JP2011187812A - 高周波モジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】 モジュール内の電磁波の空間漏洩を抑圧し、電磁シールド性を確保することを目的とする。
【解決手段】 半導体素子を収納する多層基板から構成される多層パッケージと、ボールグリッドアレイを介して、上記多層パッケージが接続される多層母基板とを備えて高周波モジュールが構成され、上記多層パッケージは上記半導体素子に接続される垂直給電ビアが設けられ、上記ボールグリッドアレイは接地されたバンプで周囲を囲まれる信号バンプを有し、上記多層母基板は上記ボールグリッドアレイの信号バンプに接続される垂直給電ビアと、当該垂直給電ビアに接続されるトリプレート線路が設けられる。
【選択図】 図1
【解決手段】 半導体素子を収納する多層基板から構成される多層パッケージと、ボールグリッドアレイを介して、上記多層パッケージが接続される多層母基板とを備えて高周波モジュールが構成され、上記多層パッケージは上記半導体素子に接続される垂直給電ビアが設けられ、上記ボールグリッドアレイは接地されたバンプで周囲を囲まれる信号バンプを有し、上記多層母基板は上記ボールグリッドアレイの信号バンプに接続される垂直給電ビアと、当該垂直給電ビアに接続されるトリプレート線路が設けられる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、マイクロ波やミリ波の高周波信号を処理する高周波モジュールに関する。
従来の高周波モジュールは、増幅器を収納した金属でカバーされた多層パッケージと、前後に配置される基板との間で、金ワイヤや金リボンなどによる接続が行われる。この接続部やマイクロストリップ線路から空間漏洩する電磁波が、自身や隣接して配置する回路に結合して誤動作や性能の劣化を起こさないように、モジュール内で十分に電磁シールド性を確保する必要がある。
このような電磁シールド性を確保する方法として、例えば、特許文献1に示すように、金属カバーを用いて閉空間内のカットオフ周波数を高くして、電磁シールド性を確保する技術が知られている。
しかしながら、特許文献1に示す従来の電磁シールド方法では、多層パッケージ数が多い場合に全体を覆うための金属カバーが大きくなるため、接地領域や固定ネジ数の増大に伴ってモジュール寸法が大きくなり、また多層パッケージのサイズが大きい場合、カットオフ周波数を高くすることができない問題があった。
この発明は、係る課題を解決するためになされたものであり、モジュール内の電磁波の空間漏洩を抑圧し、電磁シールド性を確保することを目的とする。
この発明による高周波モジュールは、半導体素子を収納する多層基板から構成される多層パッケージと、ボールグリッドアレイを介して、上記多層パッケージが接続される多層母基板とを備え、上記多層パッケージは、上記半導体素子に接続される垂直給電ビアが設けられ、上記ボールグリッドアレイは、接地されたバンプで周囲を囲まれる信号バンプを有し、上記多層母基板は、上記ボールグリッドアレイの信号バンプに接続される垂直給電ビアと、当該垂直給電ビアに接続されるトリプレート線路が設けられる。
この発明によれば、半導体素子を収納する多層パッケージと、多層母基板に内蔵するトリプレート線路を、ボールグリッドアレイを構成する信号バンプで接続することにより、電磁波の空間漏洩を抑圧することができるため、高周波信号特性を安定化することが可能となる。
実施の形態1.
