JP4969231B2 - 試料電位情報検出方法及び荷電粒子線装置 - Google Patents
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Description
Zr1(x1,y1,z1)とする。これを基準値として用いる。次に試料電位をVr2に設定して、同じエネルギーでビームを出射し、この時のミラー電子の到達位置Zr2
(x2,y2,z1)を検出器から求める。Zr1とZr2のずれ量を求め、この差と電位との相関を表すVr−Zr相関曲線を求める。この際、(Vr,Zr)のデータの組の数が多い程、より高い精度の相関曲線を得ることができる。この状態で、帯電した試料を観察した時のミラー電子の到達位置がZr3であるとすると、Vr−Zr相関曲線から試料電位を求めることができる。試料には電子線を入射させないので、状態を変えることなく帯電電位が測定できることになる。
Vr3を推定することができる。この他にも、試料高さやブースタ電圧Vb,対物レンズに対する一次電子の物点位置、その他のパラメータを変えたりしても、Vr−Zr相関曲線が得られる。
Vrを与える。ここでVrは電子の加速エネルギーEeよりも十分大きいように与える。なお、ここで言うところの加速エネルギーEeとは、試料に印加された電圧によって減速される前の値を示す。例えばEeが2keVの時は、−2200V程度より大きく与える。試料帯電量は、マイナス数百から大きくともプラス200V程度と考えられるので、
−2200Vよりも絶対値が大きければよい。こうすると、試料より上の位置に−2000Vの等電位面2ができる。この電位面はミラー面と呼び、ここで一次電子ビームは反射されて上方に戻ることになる。
44があり、各々励磁電流や、ステージ電圧,電子の引出し/加速エネルギーの設定を行い、これによって帯電状態を制御する。
z1)とする。これを基準値として用いる。この時試料は帯電しないもしくはしない導体や半導体の試料を用いる方がよい。次に試料電位をVr2に設定して、同じエネルギーでビームを出射し、この時のミラー電子の到達位置Zr2(x2,y2,z1)を検出器から求める。
52aからの角度θを求める。
40で、基準値の信号と比較,演算して、帯電電位を求める。
2 等電位面(ミラー面)
3 ミラー電子
11 電界放射陰極
12 引出電極
13 加速電極
14 コンデンサレンズ
15 絞り
17 対物レンズ
18 加速円筒
20 筒状円筒
21 上走査偏向器
22 下走査偏向器
23 試料
24 ホルダー
29 検出器
29b 複数の検出器
40 演算器
41 分析器
42 対物レンズ制御系
43 ステージ電圧制御系
44 加速電圧制御系
45 第2の演算器
50a ビーム通過口の画像
50b メッシュの画像
51 電位測定時の画像
51a ビーム通過口の画像
51b メッシュの画像
52a,52b,52c 電位変化に伴うビーム通過口の変化位置
53 電位測定時のビーム通過口位置
54 ビーム通過口の位置の軌跡
55 特定箇所
58 相関曲線
Claims (7)
- 荷電粒子源と、
当該荷電粒子源より放出された荷電粒子線を集束する対物レンズと、
試料に印加する電圧を制御する制御装置を備えた荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子源から放出され前記試料に到達することなく反射した荷電粒子の検出位置、当該荷電粒子によって形成される輝度分布位置、或いは画像位置を演算する演算装置を備え、
当該演算装置は予め用意された前記検出位置に関する情報、或いは画像位置情報と、前記検出位置、或いは画像位置との比較に基づいて、
前記荷電粒子線の調整パラメータを求めることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
前記調整パラメータは、
対物レンズの励磁電流、前記試料に印加される電圧,加速電圧の少なくとも1つであることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
前記反射した荷電粒子を検出する検出器を備え、
当該検出器は、二次元的に拡がる複数の検出素子を備えていることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項1において、
前記画像には、前記試料と検出器との間に配置される荷電粒子線装置内の構造物が表示されることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項4において、
前記構造物は、前記試料と前記検出器との間に配置されるメッシュであることを特徴とする荷電粒子線装置。 - 荷電粒子源と、
当該荷電粒子源より放出された荷電粒子線を集束する対物レンズと、
試料に印加する電圧を制御する制御装置を備えた荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子源から放出され前記試料に到達することなく反射した荷電粒子が、荷電粒子線装置内の構造物を通過することによって得られる荷電粒子を検出する検出器と、
当該検出器によって検出された荷電粒子に基づいて得られる前記構造物の位置,面積,角度或いは輝度に関する情報と、予め用意された前記構造物の位置,面積,角度、或いは輝度に関する情報に関する情報との比較に基づいて、前記荷電粒子線の調整パラメータを求める演算装置を備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。 - 請求項6において、
前記調整パラメータは、対物レンズの励磁電流、前記試料に印加される電圧,加速電圧の少なくとも1つであることを特徴とする荷電粒子線装置。
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