CN112655073A - 基板处理装置、基板处理***以及基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置、基板处理***以及基板处理方法 Download PDF

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Abstract

本发明的目的在于，减少在进行基板处理的装置、***以及方法中使用的数据量。为了达到上述目的，基板处理装置具有：一个以上的处理单元，对基板进行处理；以及一个以上的运算处理部。一个以上的运算处理部通过使用以分别规定与在一个以上的处理单元中对基板实施的处理相关的处理的条件的多个处理规程中的两个以上的处理规程组合，来制作用以规定关于基板的一连串的处理的流程的流程规程。多个处理规程包括分别既定使用处理液对基板实施的处理的条件的多个液体处理规程。

Description

基板处理装置、基板处理***以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置、基板处理***以及基板处理方法。作为处理对象的基板例如包括半导体基板、液晶显示装置用基板、有机EL(Electroluminescence；电致发光)显示装置等平板显示器(flat panel display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜(photomask)用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
已知具有一种具有多个处理单元的基板处理装置，所述多个处理单元能使用药液等处理液来实施基板的洗净以及蚀刻等各种处理。
此外，具有一种基板处理***(例如，参照专利文献1等)，该基板处理***具有：多个基板处理装置；以及作为管理用的计算机的组控制器，经由通信线路与所述多个基板处理装置连接。在组控制器中，例如将在各个基板处理装置的控制中所使用的规程(recipe)以及参数等的与基板的处理相关连的信息(也称为工艺关联信息)存储至存储部，并进行多个工艺关联信息的比较、手动的编辑以及向基板处理装置发送工艺关联信息。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2018-67626号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，例如在管理用的计算机中，将基板处理装置中的基板作为对象的处理的条件越增加，则越需要预先准备更多的包括流程规程(flow recipe)的信息，所述流程规程用以规定在基板处理装置中所执行的将基板作为对象的一连串的处理。因此，例如管理用的计算机所存储以及管理的数据量以及从管理用的计算机发送至基板处理装置的数据量会增大。由此，例如会需要增大管理用的计算机中的存储部的存储容量且需要提高对于基板处理装置的通信速度等。
因此，在基板处理装置、基板处理***以及基板处理方法系中，在减少使用的数据量的方面存在改善的余地。
本发明鉴于上述问题而提出，其目的在于，提供一种可减少使用的数据量的基板处理装置、基板处理***以及基板处理方法。
用于解决问题的手段
为了解决上述问题，第1实施方式的基板处理装置具有：一个以上的处理单元，对基板进行处理；以及一个以上的运算处理部。一个以上的所述运算处理部通过使多个处理规程中的两个以上的处理规程组合，制作用以规定关于基板的一连串的处理的流程的流程规程，多个所述处理规程用以分别规定与在一个以上的所述处理单元中对基板实施的处理相关的处理的条件。多个所述处理规程包括分别既定使用处理液对基板实施的处理的条件的多个液体处理规程。
第2实施方式的基板处理装置，在第1实施方式所述的基板处理装置中，所述基板处理装置还具有传感器部，该传感器部获取关于一个以上的所述处理单元中的基板处理的状况的指标的信号。多个所述处理规程包括多个计测处理规程，多个所述计测处理规程分别规定用以获取关于一个以上的所述处理单元中的基板处理的状况的指标的信号的所述传感器部的计测处理的条件。一个以上的所述运算处理部通过使多个所述液体处理规程中的一个以上的液体处理规程和多个所述计测处理规程中的一个以上的计测处理规程组合，制作所述流程规程。
第3实施方式的基板处理装置，在第2实施方式所述的基板处理装置中，一个以上的所述运算处理部通过将多个修正式中的至少一个修正式组合至两个以上的所述处理规程中的至少一个处理规程，来制作所述流程规程，多个所述修正式用以基于由所述传感器部所获取的指标的信号来修正多个所述处理规程中的至少一部分条件。一个以上的所述运算处理部根据由所述传感器部所获取的指标的信号，由至少一个所述修正式计算一个以上的修正系数，并使用一个以上的所述修正系数来修正由至少一个所述处理规程所规定的条件。
第4实施方式的基板处理装置，在第2实施方式或者第3实施方式所述的基板处理装置中，所述传感器部获取用以表示基板的状态的一种以上的指标的信号。多个所述处理规程包括第1处理规程以及第2处理规程。多个所述计测处理规程包括第1计测处理规程，所述第1计测处理规程既定用以获取一种以上的所述指标的信号的所述传感器部的计测处理的条件。一个以上的所述运算处理部通过使所述第1计测处理规程和用于使处理的流程分支的多个分支处理规程中的用以规定分支处理的条件的一个分支处理规程组合，并将所述第1处理规程作为第1分支后处理流程的处理规程组合至所述一个分支处理规程，并且将所述第2处理规程作为第2分支后处理流程的处理规程组合至所述一个分支处理规程，来制作所述流程规程，在所述一个分支处理中，若一种以上的所述指标满足第1条件，则执行所述第1分支后处理流程，若一种以上的所述指标满足第2条件，则执行所述第2分支后处理流程。
第5实施方式的基板处理装置，在第1实施方式至第4实施方式中任一实施方式所述的基板处理装置中，多个所述液体处理规程包括既定如下的处理的流程以及条件的一个以上的结构化液体处理规程：在对基板实施使用了第1处理液的处理时若处于第1状态，则在对所述基板实施使用了所述第1处理液的处理后实施使用了第2处理液的处理，并且，响应在对基板实施使用了所述第1处理液的处理时变成第2状态的情况，对所述基板实施使用了第3处理液的处理。
第6实施方式的基板处理***具有：多个基板处理装置；以及管理用装置，以可发送数据以及接收数据的方式与多个所述基板处理装置连接。所述管理用装置具有第1通信部，所述第1通信部在与多个所述基板处理装置之间分别发送信息以及接收信息。多个所述基板处理装置分别具有：一个以上的处理单元，对基板进行处理；第2通信部，在与所述管理用装置之间发送信息以及接收信息；以及一个以上的运算处理部，制作用以规定关于基板的一连串的处理的流程的流程规程。多个所述基板处理装置以及所述管理用装置中的至少一部分具有存储多个处理规程的一个以上的存储部，多个所述处理规程分别规定与在一个以上的所述处理单元中对基板实施的处理相关的处理的条件。多个所述处理规程包括分别既定使用处理液对基板实施的处理的条件的多个液体处理规程。所述第1通信部向多个所述基板处理装置中的每一个发送用以分别确定两个以上的处理规程的两个以上的识别信息。所述第2通信部接收两个以上的所述识别信息。一个以上的所述运算处理部通过基于两个以上的所述识别信息使多个所述处理规程中的两个以上的所述处理规程组合，来制作所述流程规程。
第7实施方式的基板处理***，在第6实施方式所述的基板处理***中，多个所述基板处理装置分别具有传感器部，该传感器部获取用以表示基板的状态的一种以上的指标的信号。多个所述处理规程包括多个计测处理规程，多个所述计测处理规程分别规定用以获取关于一个以上的所述处理单元中的基板处理的状况的指标的信号的所述传感器部的计测处理的条件。一个以上的所述存储部存储用以基于由所述传感器部所获取的指标的信号修正多个所述处理规程中的至少一部分条件的多个修正式。一个以上的所述运算处理部通过使包括多个所述液体处理规程中的一个以上的液体处理规程以及多个所述计测处理规程中的一个以上的计测处理规程的两个以上的所述处理规程组合，并且将多个所述修正式中的至少一个修正式组合至两个以上的所述处理规程中的至少一个处理规程，来制作所述流程规程。一个以上的所述处理单元按照所述流程规程对基板实施处理。一个以上的所述运算处理部在通过一个以上的所述处理单元按照所述流程规程对基板实施处理时，在由所述传感器部所获取的指标的信号满足规定的条件的情况下，通过所述第2通信部将用以表示所述流程规程中的至少一个所述处理规程与至少一个所述修正式的组合的信息发送至所述管理用装置。
第8实施方式的基板处理方法，使用具有对基板进行处理的一个以上的处理单元以及一个以上的运算处理部的基板处理装置，其中，所述基板处理方法包括步骤(a)、步骤(b)、步骤(c)。在所述步骤(a)中，一个以上的存储部存储分别规定与在一个以上的所述处理单元中对基板实施的处理相关的处理的条件的多个处理规程。在所述步骤(b)中，一个以上的所述运算处理部通过使在所述步骤(a)中存储于一个以上的所述存储部的多个所述处理规程中的两个以上的处理规程组合，来制作用以规定关于基板的一连串的处理的流程的流程规程。在所述步骤(c)中，一个以上的所述处理单元按照在所述步骤(b)中所制作的所述流程规程执行处理。多个所述处理规程包括分别既定使用处理液对基板实施的处理的条件的多个液体处理规程。
发明的效果
根据第1实施方式的基板处理装置，例如即使关于基板的一连串的处理的条件增加，也能组合预先准备的多个处理规程中的两个以上的处理规程来制作流程规程，以代替增加事前准备的流程规程的数量。由此，例如能减少在基板处理装置等中预先准备的数据量。其结果，例如能减少在基板处理装置中使用的数据量。
根据第2实施方式的基板处理装置，例如不仅包括使用了处理液的处理，还包括进行计测的处理，能组合多个处理规程中的两个以上的处理规程来制作流程规程。由此，例如即使关于包括计测处理的基板的一连串的处理的条件增加，也能组合预先准备的多个处理规程中的两个以上的处理规程来制作流程规程，以代替增加事前准备的流程规程的数量。其结果，例如能减少在基板处理装置中使用的数据量。
根据第3实施方式的基板处理装置，例如能将修正式组合至处理规程来制作流程规程。由此，例如即使关于也包括处理的修正的基板的一连串的处理的条件增加，也能组合预先准备的多个处理规程中的两个以上的处理规程，并且将预先准备的多个修正式中的至少一个修正式组合至至少一个处理规程，来制作流程规程，以代替增加事前准备的流程规程的数量。其结果，例如能减少在基板处理装置中使用的数据量。
根据第4实施方式的基板处理装置，例如，通过使第1计测处理规程、分支处理规程、第1分支后处理流程的第1处理规程以及第2分支后处理流程的第2处理规程，由此能制作能实施与基板的状态相对应的一连串的处理的流程规程。由此，例如即使以处理的流程根据基板的状态而分支的方式增加关于基板的一连串的处理的条件，也能组合预先准备的多个计测处理规程中的第1计测处理规程、预先准备的多个分支处理规程中的一个分支处理规程、预先准备的多个液体处理规程中的第1液体处理规程以及第2液体处理规程，来制作规定用以使基板的状态接近期望的状态的关于基板的一连串的处理的流程规程，以代替增加事前准备的流程规程的数量。其结果，例如能减少在基板处理装置等中预先准备的数据量，并能减少在基板处理装置中使用的数据量。此外，与在从基板处理装置搬出基板后为了使基板接近期望的状态而在基板处理装置中再次对基板实施处理的情况相比，能容易提高对基板实施的处理的效率。
根据第5实施方式的基板处理装置，例如在依次对基板实施使用了第1处理液的处理和使用了第2处理液的处理的情况下，若在对基板实施使用了第1处理液的处理时变成特定的状态，则能结束使用了第1处理液的处理，并对基板实施使用了第3处理液的处理。由此，例如能根据对基板实施使用了第1处理液的处理时的状况进行适当的处理。
根据第6实施方式的基板处理***，例如即使关于基板的一连串的处理的条件增加，基板处理装置也能组合预先准备的多个处理规程中的与来自管理用装置的两个以上的识别信息相对应的两个以上的处理规程来制作流程规程，以代替增加事前准备的流程规程的数量。由此，例如能减少在基板处理***中预先准备的数据量。其结果，例如能减少在基板处理***中使用的数据量。
根据第7实施方式的基板处理***，例如在基于组合有修正式的处理规程的处理产生良好的结果的情况下，将用以表示处理规程与修正式的组合的信息发送至管理用装置。由此，例如其他的基板处理装置也能利用获得良好的结果的处理规程与修正式的组合。
根据第8实施方式的基板处理方法，例如即使关于基板的一连串的处理的条件增加，也能组合预先准备的多个处理规程中的两个以上的处理规程来制作流程规程，以代替增加事前准备的流程规程的数量。由此，例如能减少预先准备的数据量。其结果，例如能减少进行基板处理时所使用的数据量。
