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제1의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 1개 이상의 처리 유닛에 있어서의 기판 처리의 상황에 대한 지표에 관련된 신호를 각각 취득하는 1개 이상의 센서부를 더 구비한다. 상기 복수의 처리 레시피는, 상기 지표에 관련된 신호를 취득하기 위한 상기 1개 이상의 센서부에 의한 계측 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 계측 처리 레시피를 포함한다. 상기 1개 이상의 연산 처리부는, 상기 복수의 액 처리 레시피 중 1개 이상의 액 처리 레시피와, 상기 복수의 계측 처리 레시피 중 1개 이상의 계측 처리 레시피를 조합함으로써, 상기 플로 레시피를 작성한다.
제3의 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제2의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 1개 이상의 연산 처리부는, 상기 2개 이상의 처리 레시피 중 적어도 1개의 처리 레시피에, 상기 1개 이상의 센서부에 의해서 취득된 상기 지표에 관련된 신호에 의거하여 상기 복수의 처리 레시피의 적어도 일부의 조건을 보정하기 위한 복수의 보정식 중 적어도 1개의 보정식을, 조합함으로써, 상기 플로 레시피를 작성한다. 상기 1개 이상의 연산 처리부는, 상기 1개 이상의 센서부에서 취득된 상기 지표에 관련된 신호에 따라, 상기 적어도 1개의 보정식으로부터 1개 이상의 보정 계수를 산출하고, 상기 적어도 1개의 처리 레시피로 규정하는 조건을 상기 1개 이상의 보정 계수를 이용하여 보정한다.
제4의 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제2 또는 제3의 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 1개 이상의 센서부는, 기판의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표에 관련된 신호를 취득한다. 상기 복수의 처리 레시피는, 제1 처리 레시피 및 제2 처리 레시피를 포함한다. 상기 복수의 계측 처리 레시피는, 상기 1종류 이상의 지표에 관련된 신호를 취득하기 위한 상기 1개 이상의 센서부에 의한 계측 처리의 조건을 규정하는 제1 계측 처리 레시피를 포함한다. 상기 1개 이상의 연산 처리부는, 상기 제1 계측 처리 레시피와, 처리의 플로를 각각 분기시키기 위한 복수의 분기 처리 레시피 중의, 상기 1종류 이상의 지표가 제1 조건을 만족하면 제1 분기 후 처리 플로를 실행시키고, 상기 1종류 이상의 지표가 제2 조건을 만족하면 제2 분기 후 처리 플로를 실행시키는 분기 처리의 조건을 규정하는 1개의 분기 처리 레시피를 조합하면서, 당해 1개의 분기 처리 레시피에, 상기 제1 분기 후 처리 플로의 처리 레시피로서 상기 제1 처리 레시피를 조합함과 더불어, 상기 제2 분기 후 처리 플로의 처리 레시피로서 상기 제2 처리 레시피를 조합함으로써, 상기 플로 레시피를 작성한다.
제5의 양태에 따른 기판 처리 장치는, 제1 내지 제4 중 어느 한 양태에 따른 기판 처리 장치로서, 상기 복수의 액 처리 레시피는, 제1 처리액을 이용한 처리를 기판에 실시하고 있을 때에 제1 상태에 있으면, 당해 기판에 대해서 상기 제1 처리액을 이용한 처리를 실시한 후에 제2 처리액을 이용한 처리를 실시하고, 상기 제1 처리액을 이용한 처리를 기판에 실시하고 있을 때에 제2 상태가 된 것에 응답하여, 당해 기판에 대해서 제3 처리액을 이용한 처리를 실시하는, 처리의 흐름 및 조건을 각각 규정하는, 1개 이상의 구조화 액 처리 레시피를 포함한다.
제6의 양태에 따른 기판 처리 시스템은, 복수의 기판 처리 장치와, 상기 복수의 기판 처리 장치에 대해서 데이터의 송수신이 가능하게 접속되어 있는 관리용 장치를 구비한다. 상기 관리용 장치는, 상기 복수의 기판 처리 장치 각각과의 사이에서 정보를 송수신하는 제1 통신부를 갖는다. 상기 복수의 기판 처리 장치 각각은, 기판에 대해서 각각 처리를 행하는 1개 이상의 처리 유닛과, 상기 관리용 장치와의 사이에서 정보를 송수신하는 제2 통신부와, 기판에 대한 일련의 처리의 흐름을 규정하는 플로 레시피를 작성하는 1개 이상의 연산 처리부를 갖는다. 상기 복수의 기판 처리 장치 및 상기 관리용 장치 중 적어도 일부는, 상기 1개 이상의 처리 유닛에 있어서 기판에 실시하는 처리에 관한 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 처리 레시피를 기억하는 1개 이상의 기억부를 갖는다. 상기 복수의 처리 레시피는, 처리액을 이용하여 기판에 실시하는 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 액 처리 레시피를 포함한다. 상기 제1 통신부는, 상기 복수의 기판 처리 장치 각각에 대하여, 2개 이상의 처리 레시피를 각각 특정하는 2개 이상의 식별 정보를 송신한다. 상기 제2 통신부는, 상기 2개 이상의 식별 정보를 수신한다. 상기 1개 이상의 연산 처리부는, 상기 2개 이상의 식별 정보에 의거하여, 상기 복수의 처리 레시피 중 상기 2개 이상의 처리 레시피를 조합함으로써, 상기 플로 레시피를 작성한다.
제7의 양태에 따른 기판 처리 시스템은, 제6의 양태에 따른 기판 처리 시스템으로서, 상기 복수의 기판 처리 장치 각각은, 상기 1개 이상의 처리 유닛에 있어서의 기판 처리의 상황에 대한 지표에 관련된 신호를 각각 취득하는 1개 이상의 센서부를 갖는다. 상기 복수의 처리 레시피는, 상기 지표에 관련된 신호를 취득하기 위한 상기 1개 이상의 센서부에 의한 계측 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 계측 처리 레시피를 포함한다. 상기 1개 이상의 기억부는, 상기 센서부에 의해서 취득된 상기 지표에 관련된 신호에 의거하여 상기 복수의 처리 레시피의 적어도 일부의 조건을 보정하기 위한 복수의 보정식을 기억한다. 상기 1개 이상의 연산 처리부는, 상기 복수의 액 처리 레시피 중 1개 이상의 액 처리 레시피와, 상기 복수의 계측 처리 레시피 중 1개 이상의 계측 처리 레시피를 포함하는 상기 2개 이상의 처리 레시피를 조합함과 더불어, 당해 2개 이상의 처리 레시피 중 적어도 1개의 처리 레시피에, 상기 복수의 보정식 중 적어도 1개의 보정식을, 조합함으로써, 상기 플로 레시피를 작성한다. 상기 1개 이상의 처리 유닛이, 상기 플로 레시피에 따라서, 기판에 처리를 실시한다. 상기 1개 이상의 센서부는, 기판의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표에 관련된 신호를 취득한다. 상기 1개 이상의 연산 처리부는, 상기 1개 이상의 처리 유닛에 의해서 상기 플로 레시피에 따라서 기판에 처리를 실시했을 때에, 상기 센서부에 의해서 취득되는 상기 1종류 이상의 지표에 관련된 신호가, 소정의 조건을 만족하는 경우에, 상기 플로 레시피에 있어서의 상기 적어도 1개의 처리 레시피와 상기 적어도 1개의 보정식의 세트를 나타내는 정보를, 상기 제2 통신부에 의해서 상기 관리용 장치에 송신시킨다.
제8의 양태에 따른 기판 처리 방법은, 기판에 대해서 각각 처리를 행하는 1개 이상의 처리 유닛과 1개 이상의 연산 처리부를 구비하는 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법으로서, (a) 단계, (b) 단계 및 (c) 단계를 갖는다. 상기 (a) 단계에서는, 1개 이상의 기억부가, 상기 1개 이상의 처리 유닛에 있어서 기판에 실시하는 처리에 관한 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 처리 레시피를 기억한다. 상기 (b) 단계에서는, 상기 1개 이상의 연산 처리부가, 상기 (a) 단계에서 상기 1개 이상의 기억부에 기억된 상기 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 처리 레시피를 조합함으로써, 기판에 대한 일련의 처리의 흐름을 규정하는 플로 레시피를 작성한다. 상기 (c) 단계에서는, 상기 1개 이상의 처리 유닛이, 상기 (b) 단계에서 작성된 상기 플로 레시피에 따라서 처리를 실행한다. 상기 복수의 처리 레시피는, 처리액을 이용하여 기판에 실시하는 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 액 처리 레시피를 포함한다.
제1의 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 기판에 대한 일련의 처리의 조건이 증가해도, 사전에 준비해 두는 플로 레시피의 수를 늘리는 대신에, 미리 준비해 둔 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 처리 레시피를 조합하여 플로 레시피를 작성할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 기판 처리 장치 등에서 미리 준비해 두는 데이터량을 삭감할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판 처리 장치에서 사용하는 데이터량을 삭감할 수 있다.
제2의 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 처리액을 이용한 처리뿐만 아니라, 계측을 행하는 처리도 포함하여, 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 처리 레시피를 조합하여 플로 레시피를 작성할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 계측 처리를 포함하는 기판에 대한 일련의 처리의 조건이 증가해도, 사전에 준비해 두는 플로 레시피의 수를 늘리는 대신에, 미리 준비해 둔 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 처리 레시피를 조합하여 플로 레시피를 작성할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판 처리 장치에서 사용하는 데이터량을 삭감할 수 있다.
제3의 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 처리 레시피에 보정식을 조합하여 플로 레시피를 작성할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 처리의 보정도 포함하여 기판에 대한 일련의 처리의 조건이 증가해도, 사전에 준비해 두는 플로 레시피의 수를 늘리는 대신에, 미리 준비해 둔 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 처리 레시피를 조합함과 더불어, 미리 준비해 둔 복수의 보정식 중 적어도 1개의 보정식을 적어도 1개의 처리 레시피에 조합함으로써, 플로 레시피를 작성할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판 처리 장치에서 사용하는 데이터량을 삭감할 수 있다.
제4의 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 제1 계측 처리 레시피와, 분기 처리 레시피와, 제1 분기 후 처리 플로에 관련된 제1 처리 레시피 및 제2 분기 후 처리 플로에 관련된 제2 처리 레시피를 조합함으로써, 기판의 상태에 따른 일련의 처리를 실시할 수 있는 플로 레시피를 작성할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 기판의 상태에 따라 처리의 플로가 분기되도록 기판에 대한 일련의 처리의 조건이 증가해도, 사전에 준비해 두는 플로 레시피의 수를 늘리는 대신에, 미리 준비해 둔 복수의 계측 처리 레시피 중 제1 계측 처리 레시피와, 미리 준비해 둔 복수의 분기 처리 레시피 중 1개의 분기 처리 레시피와, 미리 준비해 둔 복수의 액 처리 레시피 중 제1의 액 처리 레시피 및 제2의 액 처리 레시피를 조합하여, 기판의 상태를 원하는 상태에 가깝게 하기 위한 기판에 대한 일련의 처리를 규정한 플로 레시피를 작성할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판 처리 장치 등에서 미리 준비해 두는 데이터량을 삭감할 수 있어, 기판 처리 장치에서 사용하는 데이터량을 삭감할 수 있다. 또, 예를 들면, 기판 처리 장치로부터 기판을 반출한 후에, 기판을 원하는 상태에 가깝게 하기 위해 기판 처리 장치에 있어서 재차 처리를 기판에 실시하는 경우와 비교하여, 기판에 실시하는 처리의 효율을 용이하게 높일 수 있다.
제5의 양태에 따른 기판 처리 장치에 의하면, 예를 들면, 제1 처리액을 이용한 처리와 제2 처리액을 이용한 처리를 순서대로 기판에 실시하는 경우에, 제1 처리액을 이용한 처리를 기판에 실시하고 있을 때에 특정 상태가 되면, 제1 처리액을 이용한 처리를 종료하고, 제3 처리액을 이용한 처리를 기판에 실시할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 제1 처리액을 이용한 처리를 기판에 실시하고 있을 때의 상황에 따라 적절한 처리를 행하는 것이 가능해진다.
제6의 양태에 따른 기판 처리 시스템에 의하면, 예를 들면, 기판에 대한 일련의 처리의 조건이 증가해도, 사전에 준비해 두는 플로 레시피의 수를 늘리는 대신에, 기판 처리 장치는, 미리 준비해 둔 복수의 처리 레시피 중, 관리용 장치로부터의 2개 이상의 식별 정보에 대응하는 2개 이상의 처리 레시피를 조합하여 플로 레시피를 작성할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 기판 처리 시스템에 있어서 미리 준비해 두는 데이터량을 삭감할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판 처리 시스템에서 사용하는 데이터량을 삭감할 수 있다.
제7의 양태에 따른 기판 처리 시스템에 의하면, 예를 들면, 보정식이 조합된 처리 레시피에 의거하는 처리가 양호한 결과를 발생시켰을 경우 등에, 처리 레시피와 보정식의 세트를 나타내는 정보를 관리용 장치에 송신할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 양호한 결과가 얻어진 처리 레시피와 보정식의 세트를, 다른 기판 처리 장치에서도 이용하는 것이 가능해진다.
제8의 양태에 따른 기판 처리 방법에 의하면, 예를 들면, 기판에 대한 일련의 처리의 조건이 증가해도, 사전에 준비해 두는 플로 레시피의 수를 늘리는 대신에, 미리 준비해 둔 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 처리 레시피를 조합하여 플로 레시피를 작성할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 미리 준비해 두는 데이터량을 삭감할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판 처리를 행할 때에 사용하는 데이터량을 삭감할 수 있다.
도 1은, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성의 일례를 나타낸 도면이다.
도 2는, 관리용 장치의 전기적인 일 구성예 및 기능적인 일 구성예를 나타낸 블록도이다.
도 3은, 기판 처리 장치의 개략적인 구성의 일례를 나타낸 모식적인 평면도이다.
도 4는, 처리 유닛의 일 구성예를 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 5는, 기판 처리 장치에 있어서의 각 구성의 접속 양태를 나타낸 블록도이다.
도 6은, 본체 제어 유닛의 전기적인 일 구성예 및 기능적인 일 구성예를 나타낸 블록도이다.
도 7은, 데이터군의 내용의 일례를 나타낸 도면이다.
도 8은, 플로 레시피의 일례를 나타낸 도면이다.
도 9는, 플로 레시피의 다른 일례를 나타낸 도면이다.
도 10은, 플로 레시피의 그 외의 일례를 나타낸 도면이다.
도 11은, 예정 관리용 제어 유닛의 전기적인 일 구성예 및 기능적인 일 구성예를 나타낸 블록도이다.
도 12는, 부분 제어 유닛의 전기적인 일 구성예 및 기능적인 일 구성예를 나타낸 블록도이다.
도 13은, 액 관리 제어 유닛의 전기적인 일 구성예 및 기능적인 일 구성예를 나타낸 블록도이다.
도 14는, 데이터 스토리지에 기억된 데이터군의 내용의 일례를 나타낸 도면이다.
도 15는, 플로 레시피의 작성에 관련된 동작 플로의 일례를 나타낸 흐름도이다.
도 16은, 처리 레시피의 보정에 관련된 동작 플로의 일례를 나타낸 흐름도이다.
도 17은, 제2 실시형태에 따른 데이터군에 포함되는 분기 처리 레시피군의 일례를 나타낸 도면이다.
도 18은, 제2 실시형태에 따른 플로 레시피의 일례를 나타낸 도면이다.
도 19는, 제3 실시형태에 따른 구조화된 액 처리 레시피의 일례를 나타낸 도면이다.
도 20은, 다른 플로 레시피의 일례를 나타낸 도면이다.
이하, 본 발명의 각 실시형태 및 각 변형예를 도면에 의거하여 설명한다. 도면에 있어서는 동일한 구성 및 기능을 갖는 부분에 대해서는 동일한 부호가 붙어 있고, 하기 설명에서는 중복 설명이 생략된다. 또, 도면은 모식적으로 나타내어진 것이다.
<1. 제1 실시형태>
<1-1. 기판 처리 시스템의 개략 구성>
도 1은, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성의 일례를 나타내는 도면이다. 도 1에서 나타내어진 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 예를 들면, 관리용 장치(10)와, 복수의 기판 처리 장치(20)와, 반송 장치(30)를 구비하고 있다. 복수의 기판 처리 장치(20)는, 예를 들면, 제1의 기판 처리 장치(20a), 제2의 기판 처리 1장치(20b) 및 제3의 기판 처리 장치(20c)를 포함한다. 여기서는, 관리용 장치(10)와, 복수의 기판 처리 장치(20)와, 반송 장치(30)는 통신 회선(5)을 개재하여 데이터의 송수신이 가능하게 접속되어 있다. 통신 회선(5)은, 예를 들면, 유선 회선 및 무선 회선 중 어느 것이어도 된다.
<1-2. 관리용 장치>
관리용 장치(10)는, 예를 들면, 복수의 기판 처리 장치(20)를 통괄적으로 관리할 수 있다. 도 2 (a)는, 관리용 장치(10)의 전기적인 구성의 일례를 나타내는 블록도이다. 도 2 (a)에서 나타내어지는 바와 같이, 관리용 장치(10)는, 예를 들면, 컴퓨터 등으로 실현되고, 버스 라인(Bu10)을 개재하여 접속된, 통신부(11), 입력부(12), 출력부(13), 기억부(14), 제어부(15) 및 드라이브(16)를 갖는다.
통신부(11)는, 예를 들면, 통신 회선(5)을 개재하여 각 기판 처리 장치(20) 및 반송 장치(30)에 대해서 신호를 송신 가능한 송신부로서의 기능, 및 통신 회선(5)을 개재하여 각 기판 처리 장치(20) 및 반송 장치(30)로부터의 신호를 수신 가능한 수신부로서의 기능을 갖는다. 환언하면, 통신부(11)는, 예를 들면, 복수의 기판 처리 장치(20) 각각과의 사이에서 정보를 송수신하는 부분(제1 통신부라고도 한다)으로서의 기능을 갖는다.
입력부(12)는, 예를 들면, 관리용 장치(10)를 사용하는 유저의 동작 등에 따른 신호를 입력할 수 있다. 이 입력부(12)는, 예를 들면, 조작부, 마이크 및 각종 센서 등을 포함할 수 있다. 조작부는, 예를 들면, 유저의 조작에 따른 신호를 입력할 수 있다. 조작부는, 예를 들면, 마우스 및 키보드 등을 포함할 수 있다. 마이크는, 유저의 음성에 따른 신호를 입력할 수 있다. 각종 센서는, 유저의 움직임에 따른 신호를 입력할 수 있다.
출력부(13)는, 예를 들면, 각종 정보를 출력할 수 있다. 출력부(13)는, 예를 들면, 표시부 및 스피커 등을 포함할 수 있다. 표시부는, 예를 들면, 각종 정보를 유저가 인식 가능한 양태로 가시적으로 출력할 수 있다. 이 표시부는, 예를 들면, 입력부(12)의 적어도 일부와 일체화된 터치 패널의 형태를 갖고 있어도 된다. 스피커는, 예를 들면, 각종 정보를 유저가 인식 가능한 양태로 가청적으로 출력할 수 있다.
기억부(14)는, 예를 들면, 정보를 기억할 수 있다. 이 기억부(14)는, 예를 들면, 하드 디스크 또는 플래시 메모리 등의 불휘발성의 기억 매체로 구성될 수 있다. 기억부(14)의 구성은, 예를 들면, 1개의 기억 매체를 갖는 구성, 2개 이상의 기억 매체를 일체적으로 갖는 구성, 및 2개 이상의 기억 매체를 2개 이상의 부분으로 나누어 갖는 구성 중 어느 것이어도 된다. 기억부(14)는, 예를 들면, 프로그램(14pg), 처리 계획 정보(14pc) 및 각종 정보(14dt) 등을 기억할 수 있다. 기억부(14)는, 예를 들면, 후술하는 메모리(15b)를 포함해도 된다.
