JP2012084654A - ドライエッチング装置および基板の除電方法 - Google Patents
ドライエッチング装置および基板の除電方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012084654A JP2012084654A JP2010228626A JP2010228626A JP2012084654A JP 2012084654 A JP2012084654 A JP 2012084654A JP 2010228626 A JP2010228626 A JP 2010228626A JP 2010228626 A JP2010228626 A JP 2010228626A JP 2012084654 A JP2012084654 A JP 2012084654A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- gas
- dry etching
- gas supply
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【解決手段】処理室内のステージ上に静電吸着された基板に対してドライエッチング処理を実施した後、Heガスを除電用ガスとして処理室内に供給するとともに、Heガスをプラズマ化することで、ドライエッチング処理の実施により基板に生じた残留静電吸着力を減少させる除電処理を行う。
【選択図】図1
Description
処理室内に配置され、基板が載置されるステージと、
ステージ上に載置された基板を静電吸着する静電吸着部と、
処理室内にドライエッチング処理のための処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
高周波電圧の作用によって処理室内の処理ガスをプラズマ化することによりステージ上の基板に対してドライエッチング処理を行うプラズマ発生手段と、
ドライエッチング処理の際に生じた基板の残留静電吸着力を減少させる除電処理のために処理室間内に除電用Heガスを供給する除電ガス供給部とを備える、ドライエッチング装置を提供する。
除電ガス供給部は、冷却用ガス供給部より分岐されたHeガス供給路から供給される冷却用Heガスを除電用Heガスとして処理室内に供給する、第1態様に記載のドライエッチング装置を提供する。
冷却用Heガスをステージと基板との間に供給する第1のガス供給路と、
冷却用Heガスを除電ガス供給部に分岐して供給する第2のガス供給路と、
冷却用Heガスの供給先を第1のガス供給路および第2のガス供給路のいずれか一方に択一的に切り換えるガス供給路切換部を備える、第2態様に記載のドライエッチング装置を提供する。
本発明の実施の形態1に係るドライエッチング装置の一例としてICP(誘導結合プラズマ)型のドライエッチング装置1の構成図を図1に示す。
まず、トレイ搬入処理を実施する。具体的には、ドライエッチング装置1において、ゲートバルブを開放状態とさせる。その後、4個の基板収容孔19にそれぞれ基板2が収容された状態のトレイ15を、搬送機構のハンド部により保持して、例えばロードロック室からゲートバルブを通ってチャンバ3内に搬入する。
次に、エッチング処理を実施する。具体的には、ガス供給部12からガス導入口4aを介してチャンバ3内にエッチング処理用の処理ガスが供給されるとともに、コンダクタンスバルブ11の開度制御が行われながら真空ポンプ13によりチャンバ3内は所定圧力に維持される。続いて、第1の高周波電源部7からICPコイル5に高周波電圧を印加する。これにより天板4を介してチャンバ3内に電磁波エネルギが導入されてチャンバ3内にプラズマPが発生する(図4(B)参照)。
続いて、エッチング処理の実施の際に、基板2と基板保持部29との間に生じた残留静電吸着力を低減させるための除電放電処理を実施する。図5の除電放電処理の手順のフローチャートを用いて説明する。
続いて、チャンバ3内からそれぞれの基板2をトレイ15とともに搬出するトレイ搬出処理を実施する。具体的には、図4(C)に示すようにそれぞれのトレイ押上ロッド18を上昇させる。トレイ押上ロッド18が上昇すると、その上端でトレイ15の下面15cが押し上げられ、ステージ上部23のトレイ支持部28からトレイ15が浮き上がる(図4(C)の状態)。トレイ押上ロッド18とともにトレイ15がさらに上昇すると、図4(D)に示すように、トレイ15の基板支持部21と基板2の縁部2aの下面とが接触して、それぞれの基板2がトレイ15により支持された状態にて押し上げられ、基板保持部29の上面から浮き上がる。このとき、基板2と基板保持部29との間の残留静電吸着力は、先の除電放電処理の実施により充分に低減されているため、基板2に大きなストレスが掛かること、および基板2が基板保持部29から離脱する際に基板2が跳ね上がる挙動を確実に防止できる。
なお、本発明は上記実施の形態1に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。例えば、本発明の実施の形態2に係るドライエッチング装置101の構成図を図6に示す。なお、本実施の形態2のドライエッチング装置101において、実施の形態1のドライエッチング装置1と同じ構成部には同じ参照番号を付してその説明を省略する。
次に、本発明の実施の形態3に係るドライエッチング装置201の構成図を図7に示す。なお、本実施の形態3のドライエッチング装置201において、実施の形態1のドライエッチング装置1と同じ構成部には同じ参照番号を付してその説明を省略する。
2 基板
2a 縁部
3 チャンバ
4 天板
5 ICPコイル
7 第1の高周波電源部
9 基板ステージ
12 処理ガス供給部