附图说明
图1是表示第1实施方式的基板处理***的概略结构的一例的图。
图2是表示管理用装置的电气结构的一例以及功能性的结构的一例的框图。
图3是表示基板处理装置的概略性的结构的一例的示意性的俯视图。
图4是示意性地表示处理单元的一个构成例的图。
图5是表示基板处理装置中的各个结构的连接方式的框图。
图6是表示本体控制单元的电气结构的一例以及功能性的结构的一例的框图。
图7是表示数据组的内容的一例的图。
图8是表示流程规程的一例的图。
图9是表示流程规程的另一例的图。
图10是表示流程规程的其他另一例的图。
图11是表示预定管理用控制单元的电气结构的一例以及功能性的结构的一例的框图。
图12是显示部分控制单元的电气结构的一例以及功能性的结构的一例的框图。
图13是表示液体管理控制单元的电气结构的一例以及功能性的结构的一例的框图。
图14是表示存储于数据存储器(data storage)的数据组的内容的一例的图。
图15是表示流程规程的制作的动作流程的一例的流程图。
图16是表示处理规程的修正的动作流程的一例的流程图。
图17是表示第2实施方式的数据组所包括的分支处理规程组的一例的图。
图18是表示第2实施方式的流程规程的一例的图。
图19是表示第3实施方式的结构化的液体处理规程的一例的图。
图20是表示其他的流程规程的一例的图。
具体实施方式
以下，基于附图说明本发明的各个实施方式以及各个变化例。在附图中，对具有相同的结构以及功能的部分赋予相同的附图标记，并在以下的说明中省略重复说明。另外，附图是示意性地示出的图。
(1.第1实施方式)
(1-1.基板处理***的概略结构)
图1是表示第1实施方式的基板处理***1的概略结构的一例的图。如图1所示，基板处理***1例如具有管理用装置10、多个基板处理装置20以及搬运装置30。多个基板处理装置20例如包括第1基板处理装置20a、第2基板处理装置20b以及第3基板处理装置20c。在此，管理用装置10、多个基板处理装置20、搬运装置30以经由通信线路5能够发送数据以及接收数据的方式连接。通信线路5例如可以是有线线路以及无线线路中的任一种。
(1-2.管理用装置)
管理用装置10例如能够统一地管理多个基板处理装置20。图2中的(a)是表示管理用装置10的电气结构的一例的框图。如图2中的(a)所示，管理用装置10由例如计算机等实现，具有经由总线Bu10连接的通信部11、输入部12、输出部13、存储部14、控制部15以及驱动器(drive)16。
通信部11例如具有作为发送部的功能以及作为接收部的功能，发送部可经由通信线路5对各个基板处理装置20以及搬运装置30发送信号，接收部可经由通信线路5接收来自各个基板处理装置20以及搬运装置30的信号。换言之，通信部11例如具有作为在多个基板处理装置20彼此之间发送信息以及接收信息的部分(也称为第1通信部)的功能。
输入部12例如能够输入与使用管理用装置10的用户的动作等相对应的信号。该输入部12例如能包括操作部、麦克风以及各种传感器等。操作部例如能输入与用户的操作相对应的信号。操作部例如能包括鼠标以及键盘等。麦克风能输入与用户的声音相对应的信号。各种传感器能输入与用户的动作相对应的信号。
输出部13例如能输出各种信息。输出部13例如能包括显示部以及扬声器等。显示部例如能以使用者可识别的方式可视性地输出各种信息。该显示部也可例如具有与输入部12的至少一部分一体化的触控面板的形态。扬声器例如能以使用者可识别的方式可听性地输出各种信息。
存储部14例如能存储信息。该存储部14例如能由硬盘或者闪存等非易失性的存储介质构成。在存储部14的结构可以是具有一个存储介质的结构、一体性地具有两个以上的存储介质的结构以及将两个以上的存储介质区分成两个以上的部分的结构中的任一种结构。存储部14例如能存储程序14pg、处理计划信息14pc以及各种信息14dt等。存储部14例如也可包括后述的存储器15b。
处理计划信息14pc表示执行各个基板处理装置20的后述的N台(N为自然数)处理单元21(参照图3等)中的多个基板组的多个连续的基板处理的时机等。一个基板组例如由构成一个批次(lot)的多片基板W(参照图3等)构成。换言之，一个基板组包括一组基板W。
各种信息14dt例如针对一组基板W的每个基板W包括各个基板W的信息、任务以及基板处理装置20中的多个处理的多个识别信息等。各个基板W的信息例如能包括用以表示承载器(carrier)C中的保持有基板W的插槽(slot)的号码、基板W的形态以及已对基板W实施的处理的信息(也称为已处理信息)。表示基板W的形态的信息例如能包括基板W中的膜的厚度(也称为膜厚)以及膜厚的分布等。膜厚例如能由各种膜厚计测定而获得，且可为膜厚的平均值、最小值、最大值中的任一种。基板处理装置20中的多个处理例如包括使用处理液对基板W实施的处理(也称为液体处理)、计测与对基板W实施的处理相关的各种状态的处理(也称为计测处理)以及修正液体处理或者计测处理的条件的处理(也称为修正处理)。
多个识别信息例如为用以分别确定基板处理装置20中的多个处理的信息。在此，多个识别信息例如包括：针对每个处理规程确定分别规定与对基板W实施的处理相关的各种处理的条件的多个处理规程的识别信息(也称为规程识别信息)以及针对每个修正式确定规定各种修正处理修正用的计算式(也称为修正式)的识别信息(也称为修正式识别信息)。多个处理规程包括分别规定使用处理液对基板W实施的处理的条件的多个规程(也称为液体处理规程)以及分别规定计测处理的条件的多个规程(也称为计测处理规程)。规程识别信息以及修正式识别信息系分别应用有例如对各个处理规程以及各个修正式所赋予的数字、数字列、文字列、或者数字与文字的组合等。
控制部15例如包括作为处理器而发挥作用的运算处理部15a以及用以暂时性地存储信息的存储器15b等。运算处理部15a例如能应用中央运算部(CPU(Central ProcessingUnit：中央处理器))等电子电路。存储器15b例如能应用随机存取存储器(RAM：RandomAccess Memory)等。运算处理部15a例如能通过读入并执行存储于存储部14的程序14pg来实现管理用装置10的功能。通过控制部15中的各种信息处理而暂时性地获得的各种信息能适当地存储于存储器15b等。
驱动器16例如为可将便携式的存储介质RM10装卸的部分。驱动器16例如能在安装有存储介质RM10的状态下进行存储介质RM10与控制部15之间的数据的授受。在此，例如也可将存储有程序14pg的存储介质RM10安装至驱动器16，并从存储介质RM10将程序14Pg读入并存储至存储部14内。
图2中的(b)是表示通过运算处理部15a所实现的功能性的结构的一例的框图。如图2中的(b)所示，运算处理部15a例如具有发送控制部F151以及存储控制部F152作为所实现的功能性的结构。作为在各部中的处理时的工作空间，例如使用存储器15b。在此，例如通过运算处理部15a所实现的功能的至少一部分也可通过专用的电子电路来实现。
发送控制部F151例如能通过通信部11对多个基板处理装置20彼此发送针对每一组基板W的各个基板W的信息、任务以及多个识别信息。在此，所发送的多个识别信息包括用以分别特定两个以上的处理规程的两个以上的规程识别信息。两个以上的规程识别信息也可例如通过记述顺序等规定处理的顺序。另外，在此所发送的多个识别信息也可例如包括至少一个修正式识别信息。至少一个修正式识别信息例如能与两个以上的规程识别信息中的至少一个规程识别信息相关联。在此，与至少一个规程识别信息相关联的至少一个修正式识别信息例如能根据作为处理的对象物的一组基板W的事前的状态的信息(已处理信息、材质以及膜厚等)来决定。
存储控制部F152例如能使通过通信部11从多个基板处理装置20分别接收的信息存储至存储部14。
(1-3.基板处理装置)
图3是表示基板处理装置20的概略性的结构的一例的示意性的俯视图。基板处理装置20例如为能通过对基板W的表面供给处理液来进行各种处理的单张式的装置。在此，能使用半导体基板(晶片)作为基板W的一例。各种处理例如包括用以通过药液等实施蚀刻的药液处理、用以通过液体去除异物或者去除对象物的洗净处理、用以通过水进行冲洗的冲洗(rinse)处理以及用以涂敷抗蚀剂(resist)等的涂敷处理等。
基板处理装置20包括多个装载埠(load port)LP、搬运单元24、液体贮存单元23以及多个处理单元21。此外，基板处理装置20例如包括本体控制单元PC0、预定管理用控制单元PC1、多个部分控制单元PC2、液体管理控制单元PC3以及数据存储器NA1。
(1-3-1.装载埠)
多个装载埠LP分别为能保持作为容纳器的多个承载器(也称为FOUP(FrontOpening Unified Pod：前开式晶圆传送盒))C的机构(也称为容纳器保持机构)。在图3的例子中，存在有第1装载埠LP1、第2装载埠LP2、第3装载埠LP3以及第4装载埠LP4作为多个装载埠LP。第1装载埠LP1至第4装载埠LP4具有作为用以在基板处理装置20与该基板处理装置20的外部之间搬入多个基板组以及搬出多个基板组的部分(也称为搬出搬入部)的功能。在图3的例子中，第1装载埠LP1至第4装载埠LP4与各个处理单元21在水平方向上隔开间隔配置。此外，第1装载埠LP1至第4装载埠LP4在俯视观察时沿着水平的第1方向DR1排列。
在此，例如通过搬运装置30从承载器置放场所40内将承载器C搬运并载置于第1装载埠LP1至第4装载埠LP4。承载器C例如能容纳作为一组基板W的多片(在第1实施方式为二十五片)基板W。搬运装置30的动作能通过例如管理用装置10进行控制。在此，例如搬运装置30也可在多个基板处理装置20之间搬运承载器C。在图3的例子中，搬运装置30可沿着第1方向DR1以及与第1方向DR1正交的水平的第2方向DR2移动。因此，例如，能从承载器置放场所40内将用以分别容纳构成一个基板组的多片基板W的承载器C搬运并载置于第1装载埠LP1至第4装载埠LP4中的任一者。并且，在第1装载埠LP1至第4装载埠LP4中，多个承载器C能沿着第1方向DR1排列。
(1-3-2.搬运单元)
搬运单元24例如能将容纳于被装载埠LP保持的承载器C的一组基板W中的多片基板W朝向多个处理单元21依次搬运。在第1实施方式中，搬运单元24包括分度器机械手(indexer robot)IR以及中央机械手(center robot)CR。分度器机械手IR例如能在第1装载埠LP1至第4装载埠LP4与中央机械手CR之间搬运基板W。中央机械手CR例如能在分度器机械手IR与各个处理单元21之间搬运基板W。
具体而言，分度器机械手IR例如能从承载器C将多片基板W逐片地搬运至中央机械手CR，并能从中央机械手CR将多片基板W逐片地搬运至承载器C。同样地，中央机械手CR例如能从分度器机械手IR将多片基板W逐片地搬入至各个处理单元21，并能从各个处理单元21将多片基板W逐片地搬送至分度器机械手IR。此外，例如，中央机械手CR能根据需要在多个处理单元21之间搬运基板W。
在图3的例子中，分度器机械手IR具有俯视观察时呈U字状的两个手部H。两个手部H配置于不同的高度。各个手部H能以水平的姿势支撑基板W。分度器机械手IR能使手部H沿着水平方向以及铅垂方向移动。再者，分度器机械手IR能通过将沿着铅垂方向的轴作为中心旋转(自转)而变更手部H的方向。分度器机械手IR在通过交接位置(在图3中描绘有分度器机械手IR的位置)的路径201中沿着第1方向DR1移动。交接位置是在俯视观察时分度器机械手IR与中央机械手CR在与第1方向DR1正交的方向上相对的位置。分度器机械手IR能分别使手部H与任意的承载器C以及中央机械手CR相对。在此，例如分度器机械手IR通过使手部H移动，由此能进行用以将基板W搬入至承载器C的搬入动作以及用以将基板W从承载器C搬出的搬出动作。此外，例如分度器机械手IR能与中央机械手CR协同动作并在交接位置进行交接动作，该交接动作是使基板W从分度器机械手IR以及中央机械手CR中的一方移动至另一方的动作。
与分度器机械手IR同样地，在图3的例子中，中央机械手CR具有在俯视观察时呈U字状的两个手部H。两个手部H配置于不同的高度。各个手部H能以水平的姿势支撑基板W。中央机械手CR能使各个手部H沿着水平方向以及铅垂方向移动。再者，中央机械手CR能通过将沿着铅垂方向的轴作为中心旋转(自转)而变更手部H的方向。中央机械手CR在俯视观察时被多台处理单元21包围。中央机械手CR能使手部H与任意的处理单元21以及分度器机械手IR中的任一方相对。在此，例如中央机械手CR通过使手部H移动，由此能进行用以将基板W搬入至各个处理单元21的搬入动作以及用以将基板W从各个处理单元21搬出的搬出动作。在此，各个处理单元21具有用以遮蔽处理单元21与中央机械手CR之间的开闭式的挡门。该挡门在中央机械手CR将基板W向处理单元21搬入以及从处理单元21将基板W搬出时开放。此外，例如中央机械手CR能与分度器机械手IR协同动作并进行交接动作，该交接动作是使基板W从分度器机械手IR以及中央机械手CR中的一方移动至另一方的动作。
