JP2005142471A - 真空処理装置及び真空処理方法、並びに真空処理システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板1の保持面をその上面に有する下側容器の当該保持面に基板1を保持するとともに、下側容器に上側容器を当接させることにより基板1が保持されたその内部空間を密閉した後、当該内部空間を真空排気して、基板収容容器10を形成し、第1空間S1と、当該第1空間S1と真空処理装置100の外部とを連通するように配置された第2空間S2とをその内部に有する処理室ケーシング2において、第1空間S1との連通が遮蔽された状態の第2空間S2に、基板収容容器10を挿入配置して、第2空間S2の圧力を調整することで、基板収容容器10の密閉を解除して、基板1と下側容器とを一体的に処理位置に移動させて、処理を行なう。
【選択図】図1
Description
第1空間と、当該第1空間と上記真空処理装置の外部とを連通するように配置された第2空間とを、その内部に有する上記処理室ケーシングと、
上記基板をその内部空間に収容する容器であって、上記基板を保持する保持面をその上面に有する下側容器と、上記下側容器とともに上記内部空間を形成して、当該内部空間を解除可能に密閉する上側容器とを備え、上記第2空間と上記真空処理装置の外部とを遮蔽するように、上記第2空間に挿入配置される基板収容容器と、
上記基板が保持された上記下側容器を保持して移動可能とさせる移動部材を有し、上記第1空間と上記第2空間との連通を解除可能に遮蔽する遮蔽位置と、上記第2空間内に配置された上記処理位置との間で、上記移動部材の移動を行なう基板移動装置と、
上記第1空間の圧力を調整して上記真空化(あるいは上記減圧化)する第1圧力調整装置と、
上記基板収容容器及び上記移動部材により密閉された上記第2空間の圧力を(大気圧と真空圧との間で)調整する第2圧力調整装置と、
上記基板移動装置及び上記第2圧力調整装置を制御可能であって、上記基板移動装置を制御して、上記移動部材を上記遮蔽位置に位置させて、上記第1空間と上記第2空間とを互いに遮蔽し、上記内部空間が真空化(あるいは減圧化)されかつ上記下側容器に上記基板が保持された上記基板収容容器を上記第2空間に挿入配置させることで上記第2空間を密閉し、上記第2圧力調整装置を制御して、当該第2空間の圧力を調整する(大気圧から真空圧にする)ことで、上記基板収納容器の内外の圧力差を利用して(すなわち、圧力差を減少させて、あるいは圧力差をなくして)上記基板収容容器の密閉を解除して、上記基板を保持する上記下側容器を上記移動部材へ受渡し、上記基板移動装置を制御して、上記基板と上記下側容器と一体的に上記処理位置に移動させて、上記基板に対する上記処理を可能とさせる制御装置とを備えることを特徴とする真空処理装置を提供する。
その上記内部空間を容器外部と遮断可能に連通する連通通路と、
上記連通通路の途中に設けられ、その開閉動作により上記連通通路を選択的に連通又は遮断する開閉弁とを備える第1態様から第7態様のいずれか1つに記載の真空処理装置を提供する。
上記基板移動装置により上記下側容器を保持する上記移動部材を上記処理位置に位置させることで、上記移動部材又は上記下側容器により上記基板処理室を密閉するとともに、当該基板処理室内に上記基板を上記処理可能に配置する第1態様に記載の真空処理装置を提供する。
上記基板処理室は、上記移動部材が上記処理位置に位置されることで、上記基板電極と接触される電極端子部を備える第11態様に記載の真空処理装置を提供する。
上記基板処理室は、上記電極端子部に高周波電力を印加する高周波電源装置をさらに備える第12態様に記載の真空処理装置を提供する。
上記移動部材の昇降移動を行なう昇降移動装置と、
上記遮蔽位置と上記処理位置との略中間位置をその回転中心として、当該遮蔽位置と処理位置との間で上記移動部材を回転移動させる回転移動装置とを備える第1態様から第13態様のいずれか1つに記載の真空処理装置を提供する。
上記夫々の種類の処理が行なわれる第1態様から第14態様のいずれか1つに記載の複数の真空処理装置と、