図1はこの発明に係る実施の形態1による高周波モジュールの構成を示す図であり、図2はこの高周波モジュールのトリプレート線路の構成を示す部分上面視図であり、図3はこの高周波モジュールの垂直給電部の構成を示す部分上面視図である。以下、図について説明する。
図1はこの発明に係る実施の形態1による高周波モジュールの構成を示す図であり、図2はこの高周波モジュールのトリプレート線路の構成を示す部分上面視図であり、図3はこの高周波モジュールの垂直給電部の構成を示す部分上面視図である。以下、図について説明する。
図1において、実施の形態1の高周波モジュールは、母基板である多層基板(多層母基板)10と、多層基板10に接合される複数の多層パッケージ6を備えている。多層基板10は、樹脂基板からなるプリント配線板を構成し、表面または裏面に多数の電気部品が実装されている。多層パッケージ6は多層基板1によって構成される。多層基板1は、多層基板10に複数個実装されても良い。
多層基板1は、複数の絶縁体が積層された例えばセラミック積層体によって構成される。多層基板1は、上面に凹状のキャビティ(空洞)100が設けられ、キャビティ底面には接地導体層1aが形成されている。多層基板1は、最上面に接地導体層1cと信号導体層1bが形成されており、最上面の接地導体層にはシールリング50が接合されている。シールリング50の上面には、導体蓋(リッド)60が接合されている。シールリング50と導体蓋60は金属カバー3を構成する。多層基板1の底面には接地導体層1dと信号導体層1fが形成されている。
多層基板1上面の接地導体層1aには、キャビティ100内に収容される、半導体素子を含む電子部品(半導体チップ)である増幅器2が載置されている。増幅器2の上面と多層基板1の信号導体層1bとは、金ワイヤや金リボンなどの導電性部材70により接続されている。なお、増幅器2の上面と多層基板1の信号導体層1bとの高さは、同じになるように調整されている。
多層基板1底面の接地導体層1dには、複数のバンプ11、11bが接合されている。バンプ11、11bは、半田バンプや金バンプなどで構成され、多層基板1の底面に設けられたボールグリッドアレイを構成する。複数のバンプ11、11bはグランドに接続される。また、多層基板1底面の信号導体層1fには、信号バンプ12が接合されている。信号バンプ12は、半田バンプや金バンプなどで構成される。
多層基板1の内層には、接地導体ビア(VIA)4と、導体からなる垂直給電ビア5が設けられている。接地導体ビア(VIA)4は、多層基板1の外周を取り囲むように複数個配列されている。導体ビア4は、複数配列されることで擬似的な電磁シールド壁面を構成する。
また、垂直給電ビア5の周囲は、複数個の接地導体ビア(VIA)4によって取り囲まれている。垂直給電ビア5は、多層基板1底面の信号導体層1fに接続される。また、接地導体ビア(VIA)4は、多層基板1底面の接地導体層1dに接続される。さらに、多層基板1の外周に配列された接地導体ビア(VIA)4は、多層基板1底面の多層基板1の外周側に設けられた接地導体層1dに接続される。接地導体層1dはグランドに接続される。
多層基板10は、表面に導体層(20a、20b、20c)が設けられ、裏面に接地導体層21が形成されている。この表面の導体層は、信号導体層20a、20bと、接地導体層20cから形成される。また、多層基板10は、内層にトリプレート線路導体7と垂直給電ビア9と接地導体ビア8が設けられている。トリプレート線路導体7は、上下面が接地面を構成する導体層20cと接地導体層21の間に挟まれ、トリプレート線路を構成している。接地導体層20c、21はグランドに接続される。
多層基板10の信号導体層20aは、信号バンプ12に接続されるとともに、導体からなる垂直給電ビア9を介して、トリプレート線路導体7に接続されている。
図2に示すように、トリプレート線路導体7に接続された垂直給電ビア9は、周囲を接地導体ビア8によって馬蹄形状に囲まれている。接地導体層20cは、複数のバンプ11に接合されている。信号導体層20bは、垂直給電ビア9を介してトリプレート線路導体7に接続されており、外部回路または他の高周波モジュールに接続される外部信号端子を構成している。
図2に示すように、トリプレート線路導体7に接続された垂直給電ビア9は、周囲を接地導体ビア8によって馬蹄形状に囲まれている。接地導体層20cは、複数のバンプ11に接合されている。信号導体層20bは、垂直給電ビア9を介してトリプレート線路導体7に接続されており、外部回路または他の高周波モジュールに接続される外部信号端子を構成している。
図3に示すように、多層基板1および多層基板10において、信号バンプ12は、平面内で正方形状に配置されたバンプ11bによって四方向が囲まれることで、擬似的に同軸線路を構成している。また、信号バンプ12およびバンプ11bによって構成される擬似的な同軸線路は、さらに複数のバンプ11によって囲まれている。これによって、信号バンプ12は、グランドに接続された8個のバンプによって周囲を囲まれることとなるので、擬似的な同軸線路からの電磁波の漏洩をより確実に抑えることができる。
実施の形態1による高周波モジュールは以上のように構成され、多層基板1上に増幅器2を搭載し、増幅器2は金属カバー3、接地導体1a、1dおよび導体ビア4から構成される擬似的な電磁壁で囲まれることによって電磁シールドされる。また、垂直給電ビア5、信号バンプ12および垂直給電ビア9は垂直給電構造を構成し、導体ビア4、バンプ11bおよび接地導体ビア8によって周囲を囲まれた擬似的な同軸線路を構成する。多層基板10は、複数のバンプ11、11bが設けられ、増幅器2が収納され、金属カバー3が接合されて増幅器2を気密封止することで、多層パッケージ6を構成する。多層パッケージ6は、垂直給電ビア5を介して多層基板1の裏面の信号バンプ12から信号を入力および出力し、内部の増幅器2により入力信号の信号増幅処理を行い、増幅された信号をパッケージ外部に出力する。バンプ11、11bおよび信号バンプ12からなるボールグリッドアレイは垂直給電接続部を構成する。多層基板1と多層基板10の間を接合するバンプ11はグランドに接続されることで、多層基板1と多層基板10の間の空隙を通過する高周波信号を抑制する。
また、多層基板10は、トリプレート線路7を内蔵し、垂直給電ビア9で構成された垂直給電線路とトリプレート線路導体7を介して、基板表面の信号導体層20a、20bから信号を入力および出力する。多層パッケージ6は、その垂直給電接続部を介して多層基板10に接続され、多層基板10のトリプレート線路導体7を介して、信号導体層20bとの間で信号の入力および出力を行う。
実施の形態1による高周波モジュールは以上のように構成されているので、多層基板10内は垂直給電線路に接続されるトリプレート線路導体7が、グランドに囲まれた内層のトリプレート線路を構成しているため、多層基板10の外部空間への電磁波の漏洩がない。また、ボールグリッドアレイを構成する多層パッケージ6の垂直給電接続部は、グランドに接続された導体ビア4で垂直給電ビア5が覆われているため、金属カバーで遮蔽することなく、外部空間への電磁波の漏洩を抑圧することができる。
また、金属カバーで封止された多層パッケージ6と、母基板の多層基板10に内蔵するトリプレート線路を、ボールグリッドアレイを構成する垂直給電接続部で接続することにより、電磁波の空間漏洩を抑圧することができるため、RF(Radio Frequency)信号の通過損失を抑制することで、高周波信号の伝送特性を安定化することが可能となる。
1 多層基板、1a 接地導体層、1b 信号導体層、1c 接地導体層、1d 接地導体層、2 増幅器、3 金属カバー、4 接地導体ビア、5 垂直給電ビア、6 多層パッケージ、7 トリプレート線路導体、8 接地導体ビア、9 垂直給電ビア、10 多層基板(多層母基板)、11 バンプ、11b バンプ、12 信号バンプ、20a 信号導体層、20b 信号導体層、20c 接地導体層。
Claims (1)
- 半導体素子を収納する多層基板から構成される多層パッケージと、
ボールグリッドアレイを介して、上記多層パッケージが接続される多層母基板と、
を備え、
上記多層パッケージは、上記半導体素子に接続される垂直給電ビアが設けられ、
上記ボールグリッドアレイは、接地されたバンプで周囲を囲まれる信号バンプを有し、
上記多層母基板は、上記ボールグリッドアレイの信号バンプに接続される垂直給電ビアと、当該垂直給電ビアに接続されるトリプレート線路が設けられた高周波モジュール。
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