此外，在多个处理单元21以及中央机械手CR所位于的箱室(box)的内部空间Sc0设置有用以对内部空间Sc0供给气体(例如空气)的部分(也称为气体供给部分)22a以及用以检测用以表示内部空间Sc0的环境的状态的指标(例如温度等)的部分(也称为传感器部)22s。传感器部22s也可检测气体供给部分22a向内部空间Sc0供给气体的供给量作为用以表示内部空间Sc0的环境的状态的一个指标。在此，内部空间Sc0的环境的状态影响多个处理单元21中的基板处理。因此，传感器部22s能获取关于多个处理单元21中的基板处理的状况的一种以上的指标相关的信号。
(1-3-3.液体贮存单元)
液体贮存单元23例如能贮存在多个处理单元21中所使用的处理液L1(参照图4等)。液体贮存单元23例如包括可贮存处理液L1的一个以上的贮存槽23t。在图3的例子中，液体贮存单元23存在有包括第1贮存槽23ta、第2贮存槽23tb以及第3贮存槽23tc的三个贮存槽23t。在各个贮存槽23t设置有例如传感器部23s以及加热部23h。传感器部23s是用以测定表示贮存槽23t内的处理液L1的状态(例如浓度、氢离子指数(pH(power of hydrogen；酸碱值))以及温度等)的物理量的部分。处理液L1用于处理单元21中的基板W的处理。而且，处理液L1例如有可能会根据时间的经过以及使用的程度而劣化。因此，处理液L1的状态影响处理单元21中的基板处理。即，传感器部23s能获取关于多个处理单元21中的基板处理的状况的指标相关的信号。加热部23h是包括发热体的部分，该发热体用以调整贮存槽23t内的处理液L1的温度。发热体的加热方式例如采用卤素灯的放射加热方式、不直接接触液体的间接加热方式、或者近红外线光线的放射加热方式等。在图3的例子中，第1传感器部23sa与第1加热部23ha位于第1贮存槽23ta，第2传感器部23sb与第2加热部23hb位于第2贮存槽23tb，第3传感器部23sc与第3加热部23hc位于第3贮存槽23tc。在此，例如用以搅拌处理液L1的机构也可存在于各个贮存槽23t。此外，例如一个以上的贮存槽23t以可供给处理液L1的状态连接至各个处理单元21。在此，各个贮存槽23t可连接至多个处理单元21中的全部的处理单元21，也可连接至多个处理单元21中的一部分的处理单元21。此外，在此，三个贮存槽23t可贮存相同种类的处理液L1，也可贮存不同种类的处理液L1。换言之，在第1贮存槽23ta、第2贮存槽23tb以及第3贮存槽23tc之间可贮存同一种类的处理液L1，也可贮存相互不同种类的处理液L1。
(1-3-4.处理单元)
多个处理单元21分别能对基板W进行处理。在图3的例子中，以平面性地配置的四台处理单元21分别所构成的三组处理单元21以在上下方向层叠的方式配置。由此，合计共存在有十二台处理单元21。多个处理单元21例如包括能对基板W实施相同种类的基板处理的两个以上的处理单元21。由此，在多个处理单元21中，能对基板W并行地实施相同种类的基板处理。
图4是示意性地表示处理单元21的一个结构例的图。处理单元21能使用处理液L1对基板W实施处理。在处理单元21中，例如通过将处理液L1供给至正在平面内旋转的基板W的一个主表面(也称为上表面)Us1上，能够对基板W的上表面Us1实施各种处理。处理液L1例如一般应用黏度较低的水或者药液等具有流动性且用于基板的处理的液体。药液系应用蚀刻液或者洗净用药液。更具体而言，药液系能采用包含硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氢氟酸、氢氟硝酸、氨水、过氧化氢水、有机酸(例如柠檬酸、草酸等)、有机碱(例如TMAH(tetramethylammonium hydroxide：氢氧化四甲铵)等)、异丙醇(IPA：isopropyl alcohol))、界面活性剂以及防腐蚀剂中的一种以上的液体。
如图4所示，处理单元21例如具有保持部211、旋转机构212、处理液供给***213以及传感器部214。
保持部211例如能以大致水平姿势保持基板W并使基板W旋转。保持部211例如应用真空夹具或者夹持式的夹具等，该真空夹具具有可真空吸附基板W的上表面Us1的相反的另一个主表面(也称为下表面)Bs1的上表面211u，该夹持式的夹具具有可夹持基板W的周缘部的多个夹具销(chuck pin)。
旋转机构212例如能使保持部211旋转。旋转机构212的结构例如应用具有旋转支轴212s以及旋转驱动部212m的结构。旋转支轴212s例如上端部连结有保持部211，并沿着铅垂方向延伸。旋转驱动部212m例如具有马达等，该马达可使旋转支轴212s以沿着铅垂方向的假想的旋转轴Ax1作为中心旋转。在此，例如旋转驱动部212m使旋转支轴212s以旋转轴Ax1作为中心旋转，由此保持部211在保持沿着水平面的姿势的状态下旋转。因此，例如被保持于保持部211上的基板W以旋转轴Ax1作为中心旋转。在此，例如当基板W的上表面Us1以及下表面Bs1为大致圆形时，旋转轴Ax1通过基板W的上表面Us1以及下表面Bs1的中心。
处理液供给***213例如能将一种以上的处理液L1朝向基板W喷出。在图4的例子中，处理液供给***213具有第1处理液供给部213a、第2处理液供给部213b以及第3处理液供给部213c。
第1处理液供给部213a例如具有喷嘴Nz1、配管部Pp1、可动配管部At1、喷出阀Vv1以及液体输送供给部Su1。喷嘴Nz1例如能将属于处理液L1的一种的第1处理液L11朝向被保持部211保持的基板W喷出。配管部Pp1连接液体输送供给部Su1与喷嘴Nz1，并形成第1处理液L11流动的路径。此外，可动配管部At1位于配管部Pp1的中途，并以可将沿着铅垂方向的轴作为中心转动的方式支撑配管部Pp1中的喷嘴Nz1侧的部分。而且，例如能通过马达等驱动部的驱动力对喷嘴Nz1位于基板W上的状态(也称为可喷出液体状态)与喷嘴Nz1未位于基板W上的状态(也称为退避状态)进行切换。在图4的例子中，第1处理液供给部213a处于可喷出液体状态，喷嘴Nz1能从基板W的正上方朝向基板W的上表面Us1喷出第1处理液L11。喷出阀Vv1例如配置于配管部Pp1的中途，并能根据来自部分控制单元PC2的信号进行开闭。在此，例如开放喷出阀Vv1，由此变成液体输送供给部Su1与喷嘴Nz1连通的状态。此外，例如关闭喷出阀Vv1，由此变成液体输送供给部Su1与喷嘴Nz1不连通的状态。液体输送供给部Su1例如能根据来自本体控制单元PC0或者部分控制单元PC2等的信号从例如液体贮存单元23(在此为第1贮存槽23ta)朝向配管部Pp1输送供给第1处理液L11。液体输送供给部Su1例如应用泵。
第2处理液供给部213b具有与第1处理液供给部213a类似的结构。具体而言，第2处理液供给部213b例如具有喷嘴Nz2、配管部Pp2、可动配管部At2、喷出阀Vv2以及液体输送供给部Su2。喷嘴Nz2例如能将属于处理液L1的一种的第2处理液L12朝向被保持部211保持的基板W喷出。配管部Pp2连接液体输送供给部Su2与喷嘴Nz2，并形成第2处理液L12流动的路径。此外，可动配管部At2位于配管部Pp2的中途，并以可将沿着铅垂方向的轴作为中心转动的方式支撑配管部Pp2中的喷嘴Nz2侧的部分。而且，例如能通过马达等驱动部的驱动力对喷嘴Nz2位于基板W上的状态(可喷出液体状态)与喷嘴Nz2未位于基板W上的状态(退避状态)进行切换。在图4的例子中，第2处理液供给部213b处于可喷出液体状态，喷嘴Nz2能从基板W的正上方朝向基板W的上表面Us1喷出第2处理液L12。喷出阀Vv2例如配置于配管部Pp2的中途，并能根据来自部分控制单元PC2的信号进行开闭。在此，例如开放喷出阀Vv2，由此变成液体输送供给部Su2与喷嘴Nz2连通的状态。此外，例如关闭喷出阀Vv2，由此变成液体输送供给部Su2与喷嘴Nz2不连通的状态。液体输送供给部Su2例如能根据来自本体控制单元PC0或者部分控制单元PC2等的信号从液体贮存单元23(在此为第2贮存槽23tb)朝向配管部Pp2输送供给第2处理液L12。液体输送供给部Su2例如应用泵。
虽然在图4中描绘了第1处理液供给部213a以及第2处理液供给部213b双方处于可喷出液体的状态的情况，但实际上从第1处理液供给部213a以及第2处理液供给部213b双方处于退避状态的状态，择一地切换成第1处理液供给部213a以及第2处理液供给部213b中的一方处于可喷出液体状态。此外，在图4中，虽然第1处理液供给部213a以及第2处理液供给部213b具有以彼此不干扰的方式上下地错开的关系，但只要第1处理液供给部213a以及第2处理液供给部213b的退避状态与可喷出液体状态之间的切换动作适当地同步，则即使第1处理液供给部213a以及第2处理液供给部213b未具有上下地错开的关系，彼此也不会干扰。
第3处理液供给部213c例如具有喷嘴Nz3、配管部Pp3、喷出阀Vv3以及液体输送供给部Su3。喷嘴Nz3例如能将属于处理液L1的一种的第3处理液L13朝向被保持部211保持的基板W喷出。在图4的例子中，喷嘴Nz3能从基板W的斜上方朝向基板W的上表面Us1喷出第3处理液L13。配管部Pp3连接液体输送供给部Su3与喷嘴Nz3，并形成第3处理液L13流动的路径。喷出阀Vv3例如配置于配管部Pp3的中途，并能根据来自部分控制单元PC2的信号进行开闭。在此，例如开放喷出阀Vv3，由此变成液体输送供给部Su3与喷嘴Nz3连通的状态。此外，例如关闭喷出阀Vv3，由此变成液体输送供给部Su3与喷嘴Nz3不连通的状态。液体输送供给部Su3例如能根据来自本体控制单元PC0或者部分控制单元PC2等的信号从例如液体贮存单元23(在此为第3贮存槽23tc)朝向配管部Pp3输送供给第3处理液L13。液体输送供给部Su3例如应用泵。
具有上述结构的处理单元21例如能依次进行从第1处理液供给部213a的喷嘴Nz1朝向基板W喷出第1处理液L11、从第2处理液供给部213b的喷嘴Nz2朝向基板W喷出第2处理液L12、从第3处理液供给部213c的喷嘴Nz3朝向基板W喷出第3处理液L13。
在此，从各个喷嘴Nz1至Nz3朝向基板W喷出的处理液L1例如被从基板W的侧方朝下方设置的罩(cup)等回收并返回至液体贮存单元23所对应的贮存槽23t。换言之，贮存于液体贮存单元23的处理液L1以循环的方式反复地使用于基板处理。此时，例如处理液L1呈现出根据使用次数而缓缓地劣化的倾向。在此，在处理液L1从处理单元21返回至液体贮存单元23时，也可通过过滤器等净化处理液L1。
此外，在此，例如也可在处理单元21存在有一个、两个或者四个以上的处理液供给部。
传感器部214例如能获取关于各个处理单元21中的基板处理的状况的指标相关的信号。在图4的例子中，传感器部214具有用以获取表示基板W的状态的一种以上的指标相关的信号的膜厚计Fm0以及拍摄部21sb。膜厚计Fm0例如能应用利用了光线的干扰的反射分光膜厚计等。该反射分光膜厚计例如能进行使用了棱镜等的分光，并使用转换式从光的干扰的强度高的波长的光计算膜厚。在此，在反射分光膜厚计中，例如只要针对每个材质根据取决于温度的折射率来修正用以计算膜厚的转换式，即能提升膜厚的计测精度。拍摄部21sb例如应用平面性地排列有受光元件的区域传感器等利用了拍摄元件的构件。
膜厚计Fm0例如固定于臂部Am1，该臂部Am1被可动部At0支撑为能够以沿着铅垂方向的轴作为中心旋转。而且，例如通过马达等驱动部的驱动力使臂部Am1转动，由此能对膜厚计Fm0位于基板W上的状态(可测定状态)与膜厚计Fm0未位于基板W上的状态(退避状态)进行切换。膜厚计Fm0例如也可在退避状态下被用以保护不被处理液L1附着的遮蔽构件(shield)保护。在此，一边通过旋转机构212使基板W适当地旋转一边使臂部Am1转动，由此，膜厚计Fm0能计测位于基板W上的广范围的各种膜的厚度(膜厚)。在此，膜厚也可为例如多个部位的膜厚的平均值、最小值以及最大值中的任一种。在此，作为位于基板W上的膜，例如能采用氧化膜、单晶硅(silicon single crystal)层、多晶硅(polycrystal silicon)层、非晶硅(amorphous silicon)层、抗蚀剂膜等各种膜。膜厚计Fm0例如能在处理单元21中通过处理液L1进行基板W的处理的前后，测定基板W上的膜的膜厚。因此，能获取作为关于处理单元21中的基板处理的状况的一个指标的膜厚相关的信号。膜厚计Fm0例如将所获得的信号送出至部分控制单元PC2。在图4中，虽然以在可测定状态中基板W的上表面Us1与膜厚计Fm0之间的距离比较远的方式简单地描绘，但实际上膜厚计Fm0在接近基板W的上表面Us1的状态下进行膜厚的测定。
