JP6451898B2 - 弾性波素子および弾性波装置 - Google Patents
弾性波素子および弾性波装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6451898B2 JP6451898B2 JP2018512020A JP2018512020A JP6451898B2 JP 6451898 B2 JP6451898 B2 JP 6451898B2 JP 2018512020 A JP2018512020 A JP 2018512020A JP 2018512020 A JP2018512020 A JP 2018512020A JP 6451898 B2 JP6451898 B2 JP 6451898B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal
- ubm
- joint
- face
- elastic wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5384—Conductive vias through the substrate with or without pins, e.g. buried coaxial conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/059—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1085—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a non-uniform sealing mass covering the non-active sides of the BAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/03—Assembling devices that include piezoelectric or electrostrictive parts
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/20—Piezoelectric or electrostrictive devices with electrical input and mechanical output, e.g. functioning as actuators or vibrators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
- H01L2224/1401—Structure
- H01L2224/1403—Bump connectors having different sizes, e.g. different diameters, heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
- H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
[1.1 弾性波素子10の構成]
図1は、実施の形態1に係る弾性波素子10の断面図である。同図に示された弾性波素子10は、圧電基板17と、振動部12と、電極パッド13と、支持層15と、カバー層16と、アンダーバンプメタル(以下、UBMと記す)21(21a1および21b1)と、バンプ20(20a1および20b1)とを備える。本実施の形態に係る弾性波素子10は、弾性波の伝搬機能を有する圧電基板17がパッケージ機能を兼ねた、いわゆるWLP(Wafer Level Package)構造を有し、小型化かつ低背化を実現している。このような弾性波素子10は、例えば、所定の周波数帯域の高周波信号を選択的に通過させる弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)フィルタに適用される。
次に、上述した弾性波素子10が実装基板に搭載された弾性波装置1の構成について説明する。
次に、弾性波素子10における接合端子の配置レイアウトについて説明する。
図6は、実施の形態1の変形例1に係る弾性波素子10Aのカバー層16表面の平面図である。上記第1接合端子(UBM21b1)および上記第2接合端子(UBM21b3)の双方の第2端面21sの面積を大きくするのではなく、図6に示すように、第1接合端子または第2接合端子のみの第2端面21sの面積を、その他の接合端子を構成するUBM21a1〜21a4および21b4〜21b5の第2端面21sの面積よりも大きく設定してもよい。
図7は、実施の形態1の変形例2に係る弾性波素子10Bのカバー層16表面の平面図である。本変形例に係る弾性波素子10Bは、実施の形態1に係る弾性波素子10と比較して、同一行内のUBM間距離よりも行間のUBM間距離が短いレイアウトを有している。本変形例に係る弾性波素子10Bについて、実施の形態1に係る弾性波素子10と同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
本実施の形態では、第1接合端子と最大のバンプ間距離を隔てて配置された第2接合端子が複数存在するレイアウトについて説明する。本実施の形態に係る弾性波素子10Cについて、実施の形態1に係る弾性波素子10と同じ構成については説明を省略し、異なる構成を中心に説明する。
図8は、実施の形態2に係る弾性波素子10Cのカバー層16表面の平面図である。より具体的には、図8は、カバー層16の実装基板30に対向する面における、UBM21の配置レイアウトを、Z軸負方向から見た図である。
以上、本発明の実施の形態に係る弾性波素子および弾性波装置について、実施の形態および変形例を挙げて説明したが、本発明の弾性波素子および弾性波装置は、上記実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態および変形例に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本開示の弾性波素子または弾性波装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
10、10A、10B、10C、60A、70A、80A、90A 弾性波素子
11 IDT電極
12 振動部
13 電極パッド
14 中空空間
15 支持層
16 カバー層
17 圧電基板
17s 表面
20、20a1、20b1、70、70a1、70b1 バンプ
21、21a1〜21a4、21b1〜21b5、21c1、61、61a1〜61a4、61b1〜61b5、71、71a1〜71a4、71b1、71b3〜71b5、81、81a1〜81a3、81b1〜81b3、81c1、81c3、91、91a2、91a3、91b2、91b3、91c1 UBM(アンダーバンプメタル)
21s、71s 第2端面
21t、71t 第1端面
30 実装基板
30a、30b 主面
31 ランド電極
40 樹脂部材
131 端子電極
132 配線電極
Claims (6)
- 互いに背向する第1主面および第2主面を有する基板と、
前記基板に形成され、弾性波を励振する弾性波励振部と、
前記第1主面上に形成され、前記弾性波励振部と接続された電極パッドと、
互いに背向する第1端面および第2端面を有し、前記第1端面が前記電極パッドに接合された中間電極と、
前記中間電極の前記第2端面に接合されたバンプと、を備え、
