JP6045611B2 - ゲート駆動回路 - Google Patents
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Description
また、この発明に係るゲート駆動回路は、電力変換用のスイッチング素子のゲート電極を充放電することにより上記スイッチング素子を駆動するものであって、上記スイッチング素子の温度を検出する温度検出回路と、上記温度検出回路に順方向電流を流す電流源と、上記温度検出回路の順方向電圧を増幅し、かつ増幅後の電圧をオフセット電圧で調整する増幅回路と、上記増幅回路の出力電圧に基づいて上記スイッチング素子のゲート電極に流すゲート電流の大きさを調整する電流調整回路と、外部信号を受けて上記スイッチング素子をオン/オフさせるドライブ回路とを備え、上記温度検出回路の温度変化に応じた順方向電圧の大きさの変化に基づいて上記電流調整回路から上記スイッチング素子のゲート電極に流すゲート電流の大きさを調整するとともに、上記増幅回路は、第1演算増幅器を備え、上記増幅回路のオフセット電圧の調整は、上記第1演算増幅器により行われる。
さらに、この発明に係るゲート駆動回路は、電力変換用のスイッチング素子のゲート電極を充放電することにより上記スイッチング素子を駆動するものであって、上記スイッチング素子の温度を検出する温度検出回路と、上記温度検出回路に順方向電流を流す電流源と、上記温度検出回路の順方向電圧を増幅し、かつ増幅後の電圧をオフセット電圧で調整する増幅回路と、上記増幅回路の出力電圧に基づいて上記スイッチング素子のゲート電極に流すゲート電流の大きさを調整する電流調整回路と、外部信号を受けて上記スイッチング素子をオン/オフさせるドライブ回路とを備え、上記温度検出回路の温度変化に応じた順方向電圧の大きさの変化に基づいて上記電流調整回路から上記スイッチング素子のゲート電極に流すゲート電流の大きさを調整するとともに、上記電流調整回路に対する入力電圧を外部から入力される調整電圧により調整するための入力端子を有し、この入力端子から入力された上記調整電圧に基づいて上記電流調整回路による上記スイッチング素子に対するゲート電流の大きさを調整する。
図1は、この発明の実施の形態1におけるゲート駆動回路を示す回路図である。
この実施の形態1のゲート駆動回路は、例えば、コンバータやインバータを構成するIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)からなる電力変換用のスイッチング素子1を備え、このスイッチング素子1に逆並列に還流用のダイオード2が接続されている。なお、スイッチング素子1としては、IGBTに限らず、バワーMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、バイポーラトランジスタ、GTO(Gate Turn Off thyristor)などの半導体素子を使用することができる。
図5はこの発明の実施の形態2におけるゲート駆動回路を示す回路図であり、図1に示した実施の形態1と対応もしくは相当する構成部分には同一の符号を付す。
その他の構成、および作用効果は実施の形態1と同様であるから、ここでは詳しい説明は省略する。
図6はこの発明の実施の形態3におけるゲート駆動回路を示す回路図であり、図1に示した実施の形態1と対応もしくは相当する構成部分には同一の符号を付す。
その他の構成、および作用効果は実施の形態1と同様であるから、ここでは詳しい説明は省略する。
図7はこの発明の実施の形態4におけるゲート駆動回路を示す回路図であり、図1に示した実施の形態1と対応もしくは相当する構成部分には同一の符号を付す。
Claims (11)
- 電力変換用のスイッチング素子のゲート電極を充放電することにより上記スイッチング素子を駆動するゲート駆動回路であって、
上記スイッチング素子の温度を検出する温度検出回路と、上記温度検出回路に順方向電流を流す電流源と、上記温度検出回路の順方向電圧を増幅し、かつ増幅後の電圧をオフセット電圧で調整する増幅回路と、上記増幅回路の出力電圧に基づいて上記スイッチング素子のゲート電極に流すゲート電流の大きさを調整する電流調整回路と、外部信号を受けて上記スイッチング素子をオン/オフさせるドライブ回路とを備え、上記温度検出回路の温度変化に応じた順方向電圧の大きさの変化に基づいて上記電流調整回路から上記スイッチング素子のゲート電極に流すゲート電流の大きさを調整するとともに、
上記増幅回路は、第1演算増幅器と、上記第1演算増幅器と上記電流調整回路との間に設けられたツェナーダイオードとを備え、上記増幅回路のオフセット電圧の調整は、上記ツェナーダイオードにより行われるゲート駆動回路。 - 電力変換用のスイッチング素子のゲート電極を充放電することにより上記スイッチング素子を駆動するゲート駆動回路であって、
上記スイッチング素子の温度を検出する温度検出回路と、上記温度検出回路に順方向電流を流す電流源と、上記温度検出回路の順方向電圧を増幅し、かつ増幅後の電圧をオフセット電圧で調整する増幅回路と、上記増幅回路の出力電圧に基づいて上記スイッチング素子のゲート電極に流すゲート電流の大きさを調整する電流調整回路と、外部信号を受けて上記スイッチング素子をオン/オフさせるドライブ回路とを備え、上記温度検出回路の温度変化に応じた順方向電圧の大きさの変化に基づいて上記電流調整回路から上記スイッチング素子のゲート電極に流すゲート電流の大きさを調整するとともに、
上記増幅回路は、第1演算増幅器を備え、上記増幅回路のオフセット電圧の調整は、上記第1演算増幅器により行われるゲート駆動回路。 - 電力変換用のスイッチング素子のゲート電極を充放電することにより上記スイッチング素子を駆動するゲート駆動回路であって、
上記スイッチング素子の温度を検出する温度検出回路と、上記温度検出回路に順方向電流を流す電流源と、上記温度検出回路の順方向電圧を増幅し、かつ増幅後の電圧をオフセット電圧で調整する増幅回路と、上記増幅回路の出力電圧に基づいて上記スイッチング素子のゲート電極に流すゲート電流の大きさを調整する電流調整回路と、外部信号を受けて上記スイッチング素子をオン/オフさせるドライブ回路とを備え、上記温度検出回路の温度変化に応じた順方向電圧の大きさの変化に基づいて上記電流調整回路から上記スイッチング素子のゲート電極に流すゲート電流の大きさを調整するとともに、
上記電流調整回路に対する入力電圧を外部から入力される調整電圧により調整するための入力端子を有し、この入力端子から入力された上記調整電圧に基づいて上記電流調整回路による上記スイッチング素子に対するゲート電流の大きさを調整するゲート駆動回路。 - 上記増幅回路で増幅された後の上記温度検出回路の温度変化に伴う順方向電圧の変化の大きさを、上記ツェナーダイオードの降伏電圧の大きさによって補正し、上記電流調整回路はこの補正後の電圧に基づいて上記スイッチング素子のゲート電極に流すゲート電流の大きさを調整する請求項1に記載のゲート駆動回路。
- 上記ツェナーダイオードは、上記スイッチング素子を冷却する放熱フィンに配置されている請求項4に記載のゲート駆動回路。
- 上記温度検出回路に定電流を流すための定電流生成器を備え、上記定電流生成器は、抵抗と、電流調整用半導体素子と、演算増幅器とから構成され、上記抵抗における電圧降下が一定となるように、上記電流調整用半導体素子が上記演算増幅器により制御される構成である請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のゲート駆動回路。
- 上記電流調整回路に対する入力電圧を外部から入力される調整電圧により調整するための入力端子を有し、この入力端子から入力された上記調整電圧に基づいて上記電流調整回路による上記スイッチング素子に対するゲート電流の大きさを調整するものである請求項1、請求項2、請求項4、または請求項5のいずれか1項に記載のゲート駆動回路。
- 上記温度検出回路は、上記スイッチング素子と同じチップ上に構成されている請求項1から請求項7のいずれか1項に記載のゲート駆動回路。
- 上記温度検出回路は、ダイオードからなる請求項1から請求項8のいずれか1項に記載のゲート駆動回路。
- 上記スイッチング素子は、ワイドバンドギャップ半導体材料により形成されている請求項1から請求項9のいずれか1項に記載のゲート駆動回路。
- 上記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、またはダイヤモンドのうちいずれかである請求項10に記載のゲート駆動回路。
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