拍摄部21sb例如在处理单元21中通过处理液L1进行基板W的处理的前后，拍摄基板W上的状况，由此，能获取作为关于处理单元21中的基板处理的状况的一个指标的基板W的上表面Us1的状态相关的图像信号。拍摄部21sb例如将所获得的图像信号送出至部分控制单元PC2。
传感器部214例如也可包括下述构件等：流量计，检测从各个喷嘴Nz1至Nz3喷出的处理液L1的喷出量；以及传感器(例如角度传感器等)，检测各个喷嘴Nz1、Nz2喷出处理液L1的位置(也称为喷出位置)。
(1-3-5.本体控制单元)
本体控制单元PC0例如能进行本体控制单元PC0与管理用装置10之间的数据发送与数据接收以及基板处理装置20中的各部的动作的控制等。
图5是表示基板处理装置20中的控制***以及数据发送接收***的连接方式的框图。在此，本体控制单元PC0、预定管理用控制单元PC1、多个部分控制单元PC2以及液体管理控制单元PC3以可经由控制用的通信线路L0c相互地发送以及接收各种控制用的信号的方式连接。此外，本体控制单元PC0、预定管理用控制单元PC1、多个部分控制单元PC2、液体管理控制单元PC3以及数据存储器NA1以可经由数据用的通信线路L0d相互地发送以及接收各种数据的方式连接。控制用的通信线路L0c以及数据用的通信线路L0d也可分别为有线线路以及无线线路中的任一者。
图6中的(a)是表示本体控制单元PC0的电气结构的一例的框图。如图6中的(a)所示，本体控制单元PC0例如由计算机等来实现，并具有经由总线Bu0连接的通信部P01、输入部P02、输出部P03、存储部P04、控制部P05以及驱动器P06。
通信部P01例如具有作为发送部以及接收部的功能，可经由控制用的通信线路L0c进行预定管理用控制单元PC1、多个部分控制单元PC2以及液体管理控制单元PC3之间的信号发送以及接收、经由数据用的通信线路L0d进行预定管理用控制单元PC1、多个部分控制单元PC2以及液体管理控制单元PC3等之间的数据的发送以及接收。此外，通信部P01例如具有经由通信线路5相对于管理用装置10发送信息以及接收信息的功能。换言之，通信部P01例如具有作为用以在通信部P01与管理用装置10之间发送信息以及接收信息的部分(也称为第2通信部)的功能。在该情况下，通信部P01例如能接收从管理用装置10所发送的每一组基板W的各个基板W的信息、任务以及两个以上的识别信息。
输入部P02例如能输入与使用基板处理装置20的用户的动作等相对应的信号。在此，与上述输入部12同样地，输入部P02例如能包括操作部、麦克风以及各种传感器等。输入部P02例如也能输入用以指示针对规程的信息的手动的修正的信号。
输出部P03例如能输出各种信息。与上述输出部13同样地，输出部P03例如能包括显示部以及扬声器等。显示部也可具有与输入部P02的至少一部分一体化的触控面板的形态。
存储部P04例如能存储信息。存储部P04例如能由硬盘或者闪存等非易失性的存储介质构成。在存储部P04中，也可采用例如具有一个存储介质的结构、一体性地具有两个以上的存储介质的结构以及将两个以上的存储介质区分成两个以上的部分的结构中的任一种结构。存储部P04例如能存储程序pg0、各种信息Dt0以及数据组Db0等。存储部P04也可例如包括后述的存储器P05b。
各种信息Dt0例如包括从管理用装置10发送而来的每一组基板W的各个基板W的信息、任务以及多个识别信息等。
图7是表示数据组Db0的内容的一例的图。如图7所示，数据组Db0例如包括液体处理规程组Gp1、计测处理规程组Gp2以及修正式组Gp3等。
液体处理规程组Gp1例如包括多个液体处理规程R1。在图7的例子中，多个液体处理规程R1包括第1液体处理规程R1a、第2液体处理规程R1b、第3液体处理规程R1c、第4液体处理规程R1d、第5液体处理规程R1e以及第6液体处理规程R1f。具体而言，多个液体处理规程R1例如能应用用以既定通过药液等实施蚀刻的药液处理的条件的规程、用以既定通过液体去除异物或者去除对象物的洗净处理的条件的规程、用以既定通过水冲洗的冲洗处理的条件的规程以及用以既定涂敷抗蚀剂等的涂敷处理的条件的规程等。此外，例如药液处理在由使用了第1处理液L11的处理、使用了第2处理液L12的处理、使用了第3处理液L13的处理以及干燥处理等构成的情况下，多个液体处理规程R1也可个别地应用用以既定使用了第1处理液L11的处理的条件的规程、用以既定使用了第2处理液L2的处理的条件的规程、用以既定使用了第3处理液L13的处理的条件的规程以及用以既定干燥处理的条件的规程等。在此，例如第1处理液L11例如能应用作为蚀刻液的混合了氢氟酸与硝酸的氢氟硝酸。第2处理液L12例如能应用作为洗净液的混合了氨水与过氧化氢水的混合液(SC1液体)。第3处理液L13例如能应用作为冲洗液的纯水。此外，例如由使用了第1处理液L11的处理、使用了第2处理液L12的处理、使用了第3处理液L13的处理以及干燥处理等所构成的药液处理的条件可由一个液体处理规程R1规定，也可由两个以上的任意数量的液体处理规程R1规定。
计测处理规程组Gp2例如包括多个计测处理规程R2。在图7的例子中，多个计测处理规程R2包括第1计测处理规程R2a、第2计测处理规程R2b、第3计测处理规程R2c、第4计测处理规程R2d、第5计测处理规程R2e以及第6计测处理规程R2f。计测处理规程R2例如既定传感器部214的计测处理的条件，该传感器部214用以获取关于处理单元21中的基板处理的状况的指标相关的信号。例如，考虑计测处理规程R2为既定使用膜厚计Fm0计测基板W上的膜的厚度的条件的方式。再者，多个计测处理规程R2例如能包括用以分别规定通过膜厚计Fm0计测膜厚的位置以及计测次数相互不同的计测的条件的规程。此外，计测处理规程组Gp2例如也可包括一个以上的计测处理规程R2，也可包括两个以上的任意数量的计测处理规程R2。
如此，数据组Db0包括多个处理规程，所述多个处理规程包括多个液体处理规程R1以及一个以上的计测处理规程R2。
修正式组Gp3例如包括第1修正式组Gp31以及第2修正式组Gp32。第1修正式组Gp31例如包括用以修正液体处理规程R1的至少一部分的条件的一个以上的第1修正式C31。在图7的例子中，一个以上的第1修正式C31包括第1A修正式C31a、第1B修正式C31b、第1C修正式C31c、第1D修正式C31d、第1E修正式C31e以及第1F修正式C31f。各个第1修正式C31例如应用用以基于由传感器部22s、23s、214获取的指标的信号修正液体处理规程R1的至少一部分的条件的修正式。
例如，考虑下述方式：在液体处理规程R1既定使用处理液进行基板W的膜的蚀刻的时间(也称为蚀刻时间)等条件的情况下，第1修正式C31用于根据处理液的浓度、温度以及蚀刻率(etching rate)等指标，变更由液体处理规程R1规定的条件的一部分即修正对象的数值即蚀刻时间等。蚀刻时间例如应用对基板W供给蚀刻液的供给时间等。在该情况下，考虑下述修正式：例如将指标应用于变量，由此计算用以乘以修正对象即条件的一部分即数值(例如蚀刻时间)来修正该数值的系数(也称为修正系数)。此时，例如修正式可为对包括一个变量的部分附加系数的修正式，也可为对包括两个以上的变量的部分分别附加系数的修正式。例如考虑下述修正式：将第2值乘上第1值，由此计算修正系数，该第1值是将第1系数乘上包括第1变量的部分而获得的值，该第2值是将第2系数乘上包括第2变量的部分而获得的值。再者，例如修正式也可为在将修正系数(也称为第1修正系数)乘上修正对象的数值后再加上第3值(也称为第2修正系数)的修正式，该第3值是将第3系数乘上包括第3变量的部分而获得的值。
在此，例如将修正系数的初始值设定为1。此外，例如，包括第1变量的部分可相对于第1指标的变化阶段性地变化，包括第2变量的部分可相对于第2指标的变化阶段性地变化。在此，例如设想下述情况：第1指标是通过一个处理单元21对基板W最近实施的蚀刻处理中的蚀刻率(也称为第1蚀刻率)，第2指标是通过另一个处理单元21对基板W最近实施的蚀刻处理中的蚀刻率(也称为第2蚀刻率)，第3指标是用以表示贮存槽23t中的处理液L1从最近的液体交换后起的使用次数的数值。在该情况下，例如第1系数至第3系数作为对第1指标至第3指标加上权重的系数而发挥作用。在此，例如将第1系数设定成0至1的任意的数字(例如为0.8等)，将第2系数设定成(1-(第1系数)等)，将第3系数设定成任意的数字(例如0.1等)。而且，考虑例如下述方式：当以作为第1指标的第1蚀刻率除以第1蚀刻率的基准值所得的值为0.95至1.05时，则包括第1变量的部分设定成1；当以作为第1指标的第1蚀刻率除以基准的蚀刻率所得的值为1.05至1.15时，则包括第1变量的部分系设定成1.1。此外，考虑例如下述方式：当以作为第2指标的第2蚀刻率除以第2蚀刻率的基准值所得的值为0.95至1.05时，则包括第2变量的部分设定成1；当以作为第2指标的第2蚀刻率除以第2蚀刻率的基准值所得的值为1.05至1.15时，则包括第2变量的部分设定成1.1。包括第2变量的部分例如也可设定成与包括第1变量的部分相同的值。此外，关于包括第3变量的部分，例如在新的处理液L1的情况下，表示使用次数的数值为0，根据处理液L1的使用，表示使用次数的数值变成1以上的自然数。在此，考虑下述方式：例如处理液L1根据使用次数而处理能力降低，在使用次数为一次的情况下，蚀刻时间延长0.1小时，在使用次数为两次的情况下，蚀刻时间延长0.2小时。
第2修正式组Gp32例如包括用以修正计测处理规程R2的至少一部分的条件的一个以上的第2修正式C32。在图7的例子中，一个以上的第2修正式C32包括第2A修正式C32a、第2B修正式C32b、第2C修正式C32c、第2D修正式C32d、第2E修正式C32e以及第2F修正式C32f。各个第2修正式C32例如应用下述修正式：基于通过传感器部22s、23s、214等所获取的指标的信号来修正计测处理规程R2的至少一部分的条件。在此，例如考虑下述方式：在计测处理规程R2既定用以使用膜厚计Fm0计测基板W的膜的厚度(膜厚)的条件的情况下，第2修正式C32用于根据处理单元21的温度等指标，变更用以计算由计测处理规程R2规定的条件的一部分即膜厚的变换式的修正处理。在这种方式中，第2修正式C32例如能针对每个膜的材质设定。
控制部P05例如包括作为处理器发挥作用的运算处理部P05a以及用以暂时性地存储信息的存储器P05b等。运算处理部P05a例如能采用CPU等电子电路。存储器P05b例如能采用RAM等。运算处理部P05a例如能通过读入并执行存储于存储部P04的程序Pg0来实现本发明的本体控制单元PC0的功能。通过控制部P05中的各种信息处理而暂时性地获得的各种信息能适当地存储于存储器P05b等。
驱动器P06例如为可将便携式的存储介质RM0装卸的部分。驱动器P06例如能在安装有存储介质RM0的状态下进行存储介质RM0与控制部P05之间的数据的授受。另外，在将存储有程序Pg0的存储介质RM0安装至驱动器P06的状态下，驱动器P06也可从存储介质RM0将程序Pg0读入并存储至存储部P04内。
图6中的(b)是表示通过运算处理部P05a所实现的功能性的结构的一例的框图。如图6中的(b)所示，运算处理部P05a例如具有信息获取部F01、制作部F02、存储控制部F03、指示部F04、输出控制部F05以及发送控制部F06作为所实现的功能性的结构。作为在各部中的处理时的工作空间，例如使用存储器P05b。在此，例如通过运算处理部P05a所实现的功能的至少一部分也可通过专用的电子电路来实现。
信息获取部F01例如能获取从管理用装置10所发送的每一组基板W的各个基板W的信息、任务以及两个以上的识别信息。各个基板W的信息例如能包括在承载器C中保持有基板W的插槽的号码、基板W的形态(膜厚以及膜厚的分布等)以及已处理信息。两个以上的识别信息例如包括两个以上的规程识别信息以及与这两个以上的规程识别信息中的至少一个规程识别信息相关联的至少一个修正式识别信息。
制作部F02例如能制作用以规定关于基板W的一连串的处理的流程的规程(也称为流程规程)FL1。例如，制作部F02通过使存储部P04所存储的用以分别规定处理的条件的多个处理规程中的两个以上的处理规程组合，由此能制作用以规定关于基板W的一连串的处理的流程的流程规程FL1。在第1实施方式中，制作部F02例如基于信息获取部F01所获取的两个以上的识别信息，使存储部P04所存储的多个处理规程中的两个以上的处理规程组合，由此能制作流程规程FL1。在此，例如能根据两个以上的识别信息的记述顺序等设定两个以上的处理规程的组合顺序。如此，例如能针对容纳于一个承载器C的二十五片基板W等一组基板W制作一个流程规程FL1。
