JP6715672B2 - 回路モジュール - Google Patents

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Description

本発明は、弾性波素子を備える回路モジュールに関する。
従来、複数の実装部品を備える回路モジュールが知られている。
この種の回路モジュールの一例として、特許文献１には、実装基板と、実装基板に搭載された複数の実装部品と、これらの実装部品を覆うように実装基板上に設けられた樹脂部とを備える回路モジュールが開示されている。
特開２０１１−２２２７０４号公報
移動体通信端末の小型化、高集積化に伴い、回路モジュールにも小型化が求められている。そのため、例えば、実装部品を覆う領域の樹脂部の厚みを薄くし、回路モジュールを低背化することが行われる。
しかしながら、例えば、回路モジュールの天面をレーザ捺印（レーザマーキング）して、回路モジュールに品番を付す場合、実装部品を覆う領域の樹脂部の厚みが薄いと、レーザ光が樹脂部を透過して実装部品に到達し、実装部品にダメージを与えるという問題がある。特に、実装部品が弾性波素子である場合、弾性波素子が受けるダメージは大きい。
そこで、本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、弾性波素子を備える回路モジュールにおいて、低背化を図るとともに、弾性波素子が受けるダメージを抑制することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一形態に係る回路モジュールは、導体配線を有する実装基板と、前記実装基板の主面に設けられた弾性波素子と、前記実装基板の前記主面に設けられた、弾性波素子と異なる電気素子と、前記弾性波素子および前記電気素子を覆うように、前記実装基板の前記主面に設けられた絶縁性を有する樹脂部とを備え、前記弾性波素子と前記実装基板との間に前記樹脂部が設けられ、前記弾性波素子と前記電気素子とは、前記導体配線を介して接続され、前記弾性波素子は、高さが０．２８ｍｍ以下であり、前記電気素子よりも高さが低く、前記弾性波素子を覆う領域の前記樹脂部の厚みは、前記電気素子を覆う領域の前記樹脂部の厚みよりも厚く、前記電気素子は、磁性体材料からなるセラミック素体と、金属材料からなる外部電極とを有するインダクタであり、前記弾性波素子および前記電気素子は、互いに隣り合って配置されている。
このように、弾性波素子の高さを０．２８ｍｍ以下とし、弾性波素子の高さを低くすることで、回路モジュールを低背化することが可能となる。また、弾性波素子を覆う領域の樹脂部の厚みを厚くすることで、例えば、回路モジュールの天面にレーザ捺印を行う場合に、弾性波素子が受けるダメージを抑制することができる。また、電気素子が、磁性体材料からなるセラミック素体と、金属材料からなる外部電極とを有するインダクタであるので、回路モジュールの天面をレーザ捺印する場合に、電気素子が受けるダメージを抑制することができ、電気素子を覆う領域の樹脂部の厚みを薄くすることが可能となる。これにより、回路モジュールを低背化するとともに、回路モジュール内に発生した熱を、厚みが薄い樹脂部を介して効率良く放熱することができる。また、弾性波素子および前記電気素子が、互いに隣り合って配置されていてるので、弾性波素子から電気素子への熱の伝達経路を短くすることができ、弾性波素子から電気素子への熱の伝達速度を速め、効率良く放熱することができる。これにより、弾性波素子の温度上昇を抑制し、回路モジュールの耐電力性を向上させることができる。
