JP4173308B2 - Sawフィルタ - Google Patents
Sawフィルタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP4173308B2 JP4173308B2 JP2002002500A JP2002002500A JP4173308B2 JP 4173308 B2 JP4173308 B2 JP 4173308B2 JP 2002002500 A JP2002002500 A JP 2002002500A JP 2002002500 A JP2002002500 A JP 2002002500A JP 4173308 B2 JP4173308 B2 JP 4173308B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- multilayer substrate
- saw
- metal conductor
- saw filter
- saw chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1071—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the SAW device
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
- H03H9/0585—Holders; Supports for surface acoustic wave devices consisting of an adhesive layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、圧電基板上の弾性表面波(Surface Acoustic Wave:SAW)を利用した電子部品であるSAWチップを組み込んだ面実装タイプのSAWフィルタに係り、特に、その放熱対策に関する。
【0002】
【従来の技術】
高周波信号を送受信するアンテナスイッチ回路等においては、近年、特定周波数の信号を選択的に通過させるSAWフィルタが送信用フィルタや受信用フィルタとして広く採用されるようになっている。
【0003】
図3はかかるSAWフィルタの従来構造を示す断面図であり、同図に示すように、従来のSAWフィルタは、多層基板(LTCC)1と、この多層基板1の凹所1a内に実装されているSAWチップ2と、多層基板1の側面から底面へと延設されている端面電極3と、多層基板1の凹所1aを蓋閉する位置に接合された金属板等の封止板4とで概略構成されている。多層基板1は、低温焼結セラミック材料からなるグリーンシートを積層して1000℃以下で焼成したものであり、図示せぬマザーボード(母基板)上に実装されるようになっている。SAWチップ2は、水晶等の圧電基板の表面に所定の電極パターンを形成してなるもので、ボンディングワイヤ5によってリードパターン6に接続されている。このリードパターン6は端面電極3に導通されているので、SAWチップ2は端面電極3を介して外部回路と電気的に接続させることができる。なお、SAWチップ2の底面は多層基板1の凹所1aの内底面に接着固定されており、凹所1a内には窒素等の不活性ガスが充填されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、SAWフィルタをアンテナスイッチ回路の送信用フィルタとして使用する場合、電力増幅器で増幅された送信信号がSAWフィルタに入力されることになるので、図3におけるSAWチップ2からの発熱が無視できなくなる。すなわち、増幅された送信信号が入力されるとSAWチップ2は少なからぬジュール熱を発生するので、送信状態が継続すると、封止板4等からの放熱だけではSAWチップ2の温度上昇を十分に抑制することができなくなってしまう。そのため、送信用フィルタなどに使用されるSAWフィルタにおいては、従来、自身の発熱に起因する過度な温度上昇によってSAWチップ2の特性に悪影響が及ぶ恐れがあり、高い信頼性が得にくいという問題があった。
【0005】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、SAWチップの発熱に起因する過度な温度上昇を防止できる高信頼性のSAWフィルタを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によるSAWフィルタでは、凹所を有してマザーボード上に実装される多層基板と、この多層基板の前記凹所内に実装されたSAWチップと、前記多層基板の側面を含む外表面に設けられて前記SAWチップに導通された外部電極と、前記多層基板に接合されて前記凹所を蓋閉する封止板とを備え、前記多層基板の前記封止板側とは逆側の面に放熱用の金属導体を設けると共に、この金属導体に一端を接続せしめたスルーホールを前記多層基板に設け、このスルーホールの他端と前記SAWチップとを金属材料を介して連続させ、前記外部電極は、前記多層基板の側面において底面側から上面側まで設けられた。
【0007】
このように概略構成されたSAWフィルタは、SAWチップの発生するジュール熱がスルーホールを介して金属導体へと伝導されるので、この金属導体をヒートシンクとして機能させることができる。また、SAWフィルタが封止板側を底面としてマザーボード上に実装される場合には、金属導体が外部空間に露出した状態に保たれるので、SAWチップで発生するジュール熱をこの金属導体を介して周囲の空間へ効率よく放熱することができる。
【0008】
上記の構成において、前記封止板をマザーボードに接触させ、放射用の前記金属導体を外部空間に露出した状態で前記マザーボードに取り付けることが好ましい。このように、SAWフィルタが封止板側を底面としてマザーボード上に実装されると、放射用の金属導体から周囲の空間へ直接放熱されることとなる。これにより、SAWチップの発熱量が多くても放射用の金属導体によって効率よく放熱がなされることになるので、SAWチップが自身の発熱によって過度に温度上昇する心配がなくなり、常に安定した性能を発揮させることができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態の参考例について図面を参照して説明すると、図1は参考例に係るSAWフィルタの断面図であり、図3に対応する部分には同一符号が付してある。
【0010】