前記第1主面上には、前記電極パッド、前記中間電極および前記バンプがこの順で接合された接合端子が3以上配置されており、
前記第1主面を平面視した場合、一の前記接合端子とその周囲に配置された複数の接合端子との距離のうち最小の距離を、前記一の接合端子のバンプ間距離と定義し、
前記接合端子ごとに定義された前記バンプ間距離のうち、最小の前記バンプ間距離より大きくかつ最大の前記バンプ間距離を有する第1接合端子、および、当該第1接合端子と前記最大のバンプ間距離を隔てて配置された第2接合端子の少なくとも一方の前記第2端面の面積は、その他の接合端子の前記第2端面の面積よりも大きい、
弾性波素子。 - 前記第2接合端子の次に前記第1接合端子に近い第3接合端子の前記第2端面の面積は、前記その他の接合端子の前記第2端面の面積よりも大きい、
請求項1に記載の弾性波素子。 - 前記第1接合端子および前記第2接合端子のうち、いずれか一方のみの前記第2端面の面積は、前記その他の接合端子の前記第2端面の面積よりも大きい、
請求項1または2に記載の弾性波素子。 - 前記基板は、前記第1主面を平面視した場合に矩形形状を有し、
前記第1接合端子および前記第2接合端子のうち、前記基板の四隅に近い方の接合端子の前記第2端面の面積は、前記その他の接合端子の前記第2端面の面積よりも大きい、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の弾性波素子。 - 前記第1接合端子および前記第2接合端子の少なくとも一方は、複数配置されている、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の弾性波素子。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載の弾性波素子と、
前記バンプが接合され、前記弾性波素子と対向配置された実装基板と、
前記実装基板に接し、前記弾性波素子を覆うように配置された樹脂部材と、を備えた弾性波装置であって、
前記基板は圧電基板であり、
前記弾性波励振部は、前記第1主面上に設けられたIDT電極であり、
前記弾性波素子は、さらに、
前記第1主面上の前記IDT電極が設けられた領域の周囲に立設され、前記IDT電極より前記第1主面からの高さが高い支持層と、
前記第1主面とで前記支持層を挟んで配置され、前記IDT電極を覆うカバー層と、を備え、
前記中間電極は、前記支持層に接し前記カバー層を貫通するように配置され、
前記基板、前記支持層および前記カバー層によって、前記IDT電極を含む内部空間が形成され、
前記樹脂部材は、前記内部空間には形成されず、前記カバー層と前記実装基板との間であって複数の前記バンプの間に形成されている、
弾性波装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016079138 | 2016-04-11 | ||
JP2016079138 | 2016-04-11 | ||
PCT/JP2017/014816 WO2017179574A1 (ja) | 2016-04-11 | 2017-04-11 | 弾性波素子および弾性波装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017179574A1 JPWO2017179574A1 (ja) | 2018-10-11 |
JP6451898B2 true JP6451898B2 (ja) | 2019-01-16 |
Family
ID=60041624
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018512020A Active JP6451898B2 (ja) | 2016-04-11 | 2017-04-11 | 弾性波素子および弾性波装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10586778B2 (ja) |
JP (1) | JP6451898B2 (ja) |
CN (1) | CN108886353B (ja) |
WO (1) | WO2017179574A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017128568A1 (de) * | 2017-12-01 | 2019-06-06 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip mit einer vielzahl von externen kontakten, chip-anordnung und verfahren zum überprüfen einer ausrichtung einer position eines halbleiterchips |
KR102309349B1 (ko) * | 2018-09-28 | 2021-10-08 | 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 | 반도체 디바이스 및 반도체 디바이스의 제조 방법 |
US11211318B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-12-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bump layout for coplanarity improvement |
US11217538B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Integrated circuit package and method |
JP2021027375A (ja) * | 2019-07-31 | 2021-02-22 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
US12002741B2 (en) * | 2021-07-14 | 2024-06-04 | Avago Technologies International Sales Pte. Limited | Structure for improved mechanical, electrical, and/or thermal performance having solder bumps with different lengths |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08298269A (ja) | 1995-04-25 | 1996-11-12 | Toshiba Microelectron Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2000114916A (ja) * | 1998-09-29 | 2000-04-21 | Nec Corp | 表面弾性波デバイス及びその製造方法 |
JP2000252784A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Murata Mfg Co Ltd | 表面波装置 |
JP3645136B2 (ja) * | 1999-06-22 | 2005-05-11 | 三菱電機株式会社 | 電子回路パッケージ及び実装ボード |