上記目的を達成するために、本発明の一形態に係る回路モジュールは、導体配線を有する実装基板と、前記実装基板の主面に設けられた弾性波素子と、前記実装基板の前記主面に設けられた、弾性波素子と異なる電気素子と、前記弾性波素子および前記電気素子を覆うように、前記実装基板の前記主面に設けられた絶縁性を有する樹脂部とを備え、前記弾性波素子と前記実装基板との間に前記樹脂部が設けられ、前記弾性波素子と前記電気素子とは、前記導体配線を介して接続され、前記弾性波素子は、高さが０．２８ｍｍ以下であり、前記電気素子よりも高さが低く、前記弾性波素子を覆う領域の前記樹脂部の厚みは、前記電気素子を覆う領域の前記樹脂部の厚みよりも厚く、前記電気素子は、積層インダクタであり、前記弾性波素子および前記電気素子は、互いに隣り合って配置されている。
このように、弾性波素子の高さを０．２８ｍｍ以下とし、弾性波素子の高さを低くすることで、回路モジュールを低背化することが可能となる。また、弾性波素子を覆う領域の樹脂部の厚みを厚くすることで、例えば、回路モジュールの天面にレーザ捺印を行う場合に、弾性波素子が受けるダメージを抑制することができる。また、電気素子が、積層インダクタであるので、回路モジュール内に発生した熱を効率良く放熱することができる。また、弾性波素子および前記電気素子が、互いに隣り合って配置されていてるので、弾性波素子から電気素子への熱の伝達経路を短くすることができ、弾性波素子から電気素子への熱の伝達速度を速め、効率良く放熱することができる。これにより、弾性波素子の温度上昇を抑制し、回路モジュールの耐電力性を向上させることができる。
また、電気素子を覆う領域の樹脂部の厚みを薄くすることで、回路モジュール内に発生した熱を、厚みが薄い樹脂部（電気素子を覆う領域の樹脂部）を介して効率良く放熱することができる。例えば、弾性波素子に電圧が印加された場合、弾性波素子の振動により熱が発生するが、上記構造によれば、発生した熱を、導体配線を介して電気素子に伝達し、さらに電気素子から厚みが薄い樹脂部を介して放熱することができる。これにより、弾性波素子の温度上昇を抑制し、回路モジュールの耐電力性を向上させることができる。
また、前記電気素子を覆う領域の前記樹脂部の厚みは、０．１４ｍｍ以下であってもよい。
これによれば、電気素子を覆う領域の樹脂部の厚みが、０．１４ｍｍ以下であり、薄いので、回路モジュール内に発生した熱を、厚みが薄い樹脂部を介して効率良く放熱することができる。これにより、回路モジュールの耐電力性を向上させることができる。
また、前記弾性波素子は、厚みが０．１１ｍｍ以下の圧電基板と、前記圧電基板の主面に設けられたＩＤＴ電極とを有し、前記弾性波素子は、前記圧電基板の前記主面と前記実装基板の前記主面とが向かい合うように、はんだバンプを介して前記実装基板の前記導体配線に接続されていてもよい。
このように、圧電基板の厚みを０．１１ｍｍ以下とすることで、弾性波素子の高さが低くなり、回路モジュールを低背化することができる。また、圧電基板の厚みが０．１１ｍｍ以下と薄くなり、圧電基板の伝熱経路が狭くなった場合であっても、弾性波素子から導体配線を介して電気素子に熱を伝達し、さらに、電気素子から厚みが薄い樹脂部を介して放熱することができる。これにより、弾性波素子の温度上昇を抑制し、回路モジュールの耐電力性を向上させることができる。
また、前記弾性波素子は、さらに、前記圧電基板の前記主面のうち、前記ＩＤＴ電極が設けられた領域の周囲に立設された支持層と、前記支持層上に設けられ、前記ＩＤＴ電極を空間を介して覆うカバー層と、を備えていてもよい。
これによれば、圧電基板と、圧電基板に設けられたＩＤＴ電極と、圧電基板上に設けられた支持層およびカバー層とを備える弾性波素子について、低背化を図るとともに、弾性波素子が受けるダメージを抑制することができる。
また、前記電気素子は、チップ状のセラミック電子部品であってもよい。
電気素子であるセラミック電子部品はレーザによるダメージを受けにくいので、回路モジュールの天面をレーザ捺印する場合に、電気素子を覆う領域の樹脂部の厚みを薄くすることが可能となる。これにより、回路モジュールを低背化するとともに、回路モジュール内に発生した熱を、厚みが薄い樹脂部を介して効率良く放熱することができる。
また、前記樹脂部は、主剤である樹脂材料と、前記樹脂材料内に分散されたフィラーとを含み、前記フィラーは、前記樹脂材料よりも熱伝導率が高くてもよい。
