JP6912904B2 - Manufacturing method of carbon nanotubes, carbon nanotubes, and base material with oriented carbon nanotubes - Google Patents
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Description
本発明は、カーボンナノチューブの製造方法、カーボンナノチューブ、及び配向カーボンナノチューブ付き基材に関する。 The present invention relates to a method for producing carbon nanotubes, carbon nanotubes, and a substrate with oriented carbon nanotubes.
カーボンナノチューブ（以下、「ＣＮＴ」と略記することがある）は、炭素原子で構成されたグラフェンシートが筒状に巻かれたチューブ状の材料である。通常、ＣＮＴの直径は、１００ｎｍ以下である。ＣＮＴは、電気特性及び機械特性に優れ、比重が小さいため、種々の応用が期待されている。ＣＮＴの応用用途としては、例えば、リチウムイオン二次電池の正極、負極の導電助剤、電気二重層キャパシタ用シート材料、燃料電池の電極触媒材料、樹脂やセラミックスなどに導電性及び熱伝導性を与える添加材が挙げられる。 Carbon nanotubes (hereinafter, may be abbreviated as "CNT") are tube-shaped materials in which a graphene sheet composed of carbon atoms is wound in a tubular shape. Usually, the diameter of CNT is 100 nm or less. Since CNTs are excellent in electrical characteristics and mechanical characteristics and have a small specific gravity, various applications are expected. Applications of CNT include, for example, conductivity and thermal conductivity of positive electrode and negative electrode conductive aids of lithium ion secondary batteries, sheet materials for electric double layer capacitors, electrode catalyst materials of fuel cells, resins and ceramics, etc. Examples include the additive to be given.
ＣＮＴの合成方法としては、（１）炭素電極間のアーク放電法、（２）炭素のレーザー蒸発法、（３）炭化水素ガスの熱分解法が知られているが、工業的に一定の品質のＣＮＴを大量に合成する観点から、（３）炭化水素ガスの熱分解法を選択することが一般的である。 Known methods for synthesizing CNTs include (1) an arc discharge method between carbon electrodes, (2) a laser evaporation method for carbon, and (3) a thermal decomposition method for hydrocarbon gas, but the quality is industrially constant. From the viewpoint of synthesizing a large amount of CNTs, it is common to select (3) a method for thermally decomposing hydrocarbon gas.
上述した炭化水素ガスの熱分解法によるＣＮＴの合成方法では、鉄等の金属触媒を用い、該金属触媒を起点としてＣＮＴを成長させる。このため、得られたＣＮＴは、不純物として金属触媒を含むことになる。しかしながら、上述したＣＮＴの応用用途には、金属不純物を嫌う場合があるため、ＣＮＴに含まれる金属不純物を除去して該ＣＮＴの純度を高める方法が検討されてきた。 In the method for synthesizing CNTs by the above-mentioned thermal decomposition method of hydrocarbon gas, a metal catalyst such as iron is used, and CNTs are grown starting from the metal catalyst. Therefore, the obtained CNTs contain a metal catalyst as an impurity. However, since metal impurities may be disliked in the above-mentioned application applications of CNTs, a method of removing metal impurities contained in CNTs to increase the purity of the CNTs has been studied.
ＣＮＴに含まれる金属不純物を除去する方法としては、特許文献１及び２が知られている。特許文献１には、ＣＮＴに含まれる触媒金属粒子を、１５００℃という高熱で蒸発させて除去する方法が記載されている。また、特許文献２には、ＣＮＴに含まれる金属不純物を酸溶液に溶解させて除去する方法が記載されている。
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、１５００℃という高温で熱処理が可能な設備が必要であるとともに、非常に多くの熱エネルギーを要するという課題があった。
また、特許文献２に記載の方法では、酸処理をするための設備が必要であるとともに、ＣＮＴの酸処理の他に、酸溶液に浸漬するための前処理、酸処理後の洗浄や乾燥等、追加の工程が必要となるという課題があった。さらに、酸処理に関連した追加の工程の際、ＣＮＴが損傷するおそれや、劣化するおそれがあった。
However, the method described in
Further, the method described in
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、容易にカーボンナノチューブの純度を高めることが可能なカーボンナノチューブの製造方法、カーボンナノチューブ、及び配向カーボンナノチューブ付き基材を提供することを課題とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is an object of the present invention to provide a method for producing carbon nanotubes capable of easily increasing the purity of carbon nanotubes, carbon nanotubes, and a base material with oriented carbon nanotubes. And.
かかる課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
［１］ 化学気相合成法を用いたカーボンナノチューブの製造方法であって、
表面に金属触媒が設けられた基材に対して原料ガスを含むガスを供給し、前記金属触媒を起点として前記基材の表面上にカーボンナノチューブを成長させる第１工程と、
前記基材に対する前記ガスの供給量を前記第１工程における供給量よりも減少させて、前記カーボンナノチューブ中に結晶欠陥を導入する第２工程と、を備える、カーボンナノチューブの製造方法。
［２］ 前記第１工程を２以上備える、［１］に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
［３］ 前記第２工程を２以上備える、［１］又は［２］に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
［４］ 前記第２工程では、前記ガスの供給量を前記第１工程における供給量の０％以上１０％以下に減少させる、［１］乃至［３］のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
［５］ 前記第２工程では、前記ガス中の原料ガスの供給量を前記第１工程における供給量の０％以上１０％以下に減少させる、［１］乃至［３］のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
［６］ 前記第２工程では、前記ガス又は前記原料ガスの供給量を減少させる時間を連続的に設ける、［４］又は［５］に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
［７］ 前記第２工程では、前記ガス又は前記原料ガスの供給量を減少させる時間を断続的に設ける、［４］又は［５］に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
［８］ 導入した前記結晶欠陥の部位で前記カーボンナノチューブを切断して、当該カーボンナノチューブと前記基材とを分離する第３工程と、をさらに備える、［１］乃至［７］のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
［９］ 前記カーボンナノチューブと前記基材とを分離する際、当該カーボンナノチューブの一部を引き出して紡糸し、ロープ状炭素構造物を形成する、［８］に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
［１０］ 励起波長６３２．８ｎｍで得られるラマンスペクトルにおいて、波数１５８０ｃｍ−１付近に出現するグラファイト構造に起因するピークであるＧバンドに出現するピークの強度ＩＧと、波数１３６０ｃｍ−１付近に出現する各種欠陥に起因するピークであるＤバンドに出現するピークの強度ＩＤとの比（Ｇ／Ｄ）が、０．１〜０．５の範囲である結晶欠陥を１以上有する、カーボンナノチューブ。
［１１］ 当該カーボンナノチューブのいずれか一方の端部と前記端部から５０μｍの部分との間のいずれかに前記結晶欠陥を有する、［１０］に記載のカーボンナノチューブ。
［１２］ 当該カーボンナノチューブのいずれか一方の端部に前記結晶欠陥を有する、［１０］に記載のカーボンナノチューブ。
［１３］ 長さが、５０μｍ以上、１０００μｍ以下である、［１０］乃至［１２］のいずれか一項に記載のカーボンナノチューブ。
［１４］ 基材と、前記基材上に設けられた金属触媒と、前記金属触媒を起点とする複数のカーボンナノチューブと、を備え、
複数の前記カーボンナノチューブが前記基材に対して同一の方向となるように配向するとともに、
複数の前記カーボンナノチューブが、前記基材の表面から５０μｍの高さまでにおいて、少なくとも１以上の結晶欠陥をそれぞれ同一の高さとなるように有する、配向カーボンナノチューブ付き基材。
In order to solve such a problem, the present invention has the following configuration.
