JP5150303B2 - 電子顕微鏡システム及びそれを用いたレジストパターンの膜厚減少量評価方法 - Google Patents
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Description
また,本発明を露光プロセスの条件出し,すなわち,ドーズ量,フォーカス位置の最適化に適用すれば,従来の線幅計測結果だけを用いた場合と比べて,より有効なプロセスウィンド設定が可能となる。
図1(a)に、本実施例による膜減り計測機能を備えた測長SEMシステムの構成を示す。本実施例による測長SEMシステムは、SEM本体10と画像処理・全体制御部109、演算処理部110、データベース部113、で構成され、ネットワークを介してデータサーバ116と繋がっている。
図1(b)に演算処理部110で行う膜減り計測の全体フローを示す。
(S1):SEM10にてレジストパターンを撮像し、この撮像して得た信号を画像処理・全体制御部109で処理して試料のSEM画像を得る。
(S2):取得した画像から後述の方法により,膜減りの指標値を算出する。
(S3):データベース部113に蓄積されている正常な露光条件で形成されたレジストパターンに対する実際に形成されたパターンの膜減り量と膜減り指標値の対応関係が登録されているデータベース20と照合する。データベース20の作成方法については、後で図1(c)を用いて説明する。
(S4):照合した結果に基づいて正常な露光条件で形成されたレジストパターンに対する実際に形成されたパターンの膜減り量を推定する。 推定した結果は、入出力部115の表示画面上に表示される。
以上が膜減り計測の全体フローである。各フローの詳細を、以下に説明する。
図1(b)のS2のステップについて詳細に説明する。
正常な露光条件で形成されたレジストパターンに対する実際に形成されたパターンの膜減りは,本来,光が照射されるべきでないレジストパターン部,特にレジストパターン上部に光が過剰に照射されることによって発生する。レジストパターン上部への過剰な光照射は,露光時のフォーカス位置ずれ,あるいは,ドーズ量の増加によっても起こりうる。
(ハ):SEM画像のx軸への投影波形を生成し,中央部の最小値(図3(e)のmin)を膜減り指標値とする。ラフネスの増加に伴い,面荒れのエッジが筋状に明るく検出されるようになるため,ラフネスが大きいほど,平均的に明るくなることを利用した定量化である。図4(d)に種々の膜減り量((i)から(v)にかけて、番号が大きくなるほど膜減り大)におけるx軸への投影波形を示す。本指標値もまた,膜減りが大きいほど,大きな値をとる。本手法によれば,広領域の平均化によるSEMノイズ低減効果が非常に良いという利点がある。ただし,膜減り以外の形状変化,特にパターントップ部における形状変化を伴う場合にその影響を受けやすいため,膜減り以外の形状変化が小さい対象において有効な指標値である。なお、図4(d)のi)から(v)に示したグラフにおいて、縦軸及び横軸の説明の記載を省略したが、これらは図3(e)に示したグラフの縦軸及び横軸と同じである。
図1(c)にデータベース部113に蓄積するデータベース20を作成するフローを示す。
(S11):データベース20を作成するため,種々の露光条件でレジストパターンを形成したサンプルを準備する。例えば,1枚のウェーハ上に,露光条件のフォーカス位置とドーズ量を,変動の可能性がある範囲で変化させたFEM(Focus Exposure Matrix)ウェーハを用いると良い。
(S12):準備した,種々の露光条件で形成したレジストパターンサンプルのSEM画像を取得し,先に[膜減り指標値の算出]の項で説明した(イ)乃至(二)の何れかの方法で膜減り指標値を算出する。
(S13):同じサンプルについて,AFM(原子間力顕微鏡)あるいは,スキャッタロメトリ(光波散乱計測),あるいは,SEMによるパターン断面観察等の高さ計測手段により,レジストパターンの高さを計測し,レジストの膜減り量を求める。実際にパターンの高さを計測する代わりに,露光シミュレーションにて上記種々の露光条件下におけるレジストパターンの断面形状を計算して求めた高さを用いてもよい。
(S14):こうして得られた膜減り量と膜減り指標値の関係を,グラフ21に示す。上述のように,膜減り量が大きいほど,膜減り指標値が大きいという関係になっている。この結果に対して,膜減り量と膜減り指標値の関係として近似関数を算出する。同時に,膜減り指標値に対する膜減り量のばらつきを算出してもよい。また、近似関数の代わりに,ルックアップテーブルの形式でも良い。
(S15):膜減り量と膜減り指標値の関係として算出した近似関数をデータベースに保存する。また,算出した膜減り指標値に対する膜減り量のばらつきの関係をデータベースに保存しておく。
図1)b)のS3及びS4のステップについて詳細に説明する。
