JP5611803B2 - 反応性スパッタリング装置 - Google Patents
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Description
例えば、特許文献1には、真空室内に設けられたスパッタガス導入口より、アルゴンガスを導入するとともに、真空室内に設けられた酸素ガス導入口より、酸素ガスを導入する薄膜形成装置が開示されている。
そこで、本発明者は、この原因を鋭意検討を行い、次のような問題点を知見するに至った。すなわち、通常、処理チャンバー内には、チャンバーへの付着を防止するための防着板が設けられている。メンテナンスのため、この防着板を定期交換すると、防着板の取付け誤差等により、この防着板、基板ホルダー及びターゲットによって画定されたスパッタリング空間の圧力が変動してしまい、これが膜質に影響し、結果として歩留まりの悪化につながっていた。
前記スパッタリング空間に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入配管と、
前記スパッタリング空間の外側に不活性ガスを導入する不活性ガス導入口と、を備え、
スパッタリングの際に、前記ターゲットホルダーに取り付けられたターゲットからのスパッタ粒子が、前記反応性ガス導入配管の導入口に付着するのを防止する遮蔽部材を備え、前記防着板は、前記スパッタリング空間に向けられた開口部を有する筐体を有し、前記反応性ガス導入配管の導入口は、前記筐体の内部に設けられていることを特徴とする。
本発明のその他の特徴及び利点は、添付図面を参照とした以下の説明により明らかになるであろう。なお、添付図面においては、同じ若しくは同様の構成には、同じ参照番号を付す。
以下、図面を参照して、本発明の好適な実施形態を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成要素は例示であり、本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって確定されるのであって、以下の個別の実施形態によって限定されない。
図3に示すように排気チャンバー8の内部には、基板シャッター19が真空チャンバー2から退避したときに、基板シャッター19が収納されるシャッター収納部23が設けられている。シャッター収納部23は、基板シャッター19を出し入れするための開口部303を有しており、開口部303以外の部分は密閉されている。
スパッタリング空間内のガスは、ラビリンス形状の隙間で形成される排気路401を通り、排気チャンバー8に設置された排気手段48によって排気される。排気路401を通過するガスの流量をQ、排気路の両端の圧力の差をδpとすると、分子流領域では流量Qは圧力差に比例することが知られており、これを
Q=C・δp (式1)
と書く。この比例定数Cをコンダクタンスといい、排気路を通過するガスの通り易さをあらわす。本実施例では第1の排気路のコンダクタンス401は1250little/sec.である。第2の排気路403のコンダクタンスは後述するように変更可能であり、本実施例では149〜549little/sec.である。
なお、コンダクタンスは、スパッタリング空間内部にガスを導入してスパッタ空間外に設置された排気手段でガスを排気しながらスパッタリング空間内部とスパッタリング空間外部の各圧力を測定し、ガス流量、スパッタ空間内とスパッタ空間外の圧力を式1に代入することで求めることができる。
図6は、本発明に適用可能な防着板に設けられた隙間の例を説明する図である。
図6(a)、(b)、(c)に示すように、凹部に凸部が非接触で嵌め込まれるようにラビリンス形状の防着板を構成することで、スパッタリング空間内で発生したスパッタ粒子を確実に防着板に付着させ、チャンバー内壁への付着を防止することができる。さらに、こうした隙間により、スパッタリング空間外に導入されたアルゴンガスをスパッタリング空間内へ拡散させることができる。
また、図6(d)、(e)のように、隙間を隘路にすることで、上述と同様の効果を持たすことができる。以上、本明細書では、図6に示す全ての防着板は、ラビリンス形状を有する隙間を有する防着板と定義する。
反応性ガス導入系には反応性ガスを供給するための反応性ガス供給装置(ガスボンベ)18が接続されている。
ステップS405(第2不活性ガス導入ステップ及び反応性ガス導入ステップ)においては、制御部は、第2ガス配管(第2不活性ガス導入口)35を作動して、不活性ガス(例えば、アルゴン)を、処理チャンバー2内に設けられた防着板40、ターゲット4、及び基板ホルダー7によって画定されたスパッタリング空間の外側に導入する。つまり、カソードシャッター14と処理チャンバーの内壁(天井壁)との間に導入される。また、本ステップにおいては、制御部は反応性ガス配管161を用いて、反応性ガスを、処理チャンバー2内に設けられた防着板40、ターゲット4、及び基板ホルダー7によって画定されたスパッタリング空間内に導入する。このように、不活性ガスを外導入し、かつ反応性ガスを内導入するのは、スパッタリング空間の圧力を安定化させるためである。つまり、スパッタリング空間外に排気手段と、不活性ガスを導入するガス導入管161に設けることで、スパッタリング空間外に外導入された不活性ガスは、スパッタリング空間内に拡散し、防着板の取り付け誤差が生じてもスパッタリング空間内外での圧力が一定になる。
また、内導入された反応性ガスは、スパッタリング空間内ではスパッタ粒子との反応により消費され、スパッタリング空間外への流出はないので、コンダクタンス変化の影響を受けることがない。
なお、成膜工程が所定回数行なわれた後、防着板40等が定期交換される。膜が付着した防着板40は、別の新しい防着板と交換する場合、または、洗浄された後、再度利用される場合がある。
