JP5177516B2 - 電子部品 - Google Patents
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Description
20 デバイスチップ
22 動作領域
24 金属膜
26 空隙
30 SOG酸化膜
32 パターン
34 受動素子
38 嵩上げ部
40、42 被覆層
50 金属パターン
Claims (11)
- 絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上にフリップチップ実装されたデバイスチップと、
パターンの上面と前記デバイスチップの下面との間に隙間を有するように前記デバイスチップの側面に沿って前記絶縁性基板上に設けられた前記パターンと、
前記パターンの上面と前記デバイスチップの下面との間の隙間に埋め込まれ、かつ前記絶縁性基板の上面と前記デバイスチップの下面との間に空隙が形成されるように、前記デバイスチップおよび前記パターンの側面を覆うSOG酸化膜と、
を具備し、
前記デバイスチップは互いに隣接する複数のデバイスチップを含み、
前記複数のデバイスチップの間の前記絶縁性基板上に金属パターンを具備することを特徴とする電子部品。 - 上視面において、前記パターンと前記デバイスチップとは重なり部分を有することを特徴とする請求項1記載の電子部品。
- 前記SOG酸化膜を覆う被覆層を具備することを特徴とする請求項1または2記載の電子部品。
- 前記パターンの上面に対向する前記デバイスチップの下面の領域に設けられ、下面が前記SOG酸化膜で覆われた金属膜を具備することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の電子部品。
- 前記デバイスチップの下面に対向する前記絶縁性基板の領域上に、前記デバイスチップの下面と離間して設けられた受動素子を具備することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の電子部品。
- 前記デバイスチップは、前記絶縁基板上に設けられた嵩上げ部を介しフリップチップ実装されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の電子部品。
- 前記金属パターンは、前記金属パターンの上面と前記複数のデバイスチップの下面との間に隙間を有するように設けられ、
前記SOG酸化膜は、前記金属パターンの上面と前記複数のデバイスチップの下面との間の隙間に埋め込まれるように設けられていることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の電子部品。 - 前記金属パターンの上面と前記複数のデバイスチップの下面とは接していることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の電子部品。
- 前記金属パターンは前記複数のデバイスチップの下面より高く設けられていることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の電子部品。
- 前記金属パターンは、所定の固定電位に接続されていることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項記載の電子部品。
- 前記デバイスチップは、SAWフィルタまたはFBARフィルタであることを特徴とする請求項1から10のいずれか一項記載の電子部品。
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