JP6347330B2 - エピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
成膜条件を成長温度1170℃とし、気相成長のみ行ったエピタキシャルウェーハのエピ欠陥レベル、膜厚均一性、ヘイズレベルはそれぞれ3.0個/Wf、±0.82%、0.81ppmであった。比較例のエピタキシャル層の積層時の温度プロファイルを図2に示す。
実施例として、比較例と同様にして、成膜条件を成長温度1170℃とし、気相成長を行った後、連続して1000℃の水素雰囲気にて成長後熱処理を行ったエピタキシャルウェーハの、エピ欠陥レベル、膜厚均一性、ヘイズレベルはそれぞれ3.1個/Wf、±0.81%、0.53ppmであった。比較例と実施例の結果を表1に示すが、ヘイズレベルが実施例において低減しているのがわかる。また、実施例のエピタキシャル層の積層時及び成長後熱処理時の温度プロファイルを図3に示す。
枚葉式エピタキシャル成長装置において、直径300mm、主表面の面方位(100)のP型シリコン単結晶ウェーハを用いて、原料ガスとしてトリクロロシランを、キャリアガスとして水素を用い、シリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長させた。原料ガスの供給量は10slm、キャリアガスの供給量は80slmを選択した。成膜条件を成長温度1050〜1170℃とし、気相成長のみを行った場合と、前記温度にてエピタキシャル層の積層後、水素雰囲気での成長後熱処理を700℃〜1170℃にて行った場合のヘイズレベルの結果を表2に示す。
Claims (3)
- 主表面が(100)のシリコンウェーハの表面にシリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法であり、
主表面が(100)のシリコンウェーハの表面にシリコン単結晶エピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程と、
前記気相成長工程後に、連続して水素雰囲気で熱処理を行う成長後熱処理工程と、
を有し、
前記成長後熱処理工程の熱処理温度が、前記気相成長工程の成長温度より低温でありかつ800℃〜1120℃の範囲であることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記成長後熱処理工程の熱処理温度が、前記成長温度より、50℃以上低温であることを特徴とする請求項1記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 前記成長温度が1050℃〜1170℃の範囲であることを特徴とする請求項1又は2記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
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