JP7131933B2 - 半導体装置用パッケージおよび半導体装置 - Google Patents
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Description
図1(a)は第1の実施形態にかかる半導体装置用パッケージの模式平面図、図1(b)はA-A線に沿った模式断面図、である。
半導体装置用パッケージ5は、セラミック積層体50と、信号経路20と、金属ベース板30と、を有する。
図2(a)はセラミック積層体の第1領域の模式下面図、図2(b)は第1領域の模式上面図、図2(c)はセラミック積層体の第2領域の模式下面図、図2(d)は第2領域の模式上面図、である。
図2(a)に表すように、枠状セラミックからなる第1領域51の下面51aには、第1貫通孔51dを含むようして、枠形の対向する位置に4つの外部端子導電部(たとえば導電性厚膜を含む)21がパターニングされる。
第1領域51、および第2領域52を外形が重なるように位置を合わせて焼成してセラミック積層体50を形成する。こののち、金属ベース板30の外縁と、第1開口部51cの内縁51eおよび第2開口部52cの内縁52eと、を金属ベース板30の外縁と、を銀ロウや銀ナノ粒子を含む接合材などを用いて接合する。必要に応じて、外部端子導電部、内部端子導電部、金属ベース板30のそれぞれの表面に、たとえば、金メッキなどを行い保護層とする。
セラミック積層体50は、Al2O3などのセラミックとすることができる。セラミックベース板の表面に厚膜などからなる導電層などが設けられたのち、複数の領域は焼結される。焼結されたセラミック積層体50と、金属ベース板30とは、たとえば、銀ロウ(融点は、780~900℃)などでロウ付けされる。96%Al2O3の線膨張率は、6.4×10-6/Kである。CuWの線膨張率は約6.4×10-6/Kである。金属ベース板50をCuWからなるものとすると、線膨張率の差が小さいので、セラミックベース板にクラックが生じることを低減できる。
セラミック積層体50は、第2領域52上に設けられかつ中央部に第3開口部を有する第3領域53をさらに有することができる。枠形の第3領域53を設けることにより、半導体素子や回路基板を金属ベース板30に接合し、ワイヤボンディングをする内部空間を設け、かつ蓋部をさらに接合することにより封止が可能となる。
セラミック積層体50の第3領域53の第3開口部53cには、第2領域52の上面52bに設けられた内部端子導電部25が露出する。
図6(b)には、実装基板90を例示してある。実施形態の半導体装置は、第1の実施形態の半導体装置用パッケージ5と、金属ベース板30上であるチップ実装面7に接合された半導体素子70、72と、半導体素子70、72と内部端子導電部25とを接続するボンディングワイヤ80、81、82と、第3領域53の上面を封止する蓋部60と、を有する。半導体素子70、72は、たとえば、HEMT(High Electron Mobility Transistor)などとすることができる。
Claims (7)
- 中央部に第1開口部を有する第1枠体と、前記第1枠体上に設けられかつ中央部に第2開口部を有する第2枠体と、を有する枠形のセラミック積層体であって、前記第2枠体は、前記第1開口部と前記第2開口部とが重なるように積層され、前記第1枠体には、その上面から下面に連通する第1貫通孔が設けられ、前記第2枠体には、その上面から下面に連通する第2貫通孔が設けられ、前記第2枠体の前記上面に平行な平面視において、前記第2貫通孔は、前記第1貫通孔よりも外周側に設けられ、前記第2開口部のサイズは前記第1開口部のサイズよりも大きい、セラミック積層体と、
外部端子導電部と、中間配線導電部と、内部端子導電部と、第1導体ビアと、第2導体ビアと、を有する信号経路であって、前記外部端子導電部は前記第1枠体の前記下面に設けられ、前記中間配線導電部は前記第1枠体と前記第2枠体との間に設けられ、前記内部端子導電部は前記第2枠体の前記上面に設けられ、前記第1導体ビアは、前記第1貫通孔内に設けられ、前記外部端子導電部と前記中間配線導電部とを接続し、前記第2導体ビアは、前記第2貫通孔内に設けられ、前記中間配線導電部と前記内部端子導電部とを接続する、信号経路と、
第1開口部にはめ込まれる第1部分と前記第2開口部にはめ込まれる第2部分とを有し、前記第2部分の上面であるチップ実装面が前記第1部分の下面よりも広い金属ベース板と、
を備え、
前記金属ベース板の前記チップ実装面は、前記第2枠体の前記上面よりも下のレベルに位置する半導体装置用パッケージ。 - 前記セラミック積層体は、前記第2枠体上に設けられかつ中央部に第3開口部を有する第3枠体を含み、
前記第3枠体は、前記第3開口部が前記第2開口部に重なるように、前記第2枠体上に積層され、前記内部端子導電部の少なくとも一部が前記第3開口部の底面に露出する、請求項1記載の半導体装置用パッケージ。 - 前記第1枠体と前記第2枠体と前記第3枠体とは、前記第2枠体の前記上面に平行な平面視において同一の外形を有する請求項2記載の半導体装置用パッケージ。
- 前記第2枠体の前記第2開口部は、前記第2枠体の前記上面に平行な平面視において、四角の形状を有し、
前記信号経路は、前記第2開口部を構成する4つの辺のうちの対向する2つの辺の外側にそれぞれ配置される請求項1~3のいずれか1つに記載の半導体装置用パッケージ。 - 前記セラミック積層体は焼結体を含む請求項1~4のいずれか1つに記載の半導体装置用パッケージ。
- 前記セラミック積層体と前記金属ベース板とは銀ロウまたは銀ナノ粒子により接合された請求項1~5のいずれか1つに記載の半導体装置用パッケージ。
- 請求項1~6のいずれか1つに記載の半導体装置用パッケージと、
前記金属ベース板の上面に接合された半導体素子と、
前記半導体素子と前記内部端子導電部とを接続するボンディングワイヤと、
前記半導体素子および前記ボンディングワイヤを封止する蓋部と、
を備えた半導体装置。
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