CN108604897B - 绝缘栅型半导体元件的驱动电路 - Google Patents

绝缘栅型半导体元件的驱动电路 Download PDF

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Abstract

在根据控制信号来控制提供给绝缘栅型半导体元件的栅极的输出电流而将该绝缘栅型半导体元件导通/关断的驱动电路中，简易地检查其输出电流特性。具备：电流源，生成提供给绝缘栅型半导体元件的栅极的电流；电流输出电路，根据驱动信号来控制所述电流源所生成的电流向所述绝缘栅型半导体元件的栅极的提供；输出电流控制电路，根据与所述绝缘栅型半导体元件的动作温度对应的控制电压来控制所述电流源所生成的电流的大小；以及控制电压检测端子，设置于该输出电流控制电路而能够从外部检测所述控制电压。

Description

绝缘栅型半导体元件的驱动电路
技术领域
本发明涉及能够简易地检查输出电流特性的绝缘栅型半导体元件的驱动电路。
背景技术
作为驱动绝缘栅型半导体元件例如IGBT导通/关断的驱动电路，例如如图5所示，已知根据驱动信号来控制提供给IGBT的栅极的输出电流Iout的绝缘栅型半导体元件的驱动电路1。该驱动电路1大致具备生成提供给IGBT2的栅极的输出电流Iout的电流源3和根据驱动信号来控制电流源3所生成的输出电流Iout向IGBT2的栅极的提供的电流输出电路4。
附带说明，驱动电路1具备用于规定电流源3所输出的输出电流Iout的大小的输出电流控制电路5。该输出电流控制电路5构成为具备例如控制经由N型的MOS-FET5a而流通的电流Io的运算放大器OP1、和产生与经由MOS-FET5a而流通的电流Io对应的电流检测电压的基准电阻(Rref)5b。运算放大器OP1根据在基准电阻5b的两端产生的电流检测电压与预定的基准电压Vref之间的电压差值来控制MOS-FET5a的栅极电压，从而起到使经由MOS-FET5a而流通的电流Io恒定的作用。
另一方面，电流源3被实现为P型的MOS-FET3a，该P型的MOS-FET3a与作为MOS-FET5a的负载而连接于该MOS-FET5a的漏极的P型的MOS-FET5c构成电流镜电路，并生成与电流Io成比例的输出电流Iout。
这里，电流输出电路4具备N型的MOS-FET4b，所述N型的MOS-FET4b安装在IGBT2的栅极与接地(GND)之间，并被输入驱动信号的缓冲器4a导通/关断。电流输出电路4还具备：与构成电流源3的MOS-FET3a并联连接的P型的MOS-FET4c、和根据驱动信号将MOS-FET4c导通/关断的电平转换电路4d。
该电流输出电路4在驱动信号为高电平(H)时，经由电平转换电路4d将MOS-FET4c设为导通，由此使电流镜电路的功能停止而使来自电流源3的电流输出停止，并且经由缓冲器4a将MOS-FET4b设为导通。然后起到经由MOS-FET4b使积累在IGBT2的栅极的电荷放电而将IGBT2关断的作用。
此外，电流输出电路4在驱动信号为低电平(L)时，经由电平转换电路4d将MOS-FET4c设为关断而使输出电流Iout从电流源3输出，并且经由缓冲器4a将MOS-FET4b设为关断。其结果是，来自电流源3的输出电流Iout被提供给IGBT2的栅极而将IGBT2导通。因此，通过该电流输出电路4，根据驱动信号来控制IGBT2的导通/关断。
然而，通过上述的驱动电路1驱动为导通/关断的IGBT2的开关特性根据IGBT2的动作温度(温度T)而变化。特别地，IGBT2的导通时的开关损耗容易受到提供给该IGBT2的栅极的输出电流Iout及其动作温度的变化的影响。
因此，在以往的驱动电路1中，例如如专利文献1所公开的那样，提出了将IGBT2的动作温度的信息反馈到电流输出电路4，根据IGBT2的动作温度而对电流源3所生成的输出电流Iout进行反馈控制的技术。通过这样的根据IGBT2的动作温度的输出电流Iout的反馈控制，能够降低IGBT2的开关损耗，并且实现开关噪声的降低。
