JP5544859B2 - シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
すなわち、シリコン単結晶基板を気相成長装置の反応容器内に載置し、水素ガスを流した状態で、1100℃〜1200℃まで反応容器内を昇温する(昇温工程)。
そして、反応容器内の温度が1100℃以上になると、基板表面に形成されている自然酸化膜(SiO2:Silicon Dioxide)が除去される。
特に、デバイスが作りこまれるデバイス活性層となるエピタキシャル層の表層側に不純物汚染があると、デバイスへの悪影響が大きくなる。
従来、Cuについては上述のようなシリコン単結晶薄膜の成膜プロセスにおける冷却工程で、降温時の水素ガスを窒素ガスに置換する際の切り替え温度を高温にするというプロセスシーケンスを用いることで、表面へのCuの析出を抑え、表層Cu汚染を低減する方法が提案されている。
しかし、Cu以外の不純物については、プロセスシーケンスでの効果的な不純物低減策が無く、有効な方法がなかった。
少なくとも先に求めた温度範囲内における成膜後のシリコンエピタキシャルウェーハの冷却速度を下げると、シリコン単結晶薄膜の表層部の評価対象不純物濃度を低減することができるが、冷却速度を下げるほど冷却に時間がかかり、生産性が落ちてしまう。しかし、冷却速度が5℃/sec以上であれば生産性をほとんど落とさずにデバイス活性層の不純物濃度の低いシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。
一般的なシリコンエピタキシャルウェーハのシリコン単結晶薄膜中のNiの含有量は1×109atoms/cm3台から1×1011atoms/cm3台と想定される。
そこで、図2を参照すると、この濃度範囲がNiの固溶限界となる温度帯は、300℃〜400℃となる。このため評価対象不純物をNiとした場合、冷却工程において、少なくとも400℃から300℃までの範囲内の冷却速度を20℃/sec未満に制御することで、デバイス活性領域であるシリコン単結晶薄膜の表層部へのNi析出を低減することができ、デバイス特性に優れたエピタキシャルウェーハを効率良く製造することができる。
これによって、シリコンエピタキシャルウェーハ中の不純物(汚染元素)がシリコン単結晶薄膜の表層部へ凝集することを抑え、バルク内での析出を促進することができる。その結果、デバイス活性領域であるシリコン単結晶薄膜表層部の不純物濃度が低いシリコンエピタキシャルウェーハを得ることができる。
従来、シリコンエピタキシャルウェーハのデバイス活性領域となるシリコン単結晶薄膜の表層部に含まれる重金属不純物の量を効果的に低減させる製造方法は、ほとんど知られていなかった。
その結果、シリコンエピタキシャルウェーハの表層の不純物濃度に影響を与える条件として、エピタキシャル層(シリコン単結晶薄膜)成長後の冷却条件に着目した。特に、含まれる重金属不純物が過飽和になる温度帯での冷却速度に着目し、この冷却速度を変えることを発想した。
次いで、反応容器内に水素ガスを流した状態で、反応容器内の温度をシリコン単結晶薄膜を気相成長するための成膜温度まで昇温する(図1(b)、昇温)。この成膜温度は、基板表面の自然酸化膜を水素で除去できる1000℃以上に設定する。
この冷却工程では、シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値又は工程平均値と評価対象不純物の固溶限界濃度が一致する温度を算出し、算出温度の少なくとも上下50℃の温度範囲において、シリコンエピタキシャルウェーハの成膜後の冷却速度を20℃/sec未満として冷却する。
また、800℃から400℃程度までの間で、水素雰囲気から窒素雰囲気へと切り換えることができる。
そこで、評価対象不純物の濃度の規格値又は工程平均値と、評価対象不純物の固溶限界濃度が一致する温度を算出して、この算出温度の少なくとも上下50℃の温度範囲において、シリコン単結晶薄膜の成膜工程後の冷却工程での冷却速度を20℃/sec未満に制御すると、シリコンエピタキシャルウェーハ中の評価対象の不純物をデバイス活性層であるシリコン単結晶薄膜の表層領域ではなくバルク部に析出させることができる。
従って、シリコン単結晶薄膜の表層部の不純物濃度が従来に比べて低い、デバイス特性の良好なシリコンエピタキシャルウェーハとすることができる。
冷却速度は20℃/sec未満で低ければ低いほど望ましい。
一般的なシリコンエピタキシャルウェーハのシリコン単結晶薄膜中のNiの含有量は、1×109〜1×1011atoms/cm3の水準と想定される。