而且，只要采用这种结构，例如即使关于基板W的一连串的处理的条件增加，也能通过使预先准备的多个处理规程中的两个以上的处理规程组合，能够制作流程规程FL1，以代替增加事前准备的流程规程FL1的数量。因此，例如能减少在基板处理***1、基板处理***1以及基板处理装置20等中预先准备的数据量。其结果，例如能减少在基板处理***1、管理用装置10以及基板处理装置20中所使用的数据量。
在此，考虑下述方式：构成流程规程FL1的两个以上的处理规程例如包括两个以上的液体处理规程R1。图8是表示流程规程FL1的一例的图。图8所示的流程规程FL1例如能通过依次组合存储部P04所存储的多个液体处理规程R1中的第4液体处理规程R1d、第1液体处理规程R1a、第5液体处理规程R1e来制作。在此，例如第4液体处理规程R1d既定使用了氢氟硝酸等第1处理液L11的处理(蚀刻处理等)的条件，第1液体处理规程R1a例如既定使用了SC1液体等第2处理液L12的处理(杂质部的去除处理等)的条件，第5液体处理规程R1e例如既定使用了纯水等第3处理液L13的处理(冲洗处理等)的条件。在该情况下，制作部F02例如通过使存储部P04所存储的多个液体处理规程R1中的两个以上的液体处理规程R1组合，由此制作流程规程FL1。只要采用这种构成，例如即使关于基板W的一连串的处理的条件增加，也能使预先准备的多个处理规程中的两个以上的液体处理规程组合来制作流程规程FL1，以代替增加事前准备的流程规程FL1的数量。其结果，例如能减少在基板处理***1、管理用装置10以及基板处理装置20等中所使用的数据量。
此外，在此，考虑下述方式：构成流程规程FL1的两个以上的处理规程例如包括一个以上的液体处理规程R1以及一个以上的计测处理规程R2。图9是表示流程规程FL1的另一例的图。图9所示的流程规程FL1例如能通过依次组合存储部P04所存储的多个液体处理规程R1中的第2计测处理规程R2d、第4液体处理规程R1d、第1液体处理规程R1a、第5液体处理规程R1e以及第2计测处理规程R2d来制作。在此，例如考虑下述方式：第2计测处理规程R2b既定用以计测基板W中的薄膜的膜厚的条件。在该情况下，制作部F02例如通过使存储部P04所存储的多个液体处理规程R1中的一个以上的液体处理规程R1以及存储部P04所存储的多个计测处理规程R2中的一个以上的计测处理规程R2组合，由此制作流程规程FL1。只要采用这种构成，例如不仅能包括液体处理也包括计测处理，并能组合多个处理规程中的两个以上的处理规程来制作流程规程FL1。由此，例如即使关于包括计测的基板W的一连串的处理的条件增加，也能组合预先准备的多个处理规程中的两个以上的处理规程来制作流程规程FL1，以代替增加事前准备的流程规程FL1的数量。其结果，例如能减少在基板处理***1、管理用装置10以及基板处理装置20等中所使用的数据量。
此外，在此，构成流程规程FL1的两个以上的处理规程中的至少一个处理规程也可组合有至少一个修正式。图10是表示流程规程FL1的其他另一例的图。图10所示的流程规程FL1例如能通过下述方式制作：依次组合存储部P04所存储的多个处理规程中的第2计测处理规程R2b、第4液体处理规程R1d、第1液体处理规程R1a、第5液体处理规程R1e、第2计测处理规程R2b，并且各个处理规程组合有第1修正式C31或者第2修正式C32。具体而言，在此，例如第2计测处理规程R2b组合有第2A修正式C32a，第4液体处理规程R1d组合有第1E修正式C31e，第1液体处理规程R1a组合有第1C修正式C31c，第5液体处理规程R1e组合有第1F修正式C31f，第2计测处理规程R2b组合有第2A修正式C32a。在该情况下，制作部F02例如通过在两个以上的处理规程中的至少一个处理规程中组合至少一个修正式，来制作流程规程FL1。由此，例如即使也包括处理的修正的处理的条件增加，也能通过组合预先准备的多个处理规程中的两个以上的处理规程，并且将预先准备的多个修正式中的至少一个修正式组合至至少一个处理规程，来制作流程规程FL1，以代替增加事前准备的流程规程FL1的数量。其结果，例如能减少在基板处理***1、管理用装置10以及基板处理装置20等中所使用的数据量。
存储控制部F03例如能使由信息获取部F01获得的信息以及由制作部F02制作的流程规程FL1等存储于存储部P04。此外，存储控制部F03能使从管理用装置10或者存储介质RM0输入的数据组Db0的信息存储于存储部P04。
指示部F04例如能对预定管理用控制单元PC1、多个部分控制单元PC2以及液体管理控制单元PC3进行各种指示。指示部F04例如能对预定管理用控制单元PC1进行指示以设定关于基板处理装置20中的一组基板W的搬运以及处理的时间排程(time schedule)，能对多个部分控制单元PC2进行指示以进行按照流程规程FL1以及时间排程的动作，能对液体管理控制单元PC3进行指示以进行处理液L1的温度调节、交换以及监控等。时间排程例如规定搬运单元24对于基板W的搬运时机以及多个处理单元21对于基板W的处理时机等。由此，例如多个处理单元21能根据用以既定对基板W实施的处理的条件的流程规程FL1来对基板W实施处理。在第1实施方式中，例如能在多个处理单元21中的两个以上的处理单元21中，根据同样的规程对基板W并行地实施相同的处理。在此，相同的处理是指在处理单元21内使用相同的一种以上的处理液L1以及传感器部214以相同的顺序进行的处理。而且，例如即使通过液体处理规程R1的修正使使用了处理液L1的液体处理的时间增减，或者即使通过计测处理规程R2的修正使使用了传感器部214等的计测处理的时间等增减，只要在处理单元21内使用相同的一种以上的处理液L1以及传感器部214以相同的顺序进行处理，则能视为相同的处理。
输出控制部F05例如能使输出部P03可视性或者可听性地输出关于基板处理装置20的状态的信息。
发送控制部F06例如能使通信部P01执行向管理用装置10发送各种信息。在此，各种信息例如能包括对于基板处理装置20中的各个承载器C的一组基板W的处理的结果的信息。此外，发送控制部F06例如能使通信部P01执行向预定管理用控制单元PC1以及多个部分控制单元PC2发送流程规程FL1的信息。
(1-3-6.预定管理用控制单元)
预定管理用控制单元PC1例如能根据来自本体控制单元PC0的指示，针对容纳于承载器C的一组基板W进行与流程规程FL1相对应的时间排程的设定。时间排程例如规定通过搬运单元24将构成容纳于承载器C的一组基板W的多个基板W按序地搬运至多个处理单元21的时机以及对多个基板W实施处理的时机。
图11中的(a)是表示预定管理用控制单元PC1的电气结构的一例的框图。如图11中的(a)所示，预定管理用控制单元PC1例如由计算机等实现，并具有经由总线Bu1连接的通信部P11、存储部P14以及控制部P15。
通信部P11例如具有作为发送部以及接收部的功能，可经由控制用的通信线路L0c进行通信部P11与本体控制单元PC0等之间的信号的发送以及信号的接收，并能经由数据用的通信线路L0d进行通信部P11与本体控制单元PC0等之间的数据的发送以及数据的接收。
存储部P14例如能存储信息。存储部P14例如能由硬盘或者闪存等非易失性的存储介质构成。在存储部P14中，也可采用例如具有一个存储介质的结构、一体性地具有两个以上的存储介质的结构以及将两个以上的存储介质区分成两个以上的部分的结构中的任一种结构。存储部P14例如能存储程序Pg1以及各种信息Dt1。存储部P14也可例如包括后述的存储器P15b。
控制部P15例如包括作为处理器发挥作用的运算处理部P15a以及用以暂时性地存储信息的存储器P15b等。运算处理部P15a例如能采用CPU等电子电路，存储器P15b例如能采用RAM等。运算处理部P15a例如能通过读入并执行存储于存储部P14的程序Pg1来实现预定管理用控制单元PC1的功能。通过控制部P15中的各种信息处理而暂时性地获得的各种信息也能适当地存储于存储器P15b等。
图11中的(b)是表示由运算处理部P15a实现的功能性的结构的一例的框图。如图11中的(b)所示，运算处理部P15a例如具有获取部F11、设定部F12以及发送控制部F13作为所实现的功能性的结构。作为各部的处理中的工作空间，例如使用存储器P15b。在此，例如由运算处理部P15a实现的功能的至少一部分也可由专用的电子电路来实现。
获取部F11能获取由本体控制单元PC0制作的流程规程FL1的信息。
设定部F12例如能根据由获取部F11所获取的流程规程FL1来进行时间排程的设定。
发送控制部F13例如能使通信部P11执行向本体控制单元PC0发送各种信息。在此，各种信息例如能包括由设定部F12设定的时间排程的信息等。
(1-3-7.部分控制单元)
多个部分控制单元PC2例如能根据来自本体控制单元PC0的指示，控制多个处理单元21以及搬运单元24的动作。在第1实施方式中，在每个处理单元21设置有专用的部分控制单元PC2，在搬运单元24也设置有专用的部分控制单元PC2。处理单元21的部分控制单元PC2例如能一边适当地监控处理单元21的各部的动作以及状态一边控制处理单元21的各部的动作。搬运单元24的部分控制单元PC2例如能一边适当地监控搬运单元24的各部的动作以及状态一边控制搬运单元24的各部的动作。此外，在此，例如也可在两个以上的处理单元21设置有一个部分控制单元PC2，搬运单元24的动作也可由本体控制单元PC0控制。
图12中的(a)是表示部分控制单元PC2的电气结构的一例的框图。如图12中的(a)所示，部分控制单元PC2例如由计算机等实现，并具有经由总线Bu2连接的通信部P21、存储部P24以及控制部P25。
通信部P21例如具有作为发送部以及接收部的功能，可经由控制用的通信线路L0c进行通信部P21与本体控制单元PC0等之间的信号的发送以及信号的接收，并能经由数据用的通信线路L0d进行通信部P21与本体控制单元PC0以及数据存储器NA1等之间的数据的发送以及数据的接收。
存储部P24例如能存储信息。存储部P24例如能由硬盘或者闪存等非易失性的存储介质构成。在存储部P24中，也可采用例如具有一个存储介质的结构、一体性地具有两个以上的存储介质的结构以及将两个以上的存储介质区分成两个以上的部分的结构中的任一种结构。存储部P24例如能存储程序Pg2以及各种信息Dt2。存储部P24也可例如包括后述的存储器P25b。
控制部P25例如包括作为处理器发挥作用的运算处理部P25a以及用以暂时性地存储信息的存储器P25b等。运算处理部P25a例如能采用CPU等电子电路，存储器P25b例如能采用RAM等。运算处理部P25a例如能通过读入并执行存储于存储部P24的程序Pg2来实现部分控制单元PC2的功能。通过控制部P25中的各种信息处理而暂时性地获得的各种信息也能适当地存储于存储器P25b等。
图12中的(b)是表示由运算处理部P25a所实现的功能性的结构的一例的框图。如图12中的(b)所示，运算处理部P25a具有例如规程获取部F21、信息获取部F22、规程修正部F23、存储控制部F24、单元控制部F25以及发送控制部F26作为所实现的功能性的结构。作为各部的处理中的工作空间，例如使用存储器P25b。在此，例如由运算处理部P25a所实现的功能的至少一部分也可由专用的电子电路来实现。
规程获取部F21例如能从本体控制单元PC0获取流程规程FL1。
信息获取部22例如能获得关于存储于数据存储器NA1的数据组DG1的多个处理单元21彼此中的基板处理的状况的一种以上的指标的数据。该信息获取部F22例如也可从数据存储器NA1的数据组DG1选择性地获得在规程修正部F23中使用的一种以上的指标的数据。在规程修正部F23中使用的一种以上的指标的数据例如能通过参照在流程规程FL1中与处理规程相关联的至少一个修正式来识别。
规程修正部F23例如能使用与处理规程相关联的至少一个修正式修正流程规程FL1中的处理规程。在此，例如规程修正部F23根据由传感器部22s、23s、214获取的指标的信号，由流程规程FL1中的至少一个修正式计算一个以上的修正系数，并使用计算出的一个以上的修正系数修正该流程规程FL1中与至少一个修正式相关联的至少一个处理规程所规定的一部分的条件。在此，如上所述，一个以上的修正系数可为一个，也可为两个以上。而且，例如考虑下述方式：在利用一个处理单元21处理一组基板W中的一片基板W之前的预定的时机，规程修正部F23针对该一片基板W的处理修正处理规程。作为预定的时机，考虑在使用对一片基板W实施处理的一个处理单元21之前结束对另一片基板W的处理的时机。在该情况下，响应结束对使用一个处理单元21的一片基板W的处理，规程修正部F23修正关于下一片基板W的处理规程。