[1] A method for producing carbon nanotubes using a chemical vapor deposition method.
The first step of supplying a gas containing a raw material gas to a base material provided with a metal catalyst on the surface and growing carbon nanotubes on the surface of the base material starting from the metal catalyst.
A method for producing carbon nanotubes, comprising a second step of reducing the supply amount of the gas to the base material from the supply amount in the first step and introducing crystal defects into the carbon nanotubes.
[2] The method for producing carbon nanotubes according to [1], which comprises two or more of the first steps.
[3] The method for producing carbon nanotubes according to [1] or [2], which comprises two or more of the second steps.
[4] The carbon nanotube according to any one of [1] to [3], which reduces the supply amount of the gas to 0% or more and 10% or less of the supply amount in the first step in the second step. Manufacturing method.
[5] In the second step, the supply amount of the raw material gas in the gas is reduced to 0% or more and 10% or less of the supply amount in the first step, according to any one of [1] to [3]. The method for producing carbon nanotubes according to the above.
[6] The method for producing carbon nanotubes according to [4] or [5], wherein in the second step, a time for continuously reducing the supply amount of the gas or the raw material gas is continuously provided.
[7] The method for producing carbon nanotubes according to [4] or [5], wherein in the second step, a time for reducing the supply amount of the gas or the raw material gas is provided intermittently.
[8] Any one of [1] to [7] further comprising a third step of cutting the carbon nanotube at the introduced crystal defect site and separating the carbon nanotube from the base material. The method for producing carbon nanotubes according to the section.
[9] The method for producing carbon nanotubes according to [8], wherein when the carbon nanotubes and the base material are separated, a part of the carbon nanotubes is pulled out and spun to form a rope-shaped carbon structure.
[10] In the Raman spectrum obtained by excitation wavelength 632.8 nm, and the intensity I G of the peak appearing in G-band is a peak due to the graphite structure appearing in the vicinity of a wave number of 1580 cm -1, appearing about a wave number of 1360 cm -1 A carbon nanotube having one or more crystal defects in which the ratio (G / D) of the peak appearing in the D band, which is the peak caused by various defects, to the intensity ID in the range of 0.1 to 0.5.
[11] The carbon nanotube according to [10], which has the crystal defect in any of one end of the carbon nanotube and a portion 50 μm from the end.
[12] The carbon nanotube according to [10], which has the crystal defect at one end of the carbon nanotube.
[13] The carbon nanotube according to any one of [10] to [12], which has a length of 50 μm or more and 1000 μm or less.
[14] A base material, a metal catalyst provided on the base material, and a plurality of carbon nanotubes starting from the metal catalyst are provided.
A plurality of the carbon nanotubes are oriented so as to be oriented in the same direction with respect to the base material, and the carbon nanotubes are oriented in the same direction.
A substrate with oriented carbon nanotubes, wherein the plurality of carbon nanotubes have at least one or more crystal defects at the same height up to a height of 50 μm from the surface of the substrate.
本発明のカーボンナノチューブの製造方法は、基材に対するガスの供給量を減少させてカーボンナノチューブ中に結晶欠陥を導入する工程を含む構成であるため、導入した結晶欠陥を起点としてカーボンナノチューブと基材とを分離することができる。その際、基材上に金属触媒が残留するため、容易にカーボンナノチューブの純度を高めることができる。 Since the method for producing carbon nanotubes of the present invention includes a step of reducing the amount of gas supplied to the base material and introducing crystal defects into the carbon nanotubes, the carbon nanotubes and the base material start from the introduced crystal defects. And can be separated. At that time, since the metal catalyst remains on the base material , the purity of the carbon nanotubes can be easily increased.
本発明のカーボンナノチューブは、上記カーボンナノチューブの製造方法によって得られるため、ラマンスペクトルにおけるピーク強度の比（Ｇ／Ｄ）が０．１〜０．５の範囲の結晶欠陥を１以上有する。これにより、カーボンナノチューブ中に不純物を含む場合でも結晶欠陥を起点として不純物を含む部分を切り離すことができるため、容易にカーボンナノチューブの純度を高めることができる。 Since the carbon nanotube of the present invention is obtained by the above-mentioned method for producing carbon nanotubes, it has one or more crystal defects having a peak intensity ratio (G / D) in the range of 0.1 to 0.5 in the Raman spectrum. As a result, even when impurities are contained in the carbon nanotubes, the portion containing the impurities can be separated from the crystal defect as a starting point, so that the purity of the carbon nanotubes can be easily increased.
本発明の配向カーボンナノチューブ付き基材は、上記カーボンナノチューブの製造方法によって得られるため、複数のカーボンナノチューブが、基材の表面から５０μｍの高さまでにおいて、少なくとも１以上の結晶欠陥をそれぞれ同一の高さとなるように有する。これにより、結晶欠陥を起点としてカーボンナノチューブと基材とを分離することができる。その際、基材上に金属触媒が残留するため、容易にカーボンナノチューブの純度を高めることができる。 Since the base material with oriented carbon nanotubes of the present invention is obtained by the above-mentioned method for producing carbon nanotubes, a plurality of carbon nanotubes have at least one or more crystal defects having the same height up to a height of 50 μm from the surface of the base material. Have to be. Thereby, the carbon nanotube and the base material can be separated from each other starting from the crystal defect. At that time, since the metal catalyst remains on the base material , the purity of the carbon nanotubes can be easily increased.
以下、本発明を適用した一実施形態であるカーボンナノチューブの製造方法の構成について、当該製造方法によって得られるカーボンナノチューブ、及び配向カーボンナノチューブ付き基材の構成と併せて、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。 Hereinafter, the configuration of a method for producing carbon nanotubes according to an embodiment to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings together with the configuration of the carbon nanotubes obtained by the production method and the substrate with oriented carbon nanotubes. do. In the drawings used in the following description, in order to make the features easier to understand, the featured parts may be enlarged for convenience, and the dimensional ratios of each component may not be the same as the actual ones. do not have.