처리 계획 정보(14pc)는, 각 기판 처리 장치(20)에 대해서, 후술하는 N대(N은 자연수)의 처리 유닛(21)(도 3 등 참조)에 있어서의, 복수의 기판군에 관련된 복수의 연속된 기판 처리를 실행하는 타이밍 등을 나타낸다. 1개의 기판군은, 예를 들면, 1개의 로트를 구성하는 복수 장의 기판(W)(도 3 등 참조)에 의해서 구성된다. 환언하면, 1개의 기판군은, 일군의 기판(W)을 포함한다.
각종 정보(14dt)는, 예를 들면, 일군의 기판(W)마다, 각 기판(W)의 정보, 작업(job) 및 기판 처리 장치(20)에 있어서의 복수의 처리에 관련된 복수의 식별 정보 등을 포함한다. 각 기판(W)의 정보는, 예를 들면, 캐리어(C)에 있어서 기판(W)이 유지된 슬롯의 번호, 기판(W)의 형태 및 기판(W)에 실시된 처리를 나타내는 정보(기처리 정보라고도 한다)를 포함할 수 있다. 기판(W)의 형태를 나타내는 정보는, 예를 들면, 기판(W)에 있어서의 막의 두께(막두께라고도 한다) 및 막두께의 분포 등을 포함할 수 있다. 막두께는, 예를 들면, 각종 막두께계로 측정될 수 있는 것이며, 막두께의 평균치, 최소치, 최대치 중 어느 것이어도 된다. 기판 처리 장치(20)에 있어서의 복수의 처리는, 예를 들면, 처리액을 이용하여 기판(W)에 실시하는 처리(액 처리라고도 한다), 기판(W)에 실시하는 처리에 관련되는 각종 상태를 계측하는 처리(계측 처리라고도 한다), 및 액 처리 혹은 계측 처리의 조건을 보정하는 처리(보정 처리라고도 한다)를 포함한다.
복수의 식별 정보는, 예를 들면, 기판 처리 장치(20)에 있어서의 복수의 처리를 각각 특정하는 정보이다. 여기서는, 복수의 식별 정보는, 예를 들면, 기판(W)에 실시하는 처리에 관한 각종 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 처리 레시피를 처리 레시피마다 특정하는 식별 정보(레시피 식별 정보라고도 한다), 및 각종 보정 처리를 규정하는 보정용의 계산식(보정식이라고도 한다)을 보정식마다 특정하는 식별 정보(보정식 식별 정보라고도 한다)를 포함한다. 복수의 처리 레시피는, 예를 들면, 처리액을 이용하여 기판(W)에 실시하는 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 레시피(액 처리 레시피라고도 한다)와, 계측 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 레시피(계측 처리 레시피라고도 한다)를 포함한다. 레시피 식별 정보 및 보정식 식별 정보 각각에는, 예를 들면, 각 처리 레시피 및 각 보정식에 붙여진, 숫자, 숫자열, 문자열 또는 숫자와 문자의 조합 등이 적용된다.
제어부(15)는, 예를 들면, 프로세서로서 작용하는 연산 처리부(15a) 및 정보를 일시적으로 기억하는 메모리(15b) 등을 포함한다. 연산 처리부(15a)에는, 예를 들면, 중앙 연산부(CPU) 등의 전기 회로가 적용될 수 있다. 메모리(15b)에는, 예를 들면, 랜덤 액세스 메모리(RAM) 등이 적용될 수 있다. 연산 처리부(15a)는, 예를 들면, 기억부(14)에 기억되어 있는 프로그램(14pg)을 읽어들여 실행함으로써, 관리용 장치(10)의 기능을 실현할 수 있다. 제어부(15)에 있어서의 각종 정보 처리에 의해서 일시적으로 얻어지는 각종 정보는, 적절히 메모리(15b) 등에 기억될 수 있다.
드라이브(16)는, 예를 들면, 가반성의 기억 매체(RM10)의 착탈이 가능한 부분이다. 드라이브(16)는, 예를 들면, 기억 매체(RM10)가 장착되어 있는 상태에서, 이 기억 매체(RM10)와 제어부(15) 사이에 있어서의 데이터의 주고받기를 행하게 할 수 있다. 여기서, 예를 들면, 프로그램(14pg)이 기억된 기억 매체(RM10)가 드라이브(16)에 장착되고, 기억 매체(RM10)로부터 기억부(14) 내에 프로그램(14pg)이 읽어들여져 기억되어도 된다.
도 2 (b)는, 연산 처리부(15a)에서 실현되는 기능적인 구성의 일례를 나타내는 블록도이다. 도 2 (b)에서 나타내어지는 바와 같이, 연산 처리부(15a)는, 실현되는 기능적인 구성으로서, 예를 들면, 송신 제어부(F151) 및 기억 제어부(F152)를 갖는다. 이들 각 부에서의 처리에 있어서의 워크 스페이스로서, 예를 들면, 메모리(15b)가 사용된다. 여기서, 예를 들면, 연산 처리부(15a)에서 실현되는 기능의 적어도 일부가 전용의 전자 회로로 실현되어도 된다.
송신 제어부(F151)는, 예를 들면, 복수의 기판 처리 장치(20) 각각에 대하여, 일군의 기판(W)마다, 각 기판(W)의 정보, 작업 및 복수의 식별 정보를, 통신부(11)에 의해서 송신시킬 수 있다. 여기서 송신되는 복수의 식별 정보는, 예를 들면, 2개 이상의 처리 레시피를 각각 특정하는 2개 이상의 레시피 식별 정보를 포함한다. 이 2개 이상의 레시피 식별 정보는, 예를 들면, 기술(記述) 순서 등에 의해서 처리의 순서가 규정되어 있어도 된다. 또, 여기서 송신되는 복수의 식별 정보는, 예를 들면, 적어도 1개의 보정식 식별 정보를 포함하고 있어도 된다. 이 적어도 1개의 보정식 식별 정보는, 예를 들면, 2개 이상의 레시피 식별 정보의 적어도 1개의 레시피 식별 정보에 관련지어질 수 있다. 여기서, 적어도 1개의 레시피 식별 정보에 관련지어질 수 있는 적어도 1개의 보정식 식별 정보는, 예를 들면, 처리의 대상물로서의 일군의 기판(W)의 사전 상태에 관련된 정보(기처리 정보, 재질 및 막두께 등)에 따라 결정될 수 있다.
기억 제어부(F152)는, 예를 들면, 통신부(11)에 의해서 복수의 기판 처리 장치(20) 각각으로부터 수신한 정보를, 기억부(14)에 기억시킬 수 있다.
<1-3. 기판 처리 장치>
도 3은, 기판 처리 장치(20)의 개략적인 구성의 일례를 나타내는 모식적인 평면도이다. 기판 처리 장치(20)는, 예를 들면, 기판(W)의 표면에 대해서 처리액을 공급함으로써 각종 처리를 행할 수 있는 매엽식의 장치이다. 여기서는, 기판(W)의 일례로서, 반도체 기판(웨이퍼)이 이용된다. 각종 처리에는, 예를 들면, 약액 등으로 에칭을 실시하는 약액 처리, 액체로 이물 혹은 제거 대상물을 제거하는 세정 처리, 물로 씻어내는 린스 처리 및 레지스트 등을 도포하는 도포 처리 등이 포함된다.
기판 처리 장치(20)는, 복수의 로드 포트(LP), 반송 유닛(24), 액 저류 유닛(23) 및 복수의 처리 유닛(21)을 포함한다. 또, 기판 처리 장치(20)는, 예를 들면, 본체 제어 유닛(PC0), 예정 관리용 제어 유닛(PC1), 복수의 부분 제어 유닛(PC2), 액 관리 제어 유닛(PC3) 및 데이터 스토리지(NA1)를 포함한다.
<1-3-1. 로드 포트>
복수의 로드 포트(LP)는, 각각 수용기로서의 캐리어(FOUP라고도 한다)(C)를 유지할 수 있는 기구(수용기 유지 기구라고도 한다)이다. 도 3의 예에서는, 복수의 로드 포트(LP)로서, 제1~4 로드 포트(LP1~LP4)가 존재하고 있다. 제1~4 로드 포트(LP1~LP4)는, 기판 처리 장치(20)와 이 기판 처리 장치(20)의 외부 사이에서 복수의 기판군의 반입 및 반출을 행하기 위한 부분(반출입부라고도 한다)으로서의 기능을 갖는다. 도 3의 예에서는, 제1~4 로드 포트(LP1~LP4)와 각 처리 유닛(21)이, 수평 방향으로 간격을 두고 배치되어 있다. 또, 제1~4 로드 포트(LP1~LP4)는, 평면에서 봤을 때 수평인 제1 방향(DR1)을 따라서 배열되어 있다.
여기서, 제1~4 로드 포트(LP1~LP4)에는, 예를 들면, 캐리어 보관소(40) 내로부터 반송 장치(30)에 의해서 캐리어(C)가 반송되어 재치(載置)된다. 캐리어(C)는, 예를 들면, 일군의 기판(W)으로서의 복수(제1 실시형태에서는 25) 장의 기판(W)을 수용할 수 있다. 반송 장치(30)의 동작은, 예를 들면, 관리용 장치(10)에 의해서 제어될 수 있다. 여기서, 예를 들면, 반송 장치(30)는, 복수의 기판 처리 장치(20)의 사이에서, 캐리어(C)를 반송할 수 있어도 된다. 도 3의 예에서는, 반송 장치(30)는, 예를 들면, 제1 방향(DR1) 및 이 제1 방향(DR1)에 직교하는 수평인 제2 방향(DR2)을 따라서 이동 가능하다. 이 때문에, 예를 들면, 캐리어 보관소(40) 내로부터 1개의 기판군을 이루는 복수 장의 기판(W)을 각각 수용하는 캐리어(C)가 반송되어 제1~4 로드 포트(LP1~LP4) 중 어느 하나에 재치될 수 있다. 그리고, 제1~4 로드 포트(LP1~LP4)에 있어서, 복수의 캐리어(C)는, 제1 방향(DR1)을 따라서 배열될 수 있다.
<1-3-2. 반송 유닛>
반송 유닛(24)은, 예를 들면, 로드 포트(LP)에 유지된 캐리어(C)에 수용된 일군의 기판(W)에 있어서의 복수 장의 기판(W)을 복수의 처리 유닛(21)을 향하여 순서대로 반송할 수 있다. 제1 실시형태에서는, 반송 유닛(24)은, 인덱서 로봇(IR)과, 센터 로봇(CR)을 포함한다. 인덱서 로봇(IR)은, 예를 들면, 제1~4 로드 포트(LP1~LP4)와 센터 로봇(CR) 사이에서 기판(W)을 반송할 수 있다. 센터 로봇(CR)은, 예를 들면, 인덱서 로봇(IR)과 각 처리 유닛(21) 사이에서 기판(W)을 반송할 수 있다.
구체적으로는, 인덱서 로봇(IR)은, 예를 들면, 캐리어(C)로부터 센터 로봇(CR)으로 복수 장의 기판(W)을 한 장씩 반송할 수 있음과 더불어, 센터 로봇(CR)으로부터 캐리어(C)로 복수 장의 기판(W)을 한 장씩 반송할 수 있다. 동일하게, 센터 로봇(CR)은, 예를 들면, 인덱서 로봇(IR)으로부터 각 처리 유닛(21)으로 복수 장의 기판(W)을 한 장씩 반입할 수 있음과 더불어, 각 처리 유닛(21)으로부터 인덱서 로봇(IR)으로 복수 장의 기판(W)을 한 장씩 반송할 수 있다. 또, 예를 들면, 센터 로봇(CR)은, 필요에 따라서 복수의 처리 유닛(21)의 사이에 있어서 기판(W)을 반송할 수 있다.
도 3의 예에서는, 인덱서 로봇(IR)은, 평면시(平面視) U자형의 2개의 핸드(H)를 갖고 있다. 2개의 핸드(H)는, 상이한 높이에 배치되어 있다. 각 핸드(H)는, 기판(W)을 수평인 자세로 지지할 수 있다. 인덱서 로봇(IR)은, 핸드(H)를 수평 방향 및 연직 방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 인덱서 로봇(IR)은, 연직 방향을 따른 축을 중심으로 하여 회전(자전)함으로써, 핸드(H)의 방향을 변경할 수 있다. 인덱서 로봇(IR)은, 수도(受渡) 위치(도 3에서 인덱서 로봇(IR)이 그려져 있는 위치)를 지나는 경로(201)에 있어서 제1 방향(DR1)을 따라서 이동한다. 수도 위치는, 평면에서 봤을 때에 인덱서 로봇(IR)과 센터 로봇(CR)이 제1 방향(DR1)으로 직교하는 방향에 있어서 대향하는 위치이다. 인덱서 로봇(IR)은, 임의의 캐리어(C) 및 센터 로봇(CR)에 각각 핸드(H)를 대향시킬 수 있다. 여기서, 예를 들면, 인덱서 로봇(IR)은, 핸드(H)를 이동시킴으로써, 캐리어(C)에 기판(W)을 반입하는 반입 동작과, 캐리어(C)로부터 기판(W)을 반출하는 반출 동작을 행할 수 있다. 또, 예를 들면, 인덱서 로봇(IR)은, 센터 로봇(CR)과 협동하여, 인덱서 로봇(IR) 및 센터 로봇(CR) 중 한쪽에서 다른 쪽으로 기판(W)을 이동시키는 수도 동작을 수도 위치에서 행할 수 있다.
도 3의 예에서는, 센터 로봇(CR)은, 인덱서 로봇(IR)과 동일하게, 평면시 U자형의 2개의 핸드(H)를 갖고 있다. 2개의 핸드(H)는, 상이한 높이에 배치되어 있다. 각 핸드(H)는, 기판(W)을 수평인 자세로 지지할 수 있다. 센터 로봇(CR)은, 각 핸드(H)를 수평 방향 및 연직 방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 센터 로봇(CR)은, 연직 방향을 따른 축을 중심으로 하여 회전(자전)함으로써, 핸드(H)의 방향을 변경할 수 있다. 센터 로봇(CR)은, 평면에서 봤을 때에, 복수 대의 처리 유닛(21)에 둘러싸여 있다. 센터 로봇(CR)은, 임의의 처리 유닛(21) 및 인덱서 로봇(IR) 중 어느 하나에 핸드(H)를 대향시킬 수 있다. 여기서, 예를 들면, 센터 로봇(CR)은, 핸드(H)를 이동시킴으로써, 각 처리 유닛(21)에 기판(W)을 반입하는 반입 동작과, 각 처리 유닛(21)으로부터 기판(W)을 반출하는 반출 동작을 행할 수 있다. 여기서, 각 처리 유닛(21)은, 센터 로봇(CR)과의 사이를 차폐하는 개폐식의 셔터를 갖는다. 이 셔터는, 센터 로봇(CR)에 의한 처리 유닛(21)으로의 기판(W)의 반입 및 처리 유닛(21)으로부터의 기판(W)의 반출을 행할 때에 개방된다. 또, 예를 들면, 센터 로봇(CR)은, 인덱서 로봇(IR)과 협동하여, 인덱서 로봇(IR) 및 센터 로봇(CR)의 한쪽에서 다른 쪽으로 기판(W)을 이동시키는 수도 동작을 행할 수 있다.
또, 복수의 처리 유닛(21) 및 센터 로봇(CR)이 위치하고 있는 박스의 내부 공간(Sc0)에는, 이 내부 공간(Sc0)에 가스(예를 들면 공기)를 공급하는 부분(가스 공급 부분이라고도 한다)(22a)과, 내부 공간(Sc0)의 분위기 상태를 나타내는 지표(예를 들면, 온도 등)를 검지하는 부분(센서부라고도 한다)(22s)이 설치되어 있다. 센서부(22s)는, 가스 공급 부분(22a)에 의한 내부 공간(Sc0)으로의 가스의 공급량을, 내부 공간(Sc0)의 분위기의 상태를 나타내는 1개의 지표로서 검출해도 된다. 여기서, 내부 공간(Sc0)의 분위기의 상태는, 복수의 처리 유닛(21)에 있어서의 기판 처리에 영향을 미친다. 이 때문에, 센서부(22s)는, 복수의 처리 유닛(21)에 있어서의 기판 처리의 상황에 대한 1종류 이상의 지표에 관련된 신호를 취득할 수 있다.
<1-3-3. 액 저류 유닛>
액 저류 유닛(23)은, 예를 들면, 복수의 처리 유닛(21)에서 사용하는 처리액(L1)(도 4 등 참조)을 저류할 수 있다. 이 액 저류 유닛(23)은, 예를 들면, 처리액(L1)을 저류하는 것이 가능한 1개 이상의 저류조(23t)를 포함하고 있다. 도 3의 예에서는, 액 저류 유닛(23)에는, 제1 저류조(23ta), 제2 저류조(23tb) 및 제3 저류조(23tc)를 포함하는 3개의 저류조(23t)가 존재하고 있다. 각 저류조(23t)에는, 예를 들면, 센서부(23s) 및 가열부(23h)가 설치되어 있다. 센서부(23s)는, 저류조(23t) 내의 처리액(L1)의 상태(예를 들면, 농도, 수소 이온 지수(pH) 및 온도 등)를 나타내는 물리량을 측정하기 위한 부분이다. 이 처리액(L1)은, 처리 유닛(21)에 있어서의 기판(W)의 처리에 이용된다. 그리고, 처리액(L1)은, 예를 들면, 시간의 경과 및 사용의 정도에 따라 열화될 수 있다. 이 때문에, 처리액(L1)의 상태가, 처리 유닛(21)에 있어서의 기판 처리에 영향을 미친다. 즉, 센서부(23s)는, 복수의 처리 유닛(21)에 있어서의 기판 처리의 상황에 대한 지표에 관련된 신호를 취득할 수 있다. 가열부(23h)는, 저류조(23t) 내의 처리액(L1)의 온도를 조정하기 위한 발열체를 포함하는 부분이다. 발열체의 가열 방식에는, 예를 들면, 할로겐 램프에 의한 방사 가열 방식, 액에 직접 접하지 않는 간접 가열 방식 혹은 근적외선광에 의한 방사 가열 방식 등이 채용된다. 도 3의 예에서는, 제1 저류조(23ta)에 제1 센서부(23sa)와 제1 가열부(23ha)가 위치하고, 제2 저류조(23tb)에 제2 센서부(23sb)와 제2 가열부(23hb)가 위치하며, 제3 저류조(23tc)에 제3 센서부(23sc)와 제3 가열부(23hc)가 위치하고 있다. 여기서, 각 저류조(23t)에는, 예를 들면, 처리액(L1)을 교반하기 위한 기구가 존재하고 있어도 된다. 또, 예를 들면, 1개 이상의 저류조(23t)는, 각 처리 유닛(21)에 대해서, 처리액(L1)의 공급이 가능한 상태로 접속되어 있다. 여기서, 각 저류조(23t)는, 복수의 처리 유닛(21) 중 모든 처리 유닛(21)에 접속되어 있어도 되고, 복수의 처리 유닛(21) 중 일부의 처리 유닛(21)에 접속되어 있어도 된다. 또, 여기서, 3개의 저류조(23t)에, 같은 종류의 처리액(L1)이 저류되어 있어도 되고, 상이한 종류의 처리액(L1)이 저류되어 있어도 된다. 환언하면, 제1 저류조(23ta)와 제2 저류조(23tb)와 제3 저류조(23tc)의 사이에서, 동일 종류의 처리액(L1)이 저류되어 있어도 되고, 서로 상이한 종류의 처리액(L1)이 저류되어 있어도 된다.
<1-3-4. 처리 유닛>
복수의 처리 유닛(21) 각각은, 기판(W)에 대해서 처리를 행할 수 있다. 도 3의 예에서는, 평면적으로 배치되어 있는 4대의 처리 유닛(21)으로 각각 구성되어 있는 3세트의 처리 유닛(21)이, 상하 방향으로 적층되도록 위치하고 있다. 이에 의해, 합계로 12대의 처리 유닛(21)이 존재하고 있다. 복수의 처리 유닛(21)은, 예를 들면, 동종의 기판 처리를 기판(W)에 실시할 수 있는 2개 이상의 처리 유닛(21)을 포함한다. 이에 의해, 복수의 처리 유닛(21)에서는, 동종의 기판 처리를 기판(W)에 병행하여 실시할 수 있다.