存储控制部F24例如能将由规程获取部F21所获取的流程规程FL1、由规程修正部F23修正后的处理规程(也称为修正后的处理规程)以及由规程修正部F23计算出的一个以上的修正系数存储至存储部P24。由此，存储部P24的各种信息Dt2例如能包括流程规程FL1、修正后的处理规程以及一个以上的修正系数。
单元控制部F25例如能基于流程规程FL1通过处理单元21执行对于基板W的处理。在此，例如若通过规程修正部F23修正处理规程，则单元控制部F25基于包括修正后的处理规程的流程规程FL1通过处理单元21执行对于基板W的处理。此外，处理单元21的单元控制部F25例如能控制传感器部214的动作。此外，搬运单元24的单元控制部F25例如能控制传感器部22s的动作。传感器部214以及传感器部22s的动作的条件例如由计测处理规程所规定。由此，传感器部214以及传感器部22s能获取关于处理单元21中的基板处理的状况的一种以上的指标的信号。此时，单元控制部F25例如能从传感器部214以及传感器部22s获取一种以上的指标的信号。在此，单元控制部F25例如也可由处理前后的膜厚以及处理时间计算出蚀刻率，作为基于一种以上的指标的信号的数值。此时，处理前的膜厚例如可为由传感器部214所获得的基板W的膜厚，也可为本体控制单元PC0从管理用装置10所获得的基板W的膜厚。此外，例如部分控制单元PC2也可对从传感器部214所获得的图像信号实施图像处理，由此计算用以表示基板W的表面的不均的程度等的数值，作为基于一种以上的指标的信号的数值。
发送控制部F26例如能使通信部P21执行向本体控制单元PC0以及数据存储器NA1发送各种信息。在此，发送至本体控制单元PC0的各种信息例如能包括已结束基板处理的信息、实际上对基板W实施的处理的历程(工艺日志(process log))、由规程修正部F23修正的修正后的规程的信息以及使用传感器部22s、214所获取的一种以上的指标的数据等。此外，向数据存储器NA1发送的各种信息例如能包括使用传感器部22s、214所获取的一种以上的指标的数据等。
(1-3-8.液体管理控制单元)
液体管理控制单元PC3例如控制液体贮存单元23所包括的各部的动作，由此能管理液体贮存单元23内的处理液L1的状态。
图13中的(a)是表示液体管理控制单元PC3的电气结构的一例的框图。如图13中的(a)所示，液体管理控制单元PC3例如由计算机等所实现，并具有经由总线Bu3连接的通信部P31、存储部P34以及控制部P35。
通信部P31例如具有作为发送部以及接收部的功能，可经由控制用的通信线路L0c进行通信部P31与本体控制单元PC0等之间的信号的发送以及信号的接收，并能经由数据用的通信线路L0d进行通信部P31与本体控制单元PC0以及数据存储器NA1之间的数据的发送以及数据的接收。
存储部P34例如能存储信息。存储部P34例如能由硬盘或者闪存等非易失性的存储介质构成。在存储部P34中，也可采用例如具有一个存储介质的结构、一体性地具有两个以上的存储介质的结构以及将两个以上的存储介质区分成两个以上的部分的结构中的任一种结构。存储部P34例如能存储程序Pg3以及各种信息Dt3等。存储部P34也可例如包括后述的存储器P35b。
控制部P35例如包括作为处理器而发挥作用的运算处理部P35a以及用以暂时性地存储信息的存储器P35b等。运算处理部P35a例如能采用CPU等电子电路，存储器P35b例如能采用RAM等。运算处理部P35a例如能通过读入并执行存储于存储部P34的程序Pg3来实现液体管理控制单元PC3的功能。通过控制部P35中的各种信息处理而暂时性地获得的各种信息也能适当地存储于存储器P35b等。
图13中的(b)是表示由运算处理部P35a所实现的功能性的结构的一例的框图。如图13中的(b)所示，运算处理部P35a具有例如信息获取部F31、单元控制部F32、液体管理部F33以及发送控制部F34作为所实现的功能性的结构。作为各部的处理中的工作空间，例如使用存储器P35b。在此，例如由运算处理部P35a所实现的功能的至少一部分也可由专用的电子电路所实现。
信息获取部F31例如能获取来自本体控制单元PC0的各种指示。各种指示例如包括用以进行处理液L1的温度调整、交换以及监视等。
单元控制部F32例如能控制液体贮存单元23中的动作。单元控制部F32例如能使各个贮存槽23t的传感器部23s获取用以表示处理液L1的状态的物理量的信号。由此，传感器部23s能获取关于处理单元21中的基板处理的状况的一种以上的指标的信号。此外，单元控制部F32例如能使加热部HR加热各个贮存槽23t内的处理液L1。此外，例如在各个贮存槽23t具有用以自动地交换处理液L1的液体交换部的情况下，单元控制部F32能通过液体交换部交换各个贮存槽23t内的处理液L1。
液体管理部F33例如能管理从各个贮存槽23t中的处理液L1的液体交换起的经过时间以及处理液L1的使用次数。经过时间例如能将最近交换处理液L1的时刻作为基准并通过时钟的功能予以识别并管理。处理液L1的使用次数例如能基于贮存于各个贮存槽23t的处理液L1的量以及从各个贮存槽23t向多个处理单元21供给处理液L1的供给量予以识别并管理。
发送控制部F34例如能使通信部P31执行向本体控制单元PC0以及数据存储器NA1发送各种信息。在此，发送至本体控制单元PC0的各种信息例如能包括从各个贮存槽23t中的处理液L1的液体交换起的经过时间以及处理液L1的使用次数的信息等。此外，向数据存储器NA1发送的各种信息例如包括使用传感器部23s所获取的一种以上的指标的信息以及从各个贮存槽23t中的处理液L1的液体交换起的经过时间以及处理液L1的使用次数的信息等。
(1-3-9.数据存储器)
数据存储器NA1例如能基于由各个传感器部22s、23s、214等所获取的信号，存储关于多个处理单元21彼此中的基板处理的状况的一种以上的指标的数据组DG1。数据组DG1例如也可包括从液体管理控制单元PC3发送的从各个贮存槽23t中的处理液L1的液体交换起的经过时间以及处理液L1的使用次数的信息，作为关于多个处理单元21彼此中的基板处理的状况的一种以上的指标的数据。数据存储器NA1例如可应用硬盘或者闪存等非易失性的存储介质，也可应用RAM等挥发性的存储介质。
图14是表示存储于数据存储器NA1的数据组DG1的内容的一例的图。如图14所示，数据组DG1例如能包括用以表示内部空间Sc0中的环境的状态的指标的数值(例如环境的温度、气体的供给量等)、用以表示处理液L1的状态的指标的数值(例如浓度、pH、温度、从液体交换起的经过时间、处理液L1的使用次数等)、基板W的状态的指标的数值(例如处理前后的膜厚、蚀刻速度、基板表面的不均的程度)等。此外，数据组DG1例如也可包括用以表示处理液L1的喷出状态的指标的数值(喷出量、喷出位置等)。在此，在数据存储器NA1中，例如数据组DG1所含有的各种数据被覆写，由此设定成最新的指标的数据。此外，数据组DG1所含有的各种数据也可例如包括用以表示是被哪一个部分(处理单元21或者贮存槽23t等)的哪一个传感器部22s、23s、214所获取的数据。
(1-4.流程规程制作动作)
图15是表示流程规程FL1的制作的动作流程的一例的流程图。在此，例如通过本体控制单元PC0的运算处理部P05a执行程序Pg0，并通过预定管理用控制单元PC1的运算处理部P15a执行程序Pg1，由此本体控制单元PC0与预定管理用控制单元PC1协同动作，实现图15所示的流程规程FL1的制作的动作流程。
首先，在图15的步骤Sp1中，本体控制单元PC0的存储控制部F03使用以分别规定与多个处理单元21对基板W实施的处理相关的处理的条件的多个处理规程以及修正式存储于存储部P04。由此，在存储部P04存储有数据组Db0。在此，多个处理规程例如包括用以分别规定使用处理液L1对基板W实施的处理的条件的多个液体处理规程R1。
在步骤Sp2中，本体控制单元PC0的信息获取部F01判定是否已从管理用装置10获取任务。在此，例如信息获取部F01响应容纳有一组基板W的承载器C被载置于装载埠LP的情况，反复进行步骤Sp2的判定，直至从管理用装置10获得承载器C所容纳的一组基板W的任务为止。接着，只要信息获取部F01获得任务，则进入至步骤Sp3。
在步骤Sp3中，本体控制单元PC0的信息获取部F01从管理用装置10获取与在步骤Sp1所获得的任务相对应的两个以上的识别信息以及关于包括各个基板W的信息的一组基板W的信息。两个以上的识别信息系能包括：规程识别信息，用以分别确定液体处理的液体处理规程以及计测处理的计测处理规程；以及修正式识别信息，用以确定修正处理的修正式。
在步骤Sp4中，本体控制单元PC0的制作部F02制作流程规程FL1。在此，例如通过组合在步骤Sp1中存储于存储部P04的多个处理规程中的两个以上的处理规程，由此制作流程规程FL1。两个以上的处理规程例如与存储于存储部P04的数据组Db0中的在步骤Sp3中所获取的两个以上的识别信息相对应。在此，若在步骤Sp3所获取的两个以上的识别信息包括修正式识别信息，则也可通过将存储于存储部P04的数据组Db0中的与该修正式识别信息对应的修正式组合至处理规程，由此制作流程规程FL1。
在步骤Sp5中，本体控制单元PC0的存储控制部F03将在步骤Sp4中所制作的流程规程FL1存储至存储部P04，本体控制单元PC0的发送控制部F06通过通信部P01将在步骤Sp4中所制作的流程规程FL1发送至预定管理用控制单元PC1。
在步骤Sp6中，预定管理用控制单元PC1的设定部F12根据在步骤Sp4中所制作的流程规程FL1，进行时间排程的设定。
在步骤Sp7中，预定管理用控制单元PC1的发送控制部F13通过通信部P11将在步骤Sp6中所设定的时间排程的信息发送至本体控制单元PC0。
在步骤Sp8中，本体控制单元PC0的指示部F04对多个部分控制单元PC2进行指示，以进行按照流程规程FL1以及时间排程的动作。此时，多个处理单元21按照在步骤Sp4中所制作的流程规程FL1对基板W实施处理。由此，根据时间排程以及流程规程FL1对一组基板W实施处理。
通过这种动作流程，例如即使关于基板W的一连串的处理的条件增加，也能组合预先准备的多个处理规程中的两个以上的处理规程来制作流程规程FL1，以代替增加事前准备的流程规程的数量。由此，例如能减少在基板处理***1以及基板处理装置20等中预先准备的数据量。其结果，例如能减少在基板处理***1、管理用装置10以及基板处理装置20中使用的数据量。
(1-5.处理规程的修正动作)
图16是表示处理规程的修正的动作流程的一例的流程图。在此，例如处理单元21的部分控制单元PC2中的运算处理部P25a通过执行程序Pg2，由此实现处理规程的修正的动作流程。
首先，在图16的步骤Sp11中，部分控制单元PC2的单元控制部F25判定处理单元21中的一片基板W的处理是否已结束。在此，单元控制部F25反复进行步骤Sp11的判定，直至处理单元21中按照流程规程FL1的一片基板W的处理结束为止。接着，若单元控制部F25结束处理单元21中按照流程规程FL1的一片基板W的处理，则进入至步骤Sp12。
在步骤Sp12中，部分控制单元PC2的信息获取部F22从数据存储器NA1获得关于多个处理单元21彼此中的基板处理的状况的一种以上的指标的数据。在此，例如能根据与流程规程FL1的处理规程相关联的修正式，从数据存储器NA1获取处理规程的修正所需的一种以上的指标的数据。
在步骤Sp13中，部分控制单元PC2的规程修正部F23针对在步骤Sp11中结束处理单元21中的处理的一片基板W的下一个在该处理单元21中处理的一片基板W，修正流程规程FL1所包括的一个以上的处理规程。在此，规程修正部F23例如基于与一个以上的处理规程相关联的修正式以及在步骤Sp12中所获得的一种以上的指标的数据，修正流程规程FL1所包括的上述一个以上的处理规程。由此，例如能在多个处理单元21对一组基板W按序实施处理时，针对每个基板W以接近实时的状态修正处理规程。
在步骤Sp14中，处理单元21中的部分控制单元PC2的单元控制部F25在处理单元21执行与流程规程FL1相对应的动作。在此，例如针对如图10所示的流程规程FL1，若在步骤Sp13中修正处理规程，则单元控制部F25在处理单元21执行与包括在步骤Sp13中所修正的一个以上的处理规程的流程规程FL1相对应的动作。
此外，在此，在通过处理单元21按照流程规程FL1对基板W实施处理时，在例如用以表示由传感器部214所获取的基板W的状态的一种以上的指标的信号满足规定的条件的情况下，部分控制单元PC2中的运算处理部P25a的发送控制部F26也可通过通信部P11将用以表示流程规程FL1中的处理规程与修正式的组合的信息(也称为组合信息)发送至本体控制单元PC0。接着，例如本体控制单元PC0中的运算处理部P05a的发送控制部F06可通过作为第2通信部的通信部P01将该组合信息发送至管理用装置10。