＜カーボンナノチューブの製造方法＞
先ず、本発明を適用した一実施形態であるカーボンナノチューブの製造方法の構成について説明する。
本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法は、化学気相合成法を用いるものであり、表面に金属触媒が設けられた基材に対して原料ガスを含むガスを供給し、金属触媒を起点として基材の表面上にカーボンナノチューブを成長させる第１工程と、基材に対するガスの供給量を第１工程における供給量よりも減少させて、カーボンナノチューブ中に結晶欠陥を導入する第２工程と、導入した結晶欠陥の部位でカーボンナノチューブを切断して、カーボンナノチューブと基材とを分離する第３工程とを備えて、概略構成されている。
<Manufacturing method of carbon nanotubes>
First, the configuration of a method for producing carbon nanotubes, which is an embodiment to which the present invention is applied, will be described.
The method for producing carbon nanotubes of the present embodiment uses a chemical vapor phase synthesis method, in which a gas containing a raw material gas is supplied to a base material provided with a metal catalyst on the surface, and the base is based on the metal catalyst as a starting point. The first step of growing carbon nanotubes on the surface of the material, and the second step of introducing crystal defects into the carbon nanotubes by reducing the amount of gas supplied to the base material from the amount supplied in the first step. It is roughly configured with a third step of cutting the carbon nanotubes at the site of the crystal defect and separating the carbon nanotubes from the base material.
（第１工程）
第１工程では、先ず、基板（基材）上にカーボンナノチューブを成長させるための触媒層を形成する。
基板としては、特に限定されるものではないが、複数の触媒粒子から構成される触媒層を支持可能な基板であることが好ましく、触媒が流動化・粒子化する際にその動きを妨げない平滑度を有する基板であることが好ましい。また、基板の材質としては、特に限定されるものではないが、触媒金属に対する反応性が低い材料であることが好ましい。このような基板としては、具体的には、例えば、平滑性や価格の面、耐熱性の面で優れた単結晶シリコン基板が挙げられる。
(First step)
In the first step, first, a catalyst layer for growing carbon nanotubes is formed on the substrate (base material).
The substrate is not particularly limited, but is preferably a substrate capable of supporting a catalyst layer composed of a plurality of catalyst particles, and is smooth so as not to hinder the movement of the catalyst when it is fluidized or granulated. It is preferable that the substrate has a degree. The material of the substrate is not particularly limited, but is preferably a material having low reactivity with the catalyst metal. Specific examples of such a substrate include a single crystal silicon substrate which is excellent in terms of smoothness, price, and heat resistance.
なお、基板として単結晶シリコン基板を用いる場合、基板の表面に化合物が形成されることを防止するために、基板の表面を酸化処理、又は窒化処理することが好ましい。これにより、単結晶シリコン基板の表面には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）、又はシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）が形成される。また、単結晶シリコン基板の表面に、反応性の低いアルミナ等の金属酸化物からなる被膜を形成した後、この被膜上に触媒層を形成してもよい。 When a single crystal silicon substrate is used as the substrate, it is preferable to perform oxidation treatment or nitriding treatment on the surface of the substrate in order to prevent the formation of compounds on the surface of the substrate. As a result, a silicon oxide film (SiO 2 film) or a silicon nitride film (Si 3 N 4 film) is formed on the surface of the single crystal silicon substrate. Further, after forming a film made of a metal oxide such as alumina having low reactivity on the surface of the single crystal silicon substrate, a catalyst layer may be formed on the film.
触媒層を構成する触媒粒子としては、特に限定されるものではないが、具体的には、例えば、ニッケル、コバルト、鉄等の金属粒子を用いることができる。また、触媒粒子としては、一種の金属からなる単一触媒（金属触媒）を用いることが好ましく、鉄一元系を用いることがより好ましい。これにより、高純度なカーボンナノチューブを形成することが可能となる。 The catalyst particles constituting the catalyst layer are not particularly limited, but specifically, for example, metal particles such as nickel, cobalt, and iron can be used. Further, as the catalyst particles, it is preferable to use a single catalyst (metal catalyst) made of a kind of metal, and it is more preferable to use a unified iron system. This makes it possible to form high-purity carbon nanotubes.
触媒層の厚さは、特に限定されるものではないが、具体的には、例えば、０．５〜１００ｎｍの範囲で設定することが好ましく、０．５〜１５ｎｍの範囲で設定することがより好ましい。ここで、触媒層の厚さが０．５ｎｍ以上であれば、基板の表面に均一な厚さの触媒層を形成することができる。また、触媒層の厚さが１５ｎｍ以下であれば、８００℃以下の加熱温度によって粒子化することができる。 The thickness of the catalyst layer is not particularly limited, but specifically, for example, it is preferably set in the range of 0.5 to 100 nm, and more preferably set in the range of 0.5 to 15 nm. preferable. Here, if the thickness of the catalyst layer is 0.5 nm or more, a catalyst layer having a uniform thickness can be formed on the surface of the substrate. Further, if the thickness of the catalyst layer is 15 nm or less, particles can be formed at a heating temperature of 800 ° C. or less.
触媒層の形成方法としては、特に限定されるものではないが、具体的には、スパッタ法や真空蒸着法等によって基板上に金属を堆積させる方法や、基板上に触媒溶液を塗布して塗布層を形成後に加熱し乾燥させる方法が挙げられる。 The method for forming the catalyst layer is not particularly limited, but specifically, a method of depositing a metal on a substrate by a sputtering method, a vacuum vapor deposition method, or the like, or a method of applying a catalyst solution on a substrate to apply the catalyst layer. Examples thereof include a method of heating and drying after forming the layer.
なお、触媒溶液としては、例えば、ニッケル、コバルト、鉄等の金属のうちの１種、またはニッケル、コバルト、鉄等の金属錯体の化合物のうちの１種を含んだ触媒溶液を用いることができる。 As the catalyst solution, for example, a catalyst solution containing one of metals such as nickel, cobalt and iron, or one of compounds of metal complexes such as nickel, cobalt and iron can be used. ..
また、触媒溶液を基板上に塗布する方法としては、特に限定されるものではないが、具体的には、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、バーコーター法、インクジェット法、スリットコータ法等が挙げられる。 The method for applying the catalyst solution on the substrate is not particularly limited, and specific examples thereof include a spin coating method, a spray coating method, a bar coater method, an inkjet method, and a slit coater method. Can be mentioned.
塗布層の加熱は、例えば、空気中大気圧下、減圧下または非酸化雰囲気下で、５００℃〜１０００℃の温度範囲で行うことが好ましく、６５０〜８００℃の温度範囲で行うことがより好ましい。これにより、直径が０．５〜５０ｎｍ程度の、複数の触媒粒子から構成される触媒層を形成することができる。 The coating layer is preferably heated in a temperature range of 500 ° C. to 1000 ° C., more preferably in a temperature range of 650 to 800 ° C., under atmospheric pressure in air, reduced pressure, or a non-oxidizing atmosphere. .. This makes it possible to form a catalyst layer composed of a plurality of catalyst particles having a diameter of about 0.5 to 50 nm.