도 4는, 처리 유닛(21)의 일 구성예를 모식적으로 나타내는 도면이다. 처리 유닛(21)은, 처리액(L1)을 이용하여 기판(W)에 처리를 실시할 수 있다. 처리 유닛(21)에서는, 예를 들면, 평면 내에서 회전하고 있는 기판(W)의 일 주면(상면이라고도 한다)(Us1) 상에 처리액(L1)을 공급함으로써, 기판(W)의 상면(Us1)에 대해서 각종 처리를 실시할 수 있다. 처리액(L1)에는, 예를 들면, 점도가 비교적 낮은 물 또는 약액 등의 유동성을 갖는 기판의 처리에 이용하기 위한 액체 일반이 적용된다. 약액에는, 에칭액 또는 세정용 약액이 적용된다. 더 구체적으로는, 약액으로서, 황산, 아세트산, 질산, 염산, 불산, 불질산, 암모니아수, 과산화수소수, 유기산(예를 들면 구연산, 수산 등), 유기 알칼리(예를 들면, TMAH:테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 등), 이소프로필알코올(IPA), 계면활성제 및 부식 방지제 중 하나 이상을 포함하는 액이 채용될 수 있다.
도 4에서 나타내어지는 바와 같이, 처리 유닛(21)은, 예를 들면, 유지부(211)와, 회전 기구(212)와, 처리액 공급계(213)와, 센서부(214)를 갖는다.
유지부(211)는, 예를 들면, 기판(W)을 대략 수평 자세에서 유지하여 회전시킬 수 있다. 유지부(211)에는, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Us1)의 반대의 다른 일 주면(하면이라고도 한다)(Bs1)을 진공 흡착 가능한 상면(211u)을 갖는 진공 척, 또는 기판(W)의 주연부를 협지 가능한 복수 개의 척 핀을 갖는 협지식의 척 등이 적용된다.
회전 기구(212)는, 예를 들면, 유지부(211)를 회전시킬 수 있다. 회전 기구(212)의 구성에는, 예를 들면, 회전 지축(212s)과, 회전 구동부(212m)를 갖는 구성이 적용된다. 회전 지축(212s)은, 예를 들면, 상단부에 유지부(211)가 연결되어 있고, 연직 방향을 따라서 연장되어 있다. 회전 구동부(212m)는, 예를 들면, 회전 지축(212s)을 연직 방향을 따른 가상적인 회전축(Ax1)을 중심으로 하여 회전시키는 것이 가능한 모터 등을 갖는다. 여기서는, 예를 들면, 회전 구동부(212m)가, 회전축(Ax1)을 중심으로 하여 회전 지축(212s)을 회전시킴으로써, 유지부(211)가 수평면을 따른 자세를 유지한 채로 회전된다. 이에 의해, 예를 들면, 유지부(211) 상에 유지되어 있는 기판(W)이, 회전축(Ax1)을 중심으로 하여 회전한다. 여기서, 예를 들면, 기판(W)의 상면(Us1) 및 하면(Bs1)이 대략 원형이면, 회전축(Ax1)은, 기판(W)의 상면(Us1) 및 하면(Bs1)의 중심을 지난다.
처리액 공급계(213)는, 예를 들면, 1종류 이상의 처리액(L1)을 기판(W)을 향하여 토출할 수 있다. 도 4의 예에서는, 처리액 공급계(213)는, 제1 처리액 공급부(213a), 제2 처리액 공급부(213b) 및 제3 처리액 공급부(213c)를 갖는다.
제1 처리액 공급부(213a)는, 예를 들면, 노즐(Nz1)과, 배관부(Pp1)와, 가동 배관부(At1), 토출 밸브(Vv1)와, 액 송급부(Su1)를 갖는다. 노즐(Nz1)은, 예를 들면, 유지부(211)에 유지된 기판(W)을 향하여 처리액(L1) 중 하나인 제1 처리액(L11)을 토출할 수 있다. 배관부(Pp1)는, 액 송급부(Su1)와 노즐(Nz1)을 잇고 있고, 제1 처리액(L11)이 흐르는 경로를 형성하고 있다. 또, 가동 배관부(At1)는, 배관부(Pp1)의 도중에 위치하고 있고, 배관부(Pp1) 중 노즐(Nz1) 측의 부분을, 연직 방향을 따른 축을 중심으로 하여 회동 가능하게 지지하고 있다. 그리고, 예를 들면, 모터 등의 구동부에 의한 구동력에 의해서, 기판(W) 상에 노즐(Nz1)이 위치하고 있는 상태(액 토출 가능 상태라고도 한다)와, 기판(W) 상에 노즐(Nz1)이 위치하고 있지 않은 상태(퇴피 상태라고도 한다)가 전환될 수 있다. 도 4의 예에서는, 제1 처리액 공급부(213a)가 액 토출 가능 상태에 있고, 노즐(Nz1)은, 기판(W)의 바로 위로부터 기판(W)의 상면(Us1)을 향하여 제1 처리액(L11)을 토출할 수 있다. 토출 밸브(Vv1)는, 예를 들면, 배관부(Pp1)의 도중에 배치되어 있고, 부분 제어 유닛(PC2)으로부터의 신호에 따라 개폐할 수 있다. 여기서는, 예를 들면, 토출 밸브(Vv1)가 개방됨으로써, 액 송급부(Su1)와 노즐(Nz1)이 연통하고 있는 상태가 된다. 또, 예를 들면, 토출 밸브(Vv1)가 폐쇄됨으로써, 액 송급부(Su1)와 노즐(Nz1)이 연통하고 있지 않은 상태가 된다. 액 송급부(Su1)는, 예를 들면, 본체 제어 유닛(PC0) 혹은 부분 제어 유닛(PC2) 등으로부터의 신호에 따라, 예를 들면, 액 저류 유닛(23)(여기서는 제1 저류조(23ta))으로부터 제1 처리액(L11)을 배관부(Pp1)를 향하여 송급할 수 있다. 액 송급부(Su1)에는, 예를 들면, 펌프가 적용된다.
제2 처리액 공급부(213b)는, 제1 처리액 공급부(213a)와 유사한 구성을 갖는다. 구체적으로는, 제2 처리액 공급부(213b)는, 예를 들면, 노즐(Nz2)과, 배관부(Pp2)와, 가동 배관부(At2), 토출 밸브(Vv2)와, 액 송급부(Su2)를 갖는다. 노즐(Nz2)은, 예를 들면, 유지부(211)에 유지된 기판(W)을 향하여 처리액(L1) 중 하나인 제2 처리액(L12)을 토출할 수 있다. 배관부(Pp2)는, 액 송급부(Su2)와 노즐(Nz2)을 잇고 있으며, 제2 처리액(L12)이 흐르는 경로를 형성하고 있다. 또, 가동 배관부(At2)는, 배관부(Pp2)의 도중에 위치하고 있고, 배관부(Pp2) 중 노즐(Nz2) 측의 부분을, 연직 방향을 따른 축을 중심으로 하여 회동 가능하게 지지하고 있다. 그리고, 예를 들면, 모터 등의 구동부에 의한 구동력에 의해서, 기판(W) 상에 노즐(Nz2)이 위치하고 있는 상태(액 토출 가능 상태)와, 기판(W) 상에 노즐(Nz2)이 위치하고 있지 않은 상태(퇴피 상태)가 전환될 수 있다. 도 4의 예에서는, 제2 처리액 공급부(213b)가 액 토출 가능 상태에 있고, 노즐(Nz2)은, 기판(W)의 바로 위로부터 기판(W)의 상면(Us1)을 향하여 제2 처리액(L12)을 토출할 수 있다. 토출 밸브(Vv2)는, 예를 들면, 배관부(Pp2)의 도중에 배치되어 있고, 부분 제어 유닛(PC2)으로부터의 신호에 따라 개폐할 수 있다. 여기서는, 예를 들면, 토출 밸브(Vv2)가 개방됨으로써, 액 송급부(Su2)와 노즐(Nz2)이 연통하고 있는 상태가 된다. 또, 예를 들면, 토출 밸브(Vv2)가 폐쇄됨으로써, 액 송급부(Su2)와 노즐(Nz2)이 연통하고 있지 않은 상태가 된다. 액 송급부(Su2)는, 예를 들면, 본체 제어 유닛(PC0) 혹은 부분 제어 유닛(PC2) 등으로부터의 신호에 따라서, 액 저류 유닛(23)(여기서는 제2 저류조(23tb))으로부터 제2 처리액(L12)을 배관부(Pp2)를 향하여 송급할 수 있다. 액 송급부(Su2)에는, 예를 들면, 펌프가 적용된다.
도 4에는, 제1 처리액 공급부(213a) 및 제2 처리액 공급부(213b) 양쪽 모두가 액 토출 가능 상태에 있는 경우가 그려져 있는데, 실제로는, 제1 처리액 공급부(213a) 및 제2 처리액 공급부(213b) 양쪽 모두가 퇴피 상태에 있는 상태로부터, 제1 처리액 공급부(213a) 및 제2 처리액 공급부(213b) 중 한쪽이 택일적으로 액 토출 가능 상태로 전환된다. 또, 도 4에서는, 제1 처리액 공급부(213a)와 제2 처리액 공급부(213b)가, 서로 간섭하지 않도록 상하로 어긋난 관계를 갖고 있는데, 제1 처리액 공급부(213a) 및 제2 처리액 공급부(213b)의 퇴피 상태와 액 토출 가능 상태 사이의 전환 동작이 적절히 동기되어 있으면, 제1 처리액 공급부(213a)와 제2 처리액 공급부(213b)가 상하로 어긋난 관계를 갖지 않아도, 서로 간섭하지 않는다.
제3 처리액 공급부(213c)는, 예를 들면, 노즐(Nz3)과, 배관부(Pp3)와, 토출 밸브(Vv3)와, 액 송급부(Su3)를 갖는다. 노즐(Nz3)은, 예를 들면, 유지부(211)에 유지된 기판(W)을 향하여 처리액(L1) 중 하나인 제3 처리액(L13)을 토출할 수 있다. 도 4의 예에서는, 노즐(Nz3)은, 기판(W)의 비스듬한 상방으로부터 기판(W)의 상면(Us1)을 향하여 제3 처리액(L13)을 토출할 수 있다. 배관부(Pp3)는, 액 송급부(Su3)와 노즐(Nz3)을 잇고 있으며, 제3 처리액(L13)이 흐르는 경로를 형성하고 있다. 토출 밸브(Vv3)는, 예를 들면, 배관부(Pp3)의 도중에 배치되어 있고, 부분 제어 유닛(PC2)으로부터의 신호에 따라 개폐할 수 있다. 여기서는, 예를 들면, 토출 밸브(Vv3)가 개방됨으로써, 액 송급부(Su3)와 노즐(Nz3)이 연통하고 있는 상태가 된다. 또, 예를 들면, 토출 밸브(Vv3)가 폐쇄됨으로써, 액 송급부(Su3)와 노즐(Nz3)이 연통하고 있지 않은 상태가 된다. 액 송급부(Su3)는, 예를 들면, 본체 제어 유닛(PC0) 혹은 부분 제어 유닛(PC2) 등으로부터의 신호에 따라, 액 저류 유닛(23)(여기서는 제3 저류조(23tc))으로부터 제3 처리액(L13)을 배관부(Pp3)를 향하여 송급할 수 있다. 액 송급부(Su3)에는, 예를 들면, 펌프가 적용된다.
상기 구성을 갖는 처리 유닛(21)은, 예를 들면, 제1 처리액 공급부(213a)의 노즐(Nz1)로부터 기판(W)을 향한 제1 처리액(L11)의 토출과, 제2 처리액 공급부(213b)의 노즐(Nz2)로부터 기판(W)을 향한 제2 처리액(L12)의 토출과, 제3 처리액 공급부(213c)의 노즐(Nz3)로부터 기판(W)을 향한 제3 처리액(L13)의 토출을 순서대로 행할 수 있다.
여기서, 각 노즐(Nz1~Nz3)로부터 기판(W)을 향하여 토출되는 처리액(L1)은, 예를 들면, 기판(W)의 측방으로부터 하방에 걸쳐서 설치된 컵 등에서 회수되어, 액 저류 유닛(23)의 대응하는 저류조(23t)로 되돌려진다. 환언하면, 액 저류 유닛(23)에 저류되어 있는 처리액(L1)은, 순환하도록 반복하여 기판 처리에 사용된다. 이 때, 예를 들면, 처리액(L1)은, 사용 횟수에 따라 서서히 열화되는 경향을 나타낸다. 여기서, 처리 유닛(21)으로부터 액 저류 유닛(23)으로 처리액(L1)이 되돌려질 때에는, 필터 등에서 처리액(L1)이 정화되어도 된다.
또, 여기서, 예를 들면, 처리 유닛(21)에, 1~2개 혹은 4개 이상의 처리액 공급부가 존재하고 있어도 된다.
센서부(214)는, 예를 들면, 처리 유닛(21)에 있어서의 기판 처리의 상황에 대한 지표에 관련된 신호를 취득할 수 있다. 도 4의 예에서는, 센서부(214)는, 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표에 관련된 신호를 취득하기 위한 막두께계(Fm0) 및 촬상부(21sb)를 갖는다. 막두께계(Fm0)에는, 예를 들면, 광의 간섭을 이용한 반사 분광 막두께계 등이 적용될 수 있다. 이 반사 분광 막두께계는, 예를 들면, 프리즘 등을 이용한 분광을 행하여, 광의 간섭의 강도가 높은 파장의 광으로부터 전환식을 이용하여 막두께를 산출할 수 있다. 여기서, 반사 분광 막두께계에서는, 예를 들면, 재질마다 온도에 의존하는 굴절률에 따라 막두께를 산출하기 위한 전환식을 보정하면, 막두께의 계측 정밀도가 향상될 수 있다. 촬상부(21sb)에는, 예를 들면, 수광 소자가 평면적으로 배열된 에리어 센서 등의 촬상 소자를 이용한 것이 적용된다.
막두께계(Fm0)는, 예를 들면, 가동부(At0)에 의해서 연직 방향을 따른 축을 중심으로 하여 회전 가능하게 지지된 아암부(Am1)에 고정되어 있다. 그리고, 예를 들면, 모터 등의 구동부에 의한 구동력에 의해서, 아암부(Am1)가 회동함으로써, 기판(W) 상에 막두께계(Fm0)가 위치하고 있는 상태(측정 가능 상태)와, 기판(W) 상에 막두께계(Fm0)가 위치하고 있지 않은 상태(퇴피 상태)가 전환될 수 있다. 막두께계(Fm0)는, 예를 들면, 퇴피 상태에 있어서, 처리액(L1)의 부착으로부터 보호하기 위한 실드에 의해서 보호되어도 된다. 여기서는, 기판(W)을 회전 기구(212)로 적절히 회전시키면서, 아암부(Am1)를 회동시킴으로써, 막두께계(Fm0)가, 기판(W) 상의 넓은 범위에서 위치하고 있는 각종 막의 두께(막두께)를 계측할 수 있다. 여기서도, 막두께는, 예를 들면, 복수 개소에 있어서의 막두께의 평균치, 최소치 및 최대치 중 어느 것이어도 된다. 여기서, 기판(W) 상에 위치하고 있는 막으로서는, 예를 들면, 산화막, 실리콘 단결정층, 실리콘 다결정층, 아몰퍼스 실리콘층, 레지스트막 등의, 각종 막이 채용될 수 있다. 막두께계(Fm0)는, 예를 들면, 처리 유닛(21)에 있어서의 처리액(L1)에 의한 기판(W)의 처리의 전후에, 기판(W) 상의 막의 막두께를 측정할 수 있다. 이에 의해, 처리 유닛(21)에 있어서의 기판 처리의 상황에 대한 1 지표로서의 막두께와 관련된 신호를 취득할 수 있다. 막두께계(Fm0)는, 예를 들면, 얻어진 신호를 부분 제어 유닛(PC2)에 송출한다. 도 4에서는, 측정 가능 상태에 있어서, 기판(W)의 상면(Us1)과 막두께계(Fm0)의 거리가 떨어져 있도록 편의적으로 그려져 있는데, 실제로는, 막두께계(Fm0)는, 기판(W)의 상면(Us1)과 접근한 상태에서 막두께의 측정을 행한다.
촬상부(21sb)는, 예를 들면, 처리 유닛(21)에 있어서의 처리액(L1)에 의한 기판(W)의 처리의 전후에, 기판(W) 상의 상황을 촬상함으로써, 처리 유닛(21)에 있어서의 기판 처리의 상황에 대한 1 지표로서의 기판(W)의 상면(Us1)의 상태와 관련된 화상 신호를 취득할 수 있다. 촬상부(21sb)는, 예를 들면, 얻어진 화상 신호를 부분 제어 유닛(PC2)에 송출한다.
센서부(214)는, 예를 들면, 각 노즐(Nz1~Nz3)로부터 토출되는 처리액(L1)의 토출량을 검출하는 유량계, 및 각 노즐(Nz1, Nz2)이 처리액(L1)을 토출한 위치(토출 위치라고도 한다)를 검출하는 센서(예를 들면, 각도 센서 등) 등을 포함하고 있어도 된다.
<1-3-5. 본체 제어 유닛>
본체 제어 유닛(PC0)은, 예를 들면, 관리용 장치(10)와의 사이에 있어서의 데이터의 송수신 및 기판 처리 장치(20)에 있어서의 각 부의 동작의 제어 등을 행할 수 있다.
도 5는, 기판 처리 장치(20)에 있어서의 제어계 및 데이터 송수신계의 접속 양태를 나타내는 블록도이다. 여기서는, 본체 제어 유닛(PC0)과, 예정 관리용 제어 유닛(PC1)과, 복수의 부분 제어 유닛(PC2)과, 액 관리 제어 유닛(PC3)이 제어용의 통신 회선(L0c)을 개재하여 서로 각종 제어용의 신호의 송수신이 가능해지도록 접속되어 있다. 또, 본체 제어 유닛(PC0)과, 예정 관리용 제어 유닛(PC1)과, 복수의 부분 제어 유닛(PC2)과, 액 관리 제어 유닛(PC3)과, 데이터 스토리지(NA1)가 데이터용의 통신 회선(L0d)을 개재하여 서로 각종 데이터의 송수신이 가능해지도록 접속되어 있다. 제어용의 통신 회선(L0c) 및 데이터용의 통신 회선(L0d)은, 각각 유선 회선 및 무선 회선 중 어느 것이어도 된다.
도 6 (a)는, 본체 제어 유닛(PC0)의 전기적인 구성의 일례를 나타내는 블록도이다. 도 6 (a)에서 나타내어지는 바와 같이, 본체 제어 유닛(PC0)은, 예를 들면, 컴퓨터 등으로 실현되고, 버스 라인(Bu0)을 개재하여 접속된, 통신부(P01), 입력부(P02), 출력부(P03), 기억부(P04), 제어부(P05) 및 드라이브(P06)를 갖는다.
통신부(P01)는, 예를 들면, 제어용의 통신 회선(L0c)을 개재한, 예정 관리용 제어 유닛(PC1), 복수의 부분 제어 유닛(PC2) 및 액 관리 제어 유닛(PC3)과의 사이에 있어서의 신호의 송수신, 및 데이터용의 통신 회선(L0d)을 개재한, 예정 관리용 제어 유닛(PC1), 복수의 부분 제어 유닛(PC2) 및 액 관리 제어 유닛(PC3) 등과의 사이에 있어서의 데이터의 송수신이 가능한 송신부 및 수신부로서의 기능을 갖는다. 또, 통신부(P01)는, 예를 들면, 통신 회선(5)을 개재하여 관리용 장치(10)에 대해서 정보를 송수신하는 기능을 갖는다. 환언하면, 통신부(P01)는, 예를 들면, 관리용 장치(10)와의 사이에서 정보를 송수신하는 부분(제2 통신부라고도 한다)으로서의 기능을 갖는다. 이 경우에는, 통신부(P01)는, 예를 들면, 관리용 장치(10)로부터 송신되는, 일군의 기판(W)마다의 각 기판(W)의 정보, 작업 및 2개 이상의 식별 정보를 수신할 수 있다.