このように成膜工程中は、スパッタリング空間外から不活性ガスを導入する。導入された不活性ガスは拡散現象により、スパッタリング空間を含むチャンバー全体に拡散し、チャンバー内の全ての空間が均一な圧力になる。このことは防着板の交換など定期交換を行なって、隙間60の大きさが変化して、コンダクタンスが変化してもスパッタリング空間の圧力を安定化できることを意味する。なお、不活性ガスを内導入してもスパッタリング空間内で消費されないため、防着板の隙間を経てスパッタリング空間外へ流出し、排気手段で排気されてしまう。防着板の交換により、防着板間の隙間、即ちコンダクタンスが変化してしまい、結果的にスパッタリング空間の圧力が変化してしまうので、適当ではない。
一方、反応性ガスは、スパッタリング空間に導入されると、スパッタリング空間内で消費されるので、防着板の取付け誤差やコンダクタンスの変化の影響を受けない。なお、反応性ガスを外導入すると、防着板間の隙間を経てスパッタリング空間内へ流入し、スパッタ粒子と反応して消費(反応性ガスの排気と同様の効果)されるため、隙間のコンダクタンスの変化によりスパッタリング空間の圧力が変化してしまい適当ではない。
本発明のスパッタリング装置を用いて、Tiターゲットと、不活性ガスとしてArガスを外導入し、反応性ガスとして窒素ガスを内導入して、TiN膜を生成した。比較例では、スパッタリング空間内に不活性ガスと反応性ガスを導入した。
以上より、本発明のスパッタリング装置を用いることで、比較例のスパッタリング装置とを比較して、製造された製品におけるシート抵抗のバラツキを、±16%から±4.9%まで減少させることができた。
2 処理チャンバー
3 マグネットホルダー
4 ターゲット
5 バックプレート
6 ターゲットホルダー
7 基板ホルダー
8 排気チャンバー
9 チムニーシールド
10 基板
12 スパッタ電源
13 マグネット
14 カソードシャッター
17 反応性ガス供給装置
18 反応性ガス供給装置
19 基板シャッター機構
20 基板シャッター支持機構
21 基板周辺カバーリング
31 基板ホルダー駆動機構
32 基板シャッター駆動機構
33 カソードシャッター駆動機構
34 第1不活性ガス配管(第1不活性ガス導入口)
35 第2不活性ガス配管(第2不活性ガス導入口)
40a、40b、40c、40d 防着板(シールド)
42 ゲートバルブ
47 メインバルブ
48 ターボ分子ポンプ(TMP)
49 ドライポンプ(DRP)
50 放電プラズマ
51 第1不活性ガス供給装置
52 第1不活性ガス供給装置
53 第2不活性ガス供給装置
54 第2不活性ガス供給装置
161 反応性ガス導入配管
401 排気路(隙間)
Claims (6)
- チャンバーと、
前記チャンバーに設けられた基板ホルダーと、
前記チャンバーに設けられ、ターゲットを保持するためのターゲットホルダーと、
前記チャンバー内に設けられ、前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間でスパッタリング空間を形成するとともに、前記チャンバー内壁へのスパッタ粒子の付着を防止する防着板と、
前記スパッタリング空間に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入配管と、
前記スパッタリング空間の外側に不活性ガスを導入する不活性ガス導入口と、を備え、
スパッタリングの際に、前記ターゲットホルダーに取り付けられたターゲットからのスパッタ粒子が、前記反応性ガス導入配管の導入口に付着するのを防止する遮蔽部材を備え、前記防着板は、前記スパッタリング空間に向けられた開口部を有する筐体を有し、前記反応性ガス導入配管の導入口は、前記筐体の内部に設けられていることを特徴とする反応性スパッタリング装置。 - チャンバーと、
前記チャンバーに設けられた基板ホルダーと、
前記チャンバーに設けられ、ターゲットを保持するためのターゲットホルダーと、
前記チャンバー内に設けられ、前記ターゲットホルダーと前記基板ホルダーとの間でスパッタリング空間を形成するとともに、前記チャンバー内壁へのスパッタ粒子の付着を防止する防着板と、
前記スパッタリング空間の内側に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入配管と、
前記スパッタリング空間の外側に不活性ガスを導入する不活性ガス導入口と、を備え、
前記反応性ガス導入配管は、前記基板ホルダーより高い位置で、かつ、前記ターゲットホルダーより低い位置に、前記反応性ガス導入配管の導入口が前記防着板の内側表面から前記スパッタリング空間内部に突出するように設けられており、
スパッタリングの際に、前記ターゲットホルダーに取り付けられたターゲットからのスパッタ粒子が、前記反応性ガス導入配管の導入口に付着するのを防止する遮蔽部材を、前記ターゲットホルダーと前記反応性ガス導入管との間に、前記防着板とは別に設けたことを特徴とする反応性スパッタリング装置。 - 前記遮蔽部材は、前記ターゲットホルダーと前記反応性ガス導入配管の導入口とを結ぶ直線上に、前記反応性ガス導入配管の導入口を遮蔽するように設けられていることを特徴とする請求項2に記載の反応性スパッタリング装置。
- 前記防着板は交換可能に構成され、前記反応性ガス導入配管は前記チャンバーに固定されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の反応性スパッタリング装置。
- 前記防着板には、隙間が形成され、該隙間はラビリンス形状となっていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の反応性スパッタリング装置。
- 前記スパッタリング空間の外側には、排気装置が設けられていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の反応性スパッタリング装置。
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