次に、ＣＶＤ法により、高温雰囲気中で原料ガスとキャリアガスとを含む混合ガス（ガス）を触媒層が形成された基板に供給し、触媒粒子を核としてカーボンナノチューブを成長させる。この際、複数のカーボンナノチューブは、基板に対して垂直配向するように形成される。カーボンナノチューブの形成温度は、特に限定されるものではないが、具体的には、例えば、５００℃〜１０００℃の範囲とすることが好ましく、６５０〜８００℃の範囲とすることがより好ましい。 Next, by the CVD method, a mixed gas (gas) containing a raw material gas and a carrier gas is supplied to a substrate on which a catalyst layer is formed in a high temperature atmosphere, and carbon nanotubes are grown with the catalyst particles as nuclei. At this time, the plurality of carbon nanotubes are formed so as to be vertically oriented with respect to the substrate. The formation temperature of the carbon nanotubes is not particularly limited, but specifically, for example, it is preferably in the range of 500 ° C. to 1000 ° C., and more preferably in the range of 650 to 800 ° C.
ここで、カーボンナノチューブ１本の長さは、原料ガスの供給量、合成圧力、ＣＶＤ装置のチャンバー内での反応時間によって調整することができる。ＣＶＤ装置のチャンバー内での反応時間を長くすることにより、カーボンナノチューブの長さを数ｍｍ程度まで伸ばすことができる。 Here, the length of one carbon nanotube can be adjusted by the supply amount of the raw material gas, the combined pressure, and the reaction time in the chamber of the CVD apparatus. By lengthening the reaction time in the chamber of the CVD apparatus, the length of the carbon nanotubes can be extended to about several mm.
カーボンナノチューブの合成・成長に使用する原料ガスとしては、例えば、アセチレン、メタン、エチレン等の脂肪族炭化水素のガスを用いることができる。これらのうち、アセチレンガスが好ましく、さらにアセチレン濃度が９９．９９９９％以上の超高純度のアセチレンガスがより好ましい。 As the raw material gas used for the synthesis and growth of carbon nanotubes, for example, an aliphatic hydrocarbon gas such as acetylene, methane, or ethylene can be used. Of these, acetylene gas is preferable, and ultra-high purity acetylene gas having an acetylene concentration of 99.9999% or more is more preferable.
なお、原料ガスとしてアセチレンガスを用いると、核となる触媒粒子から多層構造で直径が０．５〜５０ｎｍの複数のカーボンナノチューブが、基板に対して垂直、かつ一定方向に配向成長する。また、原料ガスとして超高純度のアセチレンガスを用いることで、品質の良いカーボンナノチューブを成長させることができる。 When acetylene gas is used as the raw material gas, a plurality of carbon nanotubes having a multilayer structure and a diameter of 0.5 to 50 nm are oriented and grown perpendicularly to the substrate and in a certain direction from the catalyst particles as nuclei. Further, by using ultra-high purity acetylene gas as the raw material gas, high quality carbon nanotubes can be grown.
原料ガスを搬送させるキャリアガスとしては、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｎ２、Ｈ２などが挙げられる。これらのうち、Ｈｅ，Ｎ２，Ａｒが好ましく、Ｈｅがより好ましい。
As the carrier gas for transporting the raw material gas, for example, He, Ne, Ar, and the
原料ガスとキャリアガスとを含む混合ガスの総量に対して、原料ガスの含有量は、５〜１００体積％であることが好ましく、１０〜１００体積％であることがより好ましい。原料ガスの含有量が上記好ましい範囲の下限値以上であると、ＣＮＴを密に合成することができ、工程３のロープ状炭素構造物を容易に取り出すことができる。
The content of the raw material gas is preferably 5 to 100% by volume, more preferably 10 to 100% by volume, based on the total amount of the mixed gas containing the raw material gas and the carrier gas. When the content of the raw material gas is not more than the lower limit of the above preferable range, the CNTs can be densely synthesized and the rope-shaped carbon structure of the
（第２工程）
上述した第１工程において、カーボンナノチューブを充分に成長させた後、第２工程に移行する。第２工程では、基板に対するガスの供給量を第１工程における供給量よりも減少させて、カーボンナノチューブ中に結晶欠陥を導入する。
(Second step)
In the first step described above, after the carbon nanotubes are sufficiently grown, the process proceeds to the second step. In the second step, the amount of gas supplied to the substrate is reduced from the amount supplied in the first step to introduce crystal defects into the carbon nanotubes.
本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法において、ガスの供給量を減少させるとは、下記（１）及び（２）の場合をいう。
（１）ガスの供給量を第１工程における供給量の０％以上１０％以下とする。
すなわち、第１工程における原料ガスとキャリアガスとの比率を維持したまま、ガスの供給量の全体を上記第１工程時の流量の１０％以下（０％を含む）に低下させることをいう。
In the method for producing carbon nanotubes of the present embodiment, reducing the amount of gas supplied refers to the cases (1) and (2) below.
(1) The gas supply amount shall be 0% or more and 10% or less of the supply amount in the first step.
That is, it means reducing the total amount of gas supplied to 10% or less (including 0%) of the flow rate in the first step while maintaining the ratio of the raw material gas and the carrier gas in the first step.
（２）ガス中の原料ガスの供給量を第１工程における供給量の０％以上１０％以下とする。
すなわち、第１工程におけるキャリアガスの供給量を維持したまま、原料ガスの供給量を上記第１工程時の流量の１０％以下（０％を含む）に低下させることをいう。
(2) The supply amount of the raw material gas in the gas shall be 0% or more and 10% or less of the supply amount in the first step.
That is, it means reducing the supply amount of the raw material gas to 10% or less (including 0%) of the flow rate in the first step while maintaining the supply amount of the carrier gas in the first step.
上述したガスの供給量を減少させる時間は、連続的に設けられていてもよいし、断続的に設けられていてもよい。 The time for reducing the gas supply amount described above may be provided continuously or intermittently.
本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法は、上述したようにガスの供給量を減少させる時間（すなわち、第２工程）を設けることにより、第１工程によって成長させたカーボンナノチューブの端部に結晶欠陥を導入することができる。 In the method for producing carbon nanotubes of the present embodiment, crystal defects are formed at the ends of the carbon nanotubes grown in the first step by providing a time for reducing the gas supply amount (that is, the second step) as described above. Can be introduced.
本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法は、第３工程の前であれば、上述した第２工程の後に再び第１工程を行ってもよい。ガスの供給量を再び第１工程の条件に戻すことにより、導入した結晶欠陥に連続するように、結晶欠陥のないカーボンナノチューブを再び成長させることができる。これにより、基板表面から所定の高さとなるようにカーボンナノチューブ中に結晶欠陥を導入することができる。 In the method for producing carbon nanotubes of the present embodiment, if it is before the third step, the first step may be performed again after the second step described above. By returning the gas supply amount to the conditions of the first step again, the carbon nanotubes having no crystal defects can be grown again so as to be continuous with the introduced crystal defects. As a result, crystal defects can be introduced into the carbon nanotubes so as to have a predetermined height from the surface of the substrate.
ここで、図１及び図２を参照しながら、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法における第１工程及び第２工程について説明する。図１は、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法を説明するための図であり、ＣＶＤ法におけるガス流量の時間経過を示す図である。また、図２は、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法によって得られるカーボンナノチューブ（配向カーボンナノチューブ付き基材）を示す図である。 Here, the first step and the second step in the method for producing carbon nanotubes of the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a diagram for explaining the method for producing carbon nanotubes of the present embodiment, and is a diagram showing the passage of time of the gas flow rate in the CVD method. Further, FIG. 2 is a diagram showing carbon nanotubes (base material with oriented carbon nanotubes) obtained by the method for producing carbon nanotubes of the present embodiment.
図２に示すように、表面に金属触媒２が設けられた基材１を準備し、図示略のＣＶＤ装置内に設置する。
図１に示すように、時刻Ｔ１において、ＣＶＤ装置内にキャリアガスの供給を開始する。ここで、キャリアガスは、所定の流量Ｑ２である。また、原料ガスは遮断状態にある。
As shown in FIG. 2, a
As shown in FIG. 1, at time T1, the supply of the carrier gas into the CVD apparatus is started. Here, the carrier gas has a predetermined flow rate Q2. In addition, the raw material gas is in a cutoff state.
次に、時刻Ｔ２において、ＣＶＤ装置内に原料ガスの供給を開始する。ここで、原料ガスは瞬時に所定の流量Ｑ１となる。また、キャリアガスの流量は、Ｑ２−Ｑ１となるため、ＣＶＤ装置内に供給するガスの総量は、時刻Ｔ１〜Ｔ２の間と変化していない。この状態を時刻Ｔ２〜Ｔ３の間、継続する。 Next, at time T2, the supply of the raw material gas into the CVD apparatus is started. Here, the raw material gas instantly reaches a predetermined flow rate Q1. Further, since the flow rate of the carrier gas is Q2-Q1, the total amount of gas supplied into the CVD apparatus has not changed between the times T1 and T2. This state is continued for time T2 to T3.
すなわち、時刻Ｔ２〜Ｔ３の間が、第１工程である。図２に示すように、この第１工程において、金属触媒２を起点としてカーボンナノチューブ３（３Ａ部分）が成長する。
That is, the first step is between times T2 and T3. As shown in FIG. 2, in this first step, the carbon nanotube 3 (3A portion) grows from the
次に、図１に示すように、時刻Ｔ３において、キャリアガス及び原料ガスの流量を減少（停止）する。このガス流量の減少により、触媒基体面に対して垂直に配向して成長するカーボンナノチューブには結晶欠陥が発生する。この状態を時刻Ｔ３〜Ｔ４の間、継続する。 Next, as shown in FIG. 1, at time T3, the flow rates of the carrier gas and the raw material gas are reduced (stopped). Due to this decrease in gas flow rate, crystal defects occur in the carbon nanotubes that grow vertically oriented with respect to the surface of the catalyst substrate. This state is continued from time T3 to T4.
すなわち、時刻Ｔ３〜Ｔ４の間が、第２工程である。図２に示すように、この第２工程において、カーボンナノチューブ３（３Ａ部分）の端部に結晶欠陥４が導入される。
That is, the second step is between times T3 and T4. As shown in FIG. 2, in this second step, the
次に、図１に示すように、時刻Ｔ４において、再びガスの供給量を時刻Ｔ２〜Ｔ３時と同じ状態とする。この状態をＴ４〜Ｔ５の間、継続する。 Next, as shown in FIG. 1, at time T4, the amount of gas supplied is again set to the same state as at times T2 to T3. This state is continued from T4 to T5.
すなわち、時刻Ｔ４において、再び第１工程を行う。図２に示すように、この第１工程において、導入された結晶欠陥４から連続するように、再び結晶欠陥のないカーボンナノチューブ３（３Ｂ部分）が成長する。
That is, at time T4, the first step is performed again. As shown in FIG. 2, in this first step, the carbon nanotube 3 (3B portion) having no crystal defect grows again so as to be continuous from the introduced
次に、図１に示すように、時刻Ｔ５において原料ガスの供給を遮断する。この状態をＴ５〜Ｔ６の間継続して、ＣＶＤ反応を終了する。以上のようにして、図２に示すように、カーボンナノチューブ３（配向カーボンナノチューブ付き基材１０）が得られる。
Next, as shown in FIG. 1, the supply of the raw material gas is cut off at time T5. This state is continued for T5 to T6 to terminate the CVD reaction. As described above, as shown in FIG. 2, carbon nanotubes 3 (
（第３工程）
次に、第３工程では、導入した結晶欠陥の部位でカーボンナノチューブを切断することにより、カーボンナノチューブと基材とを分離する。カーボンナノチューブと基材との分離方法は特に制限されないが、スクレーパーのようなヘラによって剥離する方法や、粘着テープによって転写する方法等が挙げられる。結晶欠陥を作ったカーボンナノチューブは、該結晶欠陥の部位で容易に切断することができるため、カーボンナノチューブを成長させる際に用いた金属触媒粒子を基材に残留させたまま、カーボンナノチューブのみを取り出すことが可能である。
(Third step)
Next, in the third step, the carbon nanotube and the base material are separated by cutting the carbon nanotube at the site of the introduced crystal defect. The method for separating the carbon nanotubes from the base material is not particularly limited, and examples thereof include a method of peeling with a spatula such as a scraper and a method of transferring with an adhesive tape. Since the carbon nanotubes that have formed crystal defects can be easily cut at the site of the crystal defects, only the carbon nanotubes are taken out while the metal catalyst particles used for growing the carbon nanotubes remain on the substrate. It is possible.
