JP5895240B2 - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
基板のプラズマ処理を実行する減圧可能なチャンバと、
チャンバ内に設けられ、基板が載置される基板載置部を備える誘電体部材と、
誘電体部材に内蔵され、基板を基板載置部に静電吸着するための電極とを有し、
誘電体部材の基板載置部が、基板の下面が載置される基板載置面と、基板載置面の上端の外縁から下方に延在する第1の側壁部と、第1の側壁部の上端に比べて低い高さ位置から下方に延在する第2の側壁部とを備え、
基板載置部には、基板載置面に形成されて且つ基板を冷却するための伝熱ガスが充満される凹状の伝熱ガス収容部と、該伝熱ガス収容部を画定し且つ第1の側壁部を外壁部として備える二重シール部とが設けられており、
基板が載置された状態の基板載置部を上方から見た場合、基板載置部の中心部に対して第1の側壁部が基板の外周端および第2の側壁部より内側に位置し、
電極が、二重シール部の外壁部である第1の側壁部に比べて下方に位置するように且つ基板載置部を上方から見た場合に第1の側壁部と電極の最外縁とが重なるように、誘電体部材に内蔵されている、プラズマ処理装置が提供される。
第1の側壁部が、基板載置部の内部側に向かって凸状に湾曲する湾曲部を備える、第1の態様に記載のプラズマ処理装置が提供される。
誘電体部材の基板載置部が、第1の側壁部の下端から第2の側壁部の上端に向かう平面部を備える、第1の態様に記載のプラズマ処理装置が提供される。
誘電体部材の基板載置部の基板載置面が通過可能であって厚み方向に貫通する基板収容孔と、基板収容孔に収容された基板の下面の外周縁部分を支持する基板支持部とを備え、チャンバに搬入搬出可能なトレイを有し、
誘電体部材の基板載置部は、トレイの基板収容孔の内周面と誘電体部材の基板載置部の第2の側壁部とが対向するようにトレイを誘電体部材に配置可能に、且つ、基板を収容した状態のトレイが誘電体部材に配置されたときに基板がトレイの基板支持部から離間した状態で誘電体部材の基板載置部の基板載置面上に載置されるように構成されている、第1から第3の態様のいずれか一に記載のプラズマ処理装置が提供される。
電極が、誘電体部材の基板載置部の基板載置面と平行に延在し、上方視で外縁に規則的な凹凸形状を備える、第1から第4の態様にいずれか一に記載のプラズマ処理装置が提供される。
減圧されたチャンバ内で基板をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、
チャンバ内に設けられ、基板の下面が載置される基板載置面、基板載置面の上端の外縁から下方に延在する第1の側壁部、および第1の側壁部の上端に比べて低い高さ位置から下方に延在する第2の側壁部を備える基板載置部を有する誘電体部材と、
誘電体部材に内蔵され、基板を基板載置部に静電吸着するための電極とを用意し、
基板載置部には、基板載置面に形成されて且つ基板を冷却するための伝熱ガスが充満される凹状の伝熱ガス収容部と、該伝熱ガス収容部を画定し且つ第1の側壁部を外壁部として備える二重シール部とが設けられており、
電極が、二重シール部の外壁部である第1の側壁部に比べて下方に位置するように且つ基板載置部を上方から見た場合に第1の側壁部と電極の最外縁とが重なるように、誘電体部材に内蔵されており、
上方から見た場合に、基板載置部の中心部に対して誘電体部材の基板載置部の第1の側壁部が基板の外周端および第2の側壁部より内側に位置するように、誘電体部材の基板載置部上に基板を載置し、
誘電体部材の基板載置部上に載置された基板を、誘電体部材に内蔵された電極に電圧を印加することによって誘電体部材に静電的に吸着させる、プラズマ処理方法が提供される。
12 チャンバ
30 誘電体部材
30b 基板載置部
30e 基板載置面
30j 第1の側壁部(二重シール部の外壁部)
30d 第2の側壁部
W 基板
Wa 下面
Wc 外周端
Claims (6)
- 基板のプラズマ処理を実行する減圧可能なチャンバと、
チャンバ内に設けられ、基板が載置される基板載置部を備える誘電体部材と、
誘電体部材に内蔵され、基板を基板載置部に静電吸着するための電極とを有し、
誘電体部材の基板載置部が、基板の下面が載置される基板載置面と、基板載置面の上端の外縁から下方に延在する第1の側壁部と、第1の側壁部の上端に比べて低い高さ位置から下方に延在する第2の側壁部とを備え、
基板載置部には、基板載置面に形成されて且つ基板を冷却するための伝熱ガスが充満される凹状の伝熱ガス収容部と、該伝熱ガス収容部を画定し且つ第1の側壁部を外壁部として備える二重シール部とが設けられており、
基板が載置された状態の基板載置部を上方から見た場合、基板載置部の中心部に対して第1の側壁部が基板の外周端および第2の側壁部より内側に位置し、
電極が、二重シール部の外壁部である第1の側壁部に比べて下方に位置するように且つ基板載置部を上方から見た場合に第1の側壁部と電極の最外縁とが重なるように、誘電体部材に内蔵されている、プラズマ処理装置。 - 第1の側壁部が、基板載置部の内部側に向かって凸状に湾曲する湾曲部を備える、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 誘電体部材の基板載置部が、第1の側壁部の下端から第2の側壁部の上端に向かう平面部を備える、請求項1に記載のプラズマ処理装置。
- 誘電体部材の基板載置部の基板載置面が通過可能であって厚み方向に貫通する基板収容孔と、基板収容孔に収容された基板の下面の外周縁部分を支持する基板支持部とを備え、チャンバに搬入搬出可能なトレイを有し、
誘電体部材の基板載置部は、トレイの基板収容孔の内周面と誘電体部材の基板載置部の第2の側壁部とが対向するようにトレイを誘電体部材に配置可能に、且つ、基板を収容した状態のトレイが誘電体部材に配置されたときに基板がトレイの基板支持部から離間した状態で誘電体部材の基板載置部の基板載置面上に載置されるように構成されている、請求項1から3のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。 - 電極が、誘電体部材の基板載置部の基板載置面と平行に延在し、上方視で外縁に規則的な凹凸形状を備える、請求項1から4のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
- 減圧されたチャンバ内で基板をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、
チャンバ内に設けられ、基板の下面が載置される基板載置面、基板載置面の上端の外縁から下方に延在する第1の側壁部、および第1の側壁部の上端に比べて低い高さ位置から下方に延在する第2の側壁部を備える基板載置部を有する誘電体部材と、
誘電体部材に内蔵され、基板を基板載置部に静電吸着するための電極とを用意し、
基板載置部には、基板載置面に形成されて且つ基板を冷却するための伝熱ガスが充満される凹状の伝熱ガス収容部と、該伝熱ガス収容部を画定し且つ第1の側壁部を外壁部として備える二重シール部とが設けられており、
電極が、二重シール部の外壁部である第1の側壁部に比べて下方に位置するように且つ基板載置部を上方から見た場合に第1の側壁部と電極の最外縁とが重なるように、誘電体部材に内蔵されており、
上方から見た場合に、基板載置部の中心部に対して誘電体部材の基板載置部の第1の側壁部が基板の外周端および第2の側壁部より内側に位置するように、誘電体部材の基板載置部上に基板を載置し、
誘電体部材の基板載置部上に載置された基板を、誘電体部材に内蔵された電極に電圧を印加することによって誘電体部材に静電的に吸着させる、プラズマ処理方法。
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JP2012167326A JP5895240B2 (ja) | 2012-07-27 | 2012-07-27 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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JP2012167326A Active JP5895240B2 (ja) | 2012-07-27 | 2012-07-27 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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