在此，规定的条件例如应用下述条件：想通过处理单元21按照流程规程FL1对基板W实施处理，由此在用以表示基板W的状态的一种以上的指标中实现。具体而言，例如在对基板W实施按照流程规程FL1的处理从而通过蚀刻处理欲将基板W的膜厚设定成小于规定的目标值的情况下，采用用以表示基板W的状态的一种的指标即膜厚小于规定的目标值的条件作为规定的条件。并且，例如在处理单元21中按照图10所示的流程规程FL1对基板W实施处理的情况下，若通过按照最后的第2计测处理规程R2b的计测处理所获得的基板W的膜厚小于规定的目标值，则用以表示通过传感器部214所获取的基板W的状态的一种以上的指标的信号满足规定的条件。
当采用这种构成时，例如在基于组合有修正式的处理规程的处理产生良好的结果的情况下，将用以表示处理规程与修正式的组合的组合信息发送至管理用装置10，由此，即使是其他的基板处理装置20也能利用该良好的处理规程与修正式的组合。
(1-6.第1实施方式的汇总)
如上所述，第1实施方式的基板处理***1以及基板处理装置20例如通过使包括多个液体处理的多个处理规程中的两个以上的处理规程组合，由此制作流程规程FL1。因此，例如即使关于基板W的一连串的处理的条件增加，也能组合预先准备的多个处理规程中的两个以上的处理规程来制作流程规程FL1，以代替增加事前准备的流程规程的数量。此时，例如制作部F02能组合与来自管理用装置10的两个以上的识别信息相对应的两个以上的处理规程来制作流程规程FL1。由此，例如能减少在基板处理***1、管理用装置10以及基板处理装置20等中预先准备的数据量。其结果，例如能减少在基板处理***1、管理用装置10以及基板处理装置20等中使用的数据量。
(1-7.其他实施方式)
本发明并未限定于上述第1实施方式，可在未脱离本发明的构思的范围中进行各种变更以及改良等。
(1-7-1.第2实施方式)
在上述第1实施方式中，例如也可在处理单元21中的按照流程规程FL1针对一片基板W的处理中，根据该一片基板W的状态制作处理的流程分支的流程规程FL1。
在该情况下，例如传感器部214能获取用以表示基板W的状态的一种以上的指标的信号。该一种以上的指标例如能包括基板W的膜厚。此外，计测处理规程组Gp2的多个计测处理规程R2例如包括第1计测处理规程R2a，该第1计测处理规程R2a既定传感器部214的计测处理的条件，该传感器部214用以获取表示基板W的状态的一种以上的指标的信号。数据组群Db0例如包括分支处理规程组Gp4。
图17是表示第2实施方式的数据组Db0所包括的分支处理规程组Gp4的一例的图。分支处理规程组Gp4例如包括用以使处理的流程分支的多个分支处理规程C4。在图17的例子中，多个分支处理规程C4包括第1分支处理规程C4a、第2分支处理规程C4b、第3分支处理规程C4c、第4分支处理规程C4d、第5分支处理规程C4e以及第6分支处理规程C4f。具体而言，多个分支处理规程C4例如应用用以既定下述处理(也称为分支处理)的条件的规程：若用以表示基板W的状态的一种以上的指标满足第1条件，则执行第1处理的流程(也称为第1分支后处理流程)；若用以表示基板W的状态的一种以上的指标满足第2条件，则执行第2处理的流程(也称为第2分支后处理流程)。在此，例如设想用以表示基板W的状态的一种以上的指标为基板W的膜厚的情况。在该情况下，考虑第1条件为膜厚小于T1μm(微米)的条件且第2条件为膜厚处在T1μm以上的条件的方式。再者，分支处理规程C4也可例如当用以表示基板W的状态的一种以上的指标满足第3条件时，执行第3处理的流程(也称为第3分支后处理流程)。在此，考虑第1条件为膜厚小于T1μm的条件，第2条件为膜厚在T1μm以上且小于T2μm的条件，第3条件为膜厚在T2μm以上且小于T3μm的条件的方式。
而且，制作部F02例如组合多个计测处理规程R2中的第1计测处理规程R2a和多个分支处理规程C4中的既定有若一种以上的指标满足第1条件则执行第1分支后处理流程，若一种以上的指标满足第2条件则执行第2分支后处理流程的分支处理的条件的分支处理规程C4，并将第1处理规程作为第1分支后处理流程的处理规程组合至该分支处理规程C4，并且将与第1处理规程不同的第2处理规程作为第2分支后处理流程的处理规程组合至该分支处理规程C4，由此能制作流程规程FL1。
图18是表示第2实施方式的流程规程FL1的一例的图。图18所示的流程规程FL1例如将图10所示的流程规程FL1作为基础，在第4液体处理规程R1d与第1液体处理规程R1a之间依次***组合有第2C修正式C32c的第1计测处理规程R2a与第2分支处理规程C4b，第2分支处理规程C4b是如下规程：若用以表示作为按照第1计测处理规程R2a的传感器部214的计测处理的结果的基板W的状态的一种以上的指标满足作为第1条件的条件a，则执行第1分支后处理流程，若用以表示作为按照第1计测处理规程R2a的传感器部214的计测处理的结果的基板W的状态的一种以上的指标满足作为第2条件的条件b，则执行第2分支后处理流程。
在图18的例子中，第1分支后处理流程依次组合有：第1液体处理规程R1a，组合有第1C修正式C31c；第5液体处理规程R1e，组合有第1F修正式C31f；以及第2计测处理规程R2b，组合有第2A修正式C32a。换言之，在第2分支处理规程C4b组合有作为第1处理规程的第1液体处理规程R1a来作为第1分支后处理流程的处理规程。此外，第2分支后处理流程是以下述方式组合而成：在执行按照组合有第1A修正式C31a的第2液体处理规程R1b的液体处理后，再次执行按照第2分支处理规程C4b的计测处理。换言之，在第2分支处理规程C4b组合有作为第2处理规程的第2液体处理规程R1b来作为第2分支后处理流程的处理规程。根据按照包括这样的分支处理规程C4的流程规程FL1的处理，例如反复执行第2分支后处理流程直至用以表示基板W的状态的一种以上的指标满足作为第1条件的条件a为止，若用以表示基板W的状态的一种以上的指标满足作为第1条件的条件a，则执行第1分支后处理流程。
在此，例如用以表示基板W的状态的一种以上的指标是作为蚀刻处理的对象的基板W上的膜的膜厚，若作为第1条件的条件a满足膜厚小于T1μm的条件，则反复执行第2分支后处理流程，以对基板W进行蚀刻处理，直至用以表示基板W的状态的一种以上的指标满足条件a为止。在此，例如考虑下述方式：第2液体处理规程R1b既定基板W的膜的蚀刻量相对于第4液体处理规程R1d相对性地变少的处理的条件。具体而言，例如考虑下述方式：第2液体处理规程R1b既定至少作为处理液L1的蚀刻液的浓度相对于第4液体处理规程R1d相对性地薄或者蚀刻处理的时间相对于第4液体处理规程R1d相对性地短的处理的条件。只要采用这种构成，例如在基板处理装置20中基板W的处理难以产生不足，与为了在处理不足的基板W通过承载器C暂时被搬出至基板处理装置20的外部后解决基板W的处理不足，再次通过基板处理装置20等对基板W实施处理的方式相比，能提高基板W的处理的效率。
如此，在第2实施方式的基板处理***1以及基板处理装置20中，例如制作部F02通过使第1计测处理规程R2a、第2分支处理规程C4b、第1分支后处理流程的第1处理规程以及第2分支后处理流程的第2处理规程组合，由此能制作能对基板W实施与基板W的状态相对应的处理的流程规程FL1。由此，例如即使以处理的流程根据基板W的状态而分支的方式增加关于基板W的一连串的处理的条件，也能组合预先准备的多个计测处理规程R2中的第1计测处理规程R2a、预先准备的多个分支处理规程C4中的一个分支处理规程C4、预先准备的多个液体处理规程R1中的第1液体处理规程R1a以及第2液体处理规程R1b来制作规定了用以使基板W的状态接近期望的状态的关于基板W的一连串的处理的流程规程FL1，以代替增加事前准备的流程规程FL1的数量。其结果，例如能减少在基板处理***1以及基板处理装置20等中预先准备的数据量，并能减少在基板处理***1、管理用装置10以及基板处理装置20等中所使用的数据量。此外，与在从基板处理装置20搬出基板W后为了使基板W接近期望的状态而在基板处理装置20中再次对基板W实施处理的情况相比，能容易地提高对基板W实施的处理的效率。
此外，在第2实施方式中，也可为：在通过处理单元21按照流程规程FL1对基板W实施处理时，例如在预先设定的次数(例如一次)以下的按照第2分支处理规程C4b的分支处理中，若用以表示作为按照第1计测处理规程R2a的传感器部214的计测处理的结果的基板W的状态的一种以上的指标满足作为第1条件的条件a，则用以表示由传感器部214所获取的基板W的状态的一种以上的指标的信号满足规定的条件。在该情况下，也可为：部分控制单元PC2中的运算处理部P25a的发送控制部F26通过通信部P11将组合信息发送至本体控制单元PC0，该组合信息表示作为流程规程FL1中的处理规程的第4液体处理规程R1d与组合于该第4液体处理规程R1d的第1E修正式C31e的组合。而且，本体控制单元PC0中的运算处理部P05a的发送控制部F06也可通过作为第2通信部的通信部P01将该组合信息发送至管理用装置10。若采用这种结构，则例如在基于组合有修正式的处理规程的处理产生良好的结果的情况下，将用以表示处理规程与修正式的组合的组合信息发送至管理用装置10，由此其他的基板处理装置20也能利用该良好的处理规程与修正式的组合。
(1-7-2.第3实施方式)
在上述各个实施方式中，例如也可为：一个液体处理规程R1既定使用了两种以上的处理液L1的液体处理的条件，并规定下述条件：规程流程以根据处理单元21中的基板W的处理相关的状态在之后所执行的一个以上的液体处理的内容不同的方式分支。
具体而言，例如数据组Db0所包括的多个液体处理规程R1也可包括一个以上的液体处理规程(也称为结构化液体处理规程)，该一个以上的液体处理规程规定下述处理的流程以及条件：在对基板W实施使用了第1处理液L11的处理(也称为第1液体处理)时若为第1状态，则在对基板W实施第1液体处理后实施使用了第2处理液L12的处理(也称为第2液体处理)，响应在对基板W实施第1液体处理时变成第2状态的情况而对基板W实施使用了第3处理液L13的处理(也称为第3液体处理)。若采用这种结构，则例如在依次对基板W实施使用了第1处理液L11的第1液体处理以及使用了第2处理液L12的第2液体处理的情况下，在对基板W实施第1液体处理时若变成特定的第2状态，则能结束对基板W实施第1液体处理，并对基板W实施第3液体处理。由此，例如可因根据对基板W实施第1液体处理时的状况进行适当的处理。
图19是表示以使第3实施方式的多个液体处理被结构化的方式所规定的作为结构化液体处理规程的液体处理规程R1的一例的图。图19所示的液体处理规程R1既定下述处理的条件：若开始对基板W的第1液体处理并在维持第1状态的状态下经过规定的处理时间，则在结束第1液体处理后依次对基板W实施第2液体处理与第3液体处理，另一方面，若在对基板W实施第1液体处理的途中从第1状态变成第2状态，则对基板W实施第3液体处理。在此，例如第1状态应用于贮存槽23t贮存有第1处理液L11的状态，第2状态应用无法从贮存槽23t向处理单元21供给第1处理液L11的状态(也称为无法供给状态)。无法供给状态例如包括贮存于贮存槽23t的第1处理液L11已用尽的状态(枯竭的状态)等。在该情况下，例如考虑传感器部23s检测贮存槽23t中的第1处理液L11的量的结构。
在此，具体而言，例如设想下述情况：第1处理液L11是混合了氢氟酸与硝酸的氢氟硝酸等蚀刻液，第2处理液L12是SC1液体等药液，第3处理液L13是纯水等冲洗处理用的液体。在该情况下，例如响应进行第1液体处理液时变成第1处理液L11即氢氟硝酸枯竭的第2状态的情况，当仅停止第1液体处理并从处理单元21搬出基板W时，基板W有可能会被残留于基板W上的氢氟硝酸过度地蚀刻。相对于此，例如响应在进行第1液体处理时变成第1处理液L11即氢氟硝酸枯竭的第2状态的情况，若通过纯水等冲洗处理用的液体即第3处理液L13冲洗残留于基板W上的氢氟硝酸，则难以产生基板W被残留于基板W上的氢氟硝酸过度地蚀刻的不良情况。
(1-7-3.其他实施方式)
在上述各个实施方式中，例如图20所示，制作部F02也可通过组合数据组Db0所包括的多个处理规程中的一个以上的液体处理规程R1与两个以上的计测处理规程R2，由此制作流程规程FL1。再者，例如制作部F02也可组合数据组Db0所包括的多个处理规程中的一个以上的液体处理规程R1与一个以上的计测处理规程R2，由此制作流程规程FL1。