また、カーボンナノチューブと基材とを分離する際、当該カーボンナノチューブの一部を引き出して紡糸し、ロープ状炭素構造物を形成してもよい。図３は、結晶欠陥を導入したカーボンナノチューブからロープ状炭素構造物を取り出す際の模式図である。図３に示すように、カーボンナノチューブ３同士がファンデルワールス力により引きあう程度に密集している場合、基材１の表面上に形成されたカーボンナノチューブ３の一部をピンセット等で引き上げると、引き上げたカーボンナノチューブ３の束にその周辺にある一部のカーボンナノチューブ３が追従して、カーボンナノチューブ３の束が連なるロープ状炭素構造物３０を形成することができる。
Further, when separating the carbon nanotube and the base material, a part of the carbon nanotube may be pulled out and spun to form a rope-shaped carbon structure. FIG. 3 is a schematic view when a rope-shaped carbon structure is taken out from a carbon nanotube into which a crystal defect has been introduced. As shown in FIG. 3, when the
すなわち、カーボンナノチューブ３に導入した結晶欠陥４がロープ状炭素構造物３０を成すファンデルワールス力に負けて切断されながら基材１から分離される。そのため、金属触媒（触媒粒子）２は基材１に残留し、基材１から分離したカーボンナノチューブ３（３Ａ）は金属触媒２を全く含まないロープ状炭素構造物３０として取り出すことができる。この方法により、精製の工程及び設備を要することなく、高純度なカーボンナノチューブを提供することができる。
That is, the
図４は、基材からカーボンナノチューブをロープ状炭素構造物として取り出す際の模式図である。図４に示すように、引き出されたロープ状炭素構造物３０は連続的に引出やすくなり、帯のようになって配向カーボンナノチューブ付き基材１０から分離され、ローラー２０等を用いて容易に回収することができる。このようにして回収されたカーボンナノチューブは、例えばカーボンナノチューブ分散液等に加工することができ、二次電池の電極材料、電気二重層キャパシタ用シート材料、燃料電池の電極触媒材料、樹脂パーツへの導電性付与添加剤として利用することができる。
FIG. 4 is a schematic view of taking out carbon nanotubes from the base material as a rope-shaped carbon structure. As shown in FIG. 4, the drawn rope-shaped
＜配向カーボンナノチューブ付き基材＞
図２に示すように、上述したカーボンナノチューブの製造方法によって得られる配向カーボンナノチューブ付き基材１０は、基材１と、基材１上に設けられた金属触媒２と、金属触媒２を起点とする複数のカーボンナノチューブ３と、を備えている。複数のカーボンナノチューブ３は、基材１に対して同一の方向（すなわち、基板表面に対して垂直方向）となるように配向している。また、複数のカーボンナノチューブ３には、基材１の表面から５０μｍの高さまでにおいて、少なくとも１以上の結晶欠陥４がそれぞれ同一の高さとなるように設けられている。
<Base material with oriented carbon nanotubes>
As shown in FIG. 2, the
＜カーボンナノチューブ＞
上述したカーボンナノチューブの製造方法によって得られるカーボンナノチューブの長さは、特に制限はないが、カーボンナノチューブの平均長さが３０〜５０００μｍであることが好ましく、生産性の観点から５０〜６００μｍであることがより好ましい。ここで、カーボンナノチューブの平均長さが上記好ましい範囲であると、種々の用途においてカーボンナノチューブの特性を充分に発揮することができるために好ましい。
<Carbon nanotubes>
The length of the carbon nanotubes obtained by the above-mentioned method for producing carbon nanotubes is not particularly limited, but the average length of the carbon nanotubes is preferably 30 to 5000 μm, and is 50 to 600 μm from the viewpoint of productivity. Is more preferable. Here, it is preferable that the average length of the carbon nanotubes is in the above-mentioned preferable range because the characteristics of the carbon nanotubes can be sufficiently exhibited in various applications.
また、カーボンナノチューブの径（直径）は、カーボンナノチューブの層数に大きく依存するものであるが、平均径が１〜８０ｎｍであることが好ましく、４〜２０ｎｍであることがより好ましい。これらの中でも、平均径が４ｎｍ以上とすることにより、折れにくいという効果が得られる。 The diameter (diameter) of the carbon nanotubes largely depends on the number of layers of the carbon nanotubes, but the average diameter is preferably 1 to 80 nm, more preferably 4 to 20 nm. Among these, when the average diameter is 4 nm or more, the effect of being hard to break can be obtained.
また、カーボンナノチューブの結晶性は、良いことが好ましい。具体的には、カーボンナノチューブの結晶性の指標である「Ｇ／Ｄ」が０．８以上であることが好ましく、１２以上であることがより好ましい。ここで、上記「Ｇ／Ｄ」が１２以上のカーボンナノチューブは、その構造中に欠陥となる５員環や７員環が少ないため、折損等を低減することができるため、好ましい。 Moreover, it is preferable that the crystallinity of the carbon nanotubes is good. Specifically, the "G / D", which is an index of the crystallinity of carbon nanotubes, is preferably 0.8 or more, and more preferably 12 or more. Here, the carbon nanotubes having a “G / D” of 12 or more are preferable because there are few 5-membered rings or 7-membered rings that become defects in the structure, and therefore breakage or the like can be reduced.
上記「Ｇ／Ｄ」は、例えば、励起波長６３２．８ｎｍで得られるラマンスペクトルにおいて、波数１５８０ｃｍ−１付近に出現するグラファイト構造に起因するピークであるＧバンドに出現するピークの強度ＩＧと、波数１３６０ｃｍ−１付近に出現する各種欠陥に起因するピークであるＤバンドに出現するピークの強度ＩＤとの比である。また、上記「Ｇ／Ｄ」は、市販のラマン分光分析装置を用いて算出することができる。なお、カーボンナノチューブでは、上記Ｇバンドのピークの***が観測されることがあるが、この場合、ピーク強度ＩＧとして高い方のピーク高さを採用すればよい。 The "G / D", for example, in the Raman spectrum obtained by excitation wavelength 632.8 nm, and the intensity I G of the peak appearing in G-band is a peak due to the graphite structure appearing in the vicinity of a wave number of 1580 cm -1, It is a ratio with the intensity ID of the peak appearing in the D band, which is a peak caused by various defects appearing in the vicinity of wave number 1360 cm -1. Further, the above "G / D" can be calculated using a commercially available Raman spectroscopic analyzer. In the carbon nanotube, which may peak splitting of the G band is observed, but in this case, may be employed peak height higher as the peak intensity I G.
