JP5686627B2 - パターン寸法測定方法、及び荷電粒子線装置 - Google Patents
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Description
Z=R−S …(数式1)
となる。
シュリンク後の線幅Fに、ゼロシュリンク量を加えたものを、シュリンク前の線幅Vとみなせることができる。また、差分Zのみを登録(ステップ107)しておき、後に他の演算に用いるようにしても良い。具体的な演算法については後述する。
302 引出電極
303 電子ビーム
304 コンデンサレンズ
305 走査偏向器
306 対物レンズ
307 試料室
308 試料ステージ
309,318 試料
310 電子
311 二次電子
312 変換電極
313 検出器
314,316 ゲートバルブ
315 ロードロック室
317 ミニエン
320 制御装置
Claims (8)
- 試料上に形成されたパターンにビームを走査することによって得られる検出信号に基づいて、当該パターンの寸法を測定するパターン寸法測定方法において、
パターンの第1の部分に対するビーム走査を実施した後、前記パターンを含む試料に対し、薄膜を形成し、当該薄膜が形成された前記第1の部分に相当する領域にビームを走査することによって、前記薄膜が形成されたパターンの第1の測定値を取得し、前記第1の部分と設計データ上、同じ寸法を持つ第2の部分に対し、ビームを走査することによって、前記薄膜が形成されたパターンの第2の測定値を取得し、当該第2の測定値から前記第1の測定値を減算する減算処理に基づいて、前記パターンのシュリンク量を求めることを特徴とするパターン寸法測定方法。 - 請求項1において、
前記シュリンク量と、前記薄膜形成前の第1の部分に対するビーム走査に基づいて得られる第3の測定値との加算に基づいて、シュリンク前のもとの寸法を測定することを特徴とするパターン寸法測定方法。 - 請求項1において、
前記薄膜はALD(Atomic Layer Deposition)膜であることを特徴とするパターン寸法測定方法。 - 荷電粒子ビームを放出するための荷電粒子源と、当該荷電粒子源から放出される荷電粒子ビームの走査位置を変更する走査位置制御装置と、前記荷電粒子ビームの走査位置に対するビーム走査によって得られた検出信号に基づいて、前記走査位置内のパターンの寸法を測定する寸法測定装置を備えた荷電粒子線装置において、
当該走査位置制御装置は、予めビームが走査された試料上の第1の部分に走査位置を位置付け、第1のビーム走査を実施した後、薄膜が形成された当該第1の部分と、当該第1の部分に位置するパターンと設計データ上、同じ寸法を持ち、且つ前記薄膜が形成された第2の部分に前記走査位置を設定してそれぞれ第2の走査と第3の走査を実施し、
前記寸法測定装置は、当該第2の走査と第3の走査に基づいて得られる検出信号に基づいて、前記第1の部分の第1の測定値と第2の部分の第2の測定値を出力することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項4において、
前記寸法測定装置は、前記第2の測定値から、第1の測定値を減算することによって、第3の測定値を求めることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項5において、
前記寸法測定装置は、前記第3の測定値と、前記第1のビーム走査に基づいて得られる第4の測定値とを加算することを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子ビームの走査に基づいて得られる検出信号に基づいて、試料上に形成されたパターンの寸法を測定するパターン寸法測定装置において、
前記荷電粒子ビームの走査によってパターン寸法が減少した第1の部分に薄膜が形成された後に行われるビーム走査によって得られる第1の測定値と、当該第1の部分と設計データ上、同じ寸法を持ち、且つ前記薄膜が形成された第2の部分の第2の測定値との差分に基づいて、前記第1の部分の減少量を演算する演算装置を備えたことを特徴とするパターン寸法測定装置。 - 荷電粒子ビームの走査によって、試料表面を帯電させ、当該帯電領域に、前記荷電粒子ビームを走査することによって、試料から放出される荷電粒子を検出し、当該検出された荷電粒子に基づいて画像を形成する画像形成方法において、
前記試料表面を帯電させる前に、前記試料表面に薄膜を形成し、当該薄膜上に前記試料表面を帯電させるためのビームを走査して、当該試料を帯電させることを特徴とする画像形成方法。
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