これによれば、樹脂部の伝熱量を増やし、効率良く放熱することができる。これにより、回路モジュールの耐電力性を向上させることができる。
また、回路モジュールは、さらに、前記樹脂部の外側を覆うように導電性を有するシールド部が設けられていてもよい。
これによれば、樹脂部に伝達された熱がシールド部を介して放熱されるので、放熱量を増やすことができる。これにより、回路モジュールの耐電力性を向上させることができる。
また、前記弾性波素子を覆う領域の前記樹脂部の厚みは、０．０８ｍｍ以上０．８ｍｍ以下であってもよい。
このように、弾性波素子を覆う領域の樹脂部の厚みを、０．０８ｍｍ以上０．８ｍｍ以下となるように厚くすることで、回路モジュールの天面にレーザ捺印を行う場合に、弾性波素子が受けるダメージを抑制することができる。なお、回路モジュールにおける前記導体配線は、前記実装基板の前記主面に設けられていてもよい。

本発明は、弾性波素子を備える回路モジュールにおいて、低背化を図るとともに、弾性波素子が受けるダメージを抑制することができる。
比較例における回路モジュールの断面の模式図である。 実施の形態に係る回路モジュールの斜視図である。 実施の形態に係る回路モジュールであって、図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線の断面図である。 実施の形態に係る回路モジュールに含まれる弾性波素子の断面図である。
（実施の形態）
本実施の形態に係る回路モジュールは、弾性波素子（弾性表面波素子または弾性境界波素子）を備える。この回路モジュールは、例えば、移動体通信端末等に内蔵されるデュプレクサ、マルチプレクサまたは通信モジュールに用いられる。
本実施の形態に係る回路モジュールを説明する前に、従来の回路モジュールの課題について説明する。
［１．回路モジュールの課題の説明］
図１は、比較例における回路モジュール１０１の断面図を示す図である。
比較例における回路モジュール１０１は、実装基板１４０と、実装基板１４０の主面１４０ｍに設けられた弾性波素子１１０および実装部品１２０と、弾性波素子１１０および実装部品１２０を覆う封止部１３０とを備えている。弾性波素子１１０および実装部品１２０は、互いに隣り合って配置され、はんだバンプ１１６を介して実装基板１４０に搭載されている。
また、封止部１３０は、絶縁性を有する樹脂部１３１と、樹脂部１３１の外側に設けられたシールド部１３２とを有している。樹脂部１３１は、弾性波素子１１０と実装部品１２０との間に充填され、弾性波素子１１０および実装部品１２０を覆うように、実装基板１４０の主面１４０ｍに設けられている。
移動体通信端末の小型化、高集積化に伴い、回路モジュール１０１にも小型化が求められている。そのため、例えば、弾性波素子１１０を覆う領域の樹脂部１３１の厚みｔ１０１を薄くし、回路モジュール１０１を低背化することが行われる。しかしながら、例えば、回路モジュール１０１の天面１３０ａをレーザ捺印して回路モジュール１０１に品番を付す場合、樹脂部１３１の厚みｔ１０１が薄いと、レーザ光が樹脂部１３１を透過して弾性波素子１１０に到達し、弾性波素子１１０にダメージを与えるという問題がある。
一方、樹脂部１３１の厚みｔ１０１が厚すぎると、弾性波素子１１０に電圧を印加した場合に、弾性波素子１１０の振動により生じた熱が十分に放熱されず、弾性波素子１１０の温度が上昇し、回路モジュール１０１の耐電力性を低下させるという問題がある。
本実施の形態に係る回路モジュールは、低背化を図るとともに、弾性波素子が受けるダメージを抑制することができ、また、弾性波素子の振動により生じた熱を放熱することができる構造を有している。
［２．回路モジュールの構成］
以下、本発明の実施の形態に係る回路モジュールについて、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置および接続形態、ステップ、ステップの順序等は、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
