JP6316232B2 - マイクロ波デバイス - Google Patents
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Description
まず、本発明の実施の形態に係るマイクロ波デバイス500の構成を説明する。図1は、本実施の形態に係るマイクロ波デバイス500の断面を示す図である。図1に示すように、本実施の形態に係るマイクロ波デバイス500は、第一の多層樹脂基板1を有する出力増幅デバイス100と、第一の多層樹脂基板1の底面102に設けられた第二の多層樹脂基板2と、第二の多層樹脂基板2の底面202の側に設けられた筐体3とを有する。
Claims (6)
- 第一の多層樹脂基板と、
前記第一の多層樹脂基板の上面側に設けられたマイクロ波回路と、
前記第一の多層樹脂基板の上面に設けられた信号線路と、
前記マイクロ波回路及び前記信号線路を覆う電磁シールドカバーと、
前記第一の多層樹脂基板の底面に設けられた第二の多層樹脂基板と、
前記第一の多層樹脂基板及び前記第二の多層樹脂基板の内部に設けられており、前記信号線路と接続する第一の内部スルーホールと、
前記第一の多層樹脂基板及び前記第二の多層樹脂基板の内部に設けられており、前記電磁シールドカバーと接続し、前記第一の内部スルーホールを囲む第二の内部スルーホールと、
前記第二の多層樹脂基板の底面の側に設けられており、前記第二の内部スルーホールと接続する筐体とを備え、
前記第二の多層樹脂基板は、前記筐体の上面に取り付けられている
ことを特徴とするマイクロ波デバイス。 - 前記第一の多層樹脂基板の上面において、前記マイクロ波回路及び前記信号線路が設けられている位置よりも外側の位置である第一の周縁部に設けられているグランドパターンを更に備え、
前記信号線路は、前記第一の多層樹脂基板の上面に設けられた入力RF線路と、前記第一の多層樹脂基板の上面に設けられており、前記マイクロ波回路にゲートバイアスを供給するゲートバイアス供給線路と、前記第一の多層樹脂基板の上面に設けられた出力RF線路と、前記第一の多層樹脂基板の上面に設けられており、前記マイクロ波回路にドレインバイアスを供給するドレインバイアス供給線路とを有し、
前記電磁シールドカバーは、前記グランドパターンに取り付けられており、
前記第一の内部スルーホールは、前記第一の多層樹脂基板の内部に設けられていて、前記入力RF線路と接続する第一の入力RF信号スルーホールと、前記第一の多層樹脂基板の内部に設けられていて、前記ゲートバイアス供給線路と接続する第一のゲート制御信号スルーホールと、前記第一の多層樹脂基板の内部に設けられていて、前記出力RF線路と接続する第一の出力RF信号スルーホールと、前記第一の多層樹脂基板の内部に設けられていて、前記ドレインバイアス供給線路と接続する第一のドレイン信号スルーホールと、前記第二の多層樹脂基板の内部に設けられていて、前記第一の入力RF信号スルーホールと接続する第二の入力RF信号スルーホールと、前記第二の多層樹脂基板の内部に設けられていて、前記第一のゲート制御信号スルーホールと接続する第二のゲート制御信号スルーホールと、前記第二の多層樹脂基板の内部に設けられていて、前記第一の出力RF信号スルーホールと接続する第二の出力RF信号スルーホールと、前記第二の多層樹脂基板の内部に設けられていて、前記第一のドレイン信号スルーホールと接続する第二のドレイン信号スルーホールとを有し、
前記第二の内部スルーホールは、前記第一の多層樹脂基板の内部において前記第一の入力RF信号スルーホール、前記第一のゲート制御信号スルーホール、前記第一の出力RF信号スルーホール及び前記第一のドレイン信号スルーホールが設けられている位置よりも外側の位置に設けられていて、前記グランドパターンと接続している第一のグランドスルーホールと、前記第二の多層樹脂基板の内部において前記第二の入力RF信号スルーホール、前記第二のゲート制御信号スルーホール、前記第二の出力RF信号スルーホール及び前記第二のドレイン信号スルーホールが設けられている各位置よりも外側の位置に設けられており、前記第一のグランドスルーホールと接続している第二のグランドスルーホールとを有する
ことを特徴とする請求項1に記載のマイクロ波デバイス。 - 前記第一の多層樹脂基板の上面に設けられた金属プレートと、
前記第一の多層樹脂基板の内部に設けられており、前記金属プレートと接続する第一の放熱用埋め込み部材と、
前記第二の多層樹脂基板の内部に設けられており、前記第一の放熱用埋め込み部材及び前記筐体と接続する第二の放熱用埋め込み部材とを更に備え、
前記マイクロ波回路は、前記金属プレートの上面に設けられている
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のマイクロ波デバイス。 - 前記ゲートバイアス供給線路に設けられ、RF駆動周波数でショートとなる第一のチップキャパシタ及び発振抑圧用のチップ抵抗を含むゲートバイアス回路と、
前記ドレインバイアス供給線路に設けられ、RF駆動周波数でショートとなる第二のチップキャパシタを含むドレインバイアス回路と
を更に備えることを特徴とする請求項2に記載のマイクロ波デバイス。 - 前記第一の多層樹脂基板の上面又は内部に設けられたRF信号抑圧フィルタを更に備えることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のマイクロ波デバイス。
- 前記第一の多層樹脂基板と前記第二の多層樹脂基板とは、同種の樹脂基板であることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のマイクロ波デバイス。
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