図２に示すように、上述したカーボンナノチューブの製造方法によって基材１上に設けられたカーボンナノチューブ３は、任意に一部を強く屈曲させた結晶欠陥４を１つ以上有している。この結晶欠陥４は、上述したように、ＣＶＤ反応時に原料ガスを遮断あるいは低濃度化することによって結晶成長が不安定になり、いびつに成長することで発生する。なお、結晶欠陥４は、上記「Ｇ／Ｄ」が、０．１〜０．５の範囲である。
As shown in FIG. 2, the
基材１から取り出されたカーボンナノチューブ３は、上述した結晶欠陥４を有していてもよいし、有していなくてもよい。カーボンナノチューブ３を種々の用途に用いる場合、当該カーボンナノチューブの性能を発揮させる観点から、結晶欠陥４を有さないほうが好ましい。
The
カーボンナノチューブ３が結晶欠陥４を有する場合、当該カーボンナノチューブのいずれか一方の端部に結晶欠陥４を有していてもよい。上述したカーボンナノチューブの製造方法において、導入した結晶欠陥４の部位でカーボンナノチューブ３を切断することにより、カーボンナノチューブ３（３Ａ部分）と基材１とを分離する際、カーボンナノチューブ３Ａの端部に結晶欠陥４の一部が残存する場合があるためである。
When the
基材１から分離した後のカーボンナノチューブ３Ａの長さは、特に制限されないが、種々の用途にカーボンナノチューブを用いる観点から、５０μｍ以上、１０００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上、６００μｍ以下であることがより好ましい。分離後のカーボンナノチューブ３Ａの長さが上記好ましい範囲であると、当該カーボンナノチューブの性能を充分に発揮させることができる。
The length of the
以上説明したように、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法によれば、基材に対するガスの供給量を減少させてカーボンナノチューブ中に結晶欠陥を導入する工程を含む構成であるため、導入した結晶欠陥を起点としてカーボンナノチューブと基材とを分離することができる。その際、基材上に金属触媒が残留するため、容易にカーボンナノチューブの純度を高めることができる。 As described above, the method for producing carbon nanotubes of the present embodiment includes a step of reducing the amount of gas supplied to the base material and introducing crystal defects into the carbon nanotubes. The carbon nanotube and the base material can be separated from each other starting from the defect. At that time, since the metal catalyst remains on the base material , the purity of the carbon nanotubes can be easily increased.
本実施形態のカーボンナノチューブ３によれば、上記カーボンナノチューブの製造方法によって得られるため、基材１上に設けられた状態において、ラマンスペクトルにおけるピーク強度の比（Ｇ／Ｄ）が０．１〜０．５の範囲の結晶欠陥４を１以上有する。これにより、カーボンナノチューブ３の端部に不純物として金属触媒２を含む場合でも結晶欠陥４を起点として金属触媒２を基材１側に残した状態で切り離すことができる。したがって、容易にカーボンナノチューブ３の純度を高めることができる。
According to the
本実施形態の配向カーボンナノチューブ付き基材１０によれば、上記カーボンナノチューブの製造方法によって得られるため、複数のカーボンナノチューブ３が、基材１の表面から５０μｍの高さまでにおいて、少なくとも１以上の結晶欠陥４をそれぞれ同一の高さとなるように有する。これにより、結晶欠陥４を起点としてカーボンナノチューブ３（３Ａ部分）と基材１とを分離することができる。その際、基材１上に金属触媒２が残留するため、容易にカーボンナノチューブ３（３Ｂ）の純度を高めることができる。
According to the
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。上述した実施形態におけるカーボンナノチューブの製造方法では、図１及び図２に示すように、第１工程及び第２工程を行った後、再び第１工程を行う構成を一例として説明したが、これに限定されない。
例えば、第１工程及び第２工程を行った後、再び第１工程を行わない構成としてもよい。これにより、図２中に示すカーボンナノチューブ３Ｂ部分の成長を省略することができる。
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention. In the method for producing carbon nanotubes in the above-described embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, a configuration in which the first step and the second step are performed and then the first step is performed again has been described as an example. Not limited.
For example, after performing the first step and the second step, the first step may not be performed again. As a result, the growth of the
また、上述した実施形態において、２回目の第１工程を行った後、再び第２工程を行って、２つ目の結晶欠陥を導入する構成としてもよい。すなわち、第１工程及び第２工程をそれぞれ２以上備える構成であってもよい。 Further, in the above-described embodiment, the configuration may be such that after the second first step is performed, the second step is performed again to introduce the second crystal defect. That is, the configuration may include two or more first steps and two or more steps, respectively.
以下、本発明の効果について、実施例及び比較例によって詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例の内容に限定されるものではない。 Hereinafter, the effects of the present invention will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited to the contents of the following examples.
＜実施例１＞
図１に示す条件を用いてカーボンナノチューブを合成した。
シリコンウェハ（基材）に硝酸鉄から成る触媒溶液を塗布し、基材の表面に金属触媒からなる触媒層を形成した。当該基材を反応室に挿入し、ＣＶＤ法でＣＮＴの合成を実施した。図１中に示す原料ガスの流量（Ｑ１）は、１００ｓｃｃｍとした。キャリアガスの流量（Ｑ２−Ｑ１）は９００ｓｃｃｍ、総流量（Ｑ２）は１０００ｓｃｃｍとした。また、図１中に示す時間は、Ｔ１〜Ｔ２を１００ｓｅｃ、Ｔ２〜Ｔ３を５４０ｓｅｃ、Ｔ３〜Ｔ４を３０ｓｅｃ、Ｔ４〜Ｔ５を３０ｓｅｃ、Ｔ５〜Ｔ６を１００ｓｅｃとした。さらに、Ｔ３〜Ｔ４の間の原料ガスの流量は０ｓｃｃｍとし、キャリアガスの流量も０ｓｃｃｍを継続した。なお、反応室内の温度は７００℃とし、圧力は大気圧（１×１０５Ｐａ）とした。
<Example 1>
Carbon nanotubes were synthesized using the conditions shown in FIG.
A catalyst solution made of iron nitrate was applied to a silicon wafer (base material) to form a catalyst layer made of a metal catalyst on the surface of the base material. The base material was inserted into the reaction chamber, and CNTs were synthesized by the CVD method. The flow rate (Q1) of the raw material gas shown in FIG. 1 was set to 100 sccm. The flow rate of the carrier gas (Q2-Q1) was 900 sccm, and the total flow rate (Q2) was 1000 sccm. The time shown in FIG. 1 was 100 sec for T1 to T2, 540 sec for T2 to T3, 30 sec for T3 to T4, 30 sec for T4 to T5, and 100 sec for T5 to T6. Further, the flow rate of the raw material gas between T3 and T4 was set to 0 sccm, and the flow rate of the carrier gas continued to be 0 sccm. The temperature of the reaction chamber was set to 700 ° C., the pressure was atmospheric pressure (1 × 10 5 Pa).
上記条件によってＣＮＴを合成することで、ロープ状炭素構造体が作成可能な配向ＣＮＴを得た。 By synthesizing CNTs under the above conditions, oriented CNTs capable of producing a rope-shaped carbon structure were obtained.