図1(b)のS3ステップにおいては,S2で算出した指標値を,上記データベース20で膜減り量と膜減り指標値の関係として算出しておいた近似関数に代入,あるいは,膜減り量と膜減り指標値の関係に基づくルックアップテーブルを参照することで,膜減り量の絶対値を推定する。また,データベース20に記憶された,膜減り指標値に対する膜減り量のばらつきの関係から,S2で算出した指標値を用いて、上記した膜減り量推定結果の誤差を把握することもできる。
本実施例によるSEMシステムの入出力部115における入出力画面の一例として、図5にGUI(Graphic User Interface)画面500の例を示す。このGUI画面は、膜減り量と膜減り指標値の関係等を予め記憶させてデータベース部113のデータベース20を構築し、更新するために必要な入力画面を備えている。
また,露光プロセスの条件出し,すなわち,露光時のドーズ量,フォーカス位置の最適化に適用してもよい。従来の線幅だけを用いたのと比べて,膜減りを発生させないと条件が組み込まれることで,より有効なプロセスウィンドの設定が可能となる。
図8(a)に、本実施例による膜減り計測機能を備えた測長SEMシステムの構成を示す。本実施例による測長SEMシステムは、SEM本体80と画像処理・全体制御部81、演算処理部82、データベース部83、で構成され、ネットワークを介してデータサーバ84と繋がっている。SEM本体80と画像処理・全体制御部81の構成は、第1の実施例において図1(a)を用いて説明したものと同一である。
図8(b)に演算処理部82で行うエッチバイアス推定の全体フローを示す。
(S21):SEM80にてレジストパターンを撮像し、この撮像して得た信号を画像処理・全体制御部81で処理して試料のSEM画像を得る。
(S22):取得した画像から第1の実施例におけるS2のステップと同様の方法により,膜減りの指標値を算出する。
(S23):データベース部83に蓄積されているレジストパターンの線幅とエッチング後のパターン線幅の対応関係を登録したデータベース30と照合する。データベース30の作成方法については、後で図8(c)を用いて説明する。
(S24):照合した結果に基づいてエッチバイアスを推定する。
(S25):推定した結果を、入出力部824の表示画面上に表示する。また、通信回線を介してデータサーバ84へ送られて記憶される。
図8(c)に、本実施例におけるレジストパターンの線幅とエッチング後のパターン線幅の対応関係を登録したデータベース30の作成のフローを示す。
(S31):第1の実施の形態におけるS11の説明で述べたのと同様に、種々の露光条件でレジストパターンを形成したサンプルを準備する。
(S32):第1の実施の形態におけるS12と同様に、膜減り指標値を算出すると共にパターンの線幅を計測する。
(S33):第1の実施の形態におけるS13の説明で述べたのと同様に,レジストパターンの高さを計測し,レジストの膜減り量を求める。
(S34):レジストパターンを形成したウェハをエッチング処理する。
(S35):エッチング処理を施してウェハ上に形成されたパターンの線幅の計測を行う。なお,本ステップで用いるウェーハは,S32,S33で用いたのと同一ウェーハでも良いし,同一プロセスによる,別ウェーハでも良い。計測したエッチング処理後のウェハ上に形成されたパターンの線幅のデータを、S32で計測したレジストパターン寸法、及びS33で計測したレジストパターンの高さのデータと対応させて記憶する。
(S36):S32で求めたレジストパターンの線幅と,S35で求めたエッチング後のパターンの線幅との差であるところのエッチングバイアスと,S33で求めたレジスト膜減り量の対応関係を求める。この求めた一例をグラフ31に表す。この結果に基づき,近似関数を算出し,エッチングバイアスと膜減り指標値の関係を求める。
(S37):求めたエッチングバイアスと膜減り指標値の関係をデータベース30に保存する。同時に,エッチングバイアスが増加する膜減り指標値を閾値として保存し,さらに膜減り指標値に対するエッチングバイアスのばらつきを算出し,データベース30に保存しておく。
図8(b)のS24のエッチバイアスを推定するステップにおいては,S22で算出した膜減り指標値を,上記S36で算出したデータベース30上の近似関数に代入することで,エッチングバイアスを推定する。もしくは,エッチングバイアスが閾値を超えているかどうかの判定を行う。
本実施例によるSEMシステムの入出力部84における入出力画面の一例として、図9にGUI画面900の例を示す。このGUI画面は、実施例1における図5のGUI画面において,膜減り量をエッチバイアスに置き換えたものと同様である。
Claims (14)
- 走査型電子顕微鏡を用いて表面にレジストパターンが形成された試料の画像を取得する電子線画像取得手段と、
該取得した画像を処理して前記レジストパターンの所望の領域の画像の明るさのばらつきの特徴を定量化する定量化手段と、
該定量化手段で定量化した画像の明るさのばらつきの特徴を前記レジストパターン膜厚基準値からの減少量と関連付ける指標値を算出する指標値算出手段と、
該指標値算出手段で算出した指標値の情報を画面上に表示する表示手段とを備えたことを特徴とする電子顕微鏡システム。 - 走査型電子顕微鏡を用いて表面にレジストパターンが形成された試料の画像を取得する電子線画像取得手段と、
該取得した画像を処理して前記レジストパターンの所望の領域の画像の明るさのばらつきの特徴を定量化する定量化手段と、
該定量化手段で定量化した画像の明るさのばらつきの特徴を前記レジストパターン膜厚基準値からの減少量と関連付ける指標値を算出する指標値算出手段と、
該指標値算出手段で算出した指標値を用いて前記レジストパターンの膜厚の基準値からの減少量を推定する推定手段と、
該推定手段で算出した前記レジストパターンの膜厚の基準値からの減少量の情報を画面上に表示する表示手段とを備えたことを特徴とする電子顕微鏡システム。 - 前記指標値算出手段は、該定量化手段で定量化した画像の明るさのばらつきの特徴を前記レジストパターンが正常な露光条件で露光されて形成されたときの膜厚を基準値としたときの該基準値からの減少量と関連付ける指標値を算出することを特徴とする請求項1又は2に記載の電子顕微鏡システム。
- 前記推定手段は、前記指標値算出手段で算出した指標値を、予め作成して記憶しておいたレジストパターンが基準膜厚のときの指標値とレジストパターンの膜厚の減少量とを関連づけるデータベースに当てはめることによって,レジストパターンの膜減り量を推定することを特徴とする請求項2記載の電子顕微鏡システム。
- 前記電子顕微鏡像から算出する膜減り量と相関を有する指標値は,基準となるレジストパターンの膜厚に対する前記レジストパターンの膜厚の減少によって生じた前記レジストパターンの所望の領域のラフネスの程度を定量化したものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子顕微鏡システム。
- 前記電子顕微鏡像から算出する膜減り量と相関を有する指標値は,前記レジストパターンの所望の領域の平均的な明るさを定量化したものであることを特徴とする請求項5記載の電子顕微鏡システム。
- 前記電子顕微鏡像から算出する膜減り量と相関を有する指標値は,前記レジストパターンの所望の領域の明るさの分布を定量化したものであることを特徴とする請求項5記載の電子顕微鏡システム。
- 走査型電子顕微鏡を用いて表面にレジストパターンが形成された試料の画像を取得し、
該取得した画像を処理して前記レジストパターンの所望の領域の画像の明るさのばらつきの特徴を定量化し、
該定量化した画像の明るさのばらつきの特徴を前記レジストパターン膜厚基準値からの減少量と関連付ける指標値を算出し、
該算出した指標値の情報を画面上に表示することを特徴とする電子顕微鏡システムを用いたレジストパターンの膜厚減少量評価方法。 - 走査型電子顕微鏡を用いて表面にレジストパターンが形成された試料の画像を取得し、
該取得した画像を処理して前記レジストパターンの所望の領域の画像の明るさのばらつきの特徴を定量化し、
該定量化した画像の明るさのばらつきの特徴を前記レジストパターン膜厚基準値からの減少量と関連付ける指標値を算出し、
該算出した指標値を用いて前記レジストパターンの膜厚の基準値からの減少量を推定し、
該推定した前記レジストパターンの膜厚の基準値からの減少量の情報を画面上に表示することを特徴とする電子顕微鏡システムを用いたレジストパターンの膜厚減少量評価方法。 - 前記レジストパターン膜厚基準値からの減少量と関連付ける指標値を算出することを、前記定量化した画像の明るさのばらつきの特徴を前記レジストパターンが正常な露光条件で露光されて形成されたときの膜厚を基準値としたときの該基準値からの減少量と関連付ける指標値を算出することを特徴とする請求項8又は9に記載の電子顕微鏡システムを用いたレジストパターンの膜厚減少量評価方法。
- 前記レジストパターン膜厚基準値からの減少量を推定することを、予め作成して記憶しておいた基準膜厚のレジストパターンの指標値とレジストパターンの膜厚の減少量とを関連づけるデータベースに前記算出した指標値を当てはめることによってレジストパターンの減少量を推定することを特徴とする請求項9記載の電子顕微鏡システムを用いたレジストパターンの膜厚減少量評価方法。
- 前記電子顕微鏡像から算出する膜減り量と相関を有する指標値は,基準となるレジストパターンの膜厚に対する前記レジストパターンの膜厚の減少によって生じた前記レジストパターンの所望の領域のラフネスの程度を定量化したものであることを特徴とする8又は9に記載の電子顕微鏡システムを用いたレジストパターンの膜厚減少量評価方法。
- 前記電子顕微鏡像から算出する膜減り量と相関を有する指標値は,前記レジストパターンの所望の領域の平均的な明るさを定量化したものであることを特徴とする請求項12記載の電子顕微鏡システムを用いたレジストパターンの膜厚減少量評価方法。
- 前記電子顕微鏡像から算出する膜減り量と相関を有する指標値は,前記レジストパターンの所望の領域の明るさの分布を定量化したものであることを特徴とする請求項12記載の電子顕微鏡システムを用いたレジストパターンの膜厚減少量評価方法。
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