JP4537969B2 - 高周波パッケージモジュール - Google Patents
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Description
f=1.841/〔2πa(με)1/2〕
と表すことができる。なお、πは円周率、aは円形パターンの半径、μは誘電体基板の透磁率、εは誘電体基板の誘電率を示す。
又長方形パターンとした場合の共振周波数は、bを長方形の長辺の長さ、cを短辺の長さ、m,nを0を含む整数とすると、
f=〔(mπ/b)2+(nπ/c)2〕1/2/〔2π(με)1/2〕
と表すことができる。
(付記2)半導体回路チップを誘電体基板上にフリップチップ実装した高周波パッケージモジュールに於いて、前記誘電体基板の前記半導体回路チップと対向する領域に、該半導体回路チップの動作周波数の波長の1/4以下の間隔で、金属を充填したスルーホールを形成した構成を有することを特徴とする高周波パッケージモジュール。
(付記4)半導体回路チップを誘電体基板上にフリップチップ実装した高周波パッケージモジュールに於いて、前記フリップチップ実装した前記半導体回路チップ上のメタルパターンと前記誘電体基板上のメタルパターンとの間を接続する複数のメタルピラーを、前記半導体回路チップの動作周波数の波長の1/4以下の間隔で設けた構成を有することを特徴とする高周波パッケージモジュール。
(付記5)前記誘電体基板は、前記半導体回路チップを実装する面に形成した接続ラインと、該面と反対側の面に形成した入出力ラインとをスルーホールにより接続し、且つ前記半導体回路チップを保護するメタルキャップを取付けた構成を有することを特徴とする付記1〜4の何れか1に記載の高周波パッケージモジュール。
2 メタルバンプ
3 誘電体基板
4,5 メタルパターン
6 ボンディングツールヘッド
7 ボンディング台
8 ランドパターン
11,12 入出力ライン
Claims (1)
- 半導体回路チップを誘電体基板上にフリップチップ実装した高周波パッケージモジュールに於いて、
前記フリップチップ実装した前記半導体回路チップ上のメタルパターンと前記誘電体基板上のメタルパターンとの間を接続する複数のメタルピラーを、前記半導体回路チップの動作周波数の波長の1/4以下の間隔で、該半導体回路チップ上のメタルパターンの全面に設けた構成を有する
ことを特徴とする高周波パッケージモジュール。
Priority Applications (1)
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JP2006070246A JP4537969B2 (ja) | 2006-03-15 | 2006-03-15 | 高周波パッケージモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2006070246A JP4537969B2 (ja) | 2006-03-15 | 2006-03-15 | 高周波パッケージモジュール |
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- 2006-03-15 JP JP2006070246A patent/JP4537969B2/ja not_active Expired - Lifetime
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