合成したＣＮＴアレイの結晶欠陥の部分と、結晶欠陥の無い部分のＧ／Ｄを測定する為、顕微ラマン分光光度計により、ラマンスペクトル測定を行った。Ｇ−ｂａｎｄピーク（１５９０ｃｍ−１付近）とＤ−ｂａｎｄピーク（１３５０ｃｍ−１付近）の強度比から、Ｇ／Ｄを算出した。その結果、結晶欠陥のある部分では、Ｇ／Ｄ＝０．４、結晶欠陥の無い部分ではＧ／Ｄ＝１．１となっており、結晶欠陥のある部分はＧ／Ｄが低いことを確認した。 In order to measure the G / D of the crystal defect portion and the crystal defect-free portion of the synthesized CNT array, Raman spectrum measurement was performed with a microscopic Raman spectrophotometer. From the intensity ratio of G-band peak (1590 cm -1 vicinity) and D-band peak (1350 cm around -1), it was calculated G / D. As a result, G / D = 0.4 in the part with crystal defects and G / D = 1.1 in the part without crystal defects, and it was confirmed that the part with crystal defects had low G / D. did.
次に、得られた配向ＣＮＴをロープ状炭素構造体としてローラーに取り出して、高純度ＣＮＴのサンプルとした。 Next, the obtained oriented CNTs were taken out to a roller as a rope-shaped carbon structure to prepare a sample of high-purity CNTs.
次に、得られたロープ状炭素構造体をマイクロ波分解装置により、硝酸、フッ酸及び過塩素酸の混酸中に溶解した。この分解液を２０倍に希釈し、ＩＣＰ質量分析装置（サーモエレクトロン社製、「Ｘ ｓｅｒｉｅｓＩＩ」）を用いたＩＣＰ質量分析により、触媒粒子である鉄の濃度を測定した。（測定質量数［ｍ／ｚ］：Ｆｅ：５６［Ｒｈ：１０３（ＣＣＴ）］）結果を表１に示す。 Next, the obtained rope-shaped carbon structure was dissolved in a mixed acid of nitric acid, hydrofluoric acid and perchloric acid by a microwave decomposition apparatus. This decomposition liquid was diluted 20 times, and the concentration of iron as catalyst particles was measured by ICP mass spectrometry using an ICP mass spectrometer (manufactured by Thermoelectron, "X series II"). (Measured mass number [m / z]: Fe: 56 [Rh: 103 (CCT)]) The results are shown in Table 1.
＜比較例１＞
上述した実施例１において、Ｔ３〜Ｔ４の時間を０ｓｅｃとして結晶欠陥を作らずに取り出したロープ状炭素構造物５０ｍｇを同様の方法で溶解し、同様の方法で鉄の濃度を測定した。結果を表１に示す。
<Comparative example 1>
In Example 1 described above, 50 mg of the rope-shaped carbon structure taken out without forming crystal defects was dissolved by the same method with the time of T3 to T4 set to 0 sec, and the iron concentration was measured by the same method. The results are shown in Table 1.
＜比較例２＞
比較例１と同じように合成し、スクレーパーで基体から分離したものをＡｒ雰囲気にて２５００℃で１時間焼成したＣＮＴ５０ｍｇを同様の方法で溶解し、同様の方法で鉄の濃度を測定した。結果を表１に示す。
<Comparative example 2>
50 mg of CNT, which was synthesized in the same manner as in Comparative Example 1 and separated from the substrate by a scraper and calcined at 2500 ° C. for 1 hour in an Ar atmosphere, was dissolved by the same method, and the iron concentration was measured by the same method. The results are shown in Table 1.
表１に示すように、比較例１は、触媒である鉄の濃度が３０ｐｐｍであった。したがって、比較例１の方法では、高純度のＣＮＴが得られないことを確認した。 As shown in Table 1, in Comparative Example 1, the concentration of iron as a catalyst was 30 ppm. Therefore, it was confirmed that the method of Comparative Example 1 could not obtain high-purity CNTs.
また、比較例２によれば、ロープ状炭素構造物として取り出したカーボンナノチューブをＡｒ雰囲気、２５００℃で熱処理し、Ｆｅ粒子を蒸発させて除去することにより、鉄の濃度が１０ｐｐｍ（検出下限値）以下であった。 Further, according to Comparative Example 2, the carbon nanotubes taken out as a rope-shaped carbon structure were heat-treated in an Ar atmosphere at 2500 ° C. to evaporate and remove Fe particles, whereby the iron concentration was 10 ppm (the lower limit of detection). It was as follows.
これに対して、実施例１は、触媒である鉄の濃度が１０ｐｐｍ（検出下限値）以下であった。したがって、実施例１は、２５００℃という高温で熱処理をすることなく、簡便な方法で炭素純度９９．９９９％以上という高純度のＣＮＴが得られることを確認した。 On the other hand, in Example 1, the concentration of iron as a catalyst was 10 ppm (lower limit of detection) or less. Therefore, in Example 1, it was confirmed that a high-purity CNT having a carbon purity of 99.999% or more can be obtained by a simple method without heat treatment at a high temperature of 2500 ° C.
１・・・基材（基板）
２・・・金属触媒（触媒粒子）
３・・・カーボンナノチューブ（配向カーボンナノチューブ）
４・・・結晶欠陥
１０・・・配向カーボンナノチューブ付き基材
２０・・・ローラー
３０・・・ロープ状炭素構造物
1 ... Substrate (board)
2 ... Metal catalyst (catalyst particles)
3 ... Carbon nanotubes (aligned carbon nanotubes)
4 ...
Claims (14)
表面に金属触媒が設けられた基材に対して原料ガスを含むガスを供給し、前記金属触媒を起点として前記基材の表面上にカーボンナノチューブを成長させる第１工程と、
前記基材に対する前記ガスの供給量を前記第１工程における供給量よりも減少させて、前記カーボンナノチューブ中に結晶欠陥を導入する第２工程と、を備える、カーボンナノチューブの製造方法。 A method for producing carbon nanotubes using a chemical vapor deposition method.
The first step of supplying a gas containing a raw material gas to a base material provided with a metal catalyst on the surface and growing carbon nanotubes on the surface of the base material starting from the metal catalyst.
A method for producing carbon nanotubes, comprising a second step of reducing the supply amount of the gas to the base material from the supply amount in the first step and introducing crystal defects into the carbon nanotubes.
複数の前記カーボンナノチューブが前記基材に対して同一の方向となるように配向するとともに、
複数の前記カーボンナノチューブが、前記基材の表面から５０μｍの高さまでにおいて、少なくとも１以上の結晶欠陥をそれぞれ同一の高さとなるように有する、配向カーボンナノチューブ付き基材。 A base material, a metal catalyst provided on the base material, and a plurality of carbon nanotubes starting from the metal catalyst are provided.
A plurality of the carbon nanotubes are oriented so as to be oriented in the same direction with respect to the base material, and the carbon nanotubes are oriented in the same direction.
A substrate with oriented carbon nanotubes, wherein the plurality of carbon nanotubes have at least one or more crystal defects at the same height up to a height of 50 μm from the surface of the substrate.
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