上記夫々の真空処理装置における上記第2空間に挿入配置された上記基板収容容器を、他の上記夫々の真空処理装置における上記第2空間に挿入配置可能に保持して、大気雰囲気中において搬送する容器搬送装置とを備えることを特徴とする真空処理システムを提供する。
上記基板の保持面をその上面に有する下側容器の当該保持面に上記基板を保持するとともに、上記下側容器に上側容器を当接させることにより上記基板が保持されたその内部空間を密閉した後、当該内部空間を真空排気して、基板収容容器を形成し、
第1空間と、当該第1空間と上記真空処理装置の外部とを連通するように配置された第2空間とをその内部に有する上記処理室ケーシングにおいて、上記第1空間との連通が遮蔽された状態の上記第2空間に、上記基板収容容器を挿入配置して、上記第2空間を密閉し、
当該第2空間の圧力を調整することで、上記基板収納容器の内外の圧力差を利用して上記基板収容容器の密閉を解除して、上記上側容器と上記下側容器とを分離し、
上記第1空間と上記第2空間との遮蔽を解除するとともに、上記基板と上記下側容器とを一体的に上記処理位置に移動させて、上記基板に対する上記処理を行なうことを特徴とする真空処理方法を提供する。
上記基板を保持する上記下側容器を上記処理位置より移動させて、上記第2空間に位置させるとともに、上記第2空間を密閉し、それとともに、上記下側容器に保持された上記基板を上記上側容器にて密閉可能に、上記下側容器を上記上側容器に当接させて、上記基板収容容器を形成し、
その後、上記第2空間の圧力を調整して、上記基板収容容器の内外の圧力差を利用して、当該基板収容容器の密閉を行なう第16態様又は第17態様に記載の真空処理方法を提供する。
本発明の第1の実施形態にかかる真空処理装置100の模式的な構成を示す模式断面図を図1に示す。図1に示すように、真空処理装置100は、真空雰囲気とされた装置内部に非処理対象物である基板を搬送して配置し、当該基板に対して上記真空雰囲気中において、上記基板の表面改質処理を行なう装置である。具体的には、真空処理装置100は、例えば、積層化構造とされる基板に対して、上記表面改質処理の一例であるスパッタリング処理を施すことが可能となっている。さらに、上記処理が施される基板は、スパッタリング処理により形成される膜の密着性や品質的な制約により、真空雰囲気中での搬送や処理を行なう必要があり、基板周囲の雰囲気が真空化された状態で、真空処理装置100への基板の導入配置や、処理された基板の真空処理装置100からの排出等を行なうことが可能となっている。以下、このような特徴を有する真空処理装置100の具体的な構成について説明する。
τo≧τmax=0.174 × (Pa4)/(Eh3)・・・(数1)
なお、ここで、τmaxは中央たわみ、Pは圧力、aはトレー11の半径、Eはヤング率、hはトレー11の板厚である。数1によれば、トレー11の板厚hは6mmと求めることができる。なお、この板厚hの決定にあたっては、トレー11の熱容量を小さくするために、できる限り板厚を小さく決定する必要がある。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その他種々の態様で実施できる。例えば、本発明の第2の実施形態にかかる真空処理システムについて以下に説明する。このような真空処理システムは、例えば、互いに異なる複数種類の真空処理を1枚の基板に対して施すような処理システムであり、上記各々の真空処理を施す複数台の真空処理装置と、上記夫々の真空処理装置間において、基板を収容配置する真空パックの搬送を行なう搬送装置とにより構成されるものである。以下の夫々の真空処理システムの説明においては、各々の真空処理装置自体は、基本的には、その外観形状や細部を除いては、上記第1実施形態の真空処理装置100と同じ構成となっているため、上記各々の真空処理装置自体の構成の説明は省略するものとし、真空処理システム全体としての構成の説明を中心に説明するものとする。
2 処理室ケーシング
3 ロードロック部
4 基板処理室
5 基板搬送装置
9 制御装置
10 真空パック
11 トレー
12 蓋部
13 真空ハンド
100 真空処理装置
Claims (19)
- 真空化された処理室ケーシングの内部の処理位置に基板を配置して、当該基板に対する処理を行なう真空処理装置において、
第1空間と、当該第1空間と上記真空処理装置の外部とを連通するように配置された第2空間とを、その内部に有する上記処理室ケーシングと、
上記基板をその内部空間に収容する容器であって、上記基板を保持する保持面をその上面に有する下側容器と、上記下側容器とともに上記内部空間を形成して、当該内部空間を解除可能に密閉する上側容器とを備え、上記第2空間と上記真空処理装置の外部とを遮蔽するように、上記第2空間に挿入配置される基板収容容器と、
上記基板が保持された上記下側容器を保持して移動可能とさせる移動部材を有し、上記第1空間と上記第2空間との連通を解除可能に遮蔽する遮蔽位置と、上記第2空間内に配置された上記処理位置との間で、上記移動部材の移動を行なう基板移動装置と、
上記第1空間の圧力を調整して上記真空化する第1圧力調整装置と、
上記基板収容容器及び上記移動部材により密閉された上記第2空間の圧力を調整する第2圧力調整装置と、
上記基板移動装置及び上記第2圧力調整装置を制御可能であって、上記基板移動装置を制御して、上記移動部材を上記遮蔽位置に位置させて、上記第1空間と上記第2空間とを互いに遮蔽し、上記内部空間が真空化されかつ上記下側容器に上記基板が保持された上記基板収容容器を上記第2空間に挿入配置させることで上記第2空間を密閉し、上記第2圧力調整装置を制御して、当該第2空間の圧力を調整することで、上記基板収納容器の内外の圧力差を利用して上記基板収容容器の密閉を解除して、上記基板を保持する上記下側容器を上記移動部材へ受渡し、上記基板移動装置を制御して、上記基板と上記下側容器と一体的に上記処理位置に移動させて、上記基板に対する上記処理を可能とさせる制御装置とを備えることを特徴とする真空処理装置。 - 上記基板収容容器の上記上側容器は、上記基板収容容器が上記第2空間に上記挿入配置された状態において、上記第2空間と上記真空処理装置の外部との連通口を遮蔽するように、上記処理室ケーシングと当接される遮蔽部を有する請求項1に記載の真空処理装置。
- 上記制御装置は、上記第2空間の圧力が、上記基板収容容器内の圧力と略同じ、又は、当該圧力よりも低くなるように、上記第2圧力調整装置を制御して、上記基板収容容器の密閉を解除する請求項1又は2に記載の真空処理装置。
- 上記処理室ケーシングにおいて、上記第2空間は上記第1空間の上方に連通して形成され、上記基板をその上面の上記保持面にて保持する上記下側容器を、上記内外の圧力差によりその下面側に配置される上記移動部材へ受渡し可能に、上記基板収容容器が上記第2空間に挿入配置される請求項1から3のいずれか1つに記載の真空処理装置。
- 上記遮蔽位置に位置された上記移動部材の上面と上記下側容器の下面とが、互いに略当接するように、上記基板収容容器が上記第2空間に挿入配置される請求項4に記載の真空処理装置。
- 上記第2空間と上記真空処理装置の外部とを遮蔽する上記上側容器は、上記移動部材による上記第1空間と上記第2空間との間の遮蔽解除の際に、上記第1空間及び上記第2空間を、上記真空処理装置の外部から遮蔽する請求項2に記載の真空処理装置。
- 上記制御装置は、上記第1圧力調整装置を制御して、真空化された上記処理容器内部において、上記基板移動装置を制御して、上記下側容器を保持する上記移動部材を、上記処理位置から上記遮蔽位置に移動させることで、上記移動部材により上記第2空間を密閉するとともに、上記下側容器に保持された上記基板を上記密閉部材にて密閉可能に、上記下側容器を上記上側容器に当接させて、上記第2圧力調整装置を制御して、上記第2空間の圧力を調整して、上記基板収容容器の内外の圧力差を利用して、当該基板収容容器の密閉を行なう請求項1から6のいずれか1つに記載の真空処理装置。
- 上記基板収容容器は、
その上記内部空間を容器外部と遮断可能に連通する連通通路と、
上記連通通路の途中に設けられ、その開閉動作により上記連通通路を選択的に連通又は遮断する開閉弁とを備える請求項1から7のいずれか1つに記載の真空処理装置。 - 上記下側容器は、上記保持面への上記基板の保持を固定するための固定部を備える請求項1から8のいずれか1つに記載の真空処理装置。
- 上記固定部は、磁性部材により形成される請求項9に記載の真空処理装置。
- 上記処理室ケーシングは、その内部に上記第1空間と連通された室であって、上記基板に対する上記処理が行なわれる基板処理室を備え、
上記基板移動装置により上記下側容器を保持する上記移動部材を上記処理位置に位置させることで、上記移動部材又は上記下側容器により上記基板処理室を密閉するとともに、当該基板処理室内に上記基板を上記処理可能に配置する請求項1に記載の真空処理装置。 - 上記下側容器は、基板電極を備え、
上記基板処理室は、上記移動部材が上記処理位置に位置されることで、上記基板電極と接触される電極端子部を備える請求項11に記載の真空処理装置。 - 上記基板電極は高周波電力を印加可能であって、
上記基板処理室は、上記電極端子部に高周波電力を印加する高周波電源装置をさらに備える請求項12に記載の真空処理装置。 - 上記基板移動装置は、
上記移動部材の昇降移動を行なう昇降移動装置と、
上記遮蔽位置と上記処理位置との略中間位置をその回転中心として、当該遮蔽位置と処理位置との間で上記移動部材を回転移動させる回転移動装置とを備える請求項1から13のいずれか1つに記載の真空処理装置。 - 上記基板に対して互いに異なる複数種類の上記処理を行なう真空処理システムであって、
上記夫々の種類の処理が行なわれる請求項1から14のいずれか1つに記載の複数の真空処理装置と、
上記夫々の真空処理装置における上記第2空間に挿入配置された上記基板収容容器を、他の上記夫々の真空処理装置における上記第2空間に挿入配置可能に保持して、大気雰囲気中において搬送する容器搬送装置とを備えることを特徴とする真空処理システム。 - 真空化された処理室ケーシングの内部の処理位置に基板を配置して、当該基板に対する処理を行なう真空処理方法において、
上記基板の保持面をその上面に有する下側容器の当該保持面に上記基板を保持するとともに、上記下側容器に上側容器を当接させることにより上記基板が保持されたその内部空間を密閉した後、当該内部空間を真空排気して、基板収容容器を形成し、
第1空間と、当該第1空間と上記真空処理装置の外部とを連通するように配置された第2空間とをその内部に有する上記処理室ケーシングにおいて、上記第1空間との連通が遮蔽された状態の上記第2空間に、上記基板収容容器を挿入配置して、上記第2空間を密閉し、
当該第2空間の圧力を調整することで、上記基板収納容器の内外の圧力差を利用して上記基板収容容器の密閉を解除して、上記上側容器と上記下側容器とを分離し、
上記第1空間と上記第2空間との遮蔽を解除するとともに、上記基板と上記下側容器とを一体的に上記処理位置に移動させて、上記基板に対する上記処理を行なうことを特徴とする真空処理方法。 - 上記第2空間の圧力が、上記基板収容容器内の圧力と略同じ、又は、当該圧力よりも低くなるように調整することで、上記基板収容容器の密閉を解除する請求項16に記載の真空処理方法。
- 真空化された上記処理室ケーシングの内部において、
上記基板を保持する上記下側容器を上記処理位置より移動させて、上記第2空間に位置させるとともに、上記第2空間を密閉し、それとともに、上記下側容器に保持された上記基板を上記上側容器にて密閉可能に、上記下側容器を上記上側容器に当接させて、上記基板収容容器を形成し、
その後、上記第2空間の圧力を調整して、上記基板収容容器の内外の圧力差を利用して、当該基板収容容器の密閉を行なう請求項16又は17に記載の真空処理方法。 - 上記処理が施された基板を収容し、かつ上記第2空間から取り出された上記基板収容容器における上記内部空間の真空を破壊することで、上記密閉部材と上記基板保持部材との当接を解除して、上記基板を取り出す請求項16から18のいずれか1つに記載の真空処理方法。
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