そして、図2に示すように、Niの汚染量を上記範囲内である5×1010atoms/cm3程度と想定する場合、その含有量と固溶度が一致する温度は、350℃前後になる。
従って、評価対象不純物がNiの場合は、冷却中のシリコンエピタキシャルウェーハの温度が少なくとも400℃から300℃までの温度帯を通過する時には、冷却速度を20℃/sec未満に制御することになる。
なお、図2は、シリコン中のNiの固溶度の温度依存性を示した図である。
なお、図3は、シリコン単結晶薄膜の成膜反応後の冷却工程における350℃付近の冷却速度とシリコン単結晶薄膜表層部に集まったNiの濃度の関係を示した図である。
前述のように、シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値又は工程平均値と、固溶限界濃度が一致する温度の少なくとも上下50℃の範囲での成膜後のシリコンエピタキシャルウェーハの冷却速度を下げることによって、シリコン単結晶薄膜の表層部の評価対象不純物濃度を低減することができるが、あまりにも低速(徐冷)にすると生産性が落ちてしまう。
しかし、冷却速度を5℃/sec以上とすることによって、生産性をほとんど落とさずにデバイス活性層の不純物濃度の低いシリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。
その後、任意で洗浄、梱包、出荷工程等を行うことによって、評価対象不純物濃度が規格値や工程平均値以下であるデバイス特性が良好な高品質シリコンエピタキシャルウェーハを製造することができる。
(実施例1−3、比較例1)
あらかじめ同一バッチのシリコン単結晶基板が全溶解化学分析法を用いて1×1010atoms/cm3以下(検出下限)のNi濃度であることを確かめた面方位(100)、P+型(0.015Ωcm)のシリコン単結晶基板を5枚準備し、その主表面上に、成膜温度1130℃でP−型(10Ωcm)のシリコン単結晶薄膜5μmを気相成長させた。
一方、実施例2及び3の冷却条件ではシリコン単結晶薄膜の表層中のNi濃度は、それぞれICP−MS装置の検出下限(1×1010atoms/cm3)以下となり、比較例1、2よりも低濃度であること、すなわち、比較例1、2の条件で冷却したウェーハに比べて、シリコン単結晶薄膜の表層部のNi不純物量が少ないことが判った。
また、実施例1の冷却条件で冷却したシリコンエピタキシャルウェーハも、Ni濃度はICP−MS装置の検出下限(1×1010atoms/cm3)以下の濃度であったが、この実施例1では冷却速度が遅いため、その分プロセス時間が長くなる。よって、生産性の問題を考えると冷却速度は5℃/sec以上にすることが良いことも判った。
例えば、本発明で薄膜を気相成長させる気相成長装置は限定されず、縦型(パンケーキ型)、バレル型(シリンダ型)、枚葉式等の各種気相成長装置に適用可能である。
Claims (2)
- シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
原料ガスを供給しながらシリコン単結晶基板上にシリコン単結晶薄膜を水素雰囲気中で気相成長させる成膜工程と、
該成膜工程により前記シリコン単結晶薄膜が形成されたシリコンエピタキシャルウェーハを、前記シリコン単結晶薄膜中に存在する評価対象不純物の濃度の規格値又は工程平均値と前記評価対象不純物の固溶限界濃度が一致する温度を算出し、該算出温度の少なくとも上下50℃の温度範囲において、前記シリコンエピタキシャルウェーハの成膜後の冷却速度を20℃/sec未満として冷却する冷却工程とを行い、
前記評価対象不純物を、Niとすることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 前記冷却速度を、5℃/sec以上とすることを特徴とする請求項1に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
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JP3755586B2 (ja) | 2001-06-05 | 2006-03-15 | 信越半導体株式会社 | 珪素脱離方法及びシリコンウェーハの不純物分析方法 |
EP1542269B1 (en) * | 2002-07-17 | 2016-10-05 | Sumco Corporation | A method of manufacturing a high-resistance silicon wafer |
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