図２は、本実施の形態に係る回路モジュール１の斜視図である。図３は、回路モジュール１の断面図であって、図２に示すＩＩＩ−ＩＩＩ線の断面図である。
本実施の形態に係る回路モジュール１は、実装基板４０と、実装基板４０の主面４０ｍに設けられた弾性波素子１０および電気素子２０と、弾性波素子１０および電気素子２０を覆う封止部３０とを備えている。弾性波素子１０および電気素子２０は、互いに隣り合って配置されている。なお、図２および図３では、弾性波素子１０および電気素子２０が１つずつ設けられているが、それに限られず、実装基板４０上に複数の弾性波素子１０と複数の電気素子２０とが設けられていてもよい。
実装基板４０としては、セラミック基板またはガラスエポキシ基板などが用いられる。実装基板４０の主面４０ｍには、Ｃｕなどの金属箔からなる導体配線４１が形成されている。弾性波素子１０と電気素子２０とは、導体配線４１およびはんだバンプ１６を介して電気的かつ熱的に接続されている。導体配線４１およびはんだバンプ１６の熱伝導率は、実装基板４０、封止部３０、および、後述する圧電基板１１の熱伝導率よりも高い。
弾性波素子１０は、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋａｇｅ）タイプの弾性表面波デバイスである。弾性波素子１０は、直方体状であり、はんだバンプ１６を介して実装基板４０の主面４０ｍに搭載されている。実装基板４０に搭載された状態の弾性波素子１０の高さｈ１（実装基板４０の主面４０ｍから弾性波素子１０の天面１０ａまでの距離）は、０．２８ｍｍ以下である。
本実施の形態では、弾性波素子１０の高さｈ１を電気素子２０よりも低くすることで、回路モジュール１の天面３０ａの高さを低くし、回路モジュール１を低背化している。弾性波素子１０の高さｈ１は、０．１ｍｍ以上０．２８ｍｍ以下の範囲から適宜選択されることが望ましい。弾性波素子１０の詳しい構成については、後述する。
電気素子２０は、弾性波素子とは異なる素子である。電気素子２０は、具体的には、チップ状のセラミック電子部品であり、さらに具体的には、弾性波素子１０をインピーダンスマッチングするための積層インダクタである。
電気素子２０は、例えば、導体パターンを有するセラミック基材を複数積層して直方体状の積層体を形成した後、焼成し、その後、積層体の両端のそれぞれに外部電極を形成することで作製される。電気素子２０は、レーザ光を吸収しにくい材料を含んでいる。具体的には、電気素子２０の表面は、ＣＯ２レーザ光（波長１０．６μｍ）の吸収率が低い、磁性体材料からなるセラミック素体と、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｃｕなどの金属材料からなる外部電極とで構成されている。そのため、電気素子２０は、レーザ捺印時におけるレーザ光のダメージを受けにくい。
電気素子２０は、直方体状であり、はんだ等により実装基板４０の主面４０ｍに搭載されている。実装基板４０に搭載された状態の電気素子２０の高さｈ２（実装基板４０の主面４０ｍから電気素子２０の天面２０ａまでの距離）は、例えば０．５ｍｍである。電気素子２０の高さｈ２は、０．３ｍｍ以上０．８ｍｍ以下の範囲から適宜選択される。
本実施の形態では、弾性波素子１０の高さｈ１が、電気素子２０の高さｈ２よりも低い。弾性波素子１０の高さｈ１が低いことで、弾性波素子１０は、厚い封止部３０で覆われる構造となる。これにより、例えば、回路モジュール１の天面にレーザ捺印を行う場合に、弾性波素子１０が受けるダメージを抑制することができる。
封止部３０は、絶縁性を有する樹脂部３１と、樹脂部３１の外側に設けられた導電性を有するシールド部３２とを有している。