然而，在评价这样构成的驱动电路1的输出电流特性时，需要使用专门能够测量驱动电路1的输出电流Iout的电流检测电路(检查装置)。例如专利文献2等详细公开了这种电流检测电路(检查装置)。附带说明，专利文献2所公开的电流检测电路(检查装置)构成为如其图3所示对测量对象(在此情况下为驱动电路1)的输出电流Iout进行采样，并评价其大小。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2013-219633号公报
专利文献2：日本特开2014-212234号公报
发明内容
技术问题
然而，在使用专利文献2所公开那样的电流检测电路(检查装置)来评价驱动电路1的输出电流特性时，需要直接测量驱动电路1的输出电流Iout本身。而且，由于驱动电路1提供给IGBT2的栅极的输出电流Iout大，所以通常必须使用输入电流容量大的大规模构成的电流检测电路(检查装置)。而且需要直接测量驱动电路1提供给IGBT2的栅极的输出电流Iout本身。因此，存在无法简易地评价驱动电路1的输出电流特性这样的问题。
本发明是考虑这些情况而完成的，其目的在于，提供一种能够简易地评价驱动电路的输出电流特性的简易构成的绝缘栅型半导体元件的驱动电路。
技术方案
为了实现上述目的，本发明的绝缘栅型半导体元件的驱动电路，其特征在于，具备：
电流源，生成提供给绝缘栅型半导体元件的栅极的电流；
电流输出电路，根据驱动信号来控制所述电流源所生成的电流向所述绝缘栅型半导体元件的栅极的提供；
输出电流控制电路，根据与所述绝缘栅型半导体元件的动作温度对应的控制电压来控制所述电流源所生成的电流的大小；以及
控制电压检测端子，设置于该输出电流控制电路而能够从外部检测所述控制电压。
附带说明，所述绝缘栅型半导体元件的动作温度包括通过例如与该绝缘栅型半导体元件一体地设置的温度传感器作为温度检测电压而检测出的温度。并且，所述输出电流控制电路被构成为例如将所述温度检测电压与基准电压之间的电压差值作为所述控制电压来控制所述电流源所生成的电流的大小。
优选地，所述输出电流控制电路被构成为生成与所述控制电压对应的输出电流。并且，所述电流源被实现为例如与构成所述输出电流控制电路的负载的晶体管构成电流镜电路的晶体管，并被构成为输出与所述输出电流控制电路的输出电流成比例的电流。优选地，所述输出电流控制电路还具备例如可变地设定所述基准电压的单元。
或者，所述输出电流控制电路被构成为例如，利用预定的电压阈值来区分所述温度检测电压而生成所述控制电压，并根据该控制电压与基准电压之间的电压差值来控制所述电流源所生成的电流的大小。优选地，所述输出电流控制电路被构成为，利用被设定为多个等级的电压阈值来分别区分所述温度检测电压而以多个等级生成所述控制电压。优选地，所述输出电流控制电路还具备例如可变地设定所述电压阈值的单元。
在此情况下，所述输出电流控制电路被构成为生成与所述控制电压和基准电压之间的电压差值对应的输出电流。在这样地构成所述输出电流控制电路的情况下，所述电流源也被实现为与构成所述输出电流控制电路的负载的晶体管构成电流镜电路的晶体管，并被构成为输出与所述输出电流控制电路的输出电流成比例的电流。
技术效果
根据这样构成的绝缘栅型半导体元件的驱动电路，能够经由设置在输出电流控制电路的控制电压检测端子，容易地检测用于规定电流源提供给绝缘栅型半导体元件的栅极的输出电流的控制电压。换言之，通过经由控制电压检测端子来检测控制电压，即使不直接检测驱动电路所输出的输出电流，也能够根据所述控制电压间接地并且高精度地检测出驱动电路所输出的输出电流。
因此，与直接测量驱动电路所输出的输出电流的情况相比，通常能够使用构成简单的所谓的电压测量装置来简易地评价驱动电路的输出电流特性。而且，在驱动电路中，仅新设置能够从外部检测规定输出电流的控制电压的控制电压检测端子，因此其构成不会复杂。因此，起到能够提供简化并可有效地且简易地检查其输出电流特性的绝缘栅型半导体元件的驱动电路等实际应用中极大的效果。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式的绝缘栅型半导体元件的驱动电路的概略构成图。