KR100407448B1 (ko) * | 2000-06-12 | 2003-11-28 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 전자 기기 및 반도체 장치 |
JP2002222899A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品、電子部品の製造方法および電子回路装置の製造方法 |
US7772104B2 (en) * | 2007-02-02 | 2010-08-10 | Freescale Semiconductor, Inc. | Dynamic pad size to reduce solder fatigue |
KR20090125104A (ko) * | 2007-03-27 | 2009-12-03 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 탄성파 소자 |
WO2008146525A1 (ja) * | 2007-05-28 | 2008-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | デュプレクサ及び弾性波装置 |
WO2009057699A1 (ja) * | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Kyocera Corporation | 弾性波装置 |
JP5077714B2 (ja) | 2008-02-18 | 2012-11-21 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及びその製造方法 |
CN201853795U (zh) * | 2010-10-27 | 2011-06-01 | 武汉烽火富华电气有限责任公司 | 高压开关设备母线室无源无线测温用平板天线 |
CN103460600B (zh) * | 2011-04-19 | 2016-01-13 | 京瓷株式会社 | 电子部件和弹性波装置 |
JP5812123B2 (ja) * | 2014-01-29 | 2015-11-11 | 日立金属株式会社 | 電子機器の製造方法 |
JP6555270B2 (ja) * | 2014-10-30 | 2019-08-07 | 株式会社村田製作所 | 受動素子付フィルタ部品および高周波モジュール |
CN109075768B (zh) * | 2016-04-14 | 2022-06-24 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置及其制造方法 |
US20190181828A1 (en) * | 2017-12-12 | 2019-06-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component module |
JP2019125871A (ja) * | 2018-01-12 | 2019-07-25 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
JP2019179961A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置 |
-
2017
- 2017-04-11 JP JP2018512020A patent/JP6451898B2/ja active Active
- 2017-04-11 WO PCT/JP2017/014816 patent/WO2017179574A1/ja active Application Filing
- 2017-04-11 CN CN201780022640.4A patent/CN108886353B/zh active Active
-
2018
- 2018-10-03 US US16/150,354 patent/US10586778B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108886353B (zh) | 2022-03-22 |
WO2017179574A1 (ja) | 2017-10-19 |
CN108886353A (zh) | 2018-11-23 |
US20190035754A1 (en) | 2019-01-31 |
US10586778B2 (en) | 2020-03-10 |
JPWO2017179574A1 (ja) | 2018-10-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6451898B2 (ja) | 弾性波素子および弾性波装置 | |
JP4645233B2 (ja) | 弾性表面波装置 | |
JP6743830B2 (ja) | 弾性波装置 | |
JP6288111B2 (ja) | 弾性波フィルタデバイス | |
US20110221303A1 (en) | Electronic device | |
US11764753B2 (en) | Elastic wave device and electronic component | |
US11764754B2 (en) | Acoustic wave device and acoustic wave module including the same | |
JP5453787B2 (ja) | 弾性表面波デバイス | |
JP6715672B2 (ja) | 回路モジュール | |
JP2004129224A (ja) | 圧電部品およびその製造方法 | |
JP5046770B2 (ja) | 圧電部品 | |
JP2005130341A (ja) | 圧電部品及びその製造方法、通信装置 | |
KR20170139090A (ko) | 탄성 표면파 장치, 고주파 모듈 및 탄성 표면파 장치의 제조 방법 | |
US10715102B2 (en) | Filter device | |
JP5026828B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
JP2009183008A (ja) | 圧電部品の製造方法 | |
JP2017175427A (ja) | 弾性表面波装置 | |
US10581401B2 (en) | Module device | |
WO2019044309A1 (ja) | 弾性波装置およびそれを搭載した弾性波モジュール | |
WO2021200280A1 (ja) | 電子部品 | |
JP5921733B2 (ja) | 弾性表面波デバイスを製造する方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180709 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20180709 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20180730 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181126 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6451898 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |