JP5915915B2 - 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5915915B2 JP5915915B2 JP2015002677A JP2015002677A JP5915915B2 JP 5915915 B2 JP5915915 B2 JP 5915915B2 JP 2015002677 A JP2015002677 A JP 2015002677A JP 2015002677 A JP2015002677 A JP 2015002677A JP 5915915 B2 JP5915915 B2 JP 5915915B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- measurement
- head
- stage
- exposure
- heads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70975—Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49105—Switch making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Description
以下、本発明の第1の実施形態を図1〜図31に基づいて説明する。
ΔL2=ΔYo×(1+cosθ)+ΔZo×sinθ …(2)
従って、式(1)、(2)からΔZo及びΔYoは次式(3)、(4)で求められる。
ΔYo=(ΔL1+ΔL2)/{2(1+cosθ)} …(4)
Δθy≒(ΔZoL−ΔZoR)/D …(6)
従って、主制御装置20は、上記式(3)〜式(6)を用いることで、Z干渉計43A、43Bの計測結果に基づいて、ウエハステージWSTの4自由度の変位ΔZo、ΔYo、Δθz、Δθyを算出することができる。
+2KΔZ(cosθb1+cosθb0−cosθa1−cosθa0)…(7)
ここで、KΔLは、2つの光束LB1,LB2の光路差ΔLに起因する位相差、ΔYは、反射型回折格子RGの+Y方向の変位、ΔZは、反射型回折格子RGの+Z方向の変位、pは回折格子のピッチ、nb,naは上述の各回折光の回折次数である。
その場合、式(7)の右辺第3項の括弧内は零になり、同時にnb=−na(=n)を満たすので、次式(9)が得られる。
上式(9)より、位相差φsymは光の波長に依存しないことがわかる。
Δx=g(z,θy,θz)=θy(z−c)+θz(z−d) ……(11)
上式(10)において、aは、図12のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、bは、Yエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。また、上式(11)において、cは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにローリング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、dは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。
次に、本発明の第2の実施形態を、図32〜図34に基づいて説明する。この第2の実施形態は、スケールの格子ピッチの補正情報及び格子線の曲がりの補正情報を取得する際の動作が前述の第1の実施形態と異なるのみで、装置の構成及びその他の動作等は第1の実施形態と同様である。従って、以下では、かかる相違点について説明を行うものとする。
Claims (38)
- 投影光学系を介して照明光で基板を露光する露光方法であって、
前記投影光学系の下方に配置されるベース上で非接触に支持され、前記基板を保持するステージを、前記投影光学系の光軸と垂直な所定平面内で移動することと、
前記ステージに格子部とヘッドとの一方が設けられ、かつ前記格子部と前記ヘッドとの他方が前記投影光学系の下端側に配置されるように前記投影光学系を支持するフレーム部材に支持されるエンコーダシステムの、前記格子部と対向する複数の前記ヘッドによって、前記ステージの位置情報を計測することと、
前記ステージの移動中、前記エンコーダシステムで計測に用いられる前記複数のヘッドの1つを別のヘッドに切り換えることと、
前記格子部に起因して生じる前記ステージの前記所定面内の位置に応じた前記エンコーダシステムの計測誤差を補償しつつ、前記エンコーダシステムで計測される位置情報に基づいて前記ステージの移動を制御することと、を含む露光方法。 - 請求項1に記載の露光方法において、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記フレーム部材から支持部材を介して吊り下げ支持される露光方法。 - 請求項1又は2に記載の露光方法において、
前記投影光学系から離れて前記フレーム部材に支持されるマーク検出系によって、前記基板のマークが検出され、
前記基板の露光動作と前記マークの検出動作とでそれぞれ、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系の下端部を取り囲むように設けられるノズルユニットによって、前記投影光学系の下に液体で液浸領域が形成されるとともに、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記照明光で前記基板が露光され、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記投影光学系に対して前記ノズルユニットの外側に設けられる露光方法。 - 請求項4に記載の露光方法において、
前記フレーム部材に設けられる前記ノズルユニットによって前記液浸領域が形成される露光方法。 - 請求項4に記載の露光方法において、
前記フレーム部材とは別のフレーム部材に設けられる前記ノズルユニットによって前記液浸領域が形成される露光方法。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記エンコーダシステムによって、前記所定平面内で互いに直交する第1及び第2方向と、前記第1及び第2方向と直交する第3方向と、を含む6自由度方向に関する前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板はその表面が前記ステージの上面とほぼ同一面となるように前記ステージに載置される露光方法。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記ステージはその上面の凹部内に配置されるホルダを有し、前記基板の表面が前記上面とほぼ同一面となるように前記凹部内で前記基板を保持する露光方法。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記切換後、前記複数のヘッドのうち前記1つのヘッドを除く残りのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む複数のヘッドによって、前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項10に記載の露光方法において、
前記切換前、前記格子部と対向する3つの前記ヘッドによって前記ステージの位置情報が計測されるとともに、前記切換後、前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く2つのヘッドと、前記3つのヘッドと異なる前記別のヘッドと、を含む3つのヘッドによって、前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項11に記載の露光方法において、
前記1つのヘッドから前記別のヘッドへの切換は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと前記別のヘッドとを含む4つのヘッドが前記格子部と対向している間に行なわれる露光方法。 - 請求項12に記載の露光方法において、
前記格子部は、それぞれ反射型格子が形成される4つのスケール部材を有し、
前記1つのヘッドから前記別のヘッドへの切換は、前記4つのヘッドがそれぞれ前記4つのスケール部材と対向している間に行なわれる露光方法。 - 請求項1〜13のいずれか一項に記載の露光方法において、
少なくとも前記基板の露光動作中、前記エンコーダシステムの3つ又は4つの前記ヘッドが前記格子部と対向するとともに、前記格子部と対向するヘッドは、前記ステージの移動によって、前記3つのヘッドと前記4つのヘッドとの一方から他方に変更される露光方法。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記格子部は、それぞれ反射型格子が形成される4つのスケール部材を有し、
少なくとも前記基板の露光動作中、前記4つのスケール部材の3つ又は4つとそれぞれ対向して配置される3つ又は4つの前記ヘッドによって前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項1〜15のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記ステージの移動制御において、前記格子部の、変形、平坦性、および形成誤差の少なくとも1つに起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差が補償される露光方法。 - 請求項1〜16のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記ステージは、前記ヘッドが設けられ、前記基板の露光動作において前記格子部の下方で移動される露光方法。 - 請求項1〜17のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記ステージの移動中、前記ヘッドに起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差、前記位置情報の計測方向と異なる方向に関する前記ステージの位置に起因して生じる、前記計測方向に関する前記エンコーダシステムの計測誤差、および前記ステージの傾斜又は回転に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差の少なくとも1つも補償される露光方法。 - デバイス製造方法であって、
請求項1〜18のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 投影光学系を介して照明光で基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系を支持するフレーム部材と、
前記投影光学系の下方に配置されるベースと、
前記ベース上に配置され、前記基板を保持するステージと、
前記ベース上で非接触に支持される前記ステージを前記投影光学系の光軸と垂直な所定平面内で駆動する駆動系と、
前記ステージに格子部とヘッドとの一方が設けられ、かつ前記格子部と前記ヘッドとの他方が前記投影光学系の下端側に配置されるように前記フレーム部材に支持されるとともに、前記格子部と対向する複数の前記ヘッドによって、前記ステージの位置情報を計測するエンコーダシステムと、
前記ステージの移動中、前記計測に用いられる前記複数のヘッドの1つを別のヘッドに切り換えるとともに、前記格子部に起因して生じる前記ステージの前記所定面内の位置に応じた前記エンコーダシステムの計測誤差を補償しつつ、前記エンコーダシステムで計測される位置情報に基づいて前記駆動系を制御する制御装置と、を備える露光装置。 - 請求項20に記載の露光装置において、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記フレーム部材から支持部材を介して吊り下げ支持される露光装置。 - 請求項20又は21に記載の露光装置において、
前記投影光学系から離れて前記フレーム部材に支持され、前記基板のマークを検出するマーク検出系を、さらに備え、
前記基板の露光動作と前記マークの検出動作とでそれぞれ、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項20〜22のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系の下端部を取り囲むように設けられるノズルユニットを有し、前記投影光学系の下に液体で液浸領域を形成する局所液浸装置を、さらに備え、
前記基板は、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して前記照明光で露光され、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記投影光学系に対して前記ノズルユニットの外側に設けられる露光装置。 - 請求項23に記載の露光装置において、
前記ノズルユニットは、前記フレーム部材に設けられる露光装置。 - 請求項23に記載の露光装置において、
前記ノズルユニットは、前記フレーム部材とは別のフレーム部材に設けられる露光装置。 - 請求項20〜25のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記エンコーダシステムによって、前記所定平面内で互いに直交する第1及び第2方向と、前記第1及び第2方向と直交する第3方向と、を含む6自由度方向に関する前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項20〜26のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記ステージはその上面と前記基板の表面とがほぼ同一面となるように前記基板を載置する露光装置。 - 請求項20〜27のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記ステージはその上面の凹部に配置されるホルダを有し、前記基板の表面が前記上面とほぼ同一面となるように前記凹部内で前記基板を保持する露光装置。 - 請求項20〜28のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記切換後、前記複数のヘッドのうち前記1つのヘッドを除く残りのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む複数のヘッドによって、前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項29に記載の露光装置において、
前記切換前、前記格子部と対向する3つの前記ヘッドによって前記ステージの位置情報が計測されるとともに、前記切換後、前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く2つのヘッドと、前記3つのヘッドと異なる前記別のヘッドと、を含む3つのヘッドによって、前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項30に記載の露光装置において、
前記1つのヘッドから前記別のヘッドへの切換は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと前記別のヘッドとを含む4つのヘッドが前記格子部と対向している間に行なわれる露光装置。 - 請求項31に記載の露光装置において、
前記格子部は、それぞれ反射型格子が形成される4つのスケール部材を有し、
前記1つのヘッドから前記別のヘッドへの切換は、前記4つのヘッドがそれぞれ前記4つのスケール部材と対向している間に行なわれる露光装置。 - 請求項20〜32のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記エンコーダシステムは、少なくとも前記基板の露光動作中、3つ又は4つの前記ヘッドが前記格子部と対向するとともに、前記格子部と対向するヘッドは、前記ステージの移動によって、前記3つのヘッドと前記4つのヘッドとの一方から他方に変更される露光装置。 - 請求項20〜33のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記格子部は、それぞれ反射型格子が形成される4つのスケール部材を有し、
前記エンコーダシステムは、少なくとも前記基板の露光動作中、前記4つのスケール部材の3つ又は4つとそれぞれ対向して配置される3つ又は4つの前記ヘッドによって前記ステージの位置情報を計測する露光装置。 - 請求項20〜34のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記制御装置は、前記格子部の、変形、平坦性、および形成誤差の少なくとも1つに起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償する露光装置。 - 請求項20〜35のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記ステージは、前記ヘッドが設けられ、前記基板の露光動作において前記格子部の下方で移動される露光装置。 - 請求項20〜36のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記制御装置は、前記ステージの移動中、前記ヘッドに起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差、前記位置情報の計測方向と異なる方向に関する前記ステージの位置に起因して生じる、前記計測方向に関する前記エンコーダシステムの計測誤差、および前記ステージの傾斜又は回転に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差の少なくとも1つも補償する露光装置。 - デバイス製造方法であって、
請求項20〜37のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015002677A JP5915915B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-01-08 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006236975 | 2006-08-31 | ||
JP2006236975 | 2006-08-31 | ||
JP2015002677A JP5915915B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-01-08 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014168119A Division JP5850110B2 (ja) | 2006-08-31 | 2014-08-21 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015127287A Division JP6016202B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-06-25 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015109460A JP2015109460A (ja) | 2015-06-11 |
JP2015109460A5 JP2015109460A5 (ja) | 2015-09-03 |
JP5915915B2 true JP5915915B2 (ja) | 2016-05-11 |
Family
ID=39136020
Family Applications (10)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008532137A Expired - Fee Related JP5251511B2 (ja) | 2006-08-31 | 2007-08-31 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2012245015A Expired - Fee Related JP5692609B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-11-07 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014000972A Expired - Fee Related JP5709071B2 (ja) | 2006-08-31 | 2014-01-07 | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014168119A Expired - Fee Related JP5850110B2 (ja) | 2006-08-31 | 2014-08-21 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015002677A Active JP5915915B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-01-08 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015127287A Expired - Fee Related JP6016202B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-06-25 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004056A Expired - Fee Related JP6187607B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016095786A Expired - Fee Related JP6218125B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-05-12 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2017181138A Expired - Fee Related JP6429050B2 (ja) | 2006-08-31 | 2017-09-21 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018194757A Pending