JP5648806B2 - ドライエッチング装置 - Google Patents
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Description
処理室内に配置され、基板が載置されるステージと、
ステージ上に載置された基板を静電吸着する静電吸着部と、
プラズマを発生させるための処理ガスを処理室内に供給する処理ガス供給部と、
処理室内に供給された処理ガスを高周波電圧の作用によってプラズマ化することによりステージ上の基板に対してドライエッチング処理を行うプラズマ発生手段と、
ドライエッチング処理の際に基板を冷却するための冷却用ガスをステージと基板との間に第1流路を通して供給する冷却用ガス供給部と、
処理室内に連通された排気流路を介して処理室内を排気する排気手段と、
処理室内の圧力と第1流路内の圧力との差圧を減少させる差圧解消手段と、
ドライエッチング処理の異常発生を検出する異常検出手段と、
異常検出手段が異常を検出したら、プラズマ発生手段、処理ガス供給部からの処理ガスの供給、および冷却用ガス供給部からの冷却ガスの供給を停止するとともに、差圧解消手段を作動させる処理を行う停止手段と、を備える、ドライエッチング装置を提供する。
停止手段は、異常検出手段が異常を検出したら開閉弁を開くことにより差圧を減少させる、第1態様に記載のドライエッチング装置を提供する。
停止手段は、異常検出手段が異常を検出したら開閉弁を開くことにより差圧を減少させる、第1態様に記載のドライエッチング装置を提供する。
冷却用ガスはHeガスであり、除電処理手段は、除電処理時に開閉弁を開いて第2流路を通して冷却用ガスを除電用ガスとして処理室内に供給して除電処理を開始させ、
停止手段は、異常検出手段が異常を検出したら、プラズマ発生手段、処理ガス供給部からの処理ガスの供給、および冷却用ガス供給部からの冷却ガスの供給を停止するとともに、開閉弁を開く処理を行う、第3態様に記載のドライエッチング装置を提供する。
本発明の実施の形態1に係るドライエッチング装置の一例としてICP(誘導結合プラズマ)型のドライエッチング装置1の構成図を図1に示す。
まず、トレイ搬入処理を実施する。具体的には、ドライエッチング装置1において、ゲートバルブを開放状態とさせる。その後、4個の基板収容孔19にそれぞれ基板2が収容された状態のトレイ15を、搬送機構のハンド部により保持して、例えばロードロック室からゲートバルブを通ってチャンバ3内に搬入する。
次に、エッチング処理を実施する。具体的には、処理ガス供給部12からガス導入口4aを介してチャンバ3内にエッチング処理用の処理ガスが供給されるとともに、コンダクタンスバルブ11の開度制御が行われながらターボ分子ポンプ13およびドライポンプ53によりチャンバ3内は所定圧力に維持される。続いて、第1の高周波電源部7からICPコイル5に高周波電圧を印加する。これにより天板4を介してチャンバ3内に電磁波エネルギが導入されてチャンバ3内にプラズマPが発生する(図4(B)参照)。
続いて、エッチング処理の実施の際に、基板2と基板保持部29との間に生じた残留静電吸着力を低減させるための除電放電処理を実施する。
続いて、チャンバ3内からそれぞれの基板2をトレイ15とともに搬出するトレイ搬出処理を実施する。具体的には、図4(C)に示すようにそれぞれのトレイ押上ロッド18を上昇させる。トレイ押上ロッド18が上昇すると、その上端でトレイ15の下面15cが押し上げられ、ステージ上部23のトレイ支持部28からトレイ15が浮き上がる(図4(C)の状態)。トレイ押上ロッド18とともにトレイ15がさらに上昇すると、図4(D)に示すように、トレイ15の基板支持部21と基板2の縁部2aの下面とが接触して、それぞれの基板2がトレイ15により支持された状態にて押し上げられ、基板保持部29の上面から浮き上がる。このとき、基板2と基板保持部29との間の残留静電吸着力は、先の除電放電処理の実施により充分に低減されているため、基板2に大きなストレスが掛かること、および基板2が基板保持部29から離脱する際に基板2が跳ね上がる挙動を確実に防止できる。
次に、ドライエッチング処理の実施中に、何らかの原因によりプラズマ放電の消滅が検出された場合に、チャンバ3内の圧力と冷却ガス供給路47内の冷却ガスの圧力との間の差圧を減少させる差圧解消処理について説明する。
なお、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。本発明の実施の形態2のドライエッチング装置101の構成図を図6に示す。上述の実施の形態1のドライエッチング装置1と、本実施の形態2のドライエッチング装置101とは、差圧解消手段の構成が相違するものの、その他の構成は実質的に同じである。以下の説明では、同じ構成については同じ参照符号を付してその説明を省略するとともに、相違点についてのみ説明する。
次に、本発明の実施の形態3のドライエッチング装置201の構成図を図7に示す。上述の実施の形態1と同じ構成については同じ参照符号を付してその説明を省略するとともに、相違点についてのみ説明する。
2 基板
2a 縁部
3 チャンバ
4 天板
5 ICPコイル
7 第1の高周波電源部
9 基板ステージ
12 処理ガス供給部
13 ターボ分子ポンプ
15 トレイ
15a トレイ本体
18 トレイ押上ロッド
19 基板収容孔
21 基板支持部
23 ステージ上部
24 ステージ下部
28 トレイ支持部
29 基板保持部
30 ガイドリング
40 ESC電極
41 ESC駆動電源部
45 冷却ガス供給部
45a 開閉バルブ
47 冷却ガス供給路
51 除電ガス供給部
52 排気流路
53 ドライポンプ
56 第2の高周波電源部
57 連通流路
58 圧力制御バルブ
60 バイパス流路
61 開閉バルブ
70 制御部
71 電圧入力停止検出手段
72 停止手段
101 ドライエッチング装置
102 連通流路
103 開閉バルブ
201 ドライエッチング装置
202 連通流路
203 開閉バルブ
204 開閉バルブ
Claims (1)
- 基板に対するドライエッチング処理が施される処理室を形成する処理容器と、
処理室内に配置され、基板が載置されるステージと、
ステージ上に載置された基板を静電吸着する静電吸着部と、
プラズマを発生させるための処理ガスを処理室内に供給する処理ガス供給部と、
処理室内に供給された処理ガスを高周波電圧の作用によってプラズマ化することによりステージ上の基板に対してドライエッチング処理を行うプラズマ発生手段と、
ドライエッチング処理の際に基板を冷却するための冷却用ガスをステージと基板との間に第1流路を通して供給する冷却用ガス供給部と、
処理室内に連通された排気流路を介して処理室内を排気する排気手段と、
処理室内の圧力と第1流路内の圧力との差圧を減少させる差圧解消手段と、
ドライエッチング処理の異常発生を検出する異常検出手段と、
異常検出手段が異常を検出したら、プラズマ発生手段、処理ガス供給部からの処理ガスの供給、および冷却用ガス供給部からの冷却ガスの供給を停止するとともに、差圧解消手段を作動させる処理を行う停止手段と、
ドライエッチング処理の際に生じた基板の残留静電吸着力を減少させる除電処理を行う除電処理手段と、を備え、
差圧解消手段が、処理室と第1流路とを連通する、処理容器の外側に設けられた第2流路と、第2流路上に設けられた開閉弁であり、
冷却用ガスはHeガスであり、除電処理手段は、除電処理時に開閉弁を開いて第2流路を通して冷却用ガスを除電用ガスとして処理室内に供給して除電処理を開始させ、
停止手段は、異常検出手段が異常を検出したら、プラズマ発生手段、処理ガス供給部からの処理ガスの供給、および冷却用ガス供給部からの冷却ガスの供給を停止するとともに、開閉弁を開くことにより差圧を減少させる処理を行う、ドライエッチング装置。
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JP2011070313A JP5648806B2 (ja) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2011070313A JP5648806B2 (ja) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | ドライエッチング装置 |
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ID=47185363
Family Applications (1)
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JP2011070313A Active JP5648806B2 (ja) | 2011-03-28 | 2011-03-28 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP5648806B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4060941B2 (ja) * | 1998-05-26 | 2008-03-12 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
-
2011
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