図1に示すSAWフィルタは、マザーボード10上に実装される多層基板1と、この多層基板1の凹所1a内に実装されているSAWチップ2と、多層基板1の側面から底面へと延設されている端面電極3と、多層基板1の上面に接合されて凹所1aを蓋閉している金属板等の封止板4と、多層基板1の底面に設けられた金属導体7と、SAWチップ2の底面と金属導体7との間の複数個所に設けられたスルーホール8とで概略構成されている。
【0011】
多層基板1は低温焼結セラミック材料からなるグリーンシートを積層して1000℃以下で焼成したものであり、この多層基板1の凹所1aの内底面には、導電性接着剤からなる接着層9が設けられている。この導電性の接着層9は、凹所1a内にSAWチップ2を固定するという機能と、SAWチップ2の発生するジュール熱をスルーホール8に伝えるという機能を併せ持っている。すなわち、スルーホール8の上下両端部はそれぞれ接着層9と金属導体7に接続されているので、SAWチップ2の発生するジュール熱は、接着層9を介してスルーホール8から金属導体7へと伝導されていく。なお、凹所1a内には窒素等の不活性ガスが充填されている。
【0012】
SAWチップ2は、水晶等の圧電基板の表面に所定の電極パターンを形成してなるもので、ボンディングワイヤ5およびリードパターン6を介して端面電極3に導通されている。それゆえ、このSAWフィルタをマザーボード10上に実装して端面電極3が外部回路の半田ランド(図示せず)に半田付けされると、SAWチップ2は端面電極3を介して外部回路と電気的に接続されることとなる。
【0013】
このように構成されるSAWフィルタは、金属導体7側を底面としてマザーボード10上に実装され、このマザーボード10に予め形成されているアース用パターン11に対し、SAWフィルタの金属導体7が面接触した状態に保持される。それゆえ、SAWチップ2で発生するジュール熱は、導電性の接着層9とスルーホール8および金属導体7を介してマザーボード10のアース用パターン11へと伝導され、表面積の大きな該アース用パターン11から効率よく放熱されることになる。したがって、このSAWフィルタをアンテナスイッチ回路の送信用フィルタとして使用する場合のように、SAWチップ2の発熱量が比較的大きい使用条件下においても、マザーボード10のアース用パターン11を利用した効率的な放熱によって、SAWチップ2は自身の発熱で過度に温度上昇する心配がなく、常に安定した性能を発揮させることができる。
【0014】
図2は一実施形態例に係るSAWフィルタの断面図であり、図1に対応する部分には同一符号が付してある。
【0015】
本実施形態例が上述した参考例と相違する点は、SAWフィルタが封止板4側を底面としてマザーボード10上に実装されることにあり、それ以外の構成は基本的に同じである。このようにSAWフィルタが封止板4側を底面としてマザーボード10上に実装される場合には、金属導体7が外部空間に露出した状態に保たれるので、SAWチップ2で発生するジュール熱をこの金属導体7を介して周囲の空間へ効率よく放熱することができる。
【0016】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したような形態で実施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【0017】
SAWチップの発生するジュール熱がスルーホールを介して金属導体へと伝導されるので、この金属導体を効率よく放熱が行えるヒートシンクとして機能させることができる。それゆえ、SAWチップの発熱に起因する過度な温度上昇を防止でき、高信頼性のSAWフィルタを提供することができる。また、SAWフィルタが封止板側を底面としてマザーボード上に実装させることができるため、放射用の金属導体が外部空間に露出した状態に保たれるので、SAWチップで発生するジュール熱をこの金属導体を介して周囲の空間へ効率よく放熱することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の参考例に係るSAWフィルタの断面図である。
【図2】 本発明の一実施形態例に係るSAWフィルタの断面図である。
【図3】従来例に係るSAWフィルタの断面図である。
【符号の説明】
1 多層基板(基板)
1a 凹所
2 SAWチップ
3 端面電極
4 封止板
5 ボンディングワイヤ
7 金属導体
8 スルーホール
9 接着層
10 マザーボード
Claims (2)
- 凹所を有してマザーボード上に実装される多層基板と、この多層基板の前記凹所内に実装されたSAWチップと、前記多層基板の側面を含む外表面に設けられて前記SAWチップに導通された外部電極と、前記多層基板に接合されて前記凹所を蓋閉する封止板とを備え、
前記多層基板の前記封止板側とは逆側の面に放熱用の金属導体を設けると共に、この金属導体に一端を接続せしめたスルーホールを前記多層基板に設け、このスルーホールの他端と前記SAWチップとを金属材料を介して連続させ、前記外部電極は、前記多層基板の側面において底面側から上面側まで設けられたことを特徴とするSAWフィルタ。 - 請求項1の記載において、前記封止板をマザーボードに接触させ、前記金属導体を外部空間に露出した状態で前記マザーボードに取り付けたことを特徴とするSAWフィルタ。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002002500A JP4173308B2 (ja) | 2002-01-09 | 2002-01-09 | Sawフィルタ |
EP03250066A EP1328063A3 (en) | 2002-01-09 | 2003-01-03 | Surface accoustic wave filter |
US10/338,459 US6922119B2 (en) | 2002-01-09 | 2003-01-07 | Surface acoustic wave filter adapted to restrain undue temperature rise |
KR10-2003-0000940A KR100482888B1 (ko) | 2002-01-09 | 2003-01-08 | Saw 필터 |
CNB03101075XA CN1242552C (zh) | 2002-01-09 | 2003-01-09 | 表面声波滤波器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002002500A JP4173308B2 (ja) | 2002-01-09 | 2002-01-09 | Sawフィルタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003204244A JP2003204244A (ja) | 2003-07-18 |
JP4173308B2 true JP4173308B2 (ja) | 2008-10-29 |
Family
ID=19190753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002002500A Expired - Fee Related JP4173308B2 (ja) | 2002-01-09 | 2002-01-09 | Sawフィルタ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6922119B2 (ja) |
EP (1) | EP1328063A3 (ja) |
JP (1) | JP4173308B2 (ja) |
KR (1) | KR100482888B1 (ja) |
CN (1) | CN1242552C (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10892731B2 (en) | 2018-10-25 | 2021-01-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave filter device |
US11177789B2 (en) | 2017-11-09 | 2021-11-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Acoustic wave device and method of manufacturing the same |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6992400B2 (en) * | 2004-01-30 | 2006-01-31 | Nokia Corporation | Encapsulated electronics device with improved heat dissipation |
US7298231B2 (en) * | 2004-05-27 | 2007-11-20 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave device and communication apparatus |
US7332986B2 (en) * | 2004-06-28 | 2008-02-19 | Kyocera Corporation | Surface acoustic wave apparatus and communications equipment |
JP2006245990A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
JP4975377B2 (ja) * | 2006-06-06 | 2012-07-11 | 太陽誘電株式会社 | 弾性境界波素子、共振器およびフィルタ |
JP4992908B2 (ja) * | 2006-11-13 | 2012-08-08 | 株式会社村田製作所 | 弾性境界波素子、弾性境界波装置及び弾性境界波装置の製造方法 |
US8338936B2 (en) * | 2008-07-24 | 2012-12-25 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device and manufacturing method |
US8593016B2 (en) * | 2010-12-03 | 2013-11-26 | Sri International | Levitated micro-manipulator system |
US10224260B2 (en) * | 2013-11-26 | 2019-03-05 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor package with air gap |
US10861627B2 (en) | 2015-04-20 | 2020-12-08 | Sri International | Microrobot and microrobotic train self-assembly with end-effectors |
JP7117828B2 (ja) * | 2017-06-13 | 2022-08-15 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
CN109379056A (zh) * | 2018-12-03 | 2019-02-22 | 全讯射频科技(无锡)有限公司 | 一种声表面波滤波器 |
CN109939875B (zh) * | 2019-03-11 | 2021-01-05 | 哈尔滨工业大学(深圳) | 一种声表面波雾化芯片、制作方法及装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3194540B2 (ja) | 1992-07-13 | 2001-07-30 | 富士通株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
JPH08307196A (ja) * | 1995-05-08 | 1996-11-22 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電素子の実装構造 |
US5786738A (en) * | 1995-05-31 | 1998-07-28 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave filter duplexer comprising a multi-layer package and phase matching patterns |
JP3982876B2 (ja) * | 1997-06-30 | 2007-09-26 | 沖電気工業株式会社 | 弾性表面波装置 |
US6310422B1 (en) * | 1998-03-12 | 2001-10-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter |
SE519240C2 (sv) | 1998-11-20 | 2003-02-04 | Volvo Personvagnar Ab | Arrangemang vid förbränningsmotor innefattandes en värmeväxlare för anpassning av temperaturen hos avgaser vilka ska passera en NOx-adsorberande katalysator |
JP2000196407A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Tdk Corp | 弾性表面波装置 |
-
2002
- 2002-01-09 JP JP2002002500A patent/JP4173308B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-01-03 EP EP03250066A patent/EP1328063A3/en not_active Withdrawn
- 2003-01-07 US US10/338,459 patent/US6922119B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-01-08 KR KR10-2003-0000940A patent/KR100482888B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-01-09 CN CNB03101075XA patent/CN1242552C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11177789B2 (en) | 2017-11-09 | 2021-11-16 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Acoustic wave device and method of manufacturing the same |
US10892731B2 (en) | 2018-10-25 | 2021-01-12 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Bulk acoustic wave filter device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1328063A3 (en) | 2004-09-29 |
CN1431775A (zh) | 2003-07-23 |
US6922119B2 (en) | 2005-07-26 |
KR20030060807A (ko) | 2003-07-16 |
EP1328063A2 (en) | 2003-07-16 |
CN1242552C (zh) | 2006-02-15 |
US20030132517A1 (en) | 2003-07-17 |
JP2003204244A (ja) | 2003-07-18 |
KR100482888B1 (ko) | 2005-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4173308B2 (ja) | Sawフィルタ | |
WO2000035015A1 (fr) | Module de circuit rf | |
JP2001085569A (ja) | 高周波回路装置 | |
JP2005026263A (ja) | 混成集積回路 | |
JP2005311230A (ja) | 回路モジュールおよびこの回路モジュールを用いた回路装置 | |
JP6082114B2 (ja) | 素子収納用パッケージおよび実装構造体 | |
JP4822900B2 (ja) | 電子部品モジュール | |
JP2006211620A (ja) | フィルタ及びデュプレクサ | |
JP2007124591A (ja) | 通信モジュール | |
JP2003347460A (ja) | 電子装置 | |
JP2002299775A (ja) | 電子部品装置 | |
JP2004111938A (ja) | 半導体装置 | |
JP2000133765A (ja) | 高周波集積回路装置 | |
JP2000183488A (ja) | ハイブリッドモジュール | |
JP3760877B2 (ja) | 高周波複合部品 | |
JP2007184691A (ja) | 複合rf部品 | |
JP2003347485A (ja) | 電子装置 | |
JP2007201517A (ja) | 半導体装置 | |
JP2003229521A (ja) | 半導体モジュール及びその製造方法 | |
JP2000124578A (ja) | ハイブリッドモジュール及びその製造方法 | |
KR100893028B1 (ko) | 반도체 소자 패키지 및 그 제조방법 | |
JP2006351952A (ja) | 半導体装置 | |
JP2001044243A (ja) | フリップチップ実装構造 | |
JP2003283168A (ja) | 表面実装型電子部品 | |
JP2003152292A (ja) | 配線基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041217 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070731 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070918 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080520 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080702 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080805 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080813 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110822 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |