JP5882014B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
まず、シリコン基板上に絶縁膜を介して設けられた第1インナーバリアメタルと第1インナーアルミ電極と第2インナーバリアメタルと第2インナーアルミ電極とが順に積層したワイヤー接続領域と、第1インナーバリアメタルおよび第1インナーアルミ電極の周囲に設けられた第1合金化防止溝と、第2インナーバリアメタルおよび第2インナーアルミ電極の周囲に設けられた第2合金化防止溝と、第1合金化防止溝によって第1インナーバリアメタルおよび第1インナーアルミ電極と離間した第1アウターバリアメタルおよび第1アウターアルミ電極と、第2合金化防止溝によって第2インナーバリアメタルおよび第2インナーアルミ電極と離間した第2アウターバリアメタルおよび第2アウターアルミ電極とからなり、第1インナーバリアメタルおよび第1インナーアルミ電極と第1アウターバリアメタルおよび第1アウターアルミ電極は第1合金化防止溝に埋め込まれた第2アウターバリアメタルおよび第2アウターアルミ電極によって電気的に接続され、パッシベーション膜はワイヤー接続領域の外側に位置する第1合金化防止溝および第2合金化防止溝よりもさらに外側も設けられている半導体装置とした。
図1は半導体装置のボンディングパッド100の断面図である。
ワイヤー接続領域3はボンディング電極となる第2インナーアルミ系電極14とボンディングワイヤー6が接続する領域である。ワイヤー接続領域3を含んで、かつワイヤー接続領域3を囲むようにビアホール領域2が設けられ、そして、ビアホール領域2を含んで、かつビアホール領域2を囲むようにボンディングパッド領域1が設けられている。更には、ボンディングパッド領域1の外周には保護膜領域が設けられている。
以上述べた製造方法により、図1に示した本発明の半導体装置を製造することができる。
図5は半導体装置のボンディングパッド101の断面図である。
ワイヤー接続領域3はボンディング電極となる第2インナーアルミ系電極14とボンディングワイヤー6が接続する領域である。ワイヤー接続領域3を含んで、かつワイヤー接続領域3を囲むようにビアホール領域2が設けられ、そして、ビアホール領域2を含んで、かつビアホール領域2を囲むようにボンディングパッド領域1が設けられている。更には、ボンディングパッド領域1の外周には保護膜領域が設けられている。
2 ビアホール領域
3 ワイヤー接続領域
4 第1合金化防止溝
5 第2合金化防止溝
6 ボンディングワイヤー
7 半導体基板
8 絶縁膜
9 第1インナーバリアメタル
10 第1インナーアルミ系電極
11 第1反射防止膜
12 層間絶縁膜
13 第2インナーバリアメタル
14 第2インナーアルミ系電極
15 第2反射防止膜
16 パッシベーション膜
17 ポリイミド膜
18 第1アウターバリアメタル
19 第1アウターアルミ系電極
20 第2アウターバリアメタル
21 第2アウターアルミ系電極
100 本発明の第1の実施形態に係るボンディングパッド
101 本発明の第2の実施形態に係るボンディングパッド
Claims (5)
- 半導体基板上に設けられた第1インナー電極と、前記第1インナー電極上に設けられ、Au系材料からなるボンディングワイヤー先端のボールを接続するワイヤー接続領域である第2インナー電極と、を有する半導体装置であって、
前記半導体基板上に絶縁膜を介して、積層されて設けられた第1バリアメタルおよび第1アルミ電極と、
前記第1バリアメタルおよび第1アルミ電極を前記第1インナー電極と第1アウター電極とに分離して、前記第1アルミ電極からなる前記第1インナー電極と前記Au系材料とからなるAu−Al合金層の前記第1アウター電極方向への横方向の合金化進行を抑制する前記第1インナー電極と前記第1アウター電極との間に設けられた第1合金化防止溝と、
前記第1アウター電極の上に設けられた層間絶縁膜と、
前記第1インナー電極、前記第1アウター電極および前記層間絶縁膜の上に設けられているとともに、前記第1合金化防止溝に入り込み前記第1インナー電極と前記第1アウター電極とを電気的に接続している、積層された第2バリアメタルおよび第2アルミ電極と、
前記第2バリアメタルおよび第2アルミ電極を前記ワイヤー接続領域である前記第2インナー電極と第2アウター電極とに分離して、前記第2アルミ電極からなる前記第2インナー電極と前記Au系材料とからなるAu−Al合金層の前記第2アウター電極方向への横方向の合金化進行を抑制する前記第2インナー電極と前記第2アウター電極との間に設けられた、前記第1合金化防止溝と異なる位置に設けられた第2合金化防止溝と、
前記第2アウター電極の上に設けられ、開口部がボンディングパッド領域を規定するパッシベーション膜と、
からなる半導体装置。 - 前記第2合金化防止溝は、前記第1合金化防止溝によって周囲を定められた前記第1インナー電極の上に設けられており、前記第1合金化防止溝のさらに内側に位置していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1合金化防止溝は、前記第2合金化防止溝によって周囲を定められた前記第2インナー電極の下に設けられており、前記第2合金化防止溝のさらに内側に位置していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第2インナー電極は平面視的に前記Au系材料からなるボンディングワイヤーのボールと重畳するように配置されることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1インナー電極は平面視的に前記Au系材料からなるボンディングワイヤーのボールと重畳するように配置されることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
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