图2是示出图1所示的驱动电路中的输出电流和控制电压的温度特性的图。
图3是本发明的其他实施方式的绝缘栅型半导体元件的驱动电路的概略构成图。
图4是示出图3所示的驱动电路中的输出电流和控制电压的温度特性的图。
图5是示出以往的绝缘栅型半导体元件的驱动电路的一例的概略构成图。
符号说明：
1、10、20：驱动电路
2：绝缘栅型半导体元件(IGBT)
3：电流源
4：电流输出电路
5：输出电流控制电路
5d：基准电压源(基准电压Vref)
5e、5f：基准电压源(电压阈值Vref1、Vref2)
5g、5h：N型的MOS-FET
6：恒定电流源
7：控制电压检测端子
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的绝缘栅型半导体元件的驱动电路进行说明。
图1是本发明的一个实施方式的绝缘栅型半导体元件的驱动电路10的概略构成图。应予说明，这里对于与图5所示的以往的驱动电路1相同的构成部分标记相同符号，并省略其说明。
作为绝缘栅型半导体元件的IGBT2由一体地具备例如作为温度传感器的二极管D1的绝缘栅型半导体元件构成，驱动电路10具备以恒定电流来驱动二极管D1的恒定电流源6。该二极管D1被以恒定电流驱动而产生与IGBT2的动作温度对应的温度检测电压VF。该温度检测电压VF作为表示IGBT2的动作温度的信息而被反馈到驱动电路10的输出电流控制电路5。
输出电流控制电路5除了具备上述的运算放大器OP1、MOS-FET5a和基准电阻(Rref)5b之外，还具备检测表示动作温度T的温度检测电压VF与基准电压源5d所输出的基准电压Vref的差分电压的运算放大器OP2。附带说明，就运算放大器OP2而言，在其反相输入端子和非反相输入端子分别设置输入电阻R1、R1，并且经由电阻R2将非反相输入端子接地，还在运算放大器OP2的输出端子与反相输入端子之间安装有反馈电阻R2。
该运算放大器OP2构成根据分别经由输入电阻R1、R1而施加的温度检测电压VF与基准电压Vref之间的电压差值来生成控制电压Vo2的放大器。并且，运算放大器OP2所输出的控制电压Vo2施加到运算放大器OP1，通过该运算放大器OP1的输出来控制经由MOS-FET5a而流通的电流Io。此外，在被施加控制电压Vo2的运算放大器OP1的非反相输入端子连接有控制电压检测端子7。该控制电压检测端子7使得能够从外部检测控制电压Vo2。
应予说明，基准电压源5d具备例如能够从外部电气性地切换输出的EPROM，并能够根据EPROM的输出来可变地设定基准电压Vref。
根据如上所述地构成的驱动电路10，通过与IGBT2一体地设置的二极管D1检测出与IGBT2的动作温度T对应的温度检测电压VF而将其反馈到输出电流控制电路5。于是，输出电流控制电路5生成与温度检测电压VF和基准电压Vref的差分电压对应的控制电压Vo2，并根据该控制电压Vo2与通过基准电阻(Rref)5b检测出的电压之间的差值来控制经由MOS-FET5a而流通的电流Io。其结果是，电流源3生成与电流Io成比例的输出电流Iout，并将该输出电流Iout提供给IGBT2的栅极，这里，该电流Io是由输出电流控制电路5根据IGBT2的动作温度T而设定的。
因此，提供给IGBT2的栅极的来自电流源3的输出电流Iout如图2所示地成为与电流Io成比例，进而与施加到运算放大器OP1的控制电压Vo2成比例的电流，所述电流Io是输出电流控制电路5根据IGBT2的动作温度T而设定的电流。而且，输出电流Iout和控制电压Vo2分别根据IGBT2的动作温度T而变化，示出了IGBT2的温度特性本身。
因此，与其说电流源3所生成的输出电流Iout与规定输出电流控制电路5所设定的电流Io的控制电压Vo2密切相关，不如说输出电流Iout与控制电压Vo2成比例。因此，只要经由控制电压检测端子7检测出输出电流控制电路5中的控制电压Vo2，就能够由此间接检测出输出电流Iout。
因此，根据具备控制电压检测端子7而构成的驱动电路10，即使不使用大规模构成的电流检测电路(检查装置)来直接测量驱动电路10输出到IGBT2的栅极的输出电流Iout，也能够使用简易的构成的电压检测电路(检查装置)来间接测量驱动电路10输出的输出电流Iout。因此，能够简易地测量驱动电路10的输出电流特性。
此外，根据该测量结果，也能够更改设定例如基准电压源5d所生成的基准电压Vref，并由此如图2中虚线所示地调整输出电流Iout与控制电压Vo2的比例关系。因此，能够通过基准电压Vref的更改设定而可变地设定电流源的输出电流Iout，并由此实现IGBT2的驱动条件的最佳化而实现开关损耗的降低。换言之，起到能够使施加到IGBT2的栅极的输出电流Iout最佳化，降低IGBT2的导通和关断时的开关损耗等效果。
接下来，对本发明的绝缘栅型半导体元件的驱动电路的其他实施方式进行说明。
图3是本发明的其他实施方式的绝缘栅型半导体元件的驱动电路20的概略构成图。应予说明，在该其他实施方式的说明中，对于与图5所示的以往的驱动电路1和图1所示的本发明的实施方式的驱动电路10相同的构成部分标记相同的符号，并省略其说明。
该实施方式的驱动电路20中，作为输出电流控制电路5，具备第一比较器COMP1和第二比较器COMP2，第一比较器COMP1和第二比较器COMP2将通过与IGBT2一体地设置的二极管D1检测出的与IGBT2的动作温度T对应的温度检测电压VF分别与第一电压阈值Vref1和第二电压阈值Vref2进行比较。附带说明，第一电压阈值Vref1与温度Tb对应，第二电压阈值Vref2与温度Ta(<Tb)对应。该第一电压阈值Vref1和第二电压阈值Vref2分别由基准电压源5e、5f生成，并被设定为例如[Vref1>Vref2]。这些基准电压源5e、5f也与前述的实施方式中的基准电压源5d同样地，构成为能够分别独立且可变地设定第一电压阈值Vref1和第二电压阈值Vref2。
第一比较器COMP1和第二比较器COMP2根据第一电压阈值Vref1和第二电压阈值Vref2与温度检测电压VF的比较结果来将N型的MOS-FET5g、MOS-FET5h导通/关断。附带说明，MOS-FET5g、MOS-FET5h起到将由串联连接的三个电阻Rref1、Rref2、Rref3构成的基准电阻5b中的电阻Rref1、或者电阻Rref1、Rref2短路的作用。
具体地，在温度检测电压VF小于第二电压阈值Vref2时，根据第一比较器COMP1和第二比较器COMP2的输出，MOS-FET5g、MOS-FET5h分别被保持在关断状态。其结果是，将串联连接的电阻Rref1、Rref2、Rref3的和(Rref1+Rref2+Rref3)设定为基准电阻5b。
与此相对，在温度检测电压VF超过第二电压阈值Vref2，且小于第一电压阈值Vref1的情况下，根据第一比较器COMP1和第二比较器COMP2的输出，MOS-FET5h成为导通。于是，伴随着MOS-FET5h的导通，电阻Rref2被短路。其结果是，将串联连接的电阻Rref1、Rref3的和(Rref1+Rref3)设定为基准电阻5b。
此外，在温度检测电压VF超过了第一电压阈值Vref1时，根据第一比较器COMP1和第二比较器COMP2的输出，MOS-FET5g、MOS-FET5h分别成为导通。其结果是，电阻Rref1、Rref2分别被短路，并将电阻Rref3设定为基准电阻5b。其结果：根据表示IGBT2的动作温度T的温度检测电压VF，在第一比较器COMP1和第二比较器COMP2的控制下将MOS-FET5g、MOS-FET5h导通/关断，按等级地改变基准电阻5b的电阻值。
具体地，随着表示IGBT2的动作温度的温度检测电压VF变高，将基准电阻5b的电阻值设定为按等级减小。并且，伴随着基准电阻5b的电阻值的变化，在该基准电阻5b的两端产生的电压VI如图4所示按等级变小。该电压VI作为控制电压而施加到运算放大器OP1的反相输入端子。于是，运算放大器OP1以使施加到非反相输入端子的基准电压Vref与电压(控制电压)VI的差分电压达到零(0)的方式控制MOS-FET5a的栅极电压。
其结果是，伴随着表示IGBT2的动作温度T的温度检测电压VF变高，电压(控制电压)VI变低，而随着该电压VI变低，运算放大器OP1以使经由MOS-FET5a而流通的电流Io变大的方式进行动作。换言之，运算放大器OP1以使经由MOS-FET5a而流通的电流Io增大与将基准电阻5b的电阻值减小设定的部分对应的量的方式进行控制。于是，随着将经由MOS-FET5a而流通的电流Io设定得大，电流源3的输出电流Iout被设定得大。
此外，相反，伴随着表示IGBT2的动作温度的温度检测电压VF变低，电压(控制电压)VI变高，而随着该电压VI变高，运算放大器OP1以使经由MOS-FET5a而流通的电流Io变小的方式进行动作。换言之，运算放大器OP1以使经由MOS-FET5a而流通的电流Io减小与将基准电阻5b的电阻值增大设定的部分对应的量的方式进行控制。并且，随着将经由MOS-FET5a而流通的电流Io设定得小，电流源3的输出电流Iout被设定得小。
因此，如图4所示，根据IGBT2的动作温度而变化的电流源3的输出电流Iout与根据表示IGBT2的动作温度的温度检测电压VF而设定且施加到输出电流控制电路5的控制电压VI具有一一对应的密切关系。并且，在该驱动电路20中，设置有能够从外部检测施加到运算放大器OP1的反相输入端子的控制电压VI的控制电压检测端子7。
因此，只要经由控制电压检测端子7检测出控制电压VI，则能够根据检测出的控制电压VI间接检测出电流源3的输出电流Iout。因此，能够与前面的实施方式同样地使用简易的构成的电压检测电路(检查装置)来检测驱动电路20所输出的输出电流Iout，并简易地测量驱动电路20的输出电流特性。
此外，根据该测量结果，如果更改设定例如基准电压源5e、5f分别生成的第一电压阈值Vref1和第二电压阈值Vref2，则能够如图4所示地调整输出电流Iout和控制电压VI的温度特性。并且能够使他们的温度特性更高精度地近似于IGBT2的实际的温度特性。
因此，能够通过电压阈值Vref1、Vref2的更改设定来以与IGBT2的实际的温度特性匹配的方式可变地设定电流源3的输出电流Iout，并由此实现IGBT2的驱动条件的最佳化而实现开关损耗的降低。换言之，起到能够使施加到IGBT2的栅极的输出电流Iout最佳化，降低IGBT2的导通和关断时的开关损耗等效果。
应予说明，本发明并不限于上述各实施方式。例如在图3所示的实施方式中，使用第一比较器COMP1和第二比较器COMP2将表示IGBT2的动作温度的温度检测电压VF分成三个等级而进行了检测，但是当然也可以以更多个等级检测温度检测电压VF。此外，对于驱动电路10、20自身的结构，也可以适当地采用以往提出的各种电流输出型的驱动电路。进一步地，不仅可以将本发明应用于作为绝缘栅型半导体元件的IGBT，也可以将本发明同样应用于将功率MOS-FET驱动为导通/关断的驱动电路。除此之外，本发明在未脱离其主旨的范围内能够进行各种变形而实施。

Claims (9)

1.一种绝缘栅型半导体元件的驱动电路，其特征在于，具备：
电流源，生成提供给绝缘栅型半导体元件的栅极的电流；
电流输出电路，根据驱动信号来控制所述电流源所生成的电流向所述绝缘栅型半导体元件的栅极的提供；
输出电流控制电路，根据与所述绝缘栅型半导体元件的动作温度对应的控制电压来控制所述电流源所生成的电流的大小；以及
控制电压检测端子，设置于该输出电流控制电路而能够从外部检测所述控制电压，
所述绝缘栅型半导体元件的动作温度是通过与该绝缘栅型半导体元件一体地设置的温度传感器作为温度检测电压而检测出的，
所述输出电流控制电路将所述温度检测电压与基准电压之间的电压差值作为所述控制电压来控制所述电流源所生成的电流的大小，
所述输出电流控制电路具备能够可变地设定所述基准电压的基准电压源。
2.根据权利要求1所述的绝缘栅型半导体元件的驱动电路，其特征在于，
所述输出电流控制电路生成与所述控制电压对应的输出电流，
所述电流源由与构成所述输出电流控制电路的负载的晶体管构成电流镜电路的晶体管构成，并输出与所述输出电流控制电路的输出电流成比例的电流。
3.一种绝缘栅型半导体元件的驱动电路，其特征在于，具备：
电流源，生成提供给绝缘栅型半导体元件的栅极的电流；
