JP7161896B2 - 基板処理装置および基板処理システム - Google Patents
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Description
<1-1.基板処理システムの概略構成>
図1は、第1実施形態に係る基板処理システム1の概略構成の一例を示す図である。図1で示されるように、基板処理システム1は、例えば、管理用サーバ10と、複数の基板処理装置20と、搬送装置30と、を備えている。複数の基板処理装置20は、例えば、第1の基板処理装置20a、第2の基板処理装置20bおよび第3の基板処理装置20cを含む。ここでは、管理用サーバ10と、複数の基板処理装置20と、搬送装置30と、が通信回線5を介してデータの送受信が可能に接続されている。通信回線5は、例えば、有線回線および無線回線の何れであってもよい。
図2は、管理用サーバ10の電気的な構成の一例を示すブロック図である。管理用サーバ10は、複数の基板処理装置20を統括的に管理するための装置(管理装置ともいう)である。
図3は、基板処理装置20の概略的な構成の一例を示す模式的な平面図である。基板処理装置20は、例えば、基板Wの表面に対して処理液を供給することで各種処理を行うことができる枚葉式の装置である。ここでは、基板Wの一例として、半導体基板(ウエハ)が用いられる。各種処理には、例えば、薬液などでエッチングを施す薬液処理、液体で異物もしくは除去対象物を除去する洗浄処理、水で洗い流すリンス処理およびレジストなどを塗布する塗布処理などが含まれる。
複数のロードポートLPは、それぞれ収容器としての複数のキャリア(FOUPともいう)Cを保持することができる機構(収容器保持機構ともいう)である。図3の例では、複数のロードポートLPとして、第1~4ロードポートLP1~LP4が存在している。第1~4ロードポートLP1~LP4は、基板処理装置20とこの基板処理装置20の外部との間で複数の基板群の搬入および搬出を行うための部分(搬出入部ともいう)としての機能を有する。図3の例では、第1~4ロードポートLP1~LP4と各処理ユニット21とは、水平方向に間隔を空けて配置されている。また、第1~4ロードポートLP1~LP4は、平面視したときに水平な第1方向DR1に沿って配列されている。
搬送ユニット24は、例えば、ロードポートLPに保持されたキャリアCに収容された一群の基板Wにおける複数枚の基板Wを複数の処理ユニット21に向けて順に搬送することができる。第1実施形態では、搬送ユニット24は、インデクサロボットIRと、センターロボットCRと、を含む。インデクサロボットIRは、例えば、第1~4ロードポートLP1~LP4とセンターロボットCRとの間で基板Wを搬送することができる。センターロボットCRは、例えば、インデクサロボットIRと各処理ユニット21との間で基板Wを搬送することができる。
液貯留ユニット23は、例えば、複数の処理ユニット21で使用する処理液L1(図4など参照)を貯留することができる。この液貯留ユニット23は、例えば、処理液L1を貯留することが可能な1つ以上の貯留槽23tを含んでいる。図3の例では、液貯留ユニット23には、第1貯留槽23ta、第2貯留槽23tbおよび第3貯留槽23tcを含む3つの貯留槽23tが存在している。各貯留槽23tには、例えば、センサ部23sおよび加熱部23hが設けられている。センサ部23sは、貯留槽23t内の処理液L1の状態(例えば、濃度、水素イオン指数(pH)および温度など)を示す物理量を測定するための部分である。この処理液L1は、処理ユニット21における基板Wの処理に用いられる。そして、処理液L1は、例えば、時間の経過および使用の程度に応じて劣化し得る。このため、処理液L1の状態が、処理ユニット21における基板処理に影響する。すなわち、センサ部23sは、処理ユニット21における基板処理の状況についての1種類以上の指標に係る信号を取得することができる。加熱部23hは、貯留槽23t内の処理液L1の温度を調整するための発熱体を含む部分である。発熱体の加熱方式には、例えば、ハロゲンランプによる放射加熱方式、液に直接触れない間接加熱方式あるいは近赤外線光による放射加熱方式などが採用される。図3の例では、第1貯留槽23taに第1センサ部23saと第1加熱部23haとが位置し、第2貯留槽23tbに第2センサ部23sbと第2加熱部23hbとが位置し、第3貯留槽23tcに第3センサ部23scと第3加熱部23hcとが位置している。ここで、各貯留槽23tには、例えば、処理液L1を攪拌するための機構が存在していてもよい。また、例えば、1つ以上の貯留槽23tは、各処理ユニット21に対して、処理液L1の供給が可能な状態で接続されている。ここで、各貯留槽23tは、複数の処理ユニット21のうちの全ての処理ユニット21に接続されていてもよいし、複数の処理ユニット21のうちの一部の処理ユニット21に接続されていてもよい。また、ここで、3つの貯留槽23tに、同じ種類の処理液L1が貯留されていてもよいし、異なる種類の処理液L1が貯留されていてもよい。換言すれば、第1貯留槽23taと第2貯留槽23tbと第3貯留槽23tcとの間で、同一種類の処理液L1が貯留されていてもよいし、相互に異なる種類の処理液L1が貯留されていてもよい。