입력부(P02)는, 예를 들면, 기판 처리 장치(20)를 사용하는 유저의 동작 등에 따른 신호를 입력할 수 있다. 여기서, 입력부(P02)는, 예를 들면, 상기 입력부(12)와 동일하게, 조작부, 마이크 및 각종 센서 등을 포함할 수 있다. 입력부(P02)는, 예를 들면, 레시피의 정보에 대한 수동의 보정을 지시하는 신호를 입력할 수 있어도 된다.
출력부(P03)는, 예를 들면, 각종 정보를 출력할 수 있다. 이 출력부(P03)는, 예를 들면, 상기 출력부(13)와 동일하게, 표시부 및 스피커 등을 포함할 수 있다. 표시부는, 입력부(P02)의 적어도 일부와 일체화된 터치 패널의 형태를 갖고 있어도 된다.
기억부(P04)는, 예를 들면, 정보를 기억할 수 있다. 이 기억부(P04)는, 예를 들면, 하드 디스크 또는 플래시 메모리 등의 불휘발성의 기억 매체로 구성될 수 있다. 기억부(P04)에서는, 예를 들면, 1개의 기억 매체를 갖는 구성, 2개 이상의 기억 매체를 일체적으로 갖는 구성, 및 2개 이상의 기억 매체를 2개 이상의 부분으로 나누어 갖는 구성 중 어느 것이 채용되어도 된다. 기억부(P04)는, 예를 들면, 프로그램(Pg0), 각종 정보(Dt0) 및 데이터군(Db0)을 기억한다. 기억부(P04)에는 후술하는 메모리(P05b)가 포함되어도 된다.
각종 정보(Dt0)는, 예를 들면, 관리용 장치(10)로부터 송신되어 온 일군의 기판(W)마다의 각 기판(W)의 정보, 작업 및 복수의 식별 정보 등을 포함한다.
도 7은, 데이터군(Db0)의 내용의 일례를 나타내는 도면이다. 도 7에서 나타내어지는 바와 같이, 데이터군(Db0)은, 예를 들면, 액 처리 레시피군(Gp1), 계측 처리 레시피군(Gp2) 및 보정식군(Gp3) 등을 포함한다.
액 처리 레시피군(Gp1)은, 예를 들면, 복수의 액 처리 레시피(R1)를 포함한다. 도 7의 예에서는, 복수의 액 처리 레시피(R1)는, 제1 액 처리 레시피(R1a), 제2 액 처리 레시피(R1b), 제3 액 처리 레시피(R1c), 제4 액 처리 레시피(R1d), 제5 액 처리 레시피(R1e) 및 제6 액 처리 레시피(R1f)를 포함한다. 구체적으로는, 복수의 액 처리 레시피(R1)에는, 예를 들면, 약액 등으로 에칭을 실시하는 약액 처리의 조건을 규정하는 레시피, 액체로 이물 혹은 제거 대상물을 제거하는 세정 처리의 조건을 규정하는 레시피, 물로 씻어내는 린스 처리의 조건을 규정하는 레시피 및 레지스트 등을 도포하는 도포 처리의 조건을 규정하는 레시피 등이 적용될 수 있다. 또, 예를 들면, 약액 처리가, 제1 처리액(L11)을 이용한 처리, 제2 처리액(L12)을 이용한 처리, 제3 처리액(L13)을 이용한 처리 및 건조 처리 등으로 구성되는 경우에는, 복수의 액 처리 레시피(R1)에는, 제1 처리액(L11)을 이용한 처리의 조건을 규정하는 레시피, 제2 처리액(L12)을 이용한 처리의 조건을 규정하는 레시피, 제3 처리액(L13)을 이용한 처리의 조건을 규정하는 레시피 및 건조 처리의 조건을 규정하는 레시피 등이 개별적으로 적용되어도 된다. 여기서, 예를 들면, 제1 처리액(L11)에는, 예를 들면, 에칭액으로서의 불산과 질산이 혼합된 불질산이 적용될 수 있다. 제2 처리액(L12)에는, 예를 들면, 세정액으로서의 암모니아수와 과산화수소수가 혼합된 혼합액(SC1액)이 적용될 수 있다. 제3 처리액(L13)에는, 예를 들면, 린스액으로서의 순수가 적용될 수 있다. 또, 예를 들면, 제1 처리액(L11)을 이용한 처리, 제2 처리액(L12)을 이용한 처리, 제3 처리액(L13)을 이용한 처리 및 건조 처리 등으로 구성되는 약액 처리의 조건은, 1개의 액 처리 레시피(R1)로 규정되어도 되고, 2게 이상의 임의의 수의 액 처리 레시피(R1)로 규정되어도 된다.
계측 처리 레시피군(Gp2)은, 예를 들면, 복수의 계측 처리 레시피(R2)를 포함한다. 도 7의 예에서는, 복수의 계측 처리 레시피(R2)는, 제1 계측 처리 레시피(R2a), 제2 계측 처리 레시피(R2b), 제3 계측 처리 레시피(R2c), 제4 계측 처리 레시피(R2d), 제5 계측 처리 레시피(R2e) 및 제6 계측 처리 레시피(R2f)를 포함한다. 계측 처리 레시피(R2)는, 예를 들면, 처리 유닛(21)에 있어서의 기판 처리의 상황에 대한 지표에 관련된 신호를 취득하기 위한 센서부(214)에 의한 계측 처리의 조건을 규정한다. 예를 들면, 계측 처리 레시피(R2)는, 막두께계(Fm0)를 이용하여 기판(W) 상의 막의 두께를 계측하는 조건을 규정하는 양태가 생각된다. 또한, 복수의 계측 처리 레시피(R2)는, 예를 들면, 막두께계(Fm0)에 의해서 막두께를 계측하는 위치 및 계측 횟수가 서로 상이한 계측의 조건을 각각 규정하는 레시피를 포함할 수 있다. 또한, 계측 처리 레시피군(Gp2)은, 예를 들면, 1개 이상의 계측 처리 레시피(R2)를 포함하고 있어도 되고, 2개 이상의 임의의 수의 계측 처리 레시피(R2)를 포함하고 있어도 된다.
이와 같이, 데이터군(Db0)은, 복수의 액 처리 레시피(R1)와 1개 이상의 계측 처리 레시피(R2)를 포함하는 복수의 처리 레시피를 포함한다.
보정식군(Gp3)은, 예를 들면, 제1 보정식군(Gp31) 및 제2 보정식군(Gp32)을 포함한다. 제1 보정식군(Gp31)은, 예를 들면, 액 처리 레시피(R1)의 적어도 일부의 조건을 보정하기 위한 1개 이상의 제1 보정식(C31)을 포함한다. 도 7의 예에서는, 1개 이상의 제1 보정식(C31)은, 제1A 보정식(C31a), 제1B 보정식(C31b), 제1C 보정식(C31c), 제1D 보정식(C31d), 제1E 보정식(C31e) 및 제1F 보정식(C31f)을 포함한다. 각 제1 보정식(C31)에는, 예를 들면, 센서부(22s, 23s, 214)에 의해서 취득된 지표에 관련된 신호에 의거하여 액 처리 레시피(R1)의 적어도 일부의 조건을 보정하기 위한 식이 적용된다.
예를 들면, 액 처리 레시피(R1)가, 처리액을 이용하여 기판(W)의 막의 에칭을 행하는 시간(에칭 시간이라고도 한다) 등의 조건을 규정하고 있는 경우에, 제1 보정식(C31)은, 처리액의 농도 및 온도 및 에칭 레이트 등의 지표에 따라서, 액 처리 레시피(R1)로 규정하는 조건의 일부인 보정 대상의 수치인 에칭 시간 등을 변경하는 보정 처리에 이용되는 양태가 생각된다. 에칭 시간에는, 예를 들면, 기판(W)에 대한 에칭액의 공급 시간 등이 적용된다. 이 경우에는, 보정식으로서는, 예를 들면, 보정 대상인 조건의 일부인 수치(예를 들면, 에칭 시간)에 곱하여 이 수치를 보정하기 위한 계수(보정 계수라고도 한다)를, 변수에 지표를 적용함으로써 산출하기 위한 식이 생각된다. 이 때, 예를 들면, 보정식은, 1개의 변수를 포함하는 부분에 계수가 부여된 식이어도 되고, 2개 이상의 변수를 포함하는 부분의 각각에 계수가 부여된 식이어도 된다. 보정식으로서는, 제1의 변수를 포함하는 부분에 제1의 계수를 곱하여 얻어지는 제1의 값에, 제2의 변수를 포함하는 부분에 제2의 계수를 곱하여 얻어지는 제2의 값을 곱함으로써, 보정 계수를 산출하는 식이 생각된다. 또한, 예를 들면, 보정식은, 보정 대상의 수치에 보정 계수(제1 보정 계수라고도 한다)를 곱한 후에, 제3의 변수를 포함하는 부분에 제3의 계수를 곱하여 얻어지는 제3의 값(제2 보정 계수라고도 한다)을 더하는 식이어도 된다.
여기서는, 예를 들면, 보정 계수의 초기값이 1이 된다. 또, 예를 들면, 제1의 변수를 포함하는 부분은, 제1의 지표의 변화에 대해서 단계적으로 변화하고, 제2의 변수를 포함하는 부분은, 제2의 지표의 변화에 대해서 단계적으로 변화해도 된다. 여기서, 예를 들면, 제1의 지표가, 1개의 처리 유닛(21)에서 최근에 기판(W)에 실시한 에칭 처리에 있어서의 에칭 레이트(제1 에칭 레이트라고도 한다)이고, 제2의 지표가, 다른 1개의 처리 유닛(21)에서 최근에 기판(W)에 실시한 에칭 처리에 있어서의 에칭 레이트(제2 에칭 레이트라고도 한다)이며, 제3의 지표가, 저류조(23t)에 있어서의 처리액(L1)의 최근의 액 교환 이래의 사용 횟수를 나타내는 수치인 경우를 상정한다. 이 경우에는, 예를 들면, 제1~제3의 계수는, 제1~제3의 지표에 가중치를 부여하는 계수로서 기능한다. 여기서, 예를 들면, 제1의 계수는 0~1의 임의의 수(예를 들면, 0.8 등)가 되고, 제2의 계수는 (1-(제1의 계수) 등)이 되고, 제3의 계수는 임의의 수(예를 들면, 0.1 등)가 된다. 그리고, 예를 들면, 제1의 변수를 포함하는 부분이, 제1 에칭 레이트의 기준치를 제1의 지표로서의 제1 에칭 레이트로 나눈 값이 0.95~1.05이면, 1이 되고, 기준의 에칭 레이트를 제1의 지표로서의 제1 에칭 레이트로 나눈 값이 1.05~1.15이면, 1.1이 되는 양태가 생각된다. 또, 예를 들면, 제2의 변수를 포함하는 부분이, 제2 에칭 레이트의 기준치를 제2의 지표로서의 제2 에칭 레이트로 나눈 값이 0.95~1.05이면, 1이 되고, 제2 에칭 레이트의 기준치를 제2의 지표로서의 제2 에칭 레이트로 나눈 값이 1.05~1.15이면, 1.1이 되는 양태가 생각된다. 제2의 변수를 포함하는 부분은, 예를 들면, 제1의 변수를 포함하는 부분과 동일한 값으로 설정되어도 된다. 또, 제3의 변수를 포함하는 부분에 대해서는, 예를 들면, 처리액(L1)이 새로운 경우에는, 사용 횟수를 나타내는 수치는 0이며, 처리액(L1)의 사용에 따라, 사용 횟수를 나타내는 수치가 1 이상의 자연수가 된다. 여기서는, 예를 들면, 처리액(L1)은, 사용 횟수에 따라 처리 능력이 저하되기 때문에, 사용 횟수가 1회인 경우에는, 에칭 시간이 0.1시간 연장되고, 사용 횟수가 2회인 경우에는, 에칭 시간이 0.2시간 연장되는 양태가 생각된다.
제2 보정식군(Gp32)은, 예를 들면, 계측 처리 레시피(R2)의 적어도 일부의 조건을 보정하기 위한 1개 이상의 제2 보정식(C32)을 포함한다. 도 7의 예에서는, 1개 이상의 제2 보정식(C32)은, 제2A 보정식(C32a), 제2B 보정식(C32b), 제2C 보정식(C32c), 제2D 보정식(C32d), 제2E 보정식(C32e) 및 제2F 보정식(C32f)을 포함한다. 각 제2 보정식(C32)에는, 예를 들면, 센서부(22s, 23s, 214) 등에 의해서 취득된 지표에 관련된 신호에 의거하여 계측 처리 레시피(R2)의 적어도 일부의 조건을 보정하기 위한 식이 적용된다. 여기서는, 예를 들면, 계측 처리 레시피(R2)가, 막두께계(Fm0)를 이용하여 기판(W)의 막의 두께(막두께)를 계측하는 조건을 규정하고 있는 경우에, 제2 보정식(C32)은, 처리 유닛(21)의 온도 등의 지표에 따라, 계측 처리 레시피(R2)로 규정하는 조건의 일부인 막두께를 산출하는 전환식을 변경하는 보정 처리에 이용되는 양태가 생각된다. 이러한 양태에서는, 제2 보정식(C32)은, 예를 들면, 막의 재질마다 설정될 수 있다.
제어부(P05)는, 예를 들면, 프로세서로서 작용하는 연산 처리부(P05a) 및 정보를 일시적으로 기억하는 메모리(P05b) 등을 포함한다. 연산 처리부(P05a)로서는, 예를 들면, CPU 등의 전기 회로가 채용되고, 메모리(P05b)로서는, 예를 들면, RAM 등이 채용될 수 있다. 연산 처리부(P05a)는, 예를 들면, 기억부(P04)에 기억된 프로그램(Pg0)을 읽어들여 실행함으로써, 본체 제어 유닛(PC0)의 기능을 실현할 수 있다. 제어부(P05)에 있어서의 각종 정보 처리에 의해서 일시적으로 얻어지는 각종 정보는, 적절히 메모리(P05b) 등에 기억될 수 있다.
드라이브(P06)는, 예를 들면, 가반성의 기억 매체(RM0)의 착탈이 가능한 부분이다. 드라이브(P06)는, 예를 들면, 기억 매체(RM0)가 장착되어 있는 상태에서, 이 기억 매체(RM0)와 제어부(P05) 사이에 있어서의 데이터의 주고받기를 행하게 할 수 있다. 또, 드라이브(P06)는, 프로그램(Pg0)이 기억된 기억 매체(RM0)가 드라이브(P06)에 장착된 상태에서, 기억 매체(RM0)로부터 기억부(P04) 내로 프로그램(Pg0)을 읽어들이게 하여 기억시켜도 된다.
도 6 (b)는, 연산 처리부(P05a)에서 실현되는 기능적인 구성의 일례를 나타내는 블록도이다. 도 6 (b)에서 나타내어지는 바와 같이, 연산 처리부(P05a)는, 실현되는 기능적인 구성으로서, 예를 들면, 정보 취득부(F01), 작성부(F02), 기억 제어부(F03), 지시부(F04), 출력 제어부(F05) 및 송신 제어부(F06)를 갖는다. 이들 각 부에서의 처리에 있어서의 워크 스페이스로서, 예를 들면, 메모리(P05b)가 사용된다. 여기서, 예를 들면, 연산 처리부(P05a)에서 실현되는 기능의 적어도 일부가 전용의 전자 회로로 실현되어도 된다.
정보 취득부(F01)는, 예를 들면, 관리용 장치(10)로부터 송신되는, 일군의 기판(W)마다의 각 기판(W)의 정보, 작업 및 2개 이상의 식별 정보를 취득할 수 있다. 각 기판(W)의 정보는, 예를 들면, 캐리어(C)에 있어서 기판(W)이 유지된 슬롯의 번호, 기판(W)의 형태(막두께 및 막두께의 분포 등) 및 기처리 정보를 포함한다. 2개 이상의 식별 정보는, 예를 들면, 2개 이상의 레시피 식별 정보 및 이들 2개 이상의 레시피 식별 정보 중 적어도 1개의 레시피 식별 정보에 관련지어진 적어도 1개의 보정식 식별 정보를 포함한다.
작성부(F02)는, 예를 들면, 기판(W)에 대한 일련의 처리의 흐름을 규정하는 레시피(플로 레시피라고도 한다)(FL1)를 작성할 수 있다. 예를 들면, 작성부(F02)는, 기억부(P04)에 기억된 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 처리 레시피 중, 2개 이상의 처리 레시피를 조합함으로써, 기판(W)에 대한 일련의 처리의 흐름을 규정하는 플로 레시피(FL1)를 작성할 수 있다. 제1 실시형태에서는, 작성부(F02)는, 예를 들면, 정보 취득부(F01)에서 취득한 2개 이상의 식별 정보에 의거하여, 기억부(P04)에 기억된 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 처리 레시피를 조합함으로써, 플로 레시피(FL1)를 작성할 수 있다. 여기서는, 예를 들면, 2개 이상의 식별 정보의 기술 순서 등에 따라서, 2개 이상의 처리 레시피의 조합 순서가 설정될 수 있다. 이와 같이 하여, 예를 들면, 1개의 캐리어(C)에 수용된 25장의 기판(W) 등의 일군의 기판(W)에 대해서, 1개의 플로 레시피(FL1)가 작성될 수 있다.
그리고, 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 기판(W)에 대한 일련의 처리의 조건이 증가해도, 사전에 준비해 두는 플로 레시피(FL1)의 수를 늘리는 대신에, 미리 준비해 둔 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 처리 레시피를 조합함으로써, 플로 레시피(FL1)를 작성할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 기판 처리 시스템(1), 관리용 장치(10) 및 기판 처리 장치(20) 등에서 미리 준비해 두는 데이터량을 삭감할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판 처리 시스템(1), 관리용 장치(10) 및 기판 처리 장치(20) 등에서 사용하는 데이터량을 삭감할 수 있다.
여기서, 플로 레시피(FL1)를 구성하는 2개 이상의 처리 레시피가, 예를 들면, 2개 이상의 액 처리 레시피(R1)를 포함하는 양태가 생각된다. 도 8은, 플로 레시피(FL1)의 일례를 나타내는 도면이다. 도 8에서 나타내어지는 플로 레시피(FL1)는, 예를 들면, 기억부(P04)에 기억된 복수의 액 처리 레시피(R1) 중, 제4 액 처리 레시피(R1d)와, 제1 액 처리 레시피(R1a)와, 제5 액 처리 레시피(R1e)가 이 기재된 순서로 조합됨으로써, 작성될 수 있다. 여기서는, 예를 들면, 제4 액 처리 레시피(R1d)는, 불질산 등의 제1 처리액(L11)을 이용한 처리(에칭 처리 등)의 조건을 규정하고, 제1 액 처리 레시피(R1a)는, 예를 들면, SC1액 등의 제2 처리액(L12)을 이용한 처리(세정 처리 등)의 조건을 규정하며, 제5 액 처리 레시피(R1e)는, 예를 들면, 순수 등의 제3 처리액(L13)을 이용한 처리(린스 처리 등)의 조건을 규정한다. 이 경우에는, 작성부(F02)는, 예를 들면, 기억부(P04)에 기억된 복수의 액 처리 레시피(R1) 중 2개 이상의 액 처리 레시피(R1)를 조합함으로써, 플로 레시피(FL1)를 작성한다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 기판(W)에 대한 일련의 처리의 조건이 증가해도, 사전에 준비해 두는 플로 레시피(FL1)의 수를 늘리는 대신에, 미리 준비해 둔 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 액 처리 레시피를 조합하여 플로 레시피(FL1)를 작성할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판 처리 시스템(1), 관리용 장치(10) 및 기판 처리 장치(20) 등에서 사용하는 데이터량을 삭감할 수 있다.