电流输出电路，根据驱动信号来控制所述电流源所生成的电流向所述绝缘栅型半导体元件的栅极的提供；
输出电流控制电路，根据与所述绝缘栅型半导体元件的动作温度对应的控制电压来控制所述电流源所生成的电流的大小；以及
控制电压检测端子，设置于该输出电流控制电路而能够从外部检测所述控制电压，
所述绝缘栅型半导体元件的动作温度是通过与该绝缘栅型半导体元件一体地设置的温度传感器作为温度检测电压而检测出的，
所述输出电流控制电路利用预定的电压阈值来区分所述温度检测电压而生成所述控制电压，并根据该控制电压与基准电压之间的电压差值来控制所述电流源所生成的电流的大小，
所述输出电流控制电路具备能够可变地设定所述电压阈值的基准电压源。
4.根据权利要求3所述的绝缘栅型半导体元件的驱动电路，其特征在于，
所述输出电流控制电路利用被设定为多个等级的电压阈值来分别区分所述温度检测电压而以多个等级生成所述控制电压。
5.根据权利要求3所述的绝缘栅型半导体元件的驱动电路，其特征在于，
所述输出电流控制电路生成与所述控制电压和基准电压之间的电压差值对应的输出电流，
所述电流源由与构成所述输出电流控制电路的负载的晶体管构成电流镜电路的晶体管构成，并输出与所述输出电流控制电路的输出电流成比例的电流。
6.一种绝缘栅型半导体元件的驱动电路，其特征在于，具备：
电流源，生成提供给绝缘栅型半导体元件的栅极的电流；
电流输出电路，根据驱动信号来控制是否将所述电流源生成的电流提供给所述绝缘栅型半导体元件的栅极；
输出电流控制电路，根据与所述绝缘栅型半导体元件的动作温度对应的控制电压来控制所述电流源所生成的电流的大小，所述绝缘栅型半导体元件的动作温度是通过与所述绝缘栅型半导体元件一体地设置的温度传感器作为温度检测电压而检测出的，
所述输出电流控制电路具备能够可变地设定基准电压的基准电压源，并将所述温度检测电压与所述基准电压的差值作为所述控制电压，生成与该控制电压对应的输出电流，
所述电流源具备在与构成所述输出电流控制电路的负载的晶体管之间构成电流镜电路的晶体管，并输出与所述输出电流控制电路的所述输出电流成比例的电流，
所述驱动电路具备设置于所述输出电流控制电路而能够从外部检测所述控制电压的控制电压检测端子。
7.一种绝缘栅型半导体元件的驱动电路，其特征在于，具备：
电流源，生成提供给绝缘栅型半导体元件的栅极的电流；
电流输出电路，根据驱动信号来控制是否将所述电流源生成的电流提供给所述绝缘栅型半导体元件的栅极；
输出电流控制电路，控制与所述绝缘栅型半导体元件的动作温度对应的所述电流源所生成的电流的大小，所述绝缘栅型半导体元件的动作温度是通过与所述绝缘栅型半导体元件一体地设置的温度传感器作为温度检测电压而检测出的，
所述输出电流控制电路具备能够可变地设定电压阈值的基准电压源，并将所述温度检测电压与所述电压阈值比较，按照根据该比较结果的电压电流转换率对基准电压进行电压电流转换而生成输出电流，
所述电流源具备在与构成所述输出电流控制电路的负载的晶体管之间构成电流镜电路的晶体管，并输出与所述输出电流控制电路的所述输出电流成比例的电流，
所述驱动电路具备设置于所述输出电流控制电路而能够从外部检测与所述基准电压对应的控制电压的控制电压检测端子。
8.根据权利要求7所述的绝缘栅型半导体元件的驱动电路，其特征在于，
所述输出电流控制电路将所述温度检测电压与被设定为多个等级的电压阈值分别比较而以多个等级规定所述电压电流转换率。
9.根据权利要求7所述的绝缘栅型半导体元件的驱动电路，其特征在于，
所述驱动电路具有：
运算放大器，被输入所述基准电压；
晶体管，在栅极接受所述运算放大器的输出；
可变电阻，从所述晶体管接受电流，
所述可变电阻配置于地电源与所述晶体管之间，
所述运算放大器以使所述基准电压与所述可变电阻和所述晶体管之间的连接点的电压相同的方式控制所述晶体管的栅极电压，
所述可变电阻根据所述比较结果来改变电阻值，从而使由所述连接点的电压规定的电压电流转换率改变而规定所述输出电流。
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