樹脂部３１は、弾性波素子１０と電気素子２０との間に充填され、弾性波素子１０および電気素子２０を覆うように、実装基板４０の主面４０ｍに設けられている。樹脂部３１は、主剤であるエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂材料と、この樹脂材料内に分散されたフィラーとを含む。樹脂材料内のフィラーは、例えばセラミックフィラーであり、主剤である樹脂材料よりも熱伝導率が高いものが用いられる。また、このフィラーの直径は、電気素子２０を覆う領域の樹脂部３１の厚みｔ２（電気素子２０の天面２０ａと樹脂部３１の天面３１ａとの距離）からよりも小さい。
シールド部３２の厚みは、例えば０．０１ｍｍである。シールド部３２は、実装基板４０に設けられたグランド電極に接続される。シールド部３２の材料としては、例えば、導電性成分を含む樹脂材料が用いられる。導電性成分は、例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉなどの金属フィラーであり、樹脂材料は、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などである。
弾性波素子１０を覆う領域の樹脂部３１の厚みｔ１（弾性波素子１０の天面１０ａと樹脂部３１の天面３１ａとの距離）は、例えば０．３２ｍｍである。樹脂部３１の厚みｔ１は、０．０８ｍｍ以上０．８ｍｍ以下の範囲から適宜選択されることが望ましい。本実施の形態では、樹脂部３１の厚みｔ１が、０．０８ｍｍ以上の厚みを有することで、回路モジュール１の天面をレーザ捺印する場合に、弾性波素子１０に与えるダメージを抑制することができる。なお、さらに好ましくは、樹脂部３１の厚みｔ１は、０．１５ｍｍ以上０．８ｍｍ以下の範囲から適宜選択されることが望ましい。樹脂部３１の厚みｔ１が、０．１５ｍｍ以上の厚みを有することで、回路モジュール１の天面をレーザ捺印する場合に、弾性波素子１０に与えるダメージをさらに抑制することができる。
電気素子２０を覆う領域の樹脂部３１の厚みｔ２は、例えば０．１４ｍｍである。樹脂部３１の厚みｔ２は、０．０３ｍｍ以上０．１４ｍｍ以下の範囲から適宜選択されることが望ましい。本実施の形態では、樹脂部３１の厚みｔ２を薄く、０．１４ｍｍ以下とすることで、回路モジュール１内に発生した熱を、厚みが薄い樹脂部３１（電気素子２０を覆う領域の樹脂部）を介して効率良く放熱することができる。
具体的には、弾性波素子１０に電圧が印加された場合、弾性波素子１０の振動により熱が発生する。発生した熱の一部は、弾性波素子１０に接する領域の樹脂部３１を介して放熱されるが、発生した熱の大部分は、熱伝導率が高いはんだバンプ１６および導体配線４１を介して電気素子２０に伝達される。そして、電気素子２０に伝達された熱は、電気素子２０の天面２０ａに接する樹脂部３１を介して放熱される。
このように、本実施の形態では、電気素子２０を覆う領域の樹脂部３１の厚みｔ２が０．１４ｍｍ以下であり、薄いので、電気素子２０に伝達された熱を、厚みが薄い樹脂部３１（電気素子２０を覆う領域の樹脂部）を介して効率良く放熱することができる。そのため、弾性波素子１０の温度上昇を抑制し、回路モジュール１の耐電力性を向上させることができる。
なお、樹脂部３１の厚みｔ２は、０．１４ｍｍ以下であり、厚みが薄くなっているが、電気素子２０自身がレーザ光によるダメージを受けにくいので、電気素子２０の電気的特性への影響は無いに等しい。
［３．弾性波素子の構成］
次に、回路モジュール１に含まれる弾性波素子１０の構成について説明する。
図４は、回路モジュール１に含まれる弾性波素子１０の断面図である。
弾性波素子１０は圧電基板１１、ＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ Ｄｉｇｉｔａｌ Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１２、配線電極１３、カバー層１５、柱状電極１４、はんだバンプ１６、および、支持層１７を有している。弾性波素子１０の内部には、圧電基板１１と、圧電基板１１の周囲に立設された支持層１７と、支持層１７の上に配置されたカバー層１５とによって包囲された空間１９が形成されている。
圧電基板１１は、弾性波素子１０の基板を構成する圧電体であり、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、水晶などの圧電単結晶または圧電セラミックスから構成される。
圧電基板１１の厚みｔ１０は、例えば、０．１ｍｍである。圧電基板１１の厚みｔ１０は、０．０５ｍｍ以上０．１１ｍｍ以下の範囲から適宜選択されることが望ましい。
ＩＤＴ電極１２は、弾性表面波を励振する櫛形電極であり、圧電基板１１の主面に設けられている。ＩＤＴ電極１２は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｎｉ等の金属または合金、あるいは、それら金属または合金の積層体から構成される。なお、圧電基板１１とＩＤＴ電極１２との間に、シリコン酸化膜などが形成されていてもよい。
配線電極１３は、ＩＤＴ電極１２と弾性波素子１０の外部とを接続する配線経路の一部を構成する電極であり、例えば、ＩＤＴ電極１２と同様の材料で構成される。
支持層１７は、ＩＤＴ電極１２の高さよりも高い層であり、圧電基板１１の主面のうちＩＤＴ電極１２が設けられた領域の周囲に立設されている。支持層１７は、例えば、ポリイミド、エポキシ、ベンゾシクロブテン（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ：ＢＣＢ）、ポリベンゾオキサゾール（Ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ：ＰＢＯ）、金属および酸化珪素の少なくとも一つを含む材料から構成される。
カバー層１５は、支持層１７の上に配置され、空間１９を介してＩＤＴ電極１２を覆う層であり、ポリイミド、エポキシ、ＢＣＢ、ＰＢＯ、金属および酸化珪素の少なくとも一つを含む材料から構成される。
柱状電極１４は、配線電極１３と外部とを接続する配線経路の一部を構成し、支持層１７およびカバー層１５を貫通するように形成された電極であり、例えば、ＩＤＴ電極１２と同様の材料で構成される。
上記構造を有する弾性波素子１０は、電圧が印加されることで振動して熱を発生する。その熱は、ＩＤＴ電極１２、配線電極１３、柱状電極１４を順に経由して、はんだバンプ１６に伝達され、さらに、はんだバンプ１６から導体配線４１、電気素子２０、樹脂部３１を順に経由して放熱される。
本実施の形態では、圧電基板１１の厚みｔ１を０．１１ｍｍ以下とすることで、弾性波素子１０の高さを低くし、回路モジュール１を低背化している。
また、本実施の形態の回路モジュール１は、弾性波素子１０で発生した熱を、ＩＤＴ電極１２、配線電極１３、柱状電極１４、はんだバンプ１６および導体配線４１を経由して電気素子２０に伝達し、さらに電気素子２０から樹脂部３１を介して放熱する構造を有している。そのため、圧電基板１１の厚みｔ１０を薄くし、圧電基板１１自体の伝熱経路が狭くなった場合であっても、上記放熱構造を有することで弾性波素子１０の温度上昇を抑制し、回路モジュール１の耐電力性を向上させることができる。
［４．まとめ］
本実施の形態に係る回路モジュール１は、導体配線４１を有する実装基板４０と、実装基板４０の主面４０ｍに設けられた弾性波素子１０と、実装基板４０の主面４０ｍに設けられた、弾性波素子１０と異なる電気素子２０と、弾性波素子１０および電気素子２０を覆うように、実装基板４０の主面４０ｍに設けられた絶縁性を有する樹脂部３１とを備えている。そして、弾性波素子１０と電気素子２０とは、導体配線４１を介して接続され、弾性波素子１０は、高さｈ１が０．２８ｍｍ以下であり、電気素子２０よりも高さが低く、弾性波素子１０を覆う領域の樹脂部３１の厚みｔ１は、電気素子２０を覆う領域の樹脂部３１の厚みｔ２よりも厚い。
このように、弾性波素子１０の高さを０．２８ｍｍ以下とし、弾性波素子１０の高さを低くすることで、回路モジュール１を低背化することが可能となる。
また、弾性波素子１０を覆う領域の樹脂部３１の厚みｔ１を厚くすることで、例えば、回路モジュール１の天面３０ａにレーザ捺印を行う場合に、弾性波素子１０が受けるダメージを抑制することができる。
また、電気素子２０を覆う領域の樹脂部３１の厚みを薄くすることで、回路モジュール１内に発生した熱を、厚みが薄い樹脂部３１（電気素子２０を覆う領域の樹脂部）を介して効率良く放熱することができる。例えば、弾性波素子１０に電圧が印加された場合、弾性波素子１０の振動により熱が発生するが、上記構造によれば、発生した熱を、導体配線４１を介して電気素子２０に伝達し、さらに電気素子２０から厚みが薄い樹脂部３１を介して放熱することができる。これにより、弾性波素子１０の温度上昇を抑制し、回路モジュール１の耐電力性を向上させることができる。
以上、本発明に係る回路モジュール１について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、これらの実施の形態および変形例に限定されない。本発明の主旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を実施の形態および変形例に施したものや、実施の形態および変形例における一部の構成要素を組み合わせて構築される別の形態も、本発明の範囲内に含まれる。
例えば、弾性波素子１０は、弾性表面波素子に限られず、弾性境界波素子であってもよい。
また、電気素子２０は、積層セラミックインダクタに限られず、積層セラミックコンデンサであってもよい。
また、シールド部３２は、本実施の形態ではグランド電極に接続されているが、それに限られず、グランドに接地されていなくてもよい。
また、回路モジュール１をレーザ捺印する場合のレーザの種類は、ＣＯ２レーザに限られず、ＹＡＧレーザであってもよい。
本発明は、例えば、移動体通信端末の通信モジュールを構成する回路モジュールとして利用できる。
１ 回路モジュール
１０ 弾性波素子
１０ａ 弾性波素子の天面
１１ 圧電基板
１１ｍ 圧電基板の主面
１２ ＩＤＴ電極
１３ 配線電極
１４ 柱状電極
１５ カバー層
１６ はんだバンプ
１７ 支持層
１９ 空間
２０ 電気素子
２０ａ 電気素子の天面
３０ 封止部
３０ａ 回路モジュールの天面
３１ 樹脂部
３１ａ 樹脂部の天面
３２ シールド部
４０ 実装基板
４０ｍ 実装基板の主面
４１ 導体配線
ｈ１ 弾性波素子の高さ
ｈ２ 電気素子の高さ
ｔ１ 弾性波素子を覆う領域の樹脂部の厚み
ｔ２ 電気素子を覆う領域の樹脂部の厚み
ｔ１０ 圧電基板の厚み

Claims (14)

  1. 導体配線を有する実装基板と、
    前記実装基板の主面に設けられた弾性波素子と、
    前記実装基板の前記主面に設けられた、弾性波素子と異なる電気素子と、
    前記弾性波素子および前記電気素子を覆うように、前記実装基板の前記主面に設けられた絶縁性を有する樹脂部と
    を備え、
    前記弾性波素子と前記実装基板との間に前記樹脂部が設けられ、
    前記弾性波素子と前記電気素子とは、前記導体配線を介して接続され、
    前記弾性波素子は、高さが０．２８ｍｍ以下であり、前記電気素子よりも高さが低く、
    前記弾性波素子を覆う領域の前記樹脂部の厚みは、前記電気素子を覆う領域の前記樹脂部の厚みよりも厚く、
    前記電気素子は、磁性体材料からなるセラミック素体と、金属材料からなる外部電極とを有するインダクタであり、
    前記弾性波素子および前記電気素子は、互いに隣り合って配置されている
    回路モジュール。
  2. 導体配線を有する実装基板と、
    前記実装基板の主面に設けられた弾性波素子と、
    前記実装基板の前記主面に設けられた、弾性波素子と異なる電気素子と、
    前記弾性波素子および前記電気素子を覆うように、前記実装基板の前記主面に設けられた絶縁性を有する樹脂部と
    を備え、
    前記弾性波素子と前記実装基板との間に前記樹脂部が設けられ、
    前記弾性波素子と前記電気素子とは、前記導体配線を介して接続され、
    前記弾性波素子は、高さが０．２８ｍｍ以下であり、前記電気素子よりも高さが低く、
    前記弾性波素子を覆う領域の前記樹脂部の厚みは、前記電気素子を覆う領域の前記樹脂部の厚みよりも厚く、
    前記電気素子は、積層インダクタであり、
    前記弾性波素子および前記電気素子は、互いに隣り合って配置されている
    回路モジュール。
  3. 前記電気素子を覆う領域の前記樹脂部の厚みは、０．１４ｍｍ以下である
    請求項１または２に記載の回路モジュール。
  4. 前記弾性波素子は、厚みが０．１１ｍｍ以下の圧電基板と、前記圧電基板の主面に設けられたＩＤＴ電極とを有し、
    前記弾性波素子は、前記圧電基板の前記主面と前記実装基板の前記主面とが向かい合うように、はんだバンプを介して前記実装基板の前記導体配線に接続されている
    請求項１〜３のいずれか１項に記載の回路モジュール。
  5. 前記弾性波素子は、さらに、
    前記圧電基板の前記主面のうち、前記ＩＤＴ電極が設けられた領域の周囲に立設された支持層と、
    前記支持層上に設けられ、前記ＩＤＴ電極を空間を介して覆うカバー層と
    を備える請求項４に記載の回路モジュール。
  6. 前記電気素子は、チップ状のセラミック電子部品である
    請求項１〜５のいずれか１項に記載の回路モジュール。
  7. 前記樹脂部は、主剤である樹脂材料と、前記樹脂材料内に分散されたフィラーとを含み、
    前記フィラーは、前記樹脂材料よりも熱伝導率が高い
    請求項１〜６のいずれか１項に記載の回路モジュール。
  8. さらに、前記樹脂部の外側を覆うように導電性を有するシールド部が設けられている
    請求項１〜７のいずれか１項に記載の回路モジュール。
  9. 前記弾性波素子を覆う領域の前記樹脂部の厚みは、０．０８ｍｍ以上０．８ｍｍ以下である
    請求項３に記載の回路モジュール。
  10. 前記電気素子を覆う領域の前記樹脂部の厚みは、０．１４ｍｍ以下であり、
    前記樹脂部は、主剤である樹脂材料と、前記樹脂材料内に分散されたフィラーとを含み、
    前記フィラーは、前記樹脂材料よりも熱伝導率が高く、
    さらに、前記樹脂部の外側を覆うように導電性を有するシールド部が設けられている
    請求項１または２に記載の回路モジュール。
  11. 前記弾性波素子は、厚みが０．１１ｍｍ以下の圧電基板と、前記圧電基板の主面に設けられたＩＤＴ電極とを有し、
    前記弾性波素子は、前記圧電基板の前記主面と前記実装基板の前記主面とが向かい合うように、はんだバンプを介して前記実装基板の前記導体配線に接続されている
    請求項１０に記載の回路モジュール。
  12. 前記導体配線は、前記実装基板の前記主面に設けられる
    請求項１または２に記載の回路モジュール。
  13. 前記電気素子を覆う領域の前記樹脂部の厚みは、０．１４ｍｍ以下であり、
    前記樹脂部は、主剤である樹脂材料と、前記樹脂材料内に分散されたフィラーとを含み、
    前記フィラーは、前記樹脂材料よりも熱伝導率が高く、
    さらに、前記樹脂部の外側を覆うように導電性を有するシールド部が設けられている
    請求項１２に記載の回路モジュール。
  14. 前記弾性波素子は、厚みが０．１１ｍｍ以下の圧電基板と、前記圧電基板の主面に設けられたＩＤＴ電極とを有し、
    前記弾性波素子は、前記圧電基板の前記主面と前記実装基板の前記主面とが向かい合うように、はんだバンプを介して前記実装基板の前記導体配線に接続されている
    請求項１３に記載の回路モジュール。
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