또, 여기서, 플로 레시피(FL1)를 구성하는 2개 이상의 처리 레시피가, 예를 들면, 1개 이상의 액 처리 레시피(R1)와, 1개 이상의 계측 처리 레시피(R2)를 포함하는 양태가 생각된다. 도 9는, 플로 레시피(FL1)의 다른 일례를 나타내는 도면이다. 도 9에서 나타내어지는 플로 레시피(FL1)는, 예를 들면, 기억부(P04)에 기억된 복수의 액 처리 레시피(R1) 및 복수의 계측 처리 레시피(R2) 중, 제2 계측 처리 레시피(R2b)와, 제4 액 처리 레시피(R1d)와, 제1 액 처리 레시피(R1a)와, 제5 액 처리 레시피(R1e)와, 제2 계측 처리 레시피(R2b)가 이 기재된 순서대로 조합됨으로써, 작성될 수 있다. 여기서는, 예를 들면, 제2 계측 처리 레시피(R2b)는, 기판(W)에 있어서의 박막의 막두께를 계측하는 조건을 규정하는 양태가 생각된다. 이 경우에는, 작성부(F02)는, 예를 들면, 기억부(P04)에 기억된 복수의 액 처리 레시피(R1) 중 1개 이상의 액 처리 레시피(R1)와, 기억부(P04)에 기억된 복수의 계측 처리 레시피(R2) 중 1개 이상의 계측 처리 레시피(R2)를 조합함으로써, 플로 레시피(FL1)를 작성한다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 액 처리뿐만 아니라, 계측 처리도 포함하여, 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 처리 레시피를 조합하여 플로 레시피(FL1)를 작성할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 계측을 포함한 기판(W)에 대한 일련의 처리의 조건이 증가해도, 사전에 준비해 두는 플로 레시피(FL1)의 수를 늘리는 대신에, 미리 준비해 둔 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 처리 레시피를 조합하여 플로 레시피(FL1)를 작성할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판 처리 시스템(1), 관리용 장치(10) 및 기판 처리 장치(20) 등에서 사용하는 데이터량을 삭감할 수 있다.
또, 여기서, 플로 레시피(FL1)를 구성하는 2개 이상의 처리 레시피 중 적어도 1개의 처리 레시피에, 적어도 1개의 보정식이 조합되어도 된다. 도 10은, 플로 레시피(FL1)의 그 외의 일례를 나타내는 도면이다. 도 10에서 나타내어지는 플로 레시피(FL1)는, 예를 들면, 기억부(P04)에 기억된 복수의 처리 레시피 중, 제2 계측 처리 레시피(R2b)와, 제4 액 처리 레시피(R1d)와, 제1 액 처리 레시피(R1a)와, 제5 액 처리 레시피(R1e)와, 제2 계측 처리 레시피(R2b)가 이 기재된 순서대로 조합됨과 더불어, 각 처리 레시피에 제1 보정식(C31) 혹은 제2 보정식(C32)이 조합됨으로써 작성될 수 있다. 구체적으로는, 여기서는, 예를 들면, 제2 계측 처리 레시피(R2b)에 제2A 보정식(C32a)이 조합되고, 제4 액 처리 레시피(R1d)에 제1E 보정식(C31e)이 조합되고, 제1 액 처리 레시피(R1a)에 제1C 보정식(C31c)이 조합되고, 제5 액 처리 레시피(R1e)에 제1F 보정식(C31f)이 조합되고, 제2 계측 처리 레시피(R2b)에 제2A 보정식(C32a)이 조합되어 있다. 이 경우에는, 작성부(F02)는, 예를 들면, 2개 이상의 처리 레시피 중 적어도 1개의 처리 레시피에, 적어도 1개의 보정식을 조합함으로써, 플로 레시피(FL1)를 작성한다. 이에 의해, 예를 들면, 처리의 보정도 포함한 처리의 조건이 증가해도, 사전에 준비해 두는 플로 레시피(FL1)의 수를 늘리는 대신에, 미리 준비해 둔 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 처리 레시피를 조합함과 더불어, 미리 준비해 둔 복수의 보정식 중 적어도 1개의 보정식을 적어도 1개의 처리 레시피에 조합함으로써, 플로 레시피(FL1)를 작성할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판 처리 시스템(1), 관리용 장치(10) 및 기판 처리 장치(20) 등에서 사용하는 데이터량을 삭감할 수 있다.
기억 제어부(F03)는, 예를 들면, 정보 취득부(F01)에서 얻어진 정보 및 작성부(F02)에서 작성된 플로 레시피(FL1) 등을, 기억부(P04)에 기억시킬 수 있다. 또, 기억 제어부(F03)는, 예를 들면, 관리용 장치(10) 혹은 기억 매체(RM0)로부터 입력되는 데이터군(Db0)의 정보를, 기억부(P04)에 기억시킬 수 있다.
지시부(F04)는, 예를 들면, 예정 관리용 제어 유닛(PC1), 복수의 부분 제어 유닛(PC2) 및 액 관리 제어 유닛(PC3)에 각종 지시를 행할 수 있다. 지시부(F04)는, 예를 들면, 기판 처리 장치(20)에 있어서의 일군의 기판(W)의 반송 및 처리에 대한 타임 스케줄을 설정하도록 예정 관리용 제어 유닛(PC1)에 지시를 행하는 것, 플로 레시피(FL1) 및 타임 스케줄을 따른 동작을 행하도록 복수의 부분 제어 유닛(PC2)에 지시를 행하는 것, 처리액(L1)의 온도조절, 교환 및 모니터 등을 행하도록 액 관리 제어 유닛(PC3)에 지시를 행하는 것이 가능하다. 타임 스케줄은, 예를 들면, 반송 유닛(24)에 의한 기판(W)의 반송 타이밍 및 복수의 처리 유닛(21)에 의한 기판(W)의 처리 타이밍 등을 규정한다. 이에 의해, 예를 들면, 복수의 처리 유닛(21)은, 기판(W)에 실시하는 처리의 조건을 규정하는 플로 레시피(FL1)에 따라 기판(W)에 처리를 실시할 수 있다. 제1 실시형태에서는, 예를 들면, 복수의 처리 유닛(21) 중 2개 이상의 처리 유닛(21)에 있어서, 동일한 레시피에 따라 기판(W)에 동종의 처리를 병행하여 실시할 수 있다. 여기서, 동종의 처리는, 처리 유닛(21) 내에 있어서 동일한 1종류 이상의 처리액(L1) 및 센서부(214)를 이용하여 동일한 순서로 행하는 처리를 의미한다. 그리고, 예를 들면, 액 처리 레시피(R1)의 보정에 의해서 처리액(L1)을 이용한 액 처리의 시간이 증감하거나, 계측 처리 레시피(R2)의 보정에 의해서 센서부(214) 등을 이용한 계측 처리의 시간 등이 증감해도, 처리 유닛(21) 내에 있어서 동일한 1종류 이상의 처리액(L1) 및 센서부(214)를 이용하여 동일한 순서로 처리를 행하는 것이면, 동종의 처리라고 할 수 있다.
출력 제어부(F05)는, 예를 들면, 기판 처리 장치(20)의 상태에 대한 정보를 출력부(P03)에 가시적 혹은 가청적으로 출력시킬 수 있다.
송신 제어부(F06)는, 예를 들면, 관리용 장치(10)로의 각종 정보의 송신을 통신부(P01)에 실행시킬 수 있다. 여기서, 각종 정보에는, 예를 들면, 기판 처리 장치(20)에 있어서의 각 캐리어(C)의 일군의 기판(W)에 대한 처리의 결과에 관련된 정보가 포함될 수 있다. 또, 송신 제어부(F06)는, 예를 들면, 예정 관리용 제어 유닛(PC1) 및 복수의 부분 제어 유닛(PC2)으로의 플로 레시피(FL1)의 정보의 송신을 통신부(P01)에 실행시킬 수 있다.
<1-3-6. 예정 관리용 제어 유닛>
예정 관리용 제어 유닛(PC1)은, 예를 들면, 본체 제어 유닛(PC0)으로부터의 지시에 따라서, 캐리어(C)에 격납된 일군의 기판(W)에 대해서, 플로 레시피(FL1)에 따른 타임 스케줄의 설정을 행할 수 있다. 타임 스케줄은, 예를 들면, 반송 유닛(24)에 의해서 캐리어(C)에 격납된 일군의 기판(W)을 구성하는 복수의 기판(W)을 복수의 처리 유닛(21)에 순서대로 반송하는 타이밍과, 이들 복수의 기판(W)에 처리를 실시하는 타이밍를 규정한다.
도 11 (a)는, 예정 관리용 제어 유닛(PC1)의 전기적인 구성의 일례를 나타내는 블록도이다. 도 11 (a)에서 나타내어지는 바와 같이, 예정 관리용 제어 유닛(PC1)은, 예를 들면, 컴퓨터 등으로 실현되고, 버스 라인(Bu1)을 개재하여 접속된, 통신부(P11), 기억부(P14) 및 제어부(P15)를 갖는다.
통신부(P11)는, 예를 들면, 제어용의 통신 회선(L0c)을 개재한, 본체 제어 유닛(PC0) 등과의 사이에 있어서의 신호의 송수신, 및 데이터용의 통신 회선(L0d)을 개재한, 본체 제어 유닛(PC0) 등과의 사이에 있어서의 데이터의 송수신이 가능한 송신부 및 수신부로서의 기능을 갖는다.
기억부(P14)는, 예를 들면, 정보를 기억할 수 있다. 이 기억부(P14)는, 예를 들면, 하드 디스크 또는 플래시 메모리 등의 불휘발성의 기억 매체로 구성될 수 있다. 기억부(P14)에서는, 예를 들면, 1개의 기억 매체를 갖는 구성, 2개 이상의 기억 매체를 일체적으로 갖는 구성, 및 2개 이상의 기억 매체를 2개 이상의 부분으로 나누어 갖는 구성 중 어느 것이 채용되어도 된다. 기억부(P14)는, 예를 들면, 프로그램(Pg1) 및 각종 정보(Dt1)를 기억한다. 기억부(P14)에는, 후술하는 메모리(P15b)가 포함되어도 된다.
제어부(P15)는, 예를 들면, 프로세서로서 작용하는 연산 처리부(P15a) 및 정보를 일시적으로 기억하는 메모리(P15b) 등을 포함한다. 연산 처리부(P15a)로서는, 예를 들면, CPU 등의 전자 회로가 채용되고, 메모리(P15b)로서는, 예를 들면, RAM 등이 채용될 수 있다. 연산 처리부(P15a)는, 예를 들면, 기억부(P14)에 기억된 프로그램(Pg1)을 읽어들여 실행함으로써, 예정 관리용 제어 유닛(PC1)의 기능을 실현할 수 있다. 제어부(P15)에 있어서의 각종 정보 처리에 의해서 일시적으로 얻어지는 각종 정보는, 적절히 메모리(P15b) 등에 기억될 수 있다.
도 11 (b)는, 연산 처리부(P15a)에서 실현되는 기능적인 구성의 일례를 나타내는 블록도이다. 도 11 (b)에서 나타내어지는 바와 같이, 연산 처리부(P15a)는, 실현되는 기능적인 구성으로서, 예를 들면, 취득부(F11), 설정부(F12) 및 송신 제어부(F13)를 갖는다. 이들 각 부에서의 처리에 있어서의 워크 스페이스로서, 예를 들면, 메모리(P15b)가 사용된다. 여기서, 예를 들면, 연산 처리부(P15a)에서 실현되는 기능의 적어도 일부가 전용의 전자 회로로 실현되어도 된다.
취득부(F11)는, 예를 들면, 본체 제어 유닛(PC0)에서 작성된 플로 레시피(FL1)의 정보를 취득할 수 있다.
설정부(F12)는, 예를 들면, 취득부(F11)에서 취득된 플로 레시피(FL1)에 따라, 타임 스케줄의 설정을 행할 수 있다.
송신 제어부(F13)는, 예를 들면, 본체 제어 유닛(PC0)으로의 각종 정보의 송신을 통신부(P11)에 실행시킬 수 있다. 여기서, 각종 정보는, 예를 들면, 설정부(F12)에서 설정된 타임 스케줄의 정보 등을 포함할 수 있다.
<1-3-7. 부분 제어 유닛>
복수의 부분 제어 유닛(PC2)은, 예를 들면, 본체 제어 유닛(PC0)으로부터의 지시에 따라, 복수의 처리 유닛(21) 및 반송 유닛(24)의 동작을 제어할 수 있다. 제1 실시형태에서는, 처리 유닛(21)마다 전용의 부분 제어 유닛(PC2)이 설치되고, 반송 유닛(24)에도 전용의 부분 제어 유닛(PC2)이 설치되어 있다. 처리 유닛(21)의 부분 제어 유닛(PC2)은, 예를 들면, 처리 유닛(21)의 각 부의 동작 및 상태를 적절히 모니터하면서, 처리 유닛(21)의 각 부의 동작을 제어할 수 있다. 반송 유닛(24)의 부분 제어 유닛(PC2)은, 예를 들면, 반송 유닛(24)의 각 부의 동작 및 상태를 적절히 모니터하면서, 반송 유닛(24)의 각 부의 동작을 제어할 수 있다. 또한, 여기서는, 예를 들면, 2개 이상의 처리 유닛(21)에 1개의 부분 제어 유닛(PC2)이 설치되어도 되고, 반송 유닛(24)의 동작은, 본체 제어 유닛(PC0)에 의해서 제어되어도 된다.
도 12 (a)는, 부분 제어 유닛(PC2)의 전기적인 구성의 일례를 나타내는 블록도이다. 도 12 (a)에서 나타내어지는 바와 같이, 부분 제어 유닛(PC2)은, 예를 들면, 컴퓨터 등으로 실현되고, 버스 라인(Bu2)을 개재하여 접속된, 통신부(P21), 기억부(P24) 및 제어부(P25)를 갖는다.
통신부(P21)는, 예를 들면, 제어용의 통신 회선(L0c)을 개재한, 본체 제어 유닛(PC0) 등과의 사이에 있어서의 신호의 송수신, 및 데이터용의 통신 회선(L0d)을 개재한, 본체 제어 유닛(PC0) 및 데이터 스토리지(NA1)와의 사이에 있어서의 데이터의 송수신이 가능한 송신부 및 수신부로서의 기능을 갖는다.
기억부(P24)는, 예를 들면, 정보를 기억할 수 있다. 이 기억부(P24)는, 예를 들면, 하드 디스크 또는 플래시 메모리 등의 불휘발성의 기억 매체로 구성될 수 있다. 기억부(P24)에서는, 예를 들면, 1개의 기억 매체를 갖는 구성, 2개 이상의 기억 매체를 일체적으로 갖는 구성, 및 2개 이상의 기억 매체를 2개 이상의 부분으로 나누어 갖는 구성 중 어느 것이 채용되어도 된다. 기억부(P24)는, 예를 들면, 프로그램(Pg2) 및 각종 정보(Dt2)를 기억한다. 기억부(P24)에는, 후술하는 메모리(P25b)가 포함되어도 된다.
제어부(P25)는, 예를 들면, 프로세서로서 작용하는 연산 처리부(P25a) 및 정보를 일시적으로 기억하는 메모리(P25b) 등을 포함한다. 연산 처리부(P25a)로서는, 예를 들면, CPU 등의 전기 회로가 채용되고, 메모리(P25b)로서는, 예를 들면, RAM 등이 채용될 수 있다. 연산 처리부(P25a)는, 예를 들면, 기억부(P24)에 기억된 프로그램(Pg2)을 읽어들여 실행함으로써, 부분 제어 유닛(PC2)의 기능을 실현할 수 있다. 제어부(P25)에 있어서의 각종 정보 처리에 의해서 일시적으로 얻어지는 각종 정보는, 적절히 메모리(P25b) 등에 기억될 수 있다.
도 12 (b)는, 연산 처리부(P25a)에서 실현되는 기능적인 구성의 일례를 나타내는 블록도이다. 도 12 (b)에서 나타내어지는 바와 같이, 연산 처리부(P25a)는, 실현되는 기능적인 구성으로서, 예를 들면, 레시피 취득부(F21), 정보 취득부(F22), 레시피 보정부(F23), 기억 제어부(F24), 유닛 제어부(F25) 및 송신 제어부(F26)를 갖는다. 이들 각 부에서의 처리에 있어서의 워크 스페이스로서, 예를 들면, 메모리(P25b)가 사용된다. 여기서, 예를 들면, 연산 처리부(P25a)에서 실현되는 기능의 적어도 일부가 전용의 전자 회로로 실현되어도 된다.
레시피 취득부(F21)는, 예를 들면, 본체 제어 유닛(PC0)으로부터 플로 레시피(FL1)를 취득할 수 있다.
정보 취득부(F22)는, 예를 들면, 데이터 스토리지(NA1)의 데이터군(DG1)에 격납된 복수의 처리 유닛(21)의 각각에 있어서의 기판 처리의 상황에 대한 1종류 이상의 지표에 관련된 데이터를 얻을 수 있다. 이 정보 취득부(F22)는, 예를 들면, 레시피 보정부(F23)에서 사용하는 1종류 이상의 지표에 관련된 데이터를, 데이터 스토리지(NA1)의 데이터군(DG1)으로부터 선택적으로 얻어도 된다. 레시피 보정부(F23)에서 사용하는 1종류 이상의 지표에 관련된 데이터는, 예를 들면, 플로 레시피(FL1)에 있어서 처리 레시피에 관련지어진 적어도 1개의 보정식을 참조함으로써 인식될 수 있다.
레시피 보정부(F23)는, 예를 들면, 플로 레시피(FL1)에 있어서의 처리 레시피를, 이 처리 레시피에 관련지어진 적어도 1개의 보정식을 이용하여, 보정할 수 있다. 여기서는, 예를 들면, 레시피 보정부(F23)는, 센서부(22s, 23s, 214)에서 취득된 지표에 관련된 신호에 따라, 플로 레시피(FL1)에 있어서의 적어도 1개의 보정식으로부터 1개 이상의 보정 계수를 산출하고, 이 플로 레시피(FL1)에 있어서 이 적어도 1개의 보정식이 관련지어진 적어도 1개의 처리 레시피로 규정하는 일부의 조건을, 산출한 1개 이상의 보정 계수를 이용하여 보정할 수 있다. 여기서, 1개 이상의 보정 계수는, 상술한 바와 같이, 1개여도 되고, 2개 이상이어도 된다. 그리고, 예를 들면, 일군의 기판(W) 중 1장의 기판(W)을 1개의 처리 유닛(21)에서 처리하기 전의 소정의 타이밍에 있어서, 그 1장의 기판(W)의 처리에 대해 레시피 보정부(F23)가 처리 레시피를 보정하는 양태가 생각된다. 소정의 타이밍으로서는, 예를 들면, 1장의 기판(W)에 처리를 실시하는 1개의 처리 유닛(21)을 이용한 직전의 다른 1장의 기판(W)에 대한 처리가 완료된 타이밍이 생각된다. 이 경우에는, 예를 들면, 1개의 처리 유닛(21)을 이용한 1장의 기판(W)에 대한 처리가 완료된 것에 응답하여, 레시피 보정부(F23)가 다음의 1장의 기판(W)에 대한 처리 레시피를 보정한다.
기억 제어부(F24)는, 예를 들면, 레시피 취득부(F21)에서 취득된 플로 레시피(FL1), 레시피 보정부(F23)에서 보정된 후의 처리 레시피(보정 후의 처리 레시피라고도 한다) 및 레시피 보정부(F23)에서 산출된 1개 이상의 보정 계수를, 기억부(P24)에 기억할 수 있다. 이에 의해, 기억부(P24)의 각종 정보(Dt2)는, 예를 들면, 플로 레시피(FL1), 보정 후의 처리 레시피 및 1개 이상의 보정 계수를 포함할 수 있다.
유닛 제어부(F25)는, 예를 들면, 플로 레시피(FL1)에 의거하여, 처리 유닛(21)에 의해서 기판(W)에 대한 처리를 실행시킬 수 있다. 여기서, 예를 들면, 레시피 보정부(F23)에 의해서 처리 레시피가 보정되어 있으면, 유닛 제어부(F25)는, 보정 후의 처리 레시피를 포함하는 플로 레시피(FL1)에 의거하여, 처리 유닛(21)에 의해서 기판(W)에 대한 처리를 실행시킨다. 또, 처리 유닛(21)의 유닛 제어부(F25)는, 예를 들면, 센서부(214)의 동작을 제어할 수 있다. 또, 반송 유닛(24)의 유닛 제어부(F25)는, 예를 들면, 센서부(22s)의 동작을 제어할 수 있다. 센서부(214) 및 센서부(22s)의 동작의 조건은, 예를 들면, 계측 처리 레시피로 규정된다. 이에 의해, 센서부(214) 및 센서부(22s)가, 처리 유닛(21)에 있어서의 기판 처리의 상황에 대한 1종류 이상의 지표에 관련된 신호를 취득할 수 있다. 이 경우에는, 유닛 제어부(F25)는, 예를 들면, 센서부(214) 및 센서부(22s)로부터 1종류 이상의 지표에 관련된 신호를 취득할 수 있다. 여기서는, 유닛 제어부(F25)는, 예를 들면, 처리 전후의 막두께 및 처리 시간으로부터, 1종류 이상의 지표에 관련된 신호에 의거하는 수치로서, 에칭 레이트를 산출해도 된다. 처리 전의 막두께는, 예를 들면, 센서부(214)에서 얻은 기판(W)의 막두께여도 되고, 본체 제어 유닛(PC0)이 관리용 장치(10)로부터 얻은 기판(W)의 막두께여도 된다. 또, 예를 들면, 부분 제어 유닛(PC2)은, 센서부(214)로부터 얻어지는 화상 신호에 대해서 화상 처리를 실시함으로써, 1종류 이상의 지표에 관련된 신호에 의거하는 수치로서, 기판(W)의 표면의 편차의 정도 등을 나타내는 수치를 산출해도 된다.
송신 제어부(F26)는, 예를 들면, 본체 제어 유닛(PC0) 및 데이터 스토리지(NA1)로의 각종 정보의 송신을 통신부(P21)에 실행시킬 수 있다. 여기서, 본체 제어 유닛(PC0)에 송신하는 각종 정보는, 예를 들면, 기판 처리가 완료된 취지의 정보, 실제로 기판(W)에 실시한 처리의 이력(프로세스 로그), 레시피 보정부(F23)에서 보정된 보정 후의 레시피의 정보 및 센서부(22s, 214)를 이용하여 취득된 1종류 이상의 지표에 관련된 데이터 등을 포함할 수 있다. 또, 데이터 스토리지(NA1)에 송신하는 각종 정보는, 예를 들면, 센서부(22s, 214)를 이용하여 취득된 1종류 이상의 지표에 관련된 데이터 등을 포함할 수 있다.
<1-3-8. 액 관리 제어 유닛>
액 관리 제어 유닛(PC3)은, 예를 들면, 액 저류 유닛(23)에 포함되어 있는 각 부의 동작을 제어함으로써, 액 저류 유닛(23) 내의 처리액(L1)의 상태를 관리할 수 있다.
도 13 (a)는, 액 관리 제어 유닛(PC3)의 전기적인 구성의 일례를 나타내는 블록도이다. 도 13 (a)에서 나타내어지는 바와 같이, 액 관리 제어 유닛(PC3)은, 예를 들면, 컴퓨터 등으로 실현되고, 버스 라인(Bu3)을 개재하여 접속된, 통신부(P31), 기억부(P34), 제어부(P35)를 갖는다.
통신부(P31)는, 예를 들면, 제어용의 통신 회선(L0c)을 개재한, 본체 제어 유닛(PC0) 등과의 사이에 있어서의 신호의 송수신, 및 데이터용의 통신 회선(L0d)을 개재한, 본체 제어 유닛(PC0) 및 데이터 스토리지(NA1)와의 사이에 있어서의 데이터의 송수신이 가능한 송신부 및 수신부로서의 기능을 갖는다.
기억부(P34)는, 예를 들면, 정보를 기억할 수 있다. 이 기억부(P34)는, 예를 들면, 하드 디스크 또는 플래시 메모리 등의 불휘발성의 기억 매체로 구성될 수 있다. 기억부(P34)에서는, 예를 들면, 1개의 기억 매체를 갖는 구성, 2개 이상의 기억 매체를 일체적으로 갖는 구성, 및 2개 이상의 기억 매체를 2개 이상의 부분으로 나누어 갖는 구성 중 어느 것이 채용되어도 된다. 기억부(P34)는, 예를 들면, 프로그램(Pg3) 및 각종 정보(Dt3)를 기억한다. 기억부(P34)에는, 후술하는 메모리(P35b)가 포함되어도 된다.
제어부(P35)는, 예를 들면, 프로세서로서 작용하는 연산 처리부(P35a) 및 정보를 일시적으로 기억하는 메모리(P35b) 등을 포함한다. 연산 처리부(P35a)로서는, 예를 들면, CPU 등의 전기 회로가 채용되고, 메모리(P35b)로서는, 예를 들면, RAM 등이 채용될 수 있다. 연산 처리부(P35a)는, 예를 들면, 기억부(P34)에 기억된 프로그램(Pg3)을 읽어들여 실행함으로써, 액 관리 제어 유닛(PC3)의 기능을 실현할 수 있다. 제어부(P35)에 있어서의 각종 정보 처리에 의해서 일시적으로 얻어지는 각종 정보는, 적절히 메모리(P35b) 등에 기억될 수 있다.
도 13 (b)는, 연산 처리부(P35a)에서 실현되는 기능적인 구성의 일례를 나타내는 블록도이다. 도 13 (b)에서 나타내어지는 바와 같이, 연산 처리부(P35a)는, 실현되는 기능적인 구성으로서, 예를 들면, 정보 취득부(F31), 유닛 제어부(F32), 액 관리부(F33), 및 송신 제어부(F34)를 갖는다. 이들 각 부에서의 처리에 있어서의 워크 스페이스로서, 예를 들면, 메모리(P35b)가 사용된다. 여기서, 예를 들면, 연산 처리부(P35a)에서 실현되는 기능의 적어도 일부가 전용의 전자 회로로 실현되어도 된다.
정보 취득부(F31)는, 예를 들면, 본체 제어 유닛(PC0)으로부터의 각종 지시를 취득할 수 있다. 각종 지시는, 예를 들면, 처리액(L1)의 온도조절, 교환 및 모니터 등을 행하는 지시를 포함한다.
유닛 제어부(F32)는, 예를 들면, 액 저류 유닛(23)에 있어서의 동작을 제어할 수 있다. 유닛 제어부(F32)는, 예를 들면, 각 저류조(23t)의 센서부(23s)에, 처리액(L1)의 상태를 나타내는 물리량에 관련된 신호를 취득시킬 수 있다. 이에 의해, 센서부(23s)가, 처리 유닛(21)에 있어서의 기판 처리의 상황에 대한 1종류 이상의 지표에 관련된 신호를 취득할 수 있다. 또, 유닛 제어부(F32)는, 예를 들면, 각 저류조(23t) 내의 처리액(L1)을 가열부(HR)에 의해서 가열시킬 수 있다. 또한, 예를 들면, 각 저류조(23t)가, 처리액(L1)을 자동으로 교환하는 액 교환부를 갖는 경우에는, 유닛 제어부(F32)는, 액 교환부에 의해서 각 저류조(23t) 내의 처리액(L1)을 교환시킬 수 있다.
액 관리부(F33)는, 예를 들면, 각 저류조(23t)에 있어서의 처리액(L1)의 액 교환 이래의 경과 시간 및 처리액(L1)의 사용 횟수를 관리할 수 있다. 경과 시간은, 예를 들면, 최근에 처리액(L1)을 교환한 시각을 기준으로서, 시계의 기능에 의해서 인식되어 관리될 수 있다. 처리액(L1)의 사용 횟수는, 예를 들면, 각 저류조(23t)에 저류되는 처리액(L1)의 양과, 각 저류조(23t)로부터 복수의 처리 유닛(21)으로의 처리액(L1)의 공급량에 의거하여 인식되어 관리될 수 있다.
송신 제어부(F34)는, 예를 들면, 본체 제어 유닛(PC0) 및 데이터 스토리지(NA1)로의 각종 정보의 송신을 통신부(P31)에 실행시킬 수 있다. 여기서, 본체 제어 유닛(PC0)에 송신하는 각종 정보는, 예를 들면, 각 저류조(23t)에 있어서의 처리액(L1)의 액 교환 이래의 경과 시간 및 처리액(L1)의 사용 횟수의 정보 등을 포함한다. 데이터 스토리지(NA1)에 송신하는 각종 정보는, 예를 들면, 센서부(23s)를 이용하여 취득된 1종류 이상의 지표에 관련된 정보, 및 각 저류조(23t)에 있어서의 처리액(L1)의 액 교환 이래의 경과 시간 및 처리액(L1)의 사용 횟수의 정보 등을 포함한다.
<1-3-9. 데이터 스토리지>
데이터 스토리지(NA1)는, 예를 들면, 각 센서부(22s, 23s, 214) 등에 의해서 취득된 신호에 의거하여, 복수의 처리 유닛(21) 각각에 있어서의 기판 처리의 상황에 대한 1종류 이상의 지표에 관련된 데이터군(DG1)을 기억할 수 있다. 데이터군(DG1)은, 예를 들면, 액 관리 제어 유닛(PC3)으로부터 송신되는 각 저류조(23t)에 있어서의 처리액(L1)의 액 교환 이래의 경과 시간 및 처리액(L1)의 사용 횟수의 정보도, 복수의 처리 유닛(21)의 각각에 있어서의 기판 처리의 상황에 대한 1종류 이상의 지표에 관련된 데이터로서 포함하고 있어도 된다. 데이터 스토리지(NA1)에는, 예를 들면, 하드 디스크 또는 플래시 메모리 등의 불휘발성의 기억 매체가 적용되어도 되고, RAM 등의 휘발성의 기억 매체가 적용되어도 된다.
도 14는, 데이터 스토리지(NA1)에 기억되는 데이터군(DG1)의 내용의 일례를 나타내는 도면이다. 도 14에서 나타내어지는 바와 같이, 데이터군(DG1)은, 예를 들면, 내부 공간(Sc0)에 있어서의 분위기의 상태를 나타내는 지표의 수치(예를 들면, 분위기의 온도, 가스의 공급량 등), 처리액(L1)의 상태를 나타내는 지표의 수치(예를 들면, 농도, pH, 온도, 액 교환 이래의 경과 시간, 처리액(L1)의 사용 횟수 등), 기판(W)의 상태에 관련된 지표의 수치(예를 들면, 처리 전후의 막두께, 에칭 속도, 기판 표면의 편차의 정도) 등을 포함할 수 있다. 또, 데이터군(DG1)은, 예를 들면, 처리액(L1)의 토출 상태를 나타내는 지표의 수치(토출량, 토출 위치 등)를 포함해도 된다. 여기서, 데이터 스토리지(NA1)에서는, 예를 들면, 데이터군(DG1)에 포함되는 각종 데이터가, 덮어쓰기됨으로써, 최신의 지표에 관련된 데이터가 된다. 또, 데이터군(DG1)에 포함되는 각종 데이터는, 예를 들면, 어느 부분(처리 유닛(21)이나 저류조(23t) 등)의 어느 센서부(22s, 23s, 214)에서 취득되었는지를 나타내는 데이터를 포함하고 있어도 된다.
<1-4. 플로 레시피 작성 동작>
도 15는, 플로 레시피(FL1)의 작성에 관련된 동작 플로의 일례를 나타내는 흐름도이다. 여기서는, 예를 들면, 본체 제어 유닛(PC0)의 연산 처리부(P05a)에서 프로그램(Pg0)이 실행되고, 예정 관리용 제어 유닛(PC1)의 연산 처리부(P15a)에서 프로그램(Pg1)이 실행됨으로써, 본체 제어 유닛(PC0)과 예정 관리용 제어 유닛(PC1)이 협동하여, 도 15에서 나타내어지는 플로 레시피(FL1)의 작성에 관련된 동작 플로를 실현한다.
먼저, 도 15의 단계 Sp1에서는, 본체 제어 유닛(PC0)의 기억 제어부(F03)가, 복수의 처리 유닛(21)에 있어서의 기판(W)에 실시하는 처리에 관한 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 처리 레시피 및 보정식을, 기억부(P04)에 기억시킨다. 이에 의해, 기억부(P04)에 데이터군(Db0)이 기억된다. 여기서는, 복수의 처리 레시피는, 예를 들면, 처리액(L1)을 이용하여 기판(W)에 실시하는 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 액 처리 레시피(R1)를 포함한다.
단계 Sp2에서는, 본체 제어 유닛(PC0)의 정보 취득부(F01)가, 관리용 장치(10)로부터 작업을 취득했는지 아닌지를 판정한다. 여기서는, 예를 들면, 정보 취득부(F01)는, 일군의 기판(W)이 격납된 캐리어(C)가 로드 포트(LP)에 재치된 것에 응답하여, 관리용 장치(10)로부터 캐리어(C)의 격납된 일군의 기판(W)에 대한 작업을 얻을 때까지, 단계 Sp2의 판정을 반복한다. 그리고, 정보 취득부(F01)가 작업을 얻으면, 단계 Sp3로 진행된다.
단계 Sp3에서는, 본체 제어 유닛(PC0)의 정보 취득부(F01)가, 단계 Sp2에서 얻은 작업에 따른 2개 이상의 식별 정보 및 각 기판(W)의 정보를 포함하는 일군의 기판(W)에 대한 정보를 관리용 장치(10)로부터 취득한다. 2개 이상의 식별 정보에는, 액 처리에 관련된 액 처리 레시피 및 계측 처리에 관련된 계측 처리 레시피를 각각 특정하기 위한 레시피 식별 정보, 및 보정 처리에 관련된 보정식을 특정하기 위한 보정식 식별 정보가 포함될 수 있다.
단계 Sp4에서는, 본체 제어 유닛(PC0)의 작성부(F02)가, 플로 레시피(FL1)를 작성한다. 여기서는, 예를 들면, 단계 Sp1에서 기억부(P04)에 기억된 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 처리 레시피를 조합함으로써, 플로 레시피(FL1)를 작성한다. 이 2개 이상의 처리 레시피는, 예를 들면, 기억부(P04)에 격납된 데이터군(Db0) 중, 단계 Sp3에서 취득된 2개 이상의 식별 정보에 대응한다. 여기서는, 단계 Sp3에서 취득된 2개 이상의 식별 정보에, 보정식 식별 정보가 포함되어 있으면, 기억부(P04)에 격납된 데이터군(Db0) 중, 이 보정식 식별 정보에 대응하는 보정식을 처리 레시피에 조합함으로써, 플로 레시피(FL1)를 작성해도 된다.
단계 Sp5에서는, 본체 제어 유닛(PC0)의 기억 제어부(F03)가, 단계 Sp4에서 작성된 플로 레시피(FL1)를 기억부(P04)에 기억함과 더불어, 본체 제어 유닛(PC0)의 송신 제어부(F06)가, 단계 Sp4에서 작성된 플로 레시피(FL1)를 통신부(P01)에 의해서 예정 관리용 제어 유닛(PC1)에 송신시킨다.
단계 Sp6에서는, 예정 관리용 제어 유닛(PC1)의 설정부(F12)가, 단계 Sp4에서 작성된 플로 레시피(FL1)에 따라, 타임 스케줄의 설정을 행한다.
단계 Sp7에서는, 예정 관리용 제어 유닛(PC1)의 송신 제어부(F13)가, 단계 Sp6에서 설정한 타임 스케줄의 정보를 통신부(P11)에 의해서 본체 제어 유닛(PC0)에 송신시킨다.
단계 Sp8에서는, 본체 제어 유닛(PC0)의 지시부(F04)가, 플로 레시피(FL1) 및 타임 스케줄을 따른 동작을 행하도록 복수의 부분 제어 유닛(PC2)에 지시를 행한다. 이 때, 복수의 처리 유닛(21)이, 단계 Sp4에서 작성된 플로 레시피(FL1)에 따라서, 기판(W)에 처리를 실시한다. 이에 의해, 일군의 기판(W)에 대한 처리가, 타임 스케줄 및 플로 레시피(FL1)에 따라 실시된다.
이러한 동작 플로에 의해서, 예를 들면, 기판(W)에 대한 일련의 처리의 조건이 증가해도, 사전에 준비해 두는 플로 레시피의 수를 늘리는 대신에, 미리 준비해 둔 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 처리 레시피를 조합하여 플로 레시피(FL1)를 작성할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 기판 처리 시스템(1) 및 기판 처리 장치(20) 등에서 미리 준비해 두는 데이터량을 삭감할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판 처리 시스템(1), 관리용 장치(10) 및 기판 처리 장치(20) 등에서 사용하는 데이터량을 삭감할 수 있다.
<1-5. 처리 레시피의 보정 동작>
도 16은, 처리 레시피의 보정에 관련된 동작 플로의 일례를 나타내는 흐름도이다. 여기서는, 예를 들면, 처리 유닛(21)의 부분 제어 유닛(PC2)에 있어서의 연산 처리부(P25a)가, 프로그램(Pg2)을 실행함으로써, 처리 레시피의 보정에 관련된 동작 플로를 실현한다.
먼저, 도 16의 단계 Sp11에서는, 부분 제어 유닛(PC2)의 유닛 제어부(F25)가, 처리 유닛(21)에 있어서의 1장의 기판(W)의 처리가 종료되었는지 아닌지를 판정한다. 여기서는, 유닛 제어부(F25)는, 처리 유닛(21)에 있어서 플로 레시피(FL1)에 따른 1장의 기판(W)의 처리가 종료될 때까지, 단계 Sp11의 판정을 반복한다. 그리고, 유닛 제어부(F25)는, 처리 유닛(21)에 있어서 플로 레시피(FL1)에 따른 1장의 기판(W)의 처리가 종료되면, 단계 Sp12로 진행된다.
단계 Sp12에서는, 부분 제어 유닛(PC2)의 정보 취득부(F22)가, 복수의 처리 유닛(21) 각각에 있어서의 기판 처리의 상황에 대한 1종류 이상의 지표에 관련된 데이터를, 데이터 스토리지(NA1)로부터 얻는다. 여기서는, 예를 들면, 플로 레시피(FL1)의 처리 레시피에 관련지어진 보정식에 따라서, 처리 레시피의 보정에 필요한 1종류 이상의 지표에 관련된 데이터가 데이터 스토리지(NA1)로부터 취득될 수 있다.
단계 Sp13에서는, 부분 제어 유닛(PC2)의 레시피 보정부(F23)가, 단계 Sp11에 있어서 처리 유닛(21)에서의 처리가 종료된 1장의 기판(W) 다음에 이 처리 유닛(21)에서 처리되는 1장의 기판(W)에 대해서, 플로 레시피(FL1)에 포함되는 1개 이상의 처리 레시피를 보정한다. 여기서는, 레시피 보정부(F23)는, 예를 들면, 플로 레시피(FL1)에 포함되는 1개 이상의 처리 레시피를, 이 1개 이상의 처리 레시피에 관련지어진 보정식과, 단계 Sp12에서 얻어진 1종류 이상의 지표에 관련된 데이터에 의거하여 보정한다. 이에 의해, 예를 들면, 복수의 처리 유닛(21)이 일군의 기판(W)에 대해서 순서대로 처리를 실시할 때에, 기판(W)마다 처리 레시피가 리얼타임에 가까운 상태로 보정될 수 있다.
단계 Sp14에서는, 처리 유닛(21)에 있어서의 부분 제어 유닛(PC2)의 유닛 제어부(F25)가, 처리 유닛(21)에 있어서 플로 레시피(FL1)에 따른 동작을 실행시킨다. 여기서, 예를 들면, 도 10에서 나타내어지는 플로 레시피(FL1)에 대해서, 단계 Sp13에 있어서 처리 레시피가 보정되어 있으면, 유닛 제어부(F25)는, 처리 유닛(21)에 있어서 단계 Sp13에서 보정된 1개 이상의 처리 레시피를 포함하는 플로 레시피(FL1)에 따른 동작을 실행시킨다.
그런데, 여기서, 처리 유닛(21)에 의해서 플로 레시피(FL1)에 따라서 기판(W)에 처리를 실시했을 때에, 예를 들면, 센서부(214)에 의해서 취득되는 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표에 관련된 신호가, 소정의 조건을 만족하는 경우에는, 부분 제어 유닛(PC2)에 있어서의 연산 처리부(P25a)의 송신 제어부(F26)는, 플로 레시피(FL1)에 있어서의 처리 레시피와 보정식의 세트를 나타내는 정보(조합 정보라고도 한다)를, 통신부(P21)에 의해서 본체 제어 유닛(PC0)에 송신시켜도 된다. 그리고, 예를 들면, 이 조합 정보를, 본체 제어 유닛(PC0)에 있어서의 연산 처리부(P05a)의 송신 제어부(F06)는, 제2 통신부로서의 통신부(P01)에 의해서 관리용 장치(10)에 송신시켜도 된다.
여기서는, 소정의 조건에는, 예를 들면, 처리 유닛(21)에 의해서 플로 레시피(FL1)에 따라서 기판(W)에 처리를 실시함으로써, 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표에 있어서 실현하고 싶은 조건이 적용된다. 구체적으로는, 예를 들면, 플로 레시피(FL1)에 따른 처리를 기판(W)에 실시함으로써 이 기판(W)의 막두께를 에칭 처리에 의해서 소정의 목표치 미만으로 하고 싶은 경우이면, 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류의 지표인 막두께가 소정의 목표치 미만인 조건이, 소정의 조건으로서 채용된다. 그리고, 예를 들면, 도 10에서 나타내어지는 플로 레시피(FL1)에 따라서 처리 유닛(21)에 있어서 기판(W)에 처리를 실시하는 경우에는, 마지막 제2 계측 처리 레시피(R2b)에 따른 계측 처리에 의해서 얻어지는 기판(W)의 막두께가, 소정의 목표치 미만이면, 센서부(214)에 의해서 취득되는 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표에 관련된 신호가 소정의 조건을 만족한다.
이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 보정식이 조합된 처리 레시피에 의거하는 처리가 양호한 결과를 발생시켰을 경우에, 처리 레시피와 보정식의 세트를 나타내는 조합 정보를 관리용 장치(10)에 송신함으로써, 그 양호한 처리 레시피와 보정식의 세트를, 다른 기판 처리 장치(20)에서도 이용하는 것이 가능해진다.
<1-6. 제1 실시형태의 정리>
이상과 같이, 제1 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1) 및 기판 처리 장치(20)는, 예를 들면, 복수의 액 처리를 포함하는 복수의 처리 레시피 중, 2개 이상의 처리 레시피를 조합함으로써, 플로 레시피(FL1)를 작성한다. 이 때문에, 예를 들면, 기판(W)에 대한 일련의 처리의 조건이 증가해도, 사전에 준비해 두는 플로 레시피의 수를 늘리는 대신에, 미리 준비해 둔 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 처리 레시피를 조합하여 플로 레시피(FL1)를 작성할 수 있다. 이 때, 예를 들면, 작성부(F02)는, 관리용 장치(10)로부터의 2개 이상의 식별 정보에 대응하는 2개 이상의 처리 레시피를 조합하여 플로 레시피(FL1)를 작성할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 기판 처리 시스템(1), 관리용 장치(10) 및 기판 처리 장치(20) 등에서 미리 준비해 두는 데이터량을 삭감할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판 처리 시스템(1), 관리용 장치(10) 및 기판 처리 장치(20) 등에서 사용하는 데이터량을 삭감할 수 있다.
<1-7. 그 외의 실시형태>
본 발명은 상술한 제1 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에 있어서 여러 가지의 변경, 개량 등이 가능하다.
<1-7-1. 제2 실시형태>
상기 제 1 실시형태에 있어서, 예를 들면, 처리 유닛(21)에 있어서의 플로 레시피(FL1)에 따른 1장의 기판(W)에 대한 처리에 있어서, 그 1장의 기판(W)의 상태에 따라, 처리의 플로가 분기되는 플로 레시피(FL1)가 작성되어도 된다.
이 경우에는, 예를 들면, 센서부(214)는, 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표에 관련된 신호를 취득할 수 있다. 이 1종류 이상의 지표는, 예를 들면, 기판(W)의 막두께를 포함할 수 있다. 또, 계측 처리 레시피군(Gp2)의 복수의 계측 처리 레시피(R2)는, 예를 들면, 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표에 관련된 신호를 취득하기 위한 센서부(214)에 의한 계측 처리의 조건을 규정하는 제1 계측 처리 레시피(R2a)를 포함한다. 데이터군(Db0)은, 예를 들면, 분기 처리 레시피군(Gp4)을 포함한다.
도 17은, 제2 실시형태에 따른 데이터군(Db0)에 포함되는 분기 처리 레시피군(Gp4)의 일례를 나타내는 도면이다. 분기 처리 레시피군(Gp4)은, 예를 들면, 처리의 플로를 분기시키기 위한 복수의 분기 처리 레시피(C4)를 포함한다. 도 17의 예에서는, 복수의 분기 처리 레시피(C4)는, 제1 분기 처리 레시피(C4a), 제2 분기 처리 레시피(C4b), 제3 분기 처리 레시피(C4c), 제4 분기 처리 레시피(C4d), 제5 분기 처리 레시피(C4e) 및 제6 분기 처리 레시피(C4f)를 포함한다. 구체적으로는, 복수의 분기 처리 레시피(C4)에는, 예를 들면, 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표가 제1 조건을 만족하면 제1의 처리의 플로(제1 분기 후 처리 플로라고도 한다)를 실행시키고, 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표가 제2 조건을 만족하면 제2의 처리의 플로(제2 분기 후 처리 플로라고도 한다)를 실행시키기 위한 처리(분기 처리라고도 한다)의 조건을 규정하는 레시피가 적용된다. 여기서, 예를 들면, 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표가 기판(W)의 막두께인 경우를 상정한다. 이 경우에는, 제1 조건이, 막두께가 T1마이크로미터(μm) 미만에 있는 조건이며, 제2 조건이, 막두께가 T1μm 이상인 조건인 양태가 생각된다. 또한, 분기 처리 레시피(C4)는, 예를 들면, 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표가 제3 조건을 만족하면 제3의 처리의 플로(제3 분기 후 처리 플로라고도 한다)를 실행시키는 것이어도 된다. 여기서는, 제1 조건이, 막두께가 T1μm 미만에 있는 조건이며, 제2 조건이, 막두께가 T1μm 이상이고 또한 T2μm 미만인 조건이며, 제3 조건이, 막두께가 T2μm 이상이고 또한 T3μm 미만인 조건인 양태가 생각된다.
그리고, 작성부(F02)는, 예를 들면, 복수의 계측 처리 레시피(R2) 중 제1 계측 처리 레시피(R2a)와, 복수의 분기 처리 레시피(C4) 중, 1종류 이상의 지표가 제1 조건을 만족하면 제1 분기 후 처리 플로를 실행시키고, 1종류 이상의 지표가 제2 조건을 만족하면 제2 분기 후 처리 플로를 실행시키기 위한 분기 처리의 조건을 규정하는 분기 처리 레시피(C4)를 조합하면서, 이 분기 처리 레시피(C4)에, 제1 분기 후 처리 플로의 처리 레시피로서 제1 처리 레시피를 조합함과 더불어, 제2 분기 후 처리 플로의 처리 레시피로서 제1 처리 레시피와는 상이한 제2 처리 레시피를 조합함으로써, 플로 레시피(FL1)를 작성할 수 있다.
도 18은, 제2 실시형태에 따른 플로 레시피(FL1)의 일례를 나타내는 도면이다. 도 18에서 나타내어지는 플로 레시피(FL1)는, 예를 들면, 도 10에서 나타내어진 플로 레시피(FL1)를 베이스로 하여, 제4 액 처리 레시피(R1d)와, 제1 액 처리 레시피(R1a)의 사이에, 제2C 보정식(C32c)이 조합된 제1 계측 처리 레시피(R2a)와 제2 분기 처리 레시피(C4b)가 이 기재된 순서대로 삽입되고, 제2 분기 처리 레시피(C4b)는, 제1 계측 처리 레시피(R2a)를 따른 센서부(214)에 의한 계측 처리의 결과로서의 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표가 제1 조건으로서의 조건 a를 만족하면 제1 분기 후 처리 플로를 실행시키고, 제 1 계측 처리 레시피(R2a)를 따른 센서부(214)에 의한 계측 처리의 결과로서의 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표가 제2 조건으로서의 조건 b를 만족하면 제2 분기 후 처리 플로를 실행시키는 것이다.
도 18의 예에서는, 제1 분기 후 처리 플로는, 제1C 보정식(C31c)이 조합된 제1 액 처리 레시피(R1a)와, 제1F 보정식(C31f)이 조합된 제5 액 처리 레시피(R1e)와, 제2A 보정식(C32a)이 조합된 제2 계측 처리 레시피(R2b)가 이 기재된 순서대로 조합된 것이다. 환언하면, 제2 분기 처리 레시피(C4b)에는, 제1 분기 후 처리 플로의 처리 레시피로서 제1 처리 레시피로서의 제1 액 처리 레시피(R1a)가 조합되어 있다. 또, 제2 분기 후 처리 플로는, 제1A 보정식(C31a)이 조합된 제2 액 처리 레시피(R1b)를 따른 액 처리가 실행된 후에 제1 계측 처리 레시피(R2a)를 따른 계측 처리가 재차 실행되도록 조합된 것이다. 환언하면, 제2 분기 처리 레시피(C4b)에는, 제2 분기 후 처리 플로의 처리 레시피로서 제2 처리 레시피로서의 제2 액 처리 레시피(R1b)가 조합되어 있다. 이러한 분기 처리 레시피(C4)를 포함하는 플로 레시피(FL1)를 따른 처리에 의하면, 예를 들면, 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표가 제1 조건으로서의 조건 a를 만족할 때까지, 제2 분기 후 처리 플로가 반복하여 실행되고, 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표가 제1 조건으로서의 조건 a를 만족하면, 제1 분기 후 처리 플로가 실행된다.
여기서, 예를 들면, 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표가, 에칭 처리의 대상으로서의 기판(W) 상의 막의 막두께이고, 제1 조건으로서의 조건 a가, 막두께가 T1μm 미만에 있는 조건이면, 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표가 조건 a를 만족할 때까지 기판(W)에 대한 에칭 처리가 행해지도록, 제2 분기 후 처리 플로가 반복하여 실행된다. 여기서는, 예를 들면, 제4 액 처리 레시피(R1d)에 비하여, 제2 액 처리 레시피(R1b)가, 기판(W)에 있어서의 막의 에칭량이 상대적으로 적어지는 처리의 조건을 규정하고 있는 양태가 생각된다. 구체적으로는, 예를 들면, 제4 액 처리 레시피(R1d)에 비하여, 제2 액 처리 레시피(R1b)가, 적어도 처리액(L1)으로서의 에칭액의 농도가 상대적으로 연하거나, 에칭 처리의 시간이 상대적으로 짧은, 처리의 조건을 규정하고 있는 양태가 생각된다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 기판 처리 장치(20)에 있어서 기판(W)의 처리에 부족이 생기기 어렵고, 처리 부족인 기판(W)이 캐리어(C)에서 기판 처리 장치(20)의 밖으로 일단 반출된 후에, 기판(W)의 처리 부족을 해소하기 위해서, 재차, 기판 처리 장치(20) 등에서 기판(W)에 처리가 실시되는 양태에 비하여, 기판(W)의 처리의 효율이 향상될 수 있다.
이와 같이 하여, 제2 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1) 및 기판 처리 장치(20)에서는, 예를 들면, 작성부(F02)가, 제1 계측 처리 레시피(R2a)와, 제2 분기 처리 레시피(C4b)와, 제1 분기 후 처리 플로에 관련된 제1 처리 레시피 및 제2 분기 후 처리 플로에 관련된 제2 처리 레시피를 조합함으로써, 기판(W)의 상태에 따른 처리를 기판(W)에 실시할 수 있는 플로 레시피(FL1)를 작성할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 기판(W)의 상태에 따라 처리의 플로가 분기되도록 기판(W)에 대한 일련의 처리의 조건이 증가해도, 사전에 준비해 두는 플로 레시피(FL1)의 수를 늘리는 대신에, 미리 준비해 둔 복수의 계측 처리 레시피(R2) 중 제1 계측 처리 레시피(R2a)와, 미리 준비해 둔 복수의 분기 처리 레시피(C4) 중 1개의 분기 처리 레시피(C4)와, 미리 준비해 둔 복수의 액 처리 레시피(R1) 중 제1 액 처리 레시피(R1a) 및 제2 액 처리 레시피(R1b)를 조합하여, 기판(W)의 상태를 원하는 상태에 가깝게 하기 위한 기판(W)에 대한 일련의 처리를 규정한 플로 레시피(FL1)를 작성할 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 기판 처리 시스템(1) 및 기판 처리 장치(20) 등에서 미리 준비해 두는 데이터량을 삭감할 수 있고, 기판 처리 시스템(1), 관리용 장치(10) 및 기판 처리 장치(20) 등에서 사용하는 데이터량을 삭감할 수 있다. 또, 예를 들면, 기판 처리 장치(20)로부터 기판(W)을 반출한 후에, 기판(W)을 원하는 상태에 가깝게 하기 위해서 기판 처리 장치(20)에 있어서 재차 처리를 기판(W)에 실시하는 경우와 비교하여, 기판(W)에 실시하는 처리의 효율을 용이하게 높일 수 있다.
그런데, 제2 실시형태에서는, 처리 유닛(21)에 의해서 플로 레시피(FL1)에 따라서 기판(W)에 처리를 실시했을 때에, 예를 들면, 미리 설정된 횟수(예를 들면, 1회) 이하의 제2 분기 처리 레시피(C4b)에 따른 분기 처리에 있어서, 제1 계측 처리 레시피(R2a)를 따른 센서부(214)에 의한 계측 처리의 결과로서의 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표가 제1 조건으로서의 조건 a를 만족하면, 센서부(214)에 의해서 취득되는 기판(W)의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표에 관련된 신호가, 소정의 조건을 만족하는 것으로 해도 된다. 이 경우에는, 부분 제어 유닛(PC2)에 있어서의 연산 처리부(P25a)의 송신 제어부(F26)는, 플로 레시피(FL1)에 있어서의 처리 레시피로서의 제4 액 처리 레시피(R1d)와 이 제4 액 처리 레시피(R1d)에 조합된 제1E 보정식(C31e)의 세트를 나타내는 조합 정보를, 통신부(P21)에 의해서 본체 제어 유닛(PC0)에 송신시켜도 된다. 그리고, 이 조합 정보를, 본체 제어 유닛(PC0)에 있어서의 연산 처리부(P05a)의 송신 제어부(F06)는, 제2 통신부로서의 통신부(P01)에 의해서 관리용 장치(10)에 송신시켜도 된다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 보정식이 조합된 처리 레시피에 의거하는 처리가 양호한 결과를 발생시켰을 경우에, 처리 레시피와 보정식의 세트를 나타내는 조합 정보를 관리용 장치(10)에 송신함으로써, 그 양호한 처리 레시피와 보정식의 세트를, 다른 기판 처리 장치(20)에서도 이용하는 것이 가능해진다.
<1-7-2. 제3 실시형태>
상기 각 실시형태에 있어서, 예를 들면, 1개의 액 처리 레시피(R1)가, 2종류 이상의 처리액(L1)을 이용한 액 처리의 조건을 규정하는 것인 것과 더불어, 처리 유닛(21)에 있어서의 기판(W)의 처리에 관계되는 상태에 따라 그 후에 실행되는 1개 이상의 액 처리의 내용이 상이하도록 처리 플로가 분기되는 조건을 규정하는 것이어도 된다.
구체적으로는, 예를 들면, 데이터군(Db0)에 포함되는 복수의 액 처리 레시피(R1)는, 제1 처리액(L11)을 이용한 처리(제1 액 처리라고도 한다)를 기판(W)에 실시하고 있을 때에 제1 상태에 있으면, 기판(W)에 대해서 제1 액 처리를 실시한 후에 제2 처리액(L12)을 이용한 처리(제2 액 처리라고도 한다)를 실시하는, 제1 액 처리를 기판(W)에 실시하고 있을 때에 제2 상태가 된 것에 응답하여 기판(W)에 대해서 제3 처리액(L13)을 이용한 처리(제3 액 처리라고도 한다)를 실시하는, 처리의 플로 및 조건을 각각 규정하는, 1개 이상의 액 처리 레시피(구조화 액 처리 레시피라고도 한다)를 포함하고 있어도 된다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 제1 처리액(L11)을 이용한 제1 액 처리와 제2 처리액(L12)을 이용한 제2 액 처리를 순서대로 기판(W)에 실시하는 경우에, 제1 액 처리를 기판(W)에 실시하고 있을 때에 특정의 제2 상태가 되면, 제1 액 처리를 기판(W)에 실시하는 것을 종료하고, 제3 액 처리를 기판(W)에 실시할 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 제1 액 처리를 기판(W)에 실시하고 있을 때의 상황에 따라 적절한 처리를 행하는 것이 가능해진다.
도 19는, 제3 실시형태에 따른 복수의 액 처리가 구조화되도록 규정된 구조화 액 처리 레시피로서의 액 처리 레시피(R1)의 일례를 나타내는 도면이다. 도 19에서 나타내어지는 액 처리 레시피(R1)는, 기판(W)에 대한 제1 액 처리를 개시하여 제1 상태가 유지된 상태에서 소정의 처리 시간이 경과하면, 제1 액 처리를 종료한 후에 제2 액 처리와 제3 액 처리를 이 기재된 순서대로 기판(W)에 실시하는 한편, 제1 액 처리를 기판(W)에 실시하고 있는 도중에, 제1 상태로부터 제2 상태가 되면, 기판(W)에 제3 액 처리를 실시하는, 처리의 조건을 규정하고 있다. 여기서는, 예를 들면, 제1 상태에는, 저류조(23t)에 제1 처리액(L11)이 저류되어 있는 상태가 적용되고, 제2 상태에는, 저류조(23t)로부터 처리 유닛(21)으로 제1 처리액(L11)을 공급할 수 없는 상태(공급 불가 상태라고도 한다)가 적용된다. 공급 불가 상태에는, 예를 들면, 저류조(23t)에 저류된 제1 처리액(L11)을 다 사용해버린 상태(고갈된 상태) 등이 포함된다. 이 경우에는, 예를 들면, 센서부(23s)가, 저류조(23t)에 있어서의 제1 처리액(L11)의 양을 검출하는 구성이 생각된다.
여기서, 구체적으로, 예를 들면, 제1 처리액(L11)이 불산과 질산이 혼합된 불질산 등의 에칭액이고, 제2 처리액(L12)이 SC1액 등의 약액이며, 제3 처리액(L13)이 순수 등의 린스 처리용의 액인 경우를 상정한다. 이 경우에는, 예를 들면, 제1 액 처리를 실시하고 있을 때에 제1 처리액(L11)인 불질산이 고갈된 제2 상태가된 것에 응답하여, 단지 제1 액 처리가 정지되고, 기판(W)이 처리 유닛(21)으로부터 반출되면, 기판(W) 상에 잔류한 불질산에 의해서 기판(W)이 과도하게 에칭될 수 있다. 이에 대해서, 예를 들면, 제1 액 처리를 행하고 있을 때에 제1 처리액(L11)인 불질산이 고갈된 제2 상태가 된 것에 응답하여, 순수 등의 린스 처리용의 액인 제3 처리액(L13)에 의해서 기판(W) 상에 잔류한 불질산이 씻겨 나가면, 기판(W) 상에 잔류한 불질산에 의해서 기판(W)이 과도하게 에칭되는 문제가 발생하기 어렵다.
<1-7-3. 그 외의 실시형태>
상기 각 실시형태에 있어서, 작성부(F02)는, 예를 들면, 도 20에서 나타내어지는 바와 같이, 데이터군(Db0)에 포함되는 복수의 처리 레시피 중, 1개 이상의 액 처리 레시피(R1)와, 2개 이상의 계측 처리 레시피(R2)를 조합함으로써, 플로 레시피(FL1)를 작성해도 된다. 또한, 예를 들면, 작성부(F02)는, 데이터군(Db0)에 포함되는 복수의 처리 레시피 중, 1개 이상의 액 처리 레시피(R1)와, 1개 이상의 계측 처리 레시피(R2)를 조합함으로써, 플로 레시피(FL1)를 작성해도 된다.
상기 각 실시형태에 있어서, 본체 제어 유닛(PC0)의 기억부(P04)에 기억된 데이터군(Db0)을 구성하는 전부 혹은 일부의 데이터는, 예를 들면, 기판 처리 장치(20)의 기억부(P04, P14, P24, P34) 중 적어도 1개의 기억부에 기억되어 있어도 되고, 기판 처리 장치(20)의 기억부(P04, P14, P24, P34) 중 2개 이상의 기억부에 분산되어 기억되어 있어도 된다. 또, 예를 들면, 본체 제어 유닛(PC0)의 기억부(P04)에 기억된 데이터군(Db0)을 구성하는 전부 혹은 일부의 데이터는, 관리용 장치(10)의 기억부(14)에 기억되어도 된다. 환언하면, 예를 들면, 복수의 기판 처리 장치(20) 및 관리용 장치(10) 중 적어도 일부의 장치가, 1개 이상의 처리 유닛(21)에 있어서의 기판(W)에 실시하는 처리에 관한 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 처리 레시피를 기억하는 1개 이상의 기억부를 갖고 있어도 된다.
상기 각 실시형태에 있어서, 예를 들면, 센서부(214)가, 막두께계(Fm0)의 아암부(Am1)의 각도를 검출함으로써, 기판(W) 상의 막 중 막두께계(Fm0)에 의해서 막두께가 계측되고 있는 위치가 인식 가능해도 된다. 이 경우에는, 예를 들면, 계측 처리 레시피(R2)가, 막두께계(Fm0)를 이용하여 기판(W)의 막의 두께(막두께)를 계측하는 조건을 규정하고 있으면, 계측 처리 레시피(R2)에 조합되는 제2 보정식(C32)은, 기판(W) 상의 막 중 막두께계(Fm0)에 의해서 막두께를 계측하는 위치를 적절히 변경하는 보정 처리에 이용되어도 된다.
상기 각 실시형태에 있어서, 제1 보정식(C31)에 의한 액 처리 레시피(R1)의 보정은, 에칭액의 공급 시간 등의 에칭 시간의 보정에 한정되지 않고, 예를 들면, 기판(W)에 대해서 노즐(Nz1, Nz2)이 처리액(L1)을 토출한 토출 위치를 적절히 변경 및 변화시키는 조건 등의 그 외의 조건의 보정을 포함하고 있어도 된다.
상기 각 실시형태에 있어서, 예를 들면, 플로 레시피(FL1)로 조건이 규정되는 복수의 처리가, 2개 이상의 처리 유닛(21)을 순차적으로 이용하여 실행되는 경우에는, 2개 이상의 처리 유닛(21) 각각의 부분 제어 유닛(PC2)에는, 플로 레시피(FL1) 중의 일부의 처리 레시피의 정보가 송신되어도 된다.
상기 각 실시형태에 있어서, 플로 레시피(FL1)에 있어서 모든 액 처리 레시피 후의 마지막 계측 처리 레시피를 따른 계측 처리는, 예를 들면, 처리 유닛(21)의 외부에 위치하고 있는 센서부에 의해서 실행되는 계측 처리여도 된다.
상기 각 실시형태에 있어서, 기판 처리 장치(20)는, 관리용 장치(10)로부터 처리 레시피 등을 특정하기 위한 2개 이상의 식별 정보를 취득했는데, 이에 한정되지 않는다. 예를 들면, 기판 처리 장치(20)는, 통신 회선(5)을 개재하여 접속된 그 외의 장치, 드라이브(16)에 유지된 기억 매체(RM0) 및 입력부(P02) 등의 1개 이상의 부분으로부터 2개 이상의 식별 정보를 취득해도 된다.
상기 제 각 실시형태에 있어서, 예를 들면, 데이터 스토리지(NA1)에 기억된 데이터군(DG1)은, 본체 제어 유닛(PC0)의 기억부(P04), 예정 관리용 제어 유닛의 기억부(P14) 및 부분 제어 유닛(PC2)의 기억부(P24) 중 적어도 1개의 기억부에 기억되어도 되고, 관리용 장치(10)의 기억부(14)에 기억되어도 된다. 이 경우에, 예를 들면, 관리용 장치(10)와는 별도로, 데이터군(Db0) 및 데이터군(DG1) 중 적어도 한쪽이 기억된 서버가, 통신 회선(5)을 개재하여, 각 기판 처리 장치(20)와 데이터의 송수신이 가능하게 접속되어 있어도 된다.
상기 각 실시형태에 있어서, 플로 레시피(FL1)의 작성은, 예를 들면, 본체 제어 유닛(PC0)의 연산 처리부(P05a) 및 예정 관리용 제어 유닛(PC1)의 연산 처리부(P15a) 중 적어도 1개의 연산 처리부에서 행해져도 되고, 본체 제어 유닛(PC0)의 연산 처리부(P05a) 및 예정 관리용 제어 유닛(PC1)의 연산 처리부(P15a)의 협동으로 행해져도 된다. 또, 예를 들면, 본체 제어 유닛(PC0) 및 예정 관리용 제어 유닛(PC1)의 기능이 1개의 제어 유닛으로 실현되어도 된다. 환언하면, 본체 제어 유닛(PC0)의 연산 처리부(P05a)의 기능과 예정 관리용 제어 유닛(PC1)의 연산 처리부(P15a)의 기능이, 1개 이상의 제어 유닛에 있어서의 1개 이상의 연산 처리부에 적절하게 배분되어도 된다.
상기 각 실시형태에 있어서, 기판 처리 장치(20)는, 예를 들면, 일군의 기판(W)에 대한 플로 레시피(FL1)를 작성하는 1개의 제어 유닛(제1 제어 유닛이라고도 한다)의 연산 처리부(제1 연산 처리부라고도 한다)와, 처리 레시피의 보정을 행하는 제2 제어 유닛으로서의 부분 제어 유닛(PC2)의 제2 연산 처리부로서의 연산 처리부(P25a)를 포함하는 2개 이상의 연산 처리부를 갖고 있어도 된다. 이러한 구성이 채용되면, 예를 들면, 복수의 처리 유닛(21)의 수가 많아, 기판 처리 장치(20)의 넓은 범위의 구성에 있어서의 동작을 제어하는 제1 제어 유닛과, 기판 처리 장치(20)중의 개별의 처리 유닛(21) 혹은 일부의 처리 유닛(21)이라는 좁은 범위의 구성에 있어서의 동작을 제어하는 제2 제어 유닛이 존재하는 경우에, 제1 제어 유닛의 제1 연산 처리부가 일군의 기판(W)에 대한 플로 레시피(FL1)를 작성하고, 제2 제어 유닛의 제2 연산 처리부가 플로 레시피(FL1) 중의 처리 레시피의 보정을 행함으로써, 기판 처리 장치(20)에 있어서 계층적인 동작의 제어가 용이하게 실현될 수 있다. 그 결과, 예를 들면, 일군의 기판(W)에 대한 플로 레시피(FL1)의 일괄된 작성과, 일군의 기판(W) 중 일부의 기판(W)에 대한 리얼타임에 가까운 상태로의 처리 레시피의 보정이 효율적으로 행해질 수 있다. 이에 의해, 예를 들면, 상황에 맞는 고정밀도의 기판 처리가 효율적으로 실시될 수 있다.
상기 각 실시형태에 있어서, 예를 들면, 플로 레시피(FL1)의 작성 및 처리 레시피의 보정이, 1개의 제어 유닛에 있어서의 1개의 연산 처리부에서 행해져도 된다. 즉, 1개 이상의 제어 유닛에 있어서의 1개 이상의 연산 처리부에서, 플로 레시피(FL1)의 작성 및 처리 레시피의 보정이 행해져도 된다. 이 경우에는, 예를 들면, 본체 제어 유닛(PC0)의 연산 처리부(P05a)에 있어서의 플로 레시피(FL1)의 작성에 관련된 기능과, 복수의 부분 제어 유닛(PC2)의 연산 처리부(P25a)에 있어서의 처리 레시피의 보정에 관련된 기능이, 1개 이상의 제어 유닛에 있어서의 1개 이상의 연산 처리부에 적절하게 배분되어도 된다.
상기 각 실시형태에 있어서, 기판 처리 장치(20)는, 복수의 처리 유닛(21)을 갖는 대신에, 1개 이상의 처리 유닛(21)을 갖고 있어도 된다.
상기 각 실시형태 및 각종 변형예를 각각 구성하는 전부 또는 일부를, 적절히, 모순되지 않는 범위에서 조합 가능한 것은, 말할 필요도 없다.
1 기판 처리 시스템
10 관리용 장치
11, P01, P11, P21, P31 통신부
14, P04, P14, P24, P34 기억부
15a, P05a, P15a, P25a, P35a 연산 처리부
20 기판 처리 장치
21 처리 유닛
22s, 23s, 214 센서부
23 액 저류 유닛
23t 저류조
24 반송 유닛
C31 제1 보정식
C31a~C31f 제1A~1F 보정식
C32 제2 보정식
C32a~C32f 제2A~2F 보정식
C4 분기 처리 레시피
C4a~C4f 제1~6 분기 처리 레시피
DG1, Db0 데이터군
F01, F22, F31 정보 취득부
F02 작성부
F03, F24, F152 기억 제어부
F04 지시부
F06, F13, F26, F34, F151 송신 제어부
F11 취득부
F12 설정부
F21 레시피 취득부
F23 레시피 보정부
F25, F32 유닛 제어부
F33 액 관리부
FL1 플로 레시피
Fm0 막두께계
Gp1 액 처리 레시피군
Gp2 계측 처리 레시피군
Gp3 보정식군
Gp31, Gp32 제1, 2 보정식군
Gp4 분기 처리 레시피군
L1 처리액
L11~L13 제1~3 처리액
NA1 데이터 스토리지
PC0 본체 제어 유닛
PC1 예정 관리용 제어 유닛
PC2 부분 제어 유닛
PC3 액 관리 제어 유닛
R1 액 처리 레시피
R1a~R1f 제1~6 액 처리 레시피
R2 계측 처리 레시피
R2a~R2f 제1~6 계측 처리 레시피
W 기판

Claims (8)

  1. 기판에 대해서 각각 처리를 행하는 1개 이상의 처리 유닛과,
    상기 1개 이상의 처리 유닛에 있어서 기판에 실시하는 처리에 관한 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 처리 레시피 중 2개 이상의 처리 레시피를 조합함으로써, 기판에 대한 일련의 처리의 흐름을 규정하는 플로 레시피를 작성하는 1개 이상의 연산 처리부와,
    상기 1개 이상의 처리 유닛에 있어서의 기판 처리의 상황에 대한 지표에 관련된 신호를 각각 취득하는 1개 이상의 센서부를 구비하고,
    상기 복수의 처리 레시피는, 처리액을 이용하여 기판에 실시하는 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 액 처리 레시피를 포함하며,
    상기 복수의 처리 레시피는, 상기 지표에 관련된 신호를 취득하기 위한 상기 1개 이상의 센서부에 의한 계측 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 계측 처리 레시피를 포함하고,
    상기 1개 이상의 센서부는, 기판의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표에 관련된 신호를 취득하고,
    상기 복수의 처리 레시피는, 제1 처리 레시피 및 제2 처리 레시피를 포함하고,
    상기 복수의 계측 처리 레시피는, 상기 1종류 이상의 지표에 관련된 신호를 취득하기 위한 상기 1개 이상의 센서부에 의한 계측 처리의 조건을 규정하는 제1 계측 처리 레시피를 포함하고,
    상기 1개 이상의 연산 처리부는, 상기 복수의 액 처리 레시피 중 1개 이상의 액 처리 레시피와, 상기 복수의 계측 처리 레시피 중 1개 이상의 계측 처리 레시피를 조합함으로써, 상기 플로 레시피를 작성하고,
    상기 1개 이상의 연산 처리부는, 상기 제1 계측 처리 레시피와, 처리의 플로를 각각 분기시키기 위한 복수의 분기 처리 레시피 중의, 상기 1종류 이상의 지표가 제1 조건을 만족하면 제1 분기 후 처리 플로를 실행시키고, 상기 1종류 이상의 지표가 제2 조건을 만족하면 제2 분기 후 처리 플로를 실행시키는 분기 처리의 조건을 규정하는 1개의 분기 처리 레시피를 조합하면서, 당해 1개의 분기 처리 레시피에, 상기 제1 분기 후 처리 플로의 처리 레시피로서 상기 제1 처리 레시피를 조합함과 더불어, 상기 제2 분기 후 처리 플로의 처리 레시피로서 상기 제2 처리 레시피를 조합함으로써, 상기 플로 레시피를 작성하는, 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 1개 이상의 연산 처리부는, 상기 2개 이상의 처리 레시피 중 적어도 1개의 처리 레시피에, 상기 1개 이상의 센서부에 의해서 취득된 상기 지표에 관련된 신호에 의거하여 상기 복수의 처리 레시피의 적어도 일부의 조건을 보정하기 위한 복수의 보정식 중 적어도 1개의 보정식을 조합함으로써, 상기 플로 레시피를 작성하고,
    상기 1개 이상의 연산 처리부는, 상기 1개 이상의 센서부에서 취득된 상기 지표에 관련된 신호에 따라, 상기 적어도 1개의 보정식으로부터 1개 이상의 보정 계수를 산출하고, 상기 적어도 1개의 처리 레시피로 규정하는 조건을 상기 1개 이상의 보정 계수를 이용하여 보정하는, 기판 처리 장치.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 복수의 액 처리 레시피는, 제1 처리액을 이용한 처리를 기판에 실시하고 있을 때에 제1 상태에 있으면, 당해 기판에 대해서 상기 제1 처리액을 이용한 처리를 실시한 후에 제2 처리액을 이용한 처리를 실시하고, 상기 제1 처리액을 이용한 처리를 기판에 실시하고 있을 때에 제2 상태가 된 것에 응답하여, 당해 기판에 대해서 제3 처리액을 이용한 처리를 실시하는, 처리의 흐름 및 조건을 각각 규정하는, 1개 이상의 구조화 액 처리 레시피를 포함하는, 기판 처리 장치.
  4. 복수의 기판 처리 장치와,
    상기 복수의 기판 처리 장치에 대해서 데이터의 송수신이 가능하게 접속되어 있는 관리용 장치를 구비하고,
    상기 관리용 장치는, 상기 복수의 기판 처리 장치 각각과의 사이에서 정보를 송수신하는 제1 통신부를 갖고,
    상기 복수의 기판 처리 장치 각각은, 기판에 대해서 각각 처리를 행하는 1개 이상의 처리 유닛과, 상기 관리용 장치와의 사이에서 정보를 송수신하는 제2 통신부와, 기판에 대한 일련의 처리의 흐름을 규정하는 플로 레시피를 작성하는 1개 이상의 연산 처리부를 갖고,
    상기 복수의 기판 처리 장치 및 상기 관리용 장치 중 적어도 일부는, 상기 1개 이상의 처리 유닛에 있어서 기판에 실시하는 처리에 관한 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 처리 레시피를 기억하는 1개 이상의 기억부를 갖고,
    상기 복수의 처리 레시피는, 처리액을 이용하여 기판에 실시하는 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 액 처리 레시피를 포함하고,
    상기 제1 통신부는, 상기 복수의 기판 처리 장치 각각에 대하여, 2개 이상의 처리 레시피를 각각 특정하는 2개 이상의 식별 정보를 송신하고,
    상기 제2 통신부는, 상기 2개 이상의 식별 정보를 수신하고,
    상기 1개 이상의 연산 처리부는, 상기 2개 이상의 식별 정보에 의거하여, 상기 복수의 처리 레시피 중 상기 2개 이상의 처리 레시피를 조합함으로써, 상기 플로 레시피를 작성하는, 기판 처리 시스템.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 복수의 기판 처리 장치 각각은, 상기 1개 이상의 처리 유닛에 있어서의 기판 처리의 상황에 대한 지표에 관련된 신호를 각각 취득하는 1개 이상의 센서부를 갖고,
    상기 복수의 처리 레시피는, 상기 지표에 관련된 신호를 취득하기 위한 상기 1개 이상의 센서부에 의한 계측 처리의 조건을 각각 규정하는 복수의 계측 처리 레시피를 포함하고,
    상기 1개 이상의 기억부는, 상기 1개 이상의 센서부에 의해서 취득된 상기 지표에 관련된 신호에 의거하여 상기 복수의 처리 레시피의 적어도 일부의 조건을 보정하기 위한 복수의 보정식을 기억하고,
    상기 1개 이상의 연산 처리부는, 상기 복수의 액 처리 레시피 중 1개 이상의 액 처리 레시피와, 상기 복수의 계측 처리 레시피 중 1개 이상의 계측 처리 레시피를 포함하는 상기 2개 이상의 처리 레시피를 조합함과 더불어, 당해 2개 이상의 처리 레시피 중 적어도 1개의 처리 레시피에, 상기 복수의 보정식 중 적어도 1개의 보정식을 조합함으로써, 상기 플로 레시피를 작성하고,
    상기 1개 이상의 처리 유닛이, 상기 플로 레시피에 따라서, 기판에 처리를 실시하고,
    상기 1개 이상의 센서부는, 기판의 상태를 나타내는 1종류 이상의 지표에 관련된 신호를 취득하고,
    상기 1개 이상의 연산 처리부는, 상기 1개 이상의 처리 유닛에 의해서 상기 플로 레시피에 따라서 기판에 처리를 실시했을 때에, 상기 1개 이상의 센서부에 의해서 취득되는 상기 1종류 이상의 지표에 관련된 신호가, 소정의 조건을 만족하는 경우에, 상기 플로 레시피에 있어서의 상기 적어도 1개의 처리 레시피와 상기 적어도 1개의 보정식의 세트를 나타내는 정보를, 상기 제2 통신부에 의해서 상기 관리용 장치에 송신시키는, 기판 처리 시스템.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004025057A (ja) 2002-06-26 2004-01-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理システム、基板処理装置、基板処理方法、プログラム及び記録媒体
JP2007123734A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2011077243A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置、基板処理装置のための検査装置、ならびに検査用コンピュータプログラムおよびそれを記録した記録媒体

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3598054B2 (ja) * 2000-11-06 2004-12-08 東京エレクトロン株式会社 塗布膜形成装置
JP4678665B2 (ja) * 2001-11-15 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US20040200574A1 (en) * 2003-04-11 2004-10-14 Applied Materials, Inc. Method for controlling a process for fabricating integrated devices
JP4942174B2 (ja) * 2006-10-05 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理システムの処理レシピ最適化方法,基板処理システム,基板処理装置
JP5168300B2 (ja) 2010-02-24 2013-03-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
WO2012051121A2 (en) 2010-10-15 2012-04-19 Applied Materials, Inc. Building a library of spectra for optical monitoring
US10541163B2 (en) * 2014-01-20 2020-01-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP6148991B2 (ja) * 2014-01-31 2017-06-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、編集方法及び記憶媒体
JP6501601B2 (ja) * 2014-05-20 2019-04-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理プログラム
KR102292209B1 (ko) * 2014-07-28 2021-08-25 삼성전자주식회사 반도체 계측 시스템 및 이를 이용한 반도체 소자의 계측 방법
JP6418694B2 (ja) * 2015-03-26 2018-11-07 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US10386828B2 (en) 2015-12-17 2019-08-20 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for etch profile matching by surface kinetic model optimization
JP6611652B2 (ja) * 2016-03-30 2019-11-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置の管理方法、及び基板処理システム
JP2018067626A (ja) 2016-10-19 2018-04-26 東京エレクトロン株式会社 半導体システム及びデータ編集支援方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004025057A (ja) 2002-06-26 2004-01-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理システム、基板処理装置、基板処理方法、プログラム及び記録媒体
JP2007123734A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2011077243A (ja) * 2009-09-30 2011-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置、基板処理装置のための検査装置、ならびに検査用コンピュータプログラムおよびそれを記録した記録媒体

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