13 真空ポンプ
15 トレイ
15a トレイ本体
18 トレイ押上ロッド
19 基板収容孔
21 基板支持部
23 ステージ上部
24 ステージ下部
28 トレイ支持部
29 基板保持部
30 ガイドリング
40 ESC電極
41 ESC駆動電源部
45 冷却ガス供給部
45a 開閉バルブ
47 冷却ガス供給路
50 除電ガス供給路
51 開閉バルブ
52 除電ガス供給部
56 第2の高周波電源部
70 制御部
Claims (5)
- 基板に対するドライエッチング処理が施される処理室を形成する処理容器と、
処理室内に配置され、基板が載置されるステージと、
ステージ上に載置された基板を静電吸着する静電吸着部と、
処理室内にドライエッチング処理のための処理ガスを供給する処理ガス供給部と、
高周波電圧の作用によって処理室内の処理ガスをプラズマ化することによりステージ上の基板に対してドライエッチング処理を行うプラズマ発生手段と、
ドライエッチング処理の際に生じた基板の残留静電吸着力を減少させる除電処理のために処理室間内に除電用Heガスを供給する除電ガス供給部とを備える、ドライエッチング装置。 - ドライエッチング処理の際に基板を冷却するための冷却用Heガスをステージと基板との間に供給する冷却用ガス供給部をさらに備え、
除電ガス供給部は、冷却用ガス供給部より分岐されたHeガス供給路から供給される冷却用Heガスを除電用Heガスとして処理室内に供給する、請求項1に記載のドライエッチング装置。 - 冷却用ガス供給部は、
冷却用Heガスをステージと基板との間に供給する第1のガス供給路と、
冷却用Heガスを除電ガス供給部に分岐して供給する第2のガス供給路と、
冷却用Heガスの供給先を第1のガス供給路および第2のガス供給路のいずれか一方に択一的に切り換えるガス供給路切換部を備える、請求項2に記載のドライエッチング装置。 - 処理室内のステージ上に静電吸着された基板に対してドライエッチング処理を実施した後、Heガスを除電用ガスとして処理室内に供給するとともに、Heガスをプラズマ化することで、ドライエッチング処理の実施により基板に生じた残留静電吸着力を減少させる除電処理を行う、基板の除電方法。
- ドライエッチング処理の際に基板を冷却するための冷却用Heガスの第1のガス供給路より分岐された第2のガス供給路を通じて、冷却用Heガスを除電用ガスとして処理室内に供給する、請求項4に記載の基板の除電方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010228626A JP2012084654A (ja) | 2010-10-08 | 2010-10-08 | ドライエッチング装置および基板の除電方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010228626A JP2012084654A (ja) | 2010-10-08 | 2010-10-08 | ドライエッチング装置および基板の除電方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012084654A true JP2012084654A (ja) | 2012-04-26 |
Family
ID=46243241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010228626A Pending JP2012084654A (ja) | 2010-10-08 | 2010-10-08 | ドライエッチング装置および基板の除電方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2012084654A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012129342A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Panasonic Corp | 基板のプラズマ処理方法 |
CN104241087A (zh) * | 2013-06-11 | 2014-12-24 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法和基板处理装置 |
WO2017145924A1 (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | キヤノン株式会社 | インプリント装置およびその動作方法ならびに物品製造方法 |
JP2018088511A (ja) * | 2016-02-26 | 2018-06-07 | キヤノン株式会社 | インプリント装置およびその動作方法ならびに物品製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03243188A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-30 | Hitachi Ltd | 静電チャックの帯電除去方法 |
JP2010183074A (ja) * | 2003-04-24 | 2010-08-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、フォーカスリング及び被処理体の載置装置 |
-
2010
- 2010-10-08 JP JP2010228626A patent/JP2012084654A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03243188A (ja) * | 1990-02-19 | 1991-10-30 | Hitachi Ltd | 静電チャックの帯電除去方法 |
JP2010183074A (ja) * | 2003-04-24 | 2010-08-19 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、フォーカスリング及び被処理体の載置装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012129342A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Panasonic Corp | 基板のプラズマ処理方法 |
CN104241087A (zh) * | 2013-06-11 | 2014-12-24 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法和基板处理装置 |
KR101760982B1 (ko) * | 2013-06-11 | 2017-07-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
WO2017145924A1 (ja) * | 2016-02-26 | 2017-08-31 | キヤノン株式会社 | インプリント装置およびその動作方法ならびに物品製造方法 |
JP2018088511A (ja) * | 2016-02-26 | 2018-06-07 | キヤノン株式会社 | インプリント装置およびその動作方法ならびに物品製造方法 |
CN108701585A (zh) * | 2016-02-26 | 2018-10-23 | 佳能株式会社 | 压印装置、操作压印装置的方法和制造物品的方法 |
US11036149B2 (en) | 2016-02-26 | 2021-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, method of operating the same, and method of manufacturing article |
CN108701585B (zh) * | 2016-02-26 | 2023-09-26 | 佳能株式会社 | 压印装置、操作压印装置的方法和制造物品的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5638405B2 (ja) | 基板のプラズマ処理方法 | |
KR101327671B1 (ko) | 파티클 부착 방지 방법 및 피처리 기판의 반송 방법 | |
JP2022140585A (ja) | 基板処理装置 | |
KR101425268B1 (ko) | 기판 수수 방법 | |
JP5127147B2 (ja) | 基板吸着脱離方法 | |
JP2007273620A (ja) | 基板搬送装置及び基板処理装置 | |
US20080242086A1 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
JP2015099839A (ja) | 載置台に被吸着物を吸着する方法及び処理装置 | |
JP2012084654A (ja) | ドライエッチング装置および基板の除電方法 | |
JP5528391B2 (ja) | 基板のプラズマ処理方法 | |
WO2010110044A1 (ja) | 被処理体の離脱方法および被処理体処理装置 | |
TW201940257A (zh) | 清潔方法及處理裝置 | |
US10991551B2 (en) | Cleaning method and plasma processing apparatus | |
JPH11340208A (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP5351877B2 (ja) | 基板のプラズマ処理方法 | |
KR102299883B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP2010192513A (ja) | プラズマ処理装置およびその運転方法 | |
TWI698928B (zh) | 電漿處理方法 | |
JP5648806B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
JP6824003B2 (ja) | 静電チャック付きトレイ | |
JP2007335657A (ja) | プラズマ処置装置 | |
JP5895240B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
JP5596082B2 (ja) | 基板吸着離脱方法及び基板処理方法 | |
US20220130648A1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate transferring method | |
JP2009141069A (ja) | プラズマ処理装置及び処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120824 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130702 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130820 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140114 |