在上述各个实施方式中，用以构成存储于本体控制单元PC0的存储部P04的数据组Db0的全部或者一部分数据例如也可存储于基板处理装置20的存储部P04、P14、P24、P34中的至少一个存储部，也可分散地存储于基板处理装置20的存储部P04、P14、P24、P34中的两个以上的存储部。此外，例如用以构成存储于本体控制单元PC0的存储部P04的数据组Db0的全部或者一部分数据也可存储于管理用装置10的存储部14。换言之，例如多个基板处理装置20以及管理用装置10中的至少一部分装置也可具有用以存储多个处理规程的一个以上的存储部，所示多个处理规程分别规定与对一个以上的处理单元21中的基板W实施的处理相关的处理的条件。
在上述各个实施方式中，例如传感器部214也可通过检测膜厚计Fm0的臂部Am1的角度，来识别基板W上的膜中的由膜厚计Fm0计测膜厚的位置。在该情况下，例如若计测处理规程R2既定使用膜厚计Fm0计测基板W的膜的厚度(膜厚)的条件，则被组合至计测处理规程R2的第2修正式C32也可使用于适当地变更基板W上的膜中的由膜厚计Fm0计测膜厚的位置的修正处理。
在上述各个实施方式中，基于第1修正式C31的液体处理规程R1的修正不限定于蚀刻液的供给时间等蚀刻时间的修正，例如也可包括喷嘴Nz1、Nz2对基板W喷出处理液L1的喷出位置适当地变更以及变化的条件等其他的条件的修正。
在上述各个实施方式中，例如在依次使用两个以上的处理单元21执行以流程规程FL1规定条件的多个处理的情况下，也可向两个以上的处理单元21彼此的部分控制单元PC2发送流程规程FL1中的一部分的处理规程的信息。
在上述各个实施方式中，按照流程规程FL1中全部的液体处理规程的后面的最后的计测处理规程的计测处理例如也可为由位于处理单元21的外部的传感器部执行的计测处理。
在上述各个实施方式中，虽然基板处理装置20从管理用装置10获取用以确定处理规程等的两个以上的识别信息，但并未限定于此。例如，基板处理装置20也可从经由通信线路5连接的其他装置、被驱动器16所保持的存储介质RM0以及输入部P02等一个以上的部分获取两个以上的识别信息。
在上述各个实施方式中，例如存储于数据存储器NA1的数据组DG1也可存储于本体控制单元PC0的存储部P04、预定管体用控制单元的存储部P14以及部分控制单元PC2的存储部P24中的至少一个存储部，也可存储于管理用装置10的存储部14。在该情况下，例如与管理用装置10独立且存储有数据组Db0以及数据组DG1中的至少一方的服务器也可经由通信线路5以可发送数据以及接收数据的方式与各个基板处理装置20连接。
在上述各个实施方式中，流程规程FL1的制作例如也可通过本体控制单元PC0的运算处理部P05a以及预定管理用控制单元PC1的运算处理部P15a中的至少一个运算处理部来进行，也可通过本体控制单元PC0的运算处理部P05a以及预定管理用控制单元PC1的运算处理部P15a的协同动作来进行。此外，例如本体控制单元PC0以及预定管理用控制单元PC1的功能也可通过一个控制单元来实现。换言之，本体控制单元PC0的运算处理部P05a的功能与预定管理用控制单元PC1的运算处理部P15a的功能也可适当地分配至一个以上的控制单元中的一个以上的运算处理部。
在上述各个实施方式中，基板处理装置20也可例如具有两个以上的运算处理部，所述两个以上的运算处理部包括制作针对一组基板W的流程规程FL1一个控制单元(也称为第1控制单元)的运算处理部(也称为第1运算处理部)、以及进行处理规程的修正的作为第2控制单元的部分控制单元PC2的作为第2运算处理部的运算处理部P25a。当采用这种构成时，例如在多个处理单元21的数量多，且存在有用以控制基板处理装置20的广范围的结构中的动作的第1控制单元以及用以控制基板处理装置20中的个别的处理单元21或者一部分处理单元21这种窄范围的结构中的动作的第2控制单元的情况下，第1控制单元的第1运算处理部制作针对一组基板W的流程规程FL1，第2控制单元的第2运算处理部进行流程规程FL1中的处理规程的修正，由此能在基板处理装置20中容易地实现阶层性的动作的控制。其结果，例如能高效地进行针对一组基板W的流程规程FL1的统一的制作以及针对一组基板W中的一部分的基板W的接近实时的状态的处理规程的修正。由此，能高效地实施符合状况的高精度的基板处理。
在上述各个实施方式中，例如也可通过一个控制单元中的一个运算处理部进行流程规程FL1的制作以及处理规程的修正。即，也可通过一个以上的控制单元中的一个以上的运算处理部进行流程规程FL1的制作以及处理规程的修正。在该情况下，例如本体控制单元PC0的运算处理部P05a中的流程规程FL1的制作的功能以及多个部分控制单元PC2的运算处理部P25a中的处理规程的修正的功能也可适当地分配至一个以上的控制单元中的一个以上的运算处理部。
在上述各个实施方式中，基板处理装置20也可具有一个以上的处理单元21，以代替具有多个处理单元21。
另外，分别构成上述各个实施方式以及各种变化例的全部或者一部分在不矛盾的范围内自然可适当地组合。
附图标记的说明：
1 基板处理***
10 管理用装置
11、P01、P11、P21、P31 通信部
14、P04、P14、P24、P34 存储部
15a、P05a、P15a、P25a、P35a 运算处理部
20 基板处理装置
21 处理单元
22s、23s、214 传感器部
23 液体贮存单元
23t 贮存槽
24 搬运单元
C31 第1修正式
C31a～C31f 第1A～1F修正式
C32 第2修正式
C32a～C32f 第2A～2F修正式
C4 分支处理规程
C4a～C4f 第1～第6分支处理规程
DG1、Db0 数据组
F01、F22、F31 信息获取部
F02 制作部
F03、F24、F152 存储控制部
F04 指示部
F06、F13、F26、F34、F151 发送控制部
F11 获取部
F12 设定部
F21 规程获取部
F23 规程修正部
F25、F32 单元控制部
F33 液体管理部
FL1 流程规程
Fm0 膜厚计
Gp1 液体处理规程组
Gp2 计测处理规程组
Gp3 修正式组
Gp31、Gp32 第1修正式组、第2修正式组
Gp4 分支处理规程组
L1 处理液
L11～L13 第1处理液～第3处理液
NA1 数据存储器
PC0 本体控制单元
PC1 预定管理用控制单元
PC2 部分控制单元
PC3 液体管理控制单元
R1 液体处理规程
R1a～R1f 第1～第6液体处理规程
R2 计测处理规程
R2a～R2f 第1～第6计测处理规程
W 基板

Claims (8)

1.一种基板处理装置，其中，
具有：
一个以上的处理单元，对基板进行处理；以及
一个以上的运算处理部，通过使多个处理规程中的两个以上的处理规程组合，制作用以规定关于基板的一连串的处理的流程的流程规程，多个所述处理规程用以分别规定与在一个以上的所述处理单元中对基板实施的处理相关的处理的条件；
多个所述处理规程包括分别既定使用处理液对基板实施的处理的条件的多个液体处理规程。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述基板处理装置还具有传感器部，该传感器部获取关于一个以上的所述处理单元中的基板处理的状况的指标的信号；
多个所述处理规程包括多个计测处理规程，多个所述计测处理规程分别规定用以获取关于一个以上的所述处理单元中的基板处理的状况的指标的信号的所述传感器部的计测处理的条件；
一个以上的所述运算处理部通过使多个所述液体处理规程中的一个以上的液体处理规程和多个所述计测处理规程中的一个以上的计测处理规程组合，制作所述流程规程。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，
一个以上的所述运算处理部通过将多个修正式中的至少一个修正式组合至两个以上的所述处理规程中的至少一个处理规程，来制作所述流程规程，多个所述修正式用以基于由所述传感器部所获取的指标的信号来修正多个所述处理规程中的至少一部分条件；
一个以上的所述运算处理部根据由所述传感器部所获取的指标的信号，由至少一个所述修正式计算一个以上的修正系数，并使用一个以上的所述修正系数来修正由至少一个所述处理规程所规定的条件。
4.如权利要求2或3所述的基板处理装置，其中，
所述传感器部获取用以表示基板的状态的一种以上的指标的信号；
多个所述处理规程包括第1处理规程以及第2处理规程；
多个所述计测处理规程包括第1计测处理规程，所述第1计测处理规程既定用以获取一种以上的所述指标的信号的所述传感器部的计测处理的条件；
一个以上的所述运算处理部通过使所述第1计测处理规程和用于使处理的流程分支的多个分支处理规程中的用以规定分支处理的条件的一个分支处理规程组合，并将所述第1处理规程作为第1分支后处理流程的处理规程组合至所述一个分支处理规程，并且将所述第2处理规程作为第2分支后处理流程的处理规程组合至所述一个分支处理规程，来制作所述流程规程，在所述一个分支处理中，若一种以上的所述指标满足第1条件，则执行所述第1分支后处理流程，若一种以上的所述指标满足第2条件，则执行所述第2分支后处理流程。
5.如权利要求1至4中任一项所述的基板处理装置，其中，
多个所述液体处理规程包括既定如下的处理的流程以及条件的一个以上的结构化液体处理规程：在对基板实施使用了第1处理液的处理时若处于第1状态，则在对所述基板实施使用了所述第1处理液的处理后实施使用了第2处理液的处理，并且，响应在对基板实施使用了所述第1处理液的处理时变成第2状态的情况，对所述基板实施使用了第3处理液的处理。
6.一种基板处理***，其中，
具有：
多个基板处理装置；以及
管理用装置，以可发送数据以及接收数据的方式与多个所述基板处理装置连接；
所述管理用装置具有第1通信部，所述第1通信部在与多个所述基板处理装置之间分别发送信息以及接收信息；
多个所述基板处理装置分别具有：
一个以上的处理单元，对基板进行处理；
第2通信部，在与所述管理用装置之间发送信息以及接收信息；以及
一个以上的运算处理部，制作用以规定关于基板的一连串的处理的流程的流程规程；
多个所述基板处理装置以及所述管理用装置中的至少一部分具有存储多个处理规程的一个以上的存储部，多个所述处理规程分别规定与在一个以上的所述处理单元中对基板实施的处理相关的处理的条件；
多个所述处理规程包括分别既定使用处理液对基板实施的处理的条件的多个液体处理规程；
所述第1通信部向多个所述基板处理装置中的每一个发送用以分别确定两个以上的处理规程的两个以上的识别信息；
所述第2通信部接收两个以上的所述识别信息；
一个以上的所述运算处理部通过基于两个以上的所述识别信息使多个所述处理规程中的两个以上的所述处理规程组合，来制作所述流程规程。
7.如权利要求6所述的基板处理***，其中，
多个所述基板处理装置分别具有传感器部，该传感器部获取用以表示基板的状态的一种以上的指标的信号；
多个所述处理规程包括多个计测处理规程，多个所述计测处理规程分别规定用以获取关于一个以上的所述处理单元中的基板处理的状况的指标的信号的所述传感器部的计测处理的条件；
一个以上的所述存储部存储用以基于由所述传感器部所获取的指标的信号修正多个所述处理规程中的至少一部分条件的多个修正式；
一个以上的所述运算处理部通过使包括多个所述液体处理规程中的一个以上的液体处理规程以及多个所述计测处理规程中的一个以上的计测处理规程的两个以上的所述处理规程组合，并且将多个所述修正式中的至少一个修正式组合至两个以上的所述处理规程中的至少一个处理规程，来制作所述流程规程；
一个以上的所述处理单元按照所述流程规程对基板实施处理；
一个以上的所述运算处理部在通过一个以上的所述处理单元按照所述流程规程对基板实施处理时，在由所述传感器部所获取的指标的信号满足规定的条件的情况下，通过所述第2通信部将用以表示所述流程规程中的至少一个所述处理规程与至少一个所述修正式的组合的信息发送至所述管理用装置。
8.一种基板处理方法，使用具有对基板进行处理的一个以上的处理单元以及一个以上的运算处理部的基板处理装置，其中，
所述基板处理方法包括：
步骤(a)，一个以上的存储部存储分别规定与在一个以上的所述处理单元中对基板实施的处理相关的处理的条件的多个处理规程；
步骤(b)，一个以上的所述运算处理部通过使在所述步骤(a)中存储于一个以上的所述存储部的多个所述处理规程中的两个以上的处理规程组合，来制作用以规定关于基板的一连串的处理的流程的流程规程；以及
步骤(c)，一个以上的所述处理单元按照在所述步骤(b)中所制作的所述流程规程执行处理；
多个所述处理规程包括分别既定使用处理液对基板实施的处理的条件的多个液体处理规程。
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