複数の処理ユニット21は、それぞれ基板Wを処理することができる。図3の例では、平面的に配置されている4台の処理ユニット21でそれぞれ構成されている3組の処理ユニット21が、上下方向に積層するように位置している。これにより、合計で12台の処理ユニット21が存在している。複数の処理ユニット21は、同種の基板処理を基板Wに施すことができる2つ以上の処理ユニット21を含む。これにより、複数の処理ユニット21では、同種の基板処理を基板Wに並行して施すことができる。
本体制御ユニットPC0は、例えば、管理用サーバ10との間におけるデータの送受信および基板処理装置20の各部の動作などを制御することができる。
予定管理用制御ユニットPC1は、例えば、本体制御ユニットPC0からの指示に応じて、キャリアCに格納された一群の基板Wについて、レシピの補正ならびにレシピに応じたタイムスケジュールの設定を行うことができる。タイムスケジュールは、例えば、搬送ユニット24によってキャリアCに格納された一群の基板Wを構成する複数の基板Wを複数の処理ユニット21に順に搬送するタイミングと、これらの複数の基板Wに処理を施すタイミングと、を規定する。
複数の部分制御ユニットPC2は、例えば、本体制御ユニットPC0からの指示に応じて、複数の処理ユニット21および搬送ユニット24の動作を制御することができる。第1実施形態では、処理ユニット21ごとに専用の部分制御ユニットPC2が設けられ、搬送ユニット24にも専用の部分制御ユニットPC2が設けられている。処理ユニット21の部分制御ユニットPC2は、例えば、処理ユニット21の各部の動作および状態を適宜モニタしながら、処理ユニット21の各部の動作を制御することができる。搬送ユニット24の部分制御ユニットPC2は、例えば、搬送ユニット24の各部の動作および状態を適宜モニタしながら、搬送ユニット24の各部の動作を制御することができる。なお、例えば、2つ以上の処理ユニット21に1つの部分制御ユニットPC2が設けられてもよいし、搬送ユニット24の動作は、本体制御ユニットPC0によって制御されてもよい。
液管理制御ユニットPC3は、例えば、液貯留ユニット23に含まれている各部の動作を制御することで、液貯留ユニット23内の処理液L1の状態を管理することができる。
データストレージNA1は、例えば、各センサ部22s,23s,214などによって取得された信号に基づいて、複数の処理ユニット21のそれぞれにおける基板処理の状況についての1種類以上の指標に係るデータ群を記憶することができる。データストレージNA1には、例えば、ハードディスクまたはフラッシュメモリなどの不揮発性の記憶媒体が適用されてもよいし、RAMなどの揮発性の記憶媒体が適用されてもよい。
図11は、第1レシピ補正に係る動作フローの一例を示す流れ図である。ここでは、例えば、本体制御ユニットPC0の演算処理部P05aでプログラムPg0が実行され、予定管理用制御ユニットPC1の演算処理部P15aでプログラムPg1が実行されることにより、本体制御ユニットPC0と予定管理用制御ユニットPC1とが協働して、第1レシピ補正に係る動作についての動作フローを実現する。
以上のように、第1実施形態に係る基板処理システム1では、例えば、基板処理装置20において、複数の処理ユニット21のそれぞれにおける基板処理の状況についての1種類以上の指標に係るデータ群に基づいて、複数の処理ユニット21のうちの少なくとも1つ以上の処理ユニット21を用いた一群の基板Wのうちの少なくとも1枚以上の基板Wに対する処理について、レシピの少なくとも一部を補正する。これにより、例えば、複数の処理ユニット21における基板処理の状況に応じて、基板Wに施す処理の条件を既定するレシピを補正することができ、状況に即した処理を基板Wに施すことができる。その結果、例えば、基板処理装置20の各処理ユニット21における基板処理の精度が向上し得る。
本発明は上述の第1実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。
10 管理用サーバ
14,P04,P14,P24,P34 記憶部
14db,Db0 データベース
15,P05,P15,P25,P35 制御部
15a,P05a,P15a,P25a,P35a 演算処理部
20 基板処理装置
21 処理ユニット
21sb 撮像部
23 液貯留ユニット
24 搬送ユニット
214,22s,23s センサ部
DG1 データ群
F13 第1補正部
F14 スケジュール設定部
F23 第2補正部
F24,F32 ユニット制御部
Fm0 膜厚計
L1 処理液
NA1 データストレージ
PC0 本体制御ユニット
PC1 予定管理用制御ユニット
PC2 部分制御ユニット
PC3 液管理制御ユニット
W 基板
Claims (6)
- 処理の条件を規定するレシピに応じて基板に処理を施す複数の処理ユニットと、
一群の基板における複数の基板を前記複数の処理ユニットに順に搬送する搬送ユニットと、
各前記処理ユニットにおける基板処理の状況についての1種類以上の指標に係る信号を取得する複数のセンサ部と、
前記複数のセンサ部によって取得された信号に基づいて、前記複数の処理ユニットのそれぞれにおける基板処理の状況についての1種類以上の指標に係るデータ群を蓄積したデータベースを記憶する記憶部と、
前記複数の処理ユニットのうちの1つ以上の処理ユニットを用いた前記一群の基板のうちの少なくとも1枚以上の基板に対する処理について、前記データ群に基づいて前記レシピの少なくとも一部を補正する1つ以上の制御ユニットと、を備え、
前記1つ以上の制御ユニットは、
前記複数の処理ユニットを用いた前記一群の基板に対する処理について、前記データ群に基づいて前記レシピを一括して補正する第1レシピ補正を行う、基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記1つ以上の制御ユニットは、
前記第1レシピ補正が行われた後の前記レシピに応じて、前記搬送ユニットによって前記複数の基板を前記複数の処理ユニットに順に搬送するタイミングと、前記複数の処理ユニットにおいて前記複数の基板に処理を施すタイミングと、を規定するタイムスケジュールを設定する、基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記1つ以上の制御ユニットは、
前記複数の処理ユニットのうちの一部の処理ユニットを用いた前記一群の基板のうちの一部の基板に対する処理について、前記データ群に基づいて前記レシピの一部を補正する第2レシピ補正を行う、基板処理装置。 - 請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記1つ以上の制御ユニットは、
前記複数の処理ユニットのうちの一部の処理ユニットを用いた前記一群の基板のうちの一部の基板に対する処理について、前記データ群に基づいて前記レシピの一部を補正する第2レシピ補正を行うとともに、前記第2レシピ補正が行われた後の前記レシピに応じて、前記タイムスケジュールを再設定する、基板処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記1つ以上の制御ユニットは、
前記第1レシピ補正を行う第1制御ユニットと、
前記複数の処理ユニットのうちの一部の処理ユニットを用いた前記一群の基板のうちの一部の基板に対する処理について、前記データ群に基づいて前記レシピの一部を補正する第2レシピ補正を行う第2制御ユニットと、を含む、基板処理装置。 - 複数の基板処理装置と、
前記複数の基板処理装置に対してデータの送受信が可能に接続されているサーバと、を備え、
各前記基板処理装置は、
処理の条件を規定するレシピに応じて基板に処理を施す複数の処理ユニットと、
一群の基板における複数の基板を前記複数の処理ユニットに順に搬送する搬送ユニットと、
各前記処理ユニットにおける基板処理の状況についての1種類以上の指標に係る信号を取得する複数のセンサ部と、
1つ以上の制御ユニットと、を有し、
前記サーバは、
前記複数のセンサ部によって取得された信号に基づいて、前記複数の基板処理装置のそれぞれの前記複数の処理ユニットのそれぞれにおける基板処理の状況についての1種類以上の指標に係るデータ群を蓄積したデータベースを記憶する記憶部、を有し、
各前記基板処理装置において、前記1つ以上の制御ユニットは、前記複数の処理ユニットを用いた前記一群の基板に対する処理について、前記データ群に基づいて前記レシピを一括して補正する第1レシピ補正を行う、基板処理システム。
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