JP2019020747A (ja) | 2006-08-31 | 2018-10-16 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications Before (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008532137A Expired - Fee Related JP5251511B2 (ja) | 2006-08-31 | 2007-08-31 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2012245015A Expired - Fee Related JP5692609B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-11-07 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014000972A Expired - Fee Related JP5709071B2 (ja) | 2006-08-31 | 2014-01-07 | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014168119A Expired - Fee Related JP5850110B2 (ja) | 2006-08-31 | 2014-08-21 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications After (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015127287A Expired - Fee Related JP6016202B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-06-25 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004056A Expired - Fee Related JP6187607B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016095786A Expired - Fee Related JP6218125B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-05-12 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2017181138A Expired - Fee Related JP6429050B2 (ja) | 2006-08-31 | 2017-09-21 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018194757A Pending JP2019020747A (ja) | 2006-08-31 | 2018-10-16 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (9) | US8013982B2 (ja) |
EP (4) | EP3279738A1 (ja) |
JP (10) | JP5251511B2 (ja) |
KR (10) | KR101749442B1 (ja) |
CN (1) | CN101410945B (ja) |
HK (3) | HK1218166A1 (ja) |
SG (5) | SG182983A1 (ja) |
TW (7) | TWI597585B (ja) |
WO (1) | WO2008026739A1 (ja) |
Families Citing this family (76)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3279738A1 (en) | 2006-08-31 | 2018-02-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
KR101400615B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2014-05-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
CN101405839B (zh) * | 2006-08-31 | 2014-12-24 | 株式会社尼康 | 移动体驱动***及方法、图案形成装置及方法、曝光装置及方法、组件制造方法 |
KR101660667B1 (ko) | 2006-09-01 | 2016-09-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법 |
TW201809913A (zh) * | 2006-09-01 | 2018-03-16 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 |
US8237919B2 (en) * | 2007-08-24 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads |
US9304412B2 (en) | 2007-08-24 | 2016-04-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method |
US9013681B2 (en) * | 2007-11-06 | 2015-04-21 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9256140B2 (en) * | 2007-11-07 | 2016-02-09 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction |
US8665455B2 (en) * | 2007-11-08 | 2014-03-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8422015B2 (en) | 2007-11-09 | 2013-04-16 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL1036180A1 (nl) * | 2007-11-20 | 2009-05-25 | Asml Netherlands Bv | Stage system, lithographic apparatus including such stage system, and correction method. |
US8711327B2 (en) * | 2007-12-14 | 2014-04-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8792079B2 (en) * | 2007-12-28 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method having encoders to measure displacement between optical member and measurement mount and between measurement mount and movable body |
US8269945B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-09-18 | Nikon Corporation | Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
TWI643035B (zh) * | 2007-12-28 | 2018-12-01 | 日商尼康股份有限公司 | Exposure apparatus, exposure method, and component manufacturing method |
US8237916B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
NL1036742A1 (nl) | 2008-04-18 | 2009-10-20 | Asml Netherlands Bv | Stage system calibration method, stage system and lithographic apparatus comprising such stage system. |
US8786829B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8228482B2 (en) * | 2008-05-13 | 2012-07-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8817236B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-08-26 | Nikon Corporation | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5195022B2 (ja) * | 2008-05-23 | 2013-05-08 | 株式会社ニコン | 位置計測装置及び位置計測方法、パターン形成装置及びパターン形成方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US8214718B2 (en) * | 2008-06-19 | 2012-07-03 | International Business Machines Corporation | Erasure flagging system and method for errors-and-erasures decoding in storage devices |
JP5087679B2 (ja) * | 2008-07-30 | 2012-12-05 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 電子ビーム装置 |
JP5151852B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2013-02-27 | 株式会社ニコン | 補正情報作成方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US8508735B2 (en) * | 2008-09-22 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8994923B2 (en) * | 2008-09-22 | 2015-03-31 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8325325B2 (en) * | 2008-09-22 | 2012-12-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8760629B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
US8773635B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8902402B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
JP5438988B2 (ja) * | 2009-02-17 | 2014-03-12 | 株式会社ミツトヨ | 測定システムおよび干渉計 |
US8553204B2 (en) * | 2009-05-20 | 2013-10-08 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8970820B2 (en) | 2009-05-20 | 2015-03-03 | Nikon Corporation | Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8792084B2 (en) * | 2009-05-20 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8892222B2 (en) * | 2009-07-17 | 2014-11-18 | Diversitech Equipment And Sales (1984) Ltd. | Fume extraction system with automatic fume hood positioning |
US8488109B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20110096312A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110096306A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110096318A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110102761A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
US20110128523A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110123913A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
US8488106B2 (en) * | 2009-12-28 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL2006804A (en) * | 2010-06-24 | 2011-12-28 | Asml Netherlands Bv | Measurement system, method and lithographic apparatus. |
NL2007155A (en) | 2010-08-25 | 2012-02-28 | Asml Netherlands Bv | Stage apparatus, lithographic apparatus and method of positioning an object table. |
CN102175133B (zh) * | 2011-02-25 | 2012-07-18 | 清华大学 | 全局金属膜厚度测量装置 |
CN102721380B (zh) * | 2011-03-30 | 2016-03-30 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 镭射平面度量测***及方法 |
JP5533769B2 (ja) * | 2011-04-14 | 2014-06-25 | ウシオ電機株式会社 | マスクとワークの位置合せ方法 |
KR101801148B1 (ko) * | 2011-08-16 | 2017-11-27 | 삼성전자주식회사 | 초정밀 위치 제어 장치 및 그 6자유도 스테이지의 위치 및 자세 정보 산출 방법 |
US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
JP5971965B2 (ja) * | 2012-02-07 | 2016-08-17 | キヤノン株式会社 | 面形状計測方法、面形状計測装置、プログラム、および、光学素子の製造方法 |
KR102126664B1 (ko) * | 2012-10-02 | 2020-06-25 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 장치, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
JP2014115115A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Advantest Corp | 補正装置、プローブ装置、および試験装置 |
JP6381184B2 (ja) * | 2013-07-09 | 2018-08-29 | キヤノン株式会社 | 校正方法、測定装置、露光装置および物品の製造方法 |
JP6228420B2 (ja) * | 2013-10-08 | 2017-11-08 | キヤノン株式会社 | 検出装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
US9804488B2 (en) * | 2014-03-21 | 2017-10-31 | Carpe Diem Technologies, Inc. | System and method for fabricating miniature structures on a flexible substrate |
CN105045042B (zh) * | 2015-04-23 | 2017-06-16 | 清华大学 | 一种硅片台曝光区域六自由度位移测量方法 |
CN106483778B (zh) * | 2015-08-31 | 2018-03-30 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 基于相对位置测量的对准***、双工件台***及测量*** |
US10268121B2 (en) * | 2015-09-30 | 2019-04-23 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and flat panel display manufacturing method |
KR20180059810A (ko) * | 2015-09-30 | 2018-06-05 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 플랫 패널 디스플레이 제조 방법 |
CN107544213B (zh) * | 2016-06-29 | 2019-10-25 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 光刻机动态调平调焦方法 |
JP6704813B2 (ja) * | 2016-08-05 | 2020-06-03 | キヤノン株式会社 | 計測装置、露光装置、および物品の製造方法 |
JP6426691B2 (ja) * | 2016-12-22 | 2018-11-21 | ファナック株式会社 | 数値制御装置 |
JP6506785B2 (ja) * | 2017-02-02 | 2019-04-24 | 株式会社Kokusai Electric | リソグラフィ用テンプレートの製造方法、プログラム及び基板処理装置 |
CN108801161B (zh) * | 2017-04-28 | 2021-06-29 | 北京小米移动软件有限公司 | 测量***、方法及装置、可读存储介质 |
CN109856929B (zh) * | 2017-11-30 | 2020-06-16 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 信号处理装置及处理方法、对准***及对准方法和光刻机 |
CN108168438B (zh) * | 2017-12-28 | 2020-02-14 | 长春禹衡光学有限公司 | 一种封闭式光栅 |
CN108844500B (zh) * | 2018-04-10 | 2020-11-20 | 苏州久越金属科技有限公司 | 一种镭射自动化高效测量方法 |
CN108710266B (zh) * | 2018-05-18 | 2021-05-04 | 江苏影速集成电路装备股份有限公司 | 一种触发式对位结构的直写式曝光***及方法 |
CN112334834B (zh) * | 2018-07-03 | 2023-10-17 | 应用材料公司 | 使用各自进行多次扫描的多个写入列来制作准确的光栅图案的***和方法 |
CN111351464A (zh) * | 2018-12-20 | 2020-06-30 | 鸿富锦精密电子(郑州)有限公司 | 平整度检测装置及方法 |
JP7301695B2 (ja) * | 2019-09-19 | 2023-07-03 | キヤノン株式会社 | 制御装置、制御方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
JP7519691B2 (ja) | 2021-09-06 | 2024-07-22 | 尾池工業株式会社 | フレキシブル基板 |
JP7212996B1 (ja) | 2022-05-09 | 2023-01-26 | アツ子 森内 | 多目的 閂ケース付きアナログデジタル錠 |
Family Cites Families (181)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE221563C (ja) | ||||
DE224448C (ja) | ||||
JPS5129184B1 (ja) | 1971-07-15 | 1976-08-24 | ||
US4215938A (en) * | 1978-09-28 | 1980-08-05 | Farrand Industries, Inc. | Method and apparatus for correcting the error of a position measuring interferometer |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
JPS60119407A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-26 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 比較検査装置 |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
JPS61113376A (ja) | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Sony Corp | テレビジヨン信号の動き検出装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPS63292005A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Nikon Corp | 走り誤差補正をなした移動量検出装置 |
US5070250A (en) * | 1989-02-28 | 1991-12-03 | Nikon Corporation | Position detection apparatus with adjustable beam and interference fringe positions |
US5489986A (en) * | 1989-02-28 | 1996-02-06 | Nikon Corporation | Position detecting apparatus |
US5021649A (en) | 1989-03-28 | 1991-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Relief diffraction grating encoder |
JP2784225B2 (ja) * | 1989-11-28 | 1998-08-06 | 双葉電子工業株式会社 | 相対移動量測定装置 |
JP3077149B2 (ja) * | 1990-01-22 | 2000-08-14 | 株式会社ニコン | 測定装置、測定方法、及び露光装置、露光方法、及び回路パターンチップ |
US5523843A (en) * | 1990-07-09 | 1996-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting system |
DE4033556A1 (de) * | 1990-10-22 | 1992-04-23 | Suess Kg Karl | Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JP3149472B2 (ja) | 1991-08-30 | 2001-03-26 | 株式会社ニコン | 走査露光装置および物体の移動測定装置 |
US5506684A (en) | 1991-04-04 | 1996-04-09 | Nikon Corporation | Projection scanning exposure apparatus with synchronous mask/wafer alignment system |
DE4219311C2 (de) | 1991-06-13 | 1996-03-07 | Sony Magnescale Inc | Verschiebungsdetektor |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JPH05129184A (ja) | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JP3167419B2 (ja) | 1992-05-28 | 2001-05-21 | 株式会社アルファ | 自動車用バッテリ監視装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
JP3303386B2 (ja) | 1993-02-03 | 2002-07-22 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
US5461237A (en) * | 1993-03-26 | 1995-10-24 | Nikon Corporation | Surface-position setting apparatus |
US5583609A (en) * | 1993-04-23 | 1996-12-10 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP3375076B2 (ja) | 1993-04-27 | 2003-02-10 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
US5581324A (en) * | 1993-06-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors |
US6122036A (en) | 1993-10-21 | 2000-09-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
JPH09223650A (ja) | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Nikon Corp | 露光装置 |
US5625453A (en) * | 1993-10-26 | 1997-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | System and method for detecting the relative positional deviation between diffraction gratings and for measuring the width of a line constituting a diffraction grating |
JPH07190741A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 測定誤差補正法 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH07270122A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Canon Inc | 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法 |
JPH0883753A (ja) * | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 焦点検出方法 |
JPH08316124A (ja) * | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JP3815750B2 (ja) * | 1995-10-09 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、ならびに前記ステージ装置を用いた露光装置およびデバイス製造方法 |
JPH09318321A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Olympus Optical Co Ltd | 測長装置 |
JPH1063011A (ja) | 1996-08-14 | 1998-03-06 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び走査露光方法 |
US5917580A (en) * | 1996-08-29 | 1999-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Scan exposure method and apparatus |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
CN1244019C (zh) | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及曝光方法 |
JPH10223528A (ja) | 1996-12-30 | 1998-08-21 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置合わせ方法 |
WO1998040791A1 (en) | 1997-03-10 | 1998-09-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Positioning device having two object holders |
JPH10270535A (ja) | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
US6020964A (en) * | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3809268B2 (ja) * | 1997-12-19 | 2006-08-16 | キヤノン株式会社 | デバイス製造方法 |
JPH11191585A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Canon Inc | ステージ装置、およびこれを用いた露光装置、ならびにデバイス製造方法 |
JPH11233420A (ja) | 1998-02-18 | 1999-08-27 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置検出方法 |
KR100841147B1 (ko) | 1998-03-11 | 2008-06-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 레이저 장치, 자외광 조사 장치 및 방법, 물체의 패턴 검출장치 및 방법 |
US6008610A (en) * | 1998-03-20 | 1999-12-28 | Nikon Corporation | Position control apparatus for fine stages carried by a coarse stage on a high-precision scanning positioning system |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
AU3849199A (en) | 1998-05-19 | 1999-12-06 | Nikon Corporation | Aberration measuring instrument and measuring method, projection exposure apparatus provided with the instrument and device-manufacturing method using the measuring method, and exposure method |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2000068192A (ja) | 1998-08-18 | 2000-03-03 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及び位置検出方法 |
US6144118A (en) * | 1998-09-18 | 2000-11-07 | General Scanning, Inc. | High-speed precision positioning apparatus |
DE69943311D1 (de) | 1998-12-24 | 2011-05-12 | Canon Kk | Trägerplattesteuerungsvorrichtung, Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
TW490596B (en) * | 1999-03-08 | 2002-06-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus |
US6924884B2 (en) * | 1999-03-08 | 2005-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Off-axis leveling in lithographic projection apparatus |
US6381004B1 (en) | 1999-09-29 | 2002-04-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
JP4428781B2 (ja) | 1999-12-28 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 光学式ロータリエンコーダ及びモータ制御装置 |
JP4860870B2 (ja) * | 2000-01-11 | 2012-01-25 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | アッベ誤差補正装置及び方法 |
JP2001308003A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
SG107560A1 (en) | 2000-02-25 | 2004-12-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
JP2001332490A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 位置合わせ方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US6639686B1 (en) | 2000-04-13 | 2003-10-28 | Nanowave, Inc. | Method of and apparatus for real-time continual nanometer scale position measurement by beam probing as by laser beams and the like of atomic and other undulating surfaces such as gratings or the like relatively moving with respect to the probing beams |
US20020041377A1 (en) * | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
JP2002090114A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-03-27 | Mitsutoyo Corp | 光スポット位置センサ及び変位測定装置 |
TW527526B (en) * | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7289212B2 (en) * | 2000-08-24 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby |
US7561270B2 (en) * | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
JP2002164269A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
EP1364257A1 (en) | 2001-02-27 | 2003-11-26 | ASML US, Inc. | Simultaneous imaging of two reticles |
JP4445705B2 (ja) | 2001-03-27 | 2010-04-07 | 1...リミテッド | 音場を作り出す方法および装置 |
JP4198338B2 (ja) * | 2001-07-09 | 2008-12-17 | 株式会社 東北テクノアーチ | ステージ装置 |
JP2003031474A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 露光装置および露光方法 |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
JP2003249443A (ja) | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP4415674B2 (ja) * | 2002-01-29 | 2010-02-17 | 株式会社ニコン | 像形成状態調整システム、露光方法及び露光装置、並びにプログラム及び情報記録媒体 |
US6987555B2 (en) * | 2002-04-23 | 2006-01-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP4168665B2 (ja) | 2002-05-22 | 2008-10-22 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
KR20050025626A (ko) * | 2002-07-31 | 2005-03-14 | 가부시키가이샤 니콘 | 위치계측방법, 위치제어방법, 노광방법 및 노광장치,그리고 디바이스 제조방법 |
CN100462844C (zh) | 2002-08-23 | 2009-02-18 | 株式会社尼康 | 投影光学***、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法 |
JP2004101362A (ja) | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Canon Inc | ステージ位置計測および位置決め装置 |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
CN101470360B (zh) * | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
EP2495613B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
SG2011031200A (en) | 2002-12-10 | 2014-09-26 | Nippon Kogaku Kk | Exposure apparatus and device manufacturing method |
EP1450176A1 (en) | 2003-02-21 | 2004-08-25 | Liaisons Electroniques-Mecaniques Lem S.A. | Magnetic field sensor and electrical current sensor therewith |
JP4362862B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
WO2004092833A2 (en) | 2003-04-10 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus |
KR20060009891A (ko) | 2003-05-06 | 2006-02-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
JP4292573B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2009-07-08 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
US7025498B2 (en) * | 2003-05-30 | 2006-04-11 | Asml Holding N.V. | System and method of measuring thermal expansion |
KR20180132996A (ko) * | 2003-06-19 | 2018-12-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
JP4492239B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
CN102012641B (zh) | 2003-07-28 | 2015-05-06 | 株式会社尼康 | 曝光装置、器件制造方法 |
TWI295408B (en) * | 2003-10-22 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method, and measurement system |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7102729B2 (en) * | 2004-02-03 | 2006-09-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method |
TW200537255A (en) | 2004-02-04 | 2005-11-16 | Nikon Corp | Exposure equipment and method, position control method and device manufacturing method |
JP2005252246A (ja) | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | 露光装置及び方法、位置制御方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2005236087A (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP4429037B2 (ja) | 2004-02-27 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | ステージ装置及びその制御方法 |
JP2005249452A (ja) | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | リニアエンコーダ、画像読取装置及び画像記録装置 |
JP4622340B2 (ja) | 2004-03-04 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法 |
JP2005268608A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ステージ装置 |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4751032B2 (ja) | 2004-04-22 | 2011-08-17 | 株式会社森精機製作所 | 変位検出装置 |
US20050241694A1 (en) | 2004-04-29 | 2005-11-03 | Red Flame Hot Tap Services Ltd. | Hot tapping method, system and apparatus |
US7126109B2 (en) * | 2004-06-14 | 2006-10-24 | Gsi Group Corporation | Encoder scale error compensation employing comparison among multiple detectors |
JP4305915B2 (ja) | 2004-06-17 | 2009-07-29 | シャープ株式会社 | 基地局選択に用いる基準を求める方法 |
JP4873242B2 (ja) | 2004-06-22 | 2012-02-08 | 株式会社ニコン | ベストフォーカス検出方法及び露光方法、並びに露光装置 |
JP2006017895A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Integrated Solutions:Kk | 露光装置 |
JP4305917B2 (ja) | 2004-07-14 | 2009-07-29 | シャープ株式会社 | 映像信号処理装置及びテレビジョン装置 |
US7256871B2 (en) * | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
JP4852951B2 (ja) | 2004-09-17 | 2012-01-11 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
KR101508455B1 (ko) | 2004-09-17 | 2015-04-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
KR101157003B1 (ko) | 2004-09-30 | 2012-06-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학 디바이스 및 노광 장치 |
JP4424739B2 (ja) | 2004-10-19 | 2010-03-03 | キヤノン株式会社 | ステージ装置 |
US7388663B2 (en) * | 2004-10-28 | 2008-06-17 | Asml Netherlands B.V. | Optical position assessment apparatus and method |
TWI588872B (zh) * | 2004-11-18 | 2017-06-21 | 尼康股份有限公司 | Position measurement method, position control method, measurement method, loading method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
WO2006057263A1 (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-01 | Nikon Corporation | 移動体システム、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006165216A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Nikon Corp | 評価方法、走査露光方法及び走査型露光装置 |
US7528931B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060139595A1 (en) * | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness |
JP2006196555A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Nikon Corp | 収差計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
JP4450739B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2010-04-14 | 富士フイルム株式会社 | 露光装置 |
JP2006210570A (ja) | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Nikon Corp | 調整方法、露光装置 |
US7515281B2 (en) * | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7161659B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7405811B2 (en) * | 2005-04-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
US7349069B2 (en) * | 2005-04-20 | 2008-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
US7348574B2 (en) * | 2005-09-02 | 2008-03-25 | Asml Netherlands, B.V. | Position measurement system and lithographic apparatus |
US7362446B2 (en) | 2005-09-15 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Position measurement unit, measurement system and lithographic apparatus comprising such position measurement unit |
JP2007093546A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nikon Corp | エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置 |
US7978339B2 (en) | 2005-10-04 | 2011-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus temperature compensation |
EP3147710B1 (en) * | 2006-01-19 | 2019-04-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
EP2541325B1 (en) | 2006-02-21 | 2018-02-21 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method |
EP3267259A1 (en) | 2006-02-21 | 2018-01-10 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8054472B2 (en) | 2006-02-21 | 2011-11-08 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus, mark detecting apparatus, exposure apparatus, pattern forming method, exposure method, and device manufacturing method |
US7602489B2 (en) | 2006-02-22 | 2009-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7253875B1 (en) | 2006-03-03 | 2007-08-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7636165B2 (en) * | 2006-03-21 | 2009-12-22 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement systems lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4265805B2 (ja) | 2006-03-29 | 2009-05-20 | シャープ株式会社 | 画像処理システム |
US7576832B2 (en) * | 2006-05-04 | 2009-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7483120B2 (en) | 2006-05-09 | 2009-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method |
JP4393540B2 (ja) | 2006-08-01 | 2010-01-06 | シャープ株式会社 | 樹脂含有粒子の凝集体の製造方法、トナー、現像剤、現像装置および画像形成装置 |
EP3279738A1 (en) | 2006-08-31 | 2018-02-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
KR101400615B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2014-05-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
CN101405839B (zh) | 2006-08-31 | 2014-12-24 | 株式会社尼康 | 移动体驱动***及方法、图案形成装置及方法、曝光装置及方法、组件制造方法 |
TW201809913A (zh) * | 2006-09-01 | 2018-03-16 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法 |
KR101660667B1 (ko) | 2006-09-01 | 2016-09-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법 |
US7619207B2 (en) * | 2006-11-08 | 2009-11-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7903866B2 (en) * | 2007-03-29 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object |
US7710540B2 (en) * | 2007-04-05 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8547527B2 (en) | 2007-07-24 | 2013-10-01 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method |
TWI643035B (zh) * | 2007-12-28 | 2018-12-01 | 日商尼康股份有限公司 | Exposure apparatus, exposure method, and component manufacturing method |
-
2007
- 2007-08-31 EP EP17185287.4A patent/EP3279738A1/en not_active Withdrawn
- 2007-08-31 SG SG2012048674A patent/SG182983A1/en unknown
- 2007-08-31 EP EP15182331.7A patent/EP2990872B1/en not_active Not-in-force
- 2007-08-31 TW TW105138868A patent/TWI597585B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 JP JP2008532137A patent/JP5251511B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 KR KR1020157025223A patent/KR101749442B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR20147009442A patent/KR101493661B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 TW TW106125555A patent/TW201738667A/zh unknown
- 2007-08-31 TW TW104127308A patent/TWI572994B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 WO PCT/JP2007/067063 patent/WO2008026739A1/ja active Application Filing
- 2007-08-31 SG SG2011060951A patent/SG174737A1/en unknown
- 2007-08-31 KR KR1020137027815A patent/KR101423017B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 US US11/896,412 patent/US8013982B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 SG SG10201507251TA patent/SG10201507251TA/en unknown
- 2007-08-31 KR KR1020187015765A patent/KR20180063382A/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 SG SG10201507256WA patent/SG10201507256WA/en unknown
- 2007-08-31 TW TW104127309A patent/TWI572995B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 KR KR1020147035543A patent/KR101634893B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 SG SG2012048666A patent/SG182982A1/en unknown
- 2007-08-31 CN CN2007800104390A patent/CN101410945B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 KR KR1020087027029A patent/KR101444473B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020177020724A patent/KR101902723B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 TW TW096132485A patent/TWI422981B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 EP EP17196163.4A patent/EP3291010A1/en not_active Withdrawn
- 2007-08-31 TW TW104134833A patent/TWI590005B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 KR KR1020147035544A patent/KR101565277B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020147020063A patent/KR101565272B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 EP EP07806536.4A patent/EP2071612B1/en not_active Not-in-force
- 2007-08-31 TW TW102133477A patent/TWI510870B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 KR KR1020167008608A patent/KR101763546B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-07-27 US US13/191,829 patent/US8203697B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-05-11 US US13/469,828 patent/US8947639B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-11 US US13/469,869 patent/US8937710B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-07 JP JP2012245015A patent/JP5692609B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-01-07 JP JP2014000972A patent/JP5709071B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-08-21 JP JP2014168119A patent/JP5850110B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-09-05 US US14/478,801 patent/US10101673B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-09-05 US US14/478,704 patent/US20140375976A1/en not_active Abandoned
- 2014-12-15 US US14/570,669 patent/US10162274B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-08 JP JP2015002677A patent/JP5915915B2/ja active Active
- 2015-06-25 JP JP2015127287A patent/JP6016202B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-01-13 JP JP2016004056A patent/JP6187607B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-05-12 JP JP2016095786A patent/JP6218125B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-05-30 HK HK16106076.6A patent/HK1218166A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2017
- 2017-09-21 JP JP2017181138A patent/JP6429050B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-03-26 HK HK18104102.7A patent/HK1244891A1/zh unknown
- 2018-03-29 HK HK18104345.4A patent/HK1244893A1/zh unknown
- 2018-10-16 JP JP2018194757A patent/JP2019020747A/ja active Pending
- 2018-10-17 US US16/162,977 patent/US20190049862A1/en not_active Abandoned
- 2018-10-18 US US16/164,016 patent/US20190049863A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6429050B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP6331235B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP5863155B2 (ja) | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150716 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150915 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